JPH04252073A - マスタースライス方式半導体集積回路 - Google Patents
マスタースライス方式半導体集積回路Info
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- JPH04252073A JPH04252073A JP3001359A JP135991A JPH04252073A JP H04252073 A JPH04252073 A JP H04252073A JP 3001359 A JP3001359 A JP 3001359A JP 135991 A JP135991 A JP 135991A JP H04252073 A JPH04252073 A JP H04252073A
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- pads
- pad
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- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/494—Connecting portions
- H01L2224/4943—Connecting portions the connecting portions being staggered
- H01L2224/49431—Connecting portions the connecting portions being staggered on the semiconductor or solid-state body
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- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/14—Integrated circuits
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はマスタースライス方式半
導体集積回路に関し、特に電源供給パッドの配置位置に
関する。
導体集積回路に関し、特に電源供給パッドの配置位置に
関する。
【0002】
【従来の技術】従来、マスタースライス方式半導体集積
回路の電源供給パッドは、図4に示すように配置位置や
配置数が固定であった。また電源供給パッドを増す場合
には信号パッドを使用していた。
回路の電源供給パッドは、図4に示すように配置位置や
配置数が固定であった。また電源供給パッドを増す場合
には信号パッドを使用していた。
【0003】ワイヤーボンディングを行うに必要なパッ
ドの間隔は図4に示すようにパッドを一列に配置してい
たため少なくとも200μm程度が必要である。また、
外部セルの設計可能なセル幅は150〜250μmであ
る。又、近年のワイヤーボンディング技術の向上、例え
ばワイヤーの小径化などによりワイヤーボンディングに
必要なパッド間隔は150〜180μmが可能となって
きている。
ドの間隔は図4に示すようにパッドを一列に配置してい
たため少なくとも200μm程度が必要である。また、
外部セルの設計可能なセル幅は150〜250μmであ
る。又、近年のワイヤーボンディング技術の向上、例え
ばワイヤーの小径化などによりワイヤーボンディングに
必要なパッド間隔は150〜180μmが可能となって
きている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来のマスタ
ースライス方式半導体集積回路の電源供給パッドは、チ
ップ規模より必要な電源を供給出来るようにあらかじめ
固定の専用電源配線領域を設け電源配線幅,電源供給パ
ッド位置,配置数を決定しているためチップ内のセル使
用率,配置位置,使用方法によって電源供給位置配置数
を変更出来ないという欠点があった。
ースライス方式半導体集積回路の電源供給パッドは、チ
ップ規模より必要な電源を供給出来るようにあらかじめ
固定の専用電源配線領域を設け電源配線幅,電源供給パ
ッド位置,配置数を決定しているためチップ内のセル使
用率,配置位置,使用方法によって電源供給位置配置数
を変更出来ないという欠点があった。
【0005】また電源供給量を増すためには、外部セル
領域に電源供給配線を配置しなければならず信号パッド
数を減らさなけらばならないという欠点があった。
領域に電源供給配線を配置しなければならず信号パッド
数を減らさなけらばならないという欠点があった。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明のマスタースライ
ス方式半導体集積回路は、信号パッドと電源供給パッド
とセルアレイ構造を有する外部セル領域とから成り、前
記信号パッドと前記電源供給パッドとは交互に配列され
て構成されている。
ス方式半導体集積回路は、信号パッドと電源供給パッド
とセルアレイ構造を有する外部セル領域とから成り、前
記信号パッドと前記電源供給パッドとは交互に配列され
て構成されている。
【0007】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。図1は本発明の第1の実施例でチップ内,外部セル
領域の一部分の平面図ある。
る。図1は本発明の第1の実施例でチップ内,外部セル
領域の一部分の平面図ある。
【0008】外部セル領域7に対応する信号パッド4と
外部セル境界に対応して電源を供給する電源供給パッド
5とが交互に配列してある。
外部セル境界に対応して電源を供給する電源供給パッド
5とが交互に配列してある。
【0009】ここで、信号パッド4と電源供給パッド5
とを千鳥の位置関係となる様に配列してあり、斜めの方
向にパッドの配置間隔を確保することによりワイヤーボ
ンディングに必要なパッド間隔を得ている。
とを千鳥の位置関係となる様に配列してあり、斜めの方
向にパッドの配置間隔を確保することによりワイヤーボ
ンディングに必要なパッド間隔を得ている。
【0010】例えば、200μm間隔で配列した外部セ
ル9に対して信号パッド列4を及び電源供給パッド列5
をそれぞれ200μm間隔での配置が可能となっている
。
ル9に対して信号パッド列4を及び電源供給パッド列5
をそれぞれ200μm間隔での配置が可能となっている
。
【0011】これにより、例えば図面の斜線部外部セル
9に電源供給配線1の電源を供給する場合図4に示した
従来の技術例では、固定の電源配線領域8より電源を供
給するので配線抵抗による電源電位降下があったが、本
実施例によれば電源供給配線1の電源を必要とする任意
外部セルのセル境界に対応した電源供給パッドより電源
供給ができ配線抵抗による電位降下を小さくできる。こ
の時、電源供給配線1〜3を2層,3層で構成し外部セ
ル内配線領域は、1層と電源配線領域以外の2層配線で
確保している。
9に電源供給配線1の電源を供給する場合図4に示した
従来の技術例では、固定の電源配線領域8より電源を供
給するので配線抵抗による電源電位降下があったが、本
実施例によれば電源供給配線1の電源を必要とする任意
外部セルのセル境界に対応した電源供給パッドより電源
供給ができ配線抵抗による電位降下を小さくできる。こ
の時、電源供給配線1〜3を2層,3層で構成し外部セ
ル内配線領域は、1層と電源配線領域以外の2層配線で
確保している。
【0012】又、第1の実施例では信号パッド4を外周
に、電源供給パッド5を内周に示したが、図2に示す本
発明の第2の実施例の部分平面図の様に信号パッド4を
内周に、電源供給パッド5を外周にしても同様の効果が
得られる。尚、今後ワイヤーボンディング技術の向上が
図られ、ボンディング可能なパッド間隔が更に縮小され
れば、図3に示す第3の実施例の如く信号パッドと電源
供給パッドを同一の列に配置することも可能となる。
に、電源供給パッド5を内周に示したが、図2に示す本
発明の第2の実施例の部分平面図の様に信号パッド4を
内周に、電源供給パッド5を外周にしても同様の効果が
得られる。尚、今後ワイヤーボンディング技術の向上が
図られ、ボンディング可能なパッド間隔が更に縮小され
れば、図3に示す第3の実施例の如く信号パッドと電源
供給パッドを同一の列に配置することも可能となる。
【0013】
【発明の効果】以上説明した様に本発明は、外部セルに
対応する信号パッド間に電源供給パッドを配置すること
によって、固定の電源配線領域を有することなくチップ
内のセル使用数,使用位置等により任意の電源供給パッ
ドから電源を供給できる効果がある。それにより配線抵
抗を小さくすることもできるし、電位降下を小さくでき
ることから、外部セル上の電源供給配線を細くでき電源
配線幅が外部セルの大きさを制限しないのでチップサイ
ズを小さくできる効果もある。
対応する信号パッド間に電源供給パッドを配置すること
によって、固定の電源配線領域を有することなくチップ
内のセル使用数,使用位置等により任意の電源供給パッ
ドから電源を供給できる効果がある。それにより配線抵
抗を小さくすることもできるし、電位降下を小さくでき
ることから、外部セル上の電源供給配線を細くでき電源
配線幅が外部セルの大きさを制限しないのでチップサイ
ズを小さくできる効果もある。
【図1】本発明の第1の実施例の部分平面図である。
【図2】本発明の第2の実施例の部分平面図である。
【図3】本発明の第3の実施例の部分平面図である。
【図4】従来のマスタースライス方式半導体集積回路の
部分平面図である。
部分平面図である。
1〜3 電源供給配線
4 信号パッド
5 電源供給パッド
6 電源供給用未使用パッド
7 チップ内外部セル領域
8 固定電源配線領域
9 外部セル
Claims (1)
- 【請求項1】 信号パッドと電源供給パッドとセルア
レイ構造を有する外部セル領域とから成り、前記信号パ
ッドと前記電源供給パッドとは交互に配列されているこ
とを特徴とするマスタースライス方式半導体集積回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3001359A JPH04252073A (ja) | 1991-01-10 | 1991-01-10 | マスタースライス方式半導体集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3001359A JPH04252073A (ja) | 1991-01-10 | 1991-01-10 | マスタースライス方式半導体集積回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04252073A true JPH04252073A (ja) | 1992-09-08 |
Family
ID=11499304
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3001359A Pending JPH04252073A (ja) | 1991-01-10 | 1991-01-10 | マスタースライス方式半導体集積回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04252073A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005277392A (ja) * | 2004-02-24 | 2005-10-06 | Canon Inc | 半導体集積回路装置 |
JP2007335486A (ja) * | 2006-06-13 | 2007-12-27 | Sharp Corp | 半導体集積回路 |
JP2016021522A (ja) * | 2014-07-15 | 2016-02-04 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | 半導体装置 |
-
1991
- 1991-01-10 JP JP3001359A patent/JPH04252073A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005277392A (ja) * | 2004-02-24 | 2005-10-06 | Canon Inc | 半導体集積回路装置 |
JP4533173B2 (ja) * | 2004-02-24 | 2010-09-01 | キヤノン株式会社 | 半導体集積回路装置 |
US7902658B2 (en) | 2004-02-24 | 2011-03-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Integrated circuit having wide power lines |
JP2007335486A (ja) * | 2006-06-13 | 2007-12-27 | Sharp Corp | 半導体集積回路 |
JP2016021522A (ja) * | 2014-07-15 | 2016-02-04 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | 半導体装置 |
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