JP4533173B2 - 半導体集積回路装置 - Google Patents

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Description

本発明は、半導体チップを樹脂からなるパッケージで封入した半導体集積回路装置（ＩＣパッケージ）において、半導体チップとパッケージの接続配線部構造に起因して発生する放射ノイズやグランドバウンズノイズを抑制することのできる半導体集積回路装置に関するものである。
近年、半導体プロセスの微細化およびそれに伴う回路の大規模化により、半導体集積回路装置（ＩＣ）により発生する放射ノイズやグランドバウンズノイズの、他の電子機器に及ぼす悪影響や、自回路の誤動作等が大きな問題になってきている。
これらの放射ノイズやグランドバウンズノイズは、ＩＣの内部回路が動作する際に、「バイパスコンデンサの電源端子→プリント配線板の電源配線→パッケージの電源配線→半導体チップの電源配線→内部負荷（半導体集積回路部）→半導体チップのグランド配線→パッケージのグランド配線→プリント配線板のグランド配線→バイパスコンデンサグランド端子」という経路で大きな電流が流れることに発生する。すなわち、その経路が持つインダクタンス成分によって、ΔＶ＝−Ｌ・ｄｉ／ｄｔ（ΔＶ：電位変動量，Ｌ：インダクタンス値，ｄｉ／ｄｔ：時間当たりの電流変化量）という式で表される電位変動が起こる。この電位変動がそのままグランドバウンズとして回路の誤動作を引き起こしたり、直接プリント配線板上の基幹電源配線や、ＩＣが有する信号入出力用配線（信号配線）に伝播して放射ノイズとして放射されたりする。
従って、放射ノイズを抑制するためには、上記のバイパスコンデンサから半導体チップに至る電流経路のインピーダンスを、如何に低く抑えるかが非常に重要な課題となる。この課題に関して、特許文献１（特開平５−１６０３３３号公報）や特許文献２（特開平９−２２９７７号公報）には、複数のワイヤボンディング用の電極パッド（ワイヤボンディングパッド）に接続されたパッケージの給電配線（グラウンド配線および電源配線）を、共通化して太く引き出す事が記載されている。
また、半導体プロセスの微細化とそれに伴う回路の大規模化により、ワイヤボンディングパッドが配置される半導体チップの外周領域が小さくなると共に、電極パッド数は多くなっている。そのため、ワイヤボンディングパッドを従来の１列配置から、２列の千鳥状に配列した構成が採用されるようになってきている。特許文献３（特開平１１−８７３９９号公報）にはこの千鳥状の配列において、信号配線の特性インピーダンス安定化と回路への電力供給確保のために、信号パッドと給電パッド（電源パッドおよびグラウンドパッド）を一組として配置する事が開示されている。
図７は従来例を示すもので、ＩＣの内部を示した平面図である。半導体チップ１１１上のワイヤボンディングパッド１１２は千鳥状に２列配置されている。ワイヤボンディングパッド１１２のうちのワイヤボンディングパッド１１２ａは外側の前列に、ワイヤボンディングパッド１１２ｂは内側の後列に割り付けられている。前列のワイヤボンディングパッド１１２ａからの配線１１３ａ及び後列のワイヤボンディングパッド１１２ｂからの配線１１３ｂは、半導体チップ１１１の内側に配置されている不図示の半導体集積回路部に接続されている。この際、配線１１３ａは、後列のワイヤボンディングパッド１１２ｂ間をすり抜けるように配線されている。これらのワイヤボンディングパッド１１２ａと１１２ｂを、信号パッドもしくは給電パッドとして使用している。
また、半導体チップ１１１とボンディングワイヤ１１４で接続されるパッケージ１１５上のワイヤボンディングパッド１１６も、同様に千鳥状に２列で配列されている。ワイヤボンディングパッド１１６のうちワイヤボンディングパッド１１６ａは内側の後列、ワイヤボンディングパッド１１６ｂは外側の前列に割り付けられている。後列のワイヤボンディングパッド１１６ａからの配線１１７ａ及び前列のワイヤボンディングパッド１１６ｂからの配線１１７ｂは、パッケージ１１５の外部と接続するための不図示のリードピンやＢＧＡボールランドに接続されている。この際、配線１１７ｂは後列の信号パッド１１６ｂ間をすり抜けるように配線されている。これらのワイヤボンディングパッド１１６ａと１１６ｂを、信号パッドもしくは給電パッドとして使用している。
特開平５−１６０３３３号公報 特開平９−２２９７７号公報 特開平１１−８７３９９号公報
しかしながら、図７に示すようなＩＣにおいて、外側の前列に割り付けられているワイヤボンディングパッド１１２ａを給電パッドとする場合、給電配線１１３ａは２つの給電パッド１１２ｂの間を通さなければならない。そのため、パッケージの給電配線の線幅は２つの給電パッド１１２ｂの間隔よりも太くする事ができない。また同様に、パッケージ１１５の外側の前列に割り付けられているワイヤボンディングパッド１１６ａを給電パッドとする場合、給電配線１１７ａの線幅は２つの給電パッド１１７ａの間隔よりも太くする事ができない。そのため、給電配線１１３ａ及び給電配線１１７ａのインピーダンスを低くすることができないため、ＩＣ全体の電流経路における低インピーダンス化を阻害してしまう。その結果多くの放射ノイズやグランドバウンズノイズを発生してしまうという課題があった。
そこで本発明は、内部に高集積化された半導体チップを有し、ワイヤボンディングパッドを千鳥状の２列以上に配列した半導体集積回路装置において、給電経路全体の低インピーダンス化とパッケージサイズの小型化に大きく貢献できる半導体集積回路装置を提供することを目的とするものである。
上記目的を達成するため、本発明の半導体集積回路装置は、半導体集積回路部と、該半導体集積回路部の周辺に配列された該半導体集積回路部と接続された複数の第１のワイヤボンディングパッドとを有する半導体チップと、前記半導体チップを封入する複数の配線を有するパッケージと、前記半導体チップに設けられた第１のワイヤボンディングパッドと前記パッケージに設けられた配線とを接続するボンディングワイヤとを備えた半導体集積回路装置であって、前記第１のワイヤボンディングパッドは、前記半導体集積回路部に信号を伝送する第１の信号パッドと前記半導体集積回路部に給電する第１の給電パッドが、記半導体チップの周辺に沿って複数列に配列されており、前記第１のワイヤボンディングパッドのうち、前記第１の給電パッドはすべて、前記複数列の最も内側の列に配置されており、前記第１の給電パッドから引き出される第１の給電配線の幅は、該第１の給電パッドの幅以上であり、前記複数列の最も内側の列以外の列に配置されている第１の信号パッドから引き出される第１の信号配線の幅は、該第１の信号パッドの幅よりも細いことを特徴としている。
また本発明は、前記半導体集積回路装置において、前記パッケージに設けられた複数の配線には、前記第１のワイヤボンディングパッドと前記ボンディングワイヤによって接続される第２のワイヤボンディングパッドが設けられており、前記第２のワイヤボンディングパッドは、前記パッケージの周辺に沿って複数列に配列された第２の信号パッドと第２の給電パッドからなっており、前記第２のワイヤボンディングパッドのうち、前記給電パッドのうち、前記第２の給電パッドはすべて、前記複数列の最も内側の列に配置されており、前記第２の給電パッドから引き出される第２の給電配線の幅は、該第２の給電パッドの幅以上であり、前記複数列の最も内側の列以外の列に配置されている第２の信号パッドから引き出される信号配線の幅は、該第２の信号パッドの幅よりも細いことを特徴としている。
また本発明は、前記半導体集積回路装置において、前記パッケージは前記半導体チップの外側に複数列のボールランドを有するＢＧＡパッケージであり、前記複数列のボールランドは、前記第２の給電パッドと第２の給電配線により接続される給電ランドと、前記第２の信号パッドと第２の信号配線により接続される信号ランドとからなり、前記給電ランドは、前記複数列のボールランドのうち前記第２の給電パッドに最も近い列に配置されていることを特徴としている。
また本発明は、前記半導体集積回路装置において、半導体集積回路部と、該半導体集積回路部の周辺に配列され該半導体集積回路部と接続された複数の配線とを有する半導体チップと、前記半導体チップを封入し、前記半導体チップの周辺部には第２のワイヤボンディングパッドと、前記第２のワイヤボンディングパッドと接続された配線とを有するパッケージと、前記半導体チップに設けられた配線と前記パッケージに設けられた第２のワイヤボンディングパッドとを接続するボンディングワイヤとを備えた半導体集積回路装置であって、前記第２のワイヤボンディングパッドは、前記パッケージの周辺に沿って複数列に配列された第２の信号パッドと第２の給電パッドからなっており、前記第２の給電パッドはすべて、前記複数列の最も内側の列に配置されており、前記第２の給電パッドから引き出される第２の給電配線の幅は、該第２の給電パッドの幅以上であり、前記複数列の最も内側の列以外の列に配置されている第２の信号パッドから引き出される信号配線の幅は、該第２の信号パッドの幅よりも細いことを特徴としている。
半導体チップ上に少なくとも２列の千鳥状に配置されたワイヤボンディングパッドのうち、電力供給用の電源パッド及びグラウンドパッド（給電パッド）が、半導体チップの内側である後列に配置されているため、ワイヤボンディングパッドから引き出された半導体チップ上の電源配線とグランド配線は、前列のワイヤボンディングパッド間を通過することがない。従って、太い配線で半導体チップの内側にある半導体集積回路部に接続する事ができる。これによって、半導体チップ上のワイヤボンディングパッドから、半導体集積回路部に至る給電経路のインピーダンスを低く抑える事ができる。
また、パッケージ上に少なくとも２列の千鳥状に配置されたワイヤボンディングパッドについても、電源パッド及びグランドパッドをワイヤボンディング接続端から遠い半導体パッケージの内側である後列に配置する。これによって、ワイヤボンディングパッドから引き出された電源配線とグランド配線は、前列のワイヤボンディングパッド間を通過することないため、太い配線によってプリント配線板とコンタクトするリードピンやＢＧＡボールランドに接続する事ができる。その結果、パッケージ上のワイヤボンディングパッドを経て半導体チップの配線に至る給電経路のインピーダンスを低く抑える事ができる。
なお、ＳＯＰやＱＦＰ等のリードタイプのＩＣでは、パッケージ上に配線はなく、ワイヤが直接リードピンにボンディングされるものもある。この場合は、半導体チップ上の配線のみが低インピーダンス接続の対象となる。
次に、本発明を実施するための最良の形態を図面を参照して説明する。
図１（ａ）は本発明の実施例１を示すＩＣの内部を示した平面図である。半導体チップ１１上のワイヤボンディングパッド１２は千鳥状に２列配置されている。ワイヤボンディングパッド１２のうちの給電パッド１２ａ（電源パッドとグランドパッド）は、すべて半導体チップ１１の内側の後列のワイヤボンディングパッドに割り付けられている。またワイヤボンディングパッド１２のうちの信号パッド１２ｂはどのワイヤボンディングパッドに割り付けてもかまわない。給電パッド１２ａからの給電配線１３ａ及び信号パッド１２ｂからの信号配線１３ｂは、半導体チップ１１の内側に配置されている不図示の半導体集積回路部に接続されている。この際、給電配線１３ａは、給電パッド１２ａの幅と同じ太さ以上の線幅で配線されている。半導体チップ１１の内側の後列に設けられた給電パッド１２ａからの給電配線１３ａは、他のワイヤボンディングパッド１２に規制されることが無いため、このような太い幅の配線とすることが可能である。
また半導体チップ１１とボンディングワイヤ１４で接続されるパッケージ１５上のワイヤボンディングパッド１６も千鳥状に２列に配置されている。半導体チップ１１上と同様に、ワイヤボンディングパッド１６のうちの給電パッド１６ａ（電源パッドとグランドパッド）は、すべてパッケージ１５の内側の後列のワイヤボンディングパッドに割り付けられている。またワイヤボンディングパッド１６のうちの信号パッド１６ｂはどのワイヤボンディングパッドに割り付けてもかまわない。給電パッド１６ａからの給電配線１７ａ及び信号パッド１６ｂからの信号配線１７ｂは、パッケージ１５の外部と接続するための不図示のリードピンやＢＧＡボールランドに接続されている。この際、給電配線１７ａは、給電パッド１６ａの幅と同じ太さ以上の線幅で配線されている。パッケージ１５の内側の後列に設けられた給電パッド１６ａからの給電配線１７ａは、他のワイヤボンディングパッド１６に規制されることが無いため、このような太い幅の配線とすることが可能である。
このようにして、給電配線１３ａ及び給電配線１７ａのインピーダンスを低くすることができ、ＩＣ全体の電流経路における低インピーダンス化が可能となる。すなわち、半導体集積回路装置のパッケージが搭載されるプリント配線板上に実装されたバイパスコンデンサから、半導体集積回路装置の内部の半導体集積回路部（アクティブエリヤ）に至る給電配線を極力太く配線接続し、給電配線が持つ電気的な接続インピーダンスを極力抑制して、該給電配線を流れる電流成分によって引き起こされる電位変動を低減することで、放射ノイズやグランドバウンズによるトラブルを効果的に回避することができる。
尚、図１（ａ）に示した実施例では、半導体チップ１１側とパッケージ１５側の両方において、ワイヤボンディングパッド１２は千鳥状に２列配置されている。本発明においては、必ずしもワイヤボンディングパッド１２をこの両方において千鳥状の２列配置とする必要はなく、半導体チップ１１側とパッケージ１５側の一方にのみ配置してもかまわない。図１（ｂ）は半導体チップ１１側のみを千鳥状に２列配置とした場合のＩＣの内部を示した平面図である。
図１（ｂ）において半導体チップ１１側は図１と同様であり、図１（ａ）と同じ符号を付し説明は省略する。パッケージ２５上には給電配線２７ａおよび信号配線２７ｂが割り付けられており、いずれもリードピンが延長されて形成されたものである。またこえらの給電配線２７ａおよび信号配線２７ｂは、パッケージ２５側のワイヤボンディングパッドも兼ねており、ボンディングワイヤ２４により半導体チップ１１上のワイヤボンディングパッド１２ａ、１２ｂに接続されている。この際、給電配線２７ａの線幅をできるだけ太くすることにより、ＩＣ全体の電流経路における低インピーダンス化をより効果的に実現することができる。
図２は本発明の実施例２を示すＩＣの内部を示した平面図である。図２はパッケージが裏面にＢＧＡ（ボールグリッドアレイ）を有するＢＧＡパッケージである場合を示している。尚、半導体チップ１１側は図１（ａ）に示す実施例１と同様であり、図１（ａ）と同じ符号を付し説明は省略する。
図２においてパッケージ３５上のワイヤボンディングパッド３６は、図１（ａ）に示す実施例１と同様に千鳥状に２列に配置されている。ワイヤボンディングパッド３６のうちの給電パッド３６ａはすべてパッケージ３５の内側の後列に配置され、外側の前列は信号パッド３６ｂのみで配置されている。半導体チップ１１上のワイヤボンディングパッド１２とパッケージ３５上のワイヤボンディングパッド３６は、ボンディングワイヤ３４で接続されている。このように配置することで、ワイヤボンディングパッド３６からの太い給電配線３７ａは、信号ランド３８ｂ間をすり抜けるような事ないため、給電配線３７ａの線幅は給電パッド３６ａと同じ幅で太く配線することができる。
また、ＢＧＡボールランド３８のうちで、電源ランドまたはグランドランドである給電ランド３８ａをワイヤボンディングパッド３６に最も近い列に配置している。これにより、ワイヤボンディングパッド３６からの太い給電配線３７ａを、最短で給電ランド３８ａに接続することができる。
図２において破線で示したのは、ＩＣが実装されているプリント配線板に設けられた、電源配線３９ａ、グランド配線３９ｂおよびその間に実装されるバイパスコンデンサ３９ｃである。電源配線３９ａはボールを介して給電ランド３８ａ（電源ランド）と電気的に接続され、電源配線３９ｂはボールを介して給電ランド３８ａ（グラウンドランド）と電気的に接続されている。このような構成によって、プリント配線板上に搭載されるバイパスコンデンサから半導体集積回路に至る電流経路全体のインピーダンスを極力低く抑える事が可能になる。
実施例２に示した構成とすることで、パッケージがＢＧＡである場合においても、ＩＣ全体の電流経路における低インピーダンス化を実現することができる。
図３は本発明の実施例３を示すＩＣの内部を示した平面図である。図３は裏面にＢＧＡ（ボールグリッドアレイ）を有するＢＧＡパッケージである場合を示している。尚、半導体チップ１１側は図１（ａ）に示す実施例１と同様であり、図１（ａ）と同じ符号を付し説明は省略する。
図３は給電パッドや信号パッドとして用いられるワイヤボンディングパッド４６の総数よりも、プリント配線板との接続用の給電ランド４８ａと信号ランド４８ｂを含むＢＧＡボールランド４８の総数が多く設けられている。半導体チップ１１上のボンディングワイヤ１２とパッケージ３５上のワイヤボンディングパッド４６は、ボンディングワイヤ４４で接続されている。ワイヤボンディングパッド４６からの１本の太い給電配線４７ａに対して、複数個の給電ランド４８ａを直列に接続している。これによって、パッケージ４５とプリント配線板間の電気的接続をより低インピーダンスにする事ができる。
図４は本発明の実施例４を示すＩＣの内部を示した平面図である。図４は裏面にＢＧＡ（ボールグリッドアレイ）を有するＢＧＡパッケージである場合を示している。実施例２では図２からわかるように、給電ランド３８ａと信号ランド３８ｂはともに半導体チップ１１よりも外側に配置されている。これに対して実施例４では、図４に示すように、給電ランド３８ａが、半導体チップ１１よりも内側に配置されている場合を示している。尚、実施例４においてに実施例２と同じ部材には同じ符号を付し説明は省略する。
図４においてパッケージ６５上のワイヤボンディングパッド６６は、図２と同様に千鳥状に２列に配置されている。ワイヤボンディングパッド６６のうちの給電パッド６６ａはすべてパッケージ３５の外側の前列に配置され、内側の後列は信号パッド６６ｂのみで配置されている。半導体チップ１１上のワイヤボンディングパッド１２とパッケージ６５上のワイヤボンディングパッド６６は、ボンディングワイヤ６４で接続されている。この時、ＢＧＡボールランド６８のうちで、電源ランドまたはグランドランドである給電ランド６８ａは、破線で示すように半導体チップ１１の裏面に配置され、信号ランド６８ｂは半導体チップ１１の外側に配置されている。従って給電パッド６６ａからの太い給電配線６７ａは、半導体チップ１１の内側方向に配線が延びており、給電ランド６８ａと接続されている。また信号パッド６６ｂからの細い給電配線６７ａは、半導体チップ１１の外側方向に配線が延びており、給電ランド６８ｂと接続されている。尚、給電ランド６８ａから電源配線６９ａ、信号ランド６８ｂからグランド配線３９ｂが延びており、電源配線６９ａと信号ランド６８ｂの間にはバイパスコンデンサ３９ｃが実装されている。
このように配置することで、ワイヤボンディングパッド６６からの太い給電配線６７ａは、信号ランド６６ｂ間をすり抜けるような事ないため、給電配線６７ａの線幅は給電パッド６６ａと同じ幅で太く配線することができる。従ってＩＣ全体の電流経路における低インピーダンス化を実現することができる。尚図４においては、すべての給電ランド６８ｂが半導体チップ１１の下に配置されているが、本実施例はこれに限定されるものではない。本実施例は、半導体チップ１１の下に配置された給電ランドに接続される給電パッドは、すべてパッケージ３５の外側の前列に配置し、半導体チップ１１の外側に配置された給電ランドに接続される給電パッドは、すべてパッケージ３５の内側の後列に配置するものである。
図５は本発明の実施例５を示すパッケージがＢＧＡであるＩＣの内部を示した平面図である。半導体チップ５１上のワイヤボンディングパッド５２は千鳥状に２列配置されている。ワイヤボンディングパッド５２のうちの給電パッド５２ａは、すべて半導体チップ５１の内側の後列のワイヤボンディングパッドに割り付けられている。またワイヤボンディングパッド５２のうちの信号パッド５２ｂはどのワイヤボンディングパッドに割り付けてもかまわない。また、隣接する２つの給電パッド５２ａの間で、半導体チップ５１の外側の前列にＮＣパッド５２ｃが割り付けられている。
給電パッド５２ａからの給電配線５３ａ及び信号パッド５２ｂからの信号配線５３ｂは、半導体チップ５１の内側に配置されている不図示の半導体集積回路部に接続されている。この際、給電配線５３ａは、給電パッド５２ａの幅と同じ太さ以上の線幅で配線されている。またＮＣパッド５２ｃからの配線は設けられていない。
また同様に、半導体チップ５１とボンディングワイヤ５４で接続されるパッケージ５５上のワイヤボンディングパッド５６も千鳥状に２列配置されている。ワイヤボンディングパッド５６のうちの給電パッド５６ａは、すべてパッケージ５５の内側の後列のワイヤボンディングパッドに割り付けられている。またワイヤボンディングパッド５６のうちの信号パッド５６ｂはどのワイヤボンディングパッドに割り付けてもかまわない。また、隣接する２つの給電パッド５６ａの間で、パッケージ５５の外側の前列にＮＣパッド５６ｃが割り付けられている。
給電パッド５６ａからの給電配線５７ａは給電ランド５８ａに接続されている。また信号パッド５６ｂからの信号配線５７ｂは、信号ランド５８ｂに接続されている。この際、給電配線５７ａは、給電パッド５６ａの幅と同じ太さ以上の線幅で配線されている。またＮＣパッド５６ｃからの配線は設けられていない。
このような構成とすることで、半導体チップ５１上の２つの給電配線５３ａの間に信号配線５３ｂが配置されないため、２つの給電配線５３ａの結合が強くなり、低インピーダンスで配線接続する事ができる。また同様にパッケージ５５上の２つの給電配線５７ａの間に信号配線５７ｂが配置されないため、２つの給電配線５７ａの結合が強くなり、さらに低インピーダンスで配線接続する事ができる。
図６は本発明の実施例６を示すパッケージがＢＧＡであるＩＣの内部を示した平面図である。半導体チップ７１上のワイヤボンディングパッド７２は千鳥状に２列配置されている。ワイヤボンディングパッド７２のうちの給電パッド７２ａは、すべて半導体チップ７１の内側の後列のワイヤボンディングパッドに割り付けられている。またワイヤボンディングパッド７２のうちの信号パッド７２ｂはどのワイヤボンディングパッドに割り付けてもかまわない。
給電パッド７２ａからの給電配線７３ａ及び信号パッド７２ｂからの信号配線７３ｂは、半導体チップ７１の内側に配置されている不図示の半導体集積回路部に接続されている。この際、給電配線７３ａは、給電パッド７２ａの幅と同じ太さ以上の線幅で配線されている。
また同様に、パッケージ７５上のワイヤボンディングパッド７６は千鳥状に２列配置されている。ワイヤボンディングパッド７６のうちの給電パッド７６ａは、すべてパッケージ７５の内側の後列のワイヤボンディングパッドに割り付けられている。またワイヤボンディングパッド７６のうちの信号パッド７６ｂはどのワイヤボンディングパッドに割り付けてもかまわない。
給電パッド７６ａからの給電配線７７ａは給電ランド７８ａに接続されている。また信号パッド７６ｂからの信号配線７７ｂは、信号ランド７８ｂに接続されている。この際、給電配線７７ａは、給電パッド７６ａの幅と同じ太さ以上の線幅で配線されている。
半導体チップ７１上の給電パッド７２ａとパッケージ７５上の給電パッド７６ａ、及び半導体チップ７１上の給信号パッド７２ｂとパッケージ７５上の信号パッド７６ｂは、ボンディングワイヤ７４で接続されている。また半導体チップ７１上の給電配線７３ａとパッケージ７５上の給電パッド７６ａは、ボンディングワイヤ７４ａで接続されている。これは給電配線７３ａの線幅を太くすることで実現可能となっている。また同様に、パッケージ７５上の給電配線７７ａと半導体チップ７１上の給電パッド７２ａを、ボンディングワイヤ７４ａで接続しても良い。
このような構成とすることで、半導体チップ７１上の給電配線７３ａと、パッケージ７５上の給電配線７７ａの接続をさらに低インピーダンスなものとする事ができる。
レーザプリンタ等に搭載される液体吐出ヘッドを駆動する駆動用ＩＣあるいは各種光学機器の駆動部に広く適用できる。
本発明の実施例１を示すＩＣの内部を示した平面図 本発明の実施例２を示すＩＣの内部を示した平面図 本発明の実施例３を示すＩＣの内部を示した平面図 本発明の実施例４を示すＩＣの内部を示した平面図 本発明の実施例５を示すＩＣの内部を示した平面図 本発明の実施例６を示すＩＣの内部を示した平面図 従来例を示すＩＣの内部を示した平面図
符号の説明
１１、５１、７１ 半導体チップ
１２、５２、７２ 半導体チップ上のワイヤボンディングパッド
１２ａ、５２ａ、７２ａ 半導体チップ上の給電パッド
１２ｂ、５２ｂ、７２ｂ 半導体チップ上の信号パッド
１３ａ、５３ａ、７３ａ 半導体チップ上の給電配線
１３ｂ、５３ｂ、７３ｂ 半導体チップ上の信号配線
１４、２４、３４、４４、５４、６４、７４、７４ａ ボンディングワイヤ
１５、２５、３５、４５、５５、６５、７５ パッケージ
１６、３６、４６、５６、６６、７６ パッケージ上のワイヤボンディングパッド
１６ａ、３６ａ、４６ａ、５６ａ、６６ａ、７６ａ パッケージ上の給電パッド
１６ｂ、３６ｂ、４６ｂ、５６ｂ、６６ｂ、７６ｂ パッケージ上の信号パッド
１７ａ、２７ａ、３７ａ、４７ａ、６７ａ、５７ａ、７７ａ パッケージ上の給電配線
１７ｂ、２７ｂ、３７ｂ、４７ｂ、５７ｂ、６７ｂ、７７ｂ パッケージ上の信号配線

Claims (8)

  1. 半導体集積回路部と、該半導体集積回路部の周辺に配列され該半導体集積回路部と接続された複数の第１のワイヤボンディングパッドとを有する半導体チップと、前記半導体チップを封入する複数の配線を有するパッケージと、前記半導体チップに設けられた第１のワイヤボンディングパッドと前記パッケージに設けられた配線とを接続するボンディングワイヤとを備えた半導体集積回路装置であって、
    前記第１のワイヤボンディングパッドは、前記半導体集積回路部に信号を伝送する第１の信号パッドと前記半導体集積回路部に給電する第１の給電パッドが、前記半導体チップの周辺に沿って複数列に配列されており、前記第１のワイヤボンディングパッドのうち、前記第１の給電パッドはすべて、前記複数列の最も内側の列に配置されており、前記第１の給電パッドから引き出される第１の給電配線の幅は、該第１の給電パッドの幅以上であり、前記複数列の最も内側の列以外の列に配置されている第１の信号パッドから引き出される第１の信号配線の幅は、該第１の信号パッドの幅よりも細いことを特徴とする半導体集積回路装置。
  2. 前記複数列に配列された第１のワイヤボンディングパッドは、千鳥状に配列されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体集積回路装置。
  3. 前記第１の給電パッドは隣接して配置されており、隣接する２つの給電パッドの間で前記半導体チップの前記複数列の外側の列には、配線と接続されていないＮＣパッドが配置されている事を特徴とする請求項２に記載の半導体集積回路装置。
  4. 前記パッケージに設けられた複数の配線には、前記第１のワイヤボンディングパッドと前記ボンディングワイヤによって接続される第２のワイヤボンディングパッドが設けられており、
    前記第２のワイヤボンディングパッドは、前記パッケージの周辺に沿って複数列に配列された第２の信号パッドと第２の給電パッドからなっており、前記第２のワイヤボンディングパッドのうち、前記第２の給電パッドはすべて、前記複数列の最も内側の列に配置されており、前記第２の給電パッドから引き出される第２の給電配線の幅は、該第２の給電パッドの幅以上であり、前記複数列の最も内側の列以外の列に配置されている第２の信号パッドから引き出される信号配線の幅は、該第２の信号パッドの幅よりも細いことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の半導体集積回路装置。
  5. 前記パッケージは前記半導体チップの外側に複数列のボールランドを有するＢＧＡパッケージであり、前記複数列のボールランドは、前記第２の給電パッドと第２の給電配線により接続される給電ランドと、前記第２の信号パッドと第２の信号配線により接続される信号ランドとからなり、前記給電ランドは、前記複数列のボールランドのうち前記第２の給電パッドに最も近い列に配置されていることを特徴とする請求項４に記載の半導体集積回路装置。
  6. 前記複数列に配列された第２のワイヤボンディングパッドは、千鳥状に配列されていることを特徴とする請求項４または５に記載の半導体集積回路装置。
  7. 前記第２の給電パッドは隣接して配置されており、隣接する２つの給電パッドの間で半導体チップの前記複数列の外側の列には、配線と接続されていないＮＣパッドが配置されている事を特徴とする請求項６に記載の半導体集積回路装置。
  8. 半導体集積回路部と、該半導体集積回路部の周辺に配列され該半導体集積回路部と接続された複数の配線とを有する半導体チップと、前記半導体チップを封入し、前記半導体チップの周辺部には第２のワイヤボンディングパッドと、前記第２のワイヤボンディングパッドと接続された配線とを有するパッケージと、前記半導体チップに設けられた配線と前記パッケージに設けられた第２のワイヤボンディングパッドとを接続するボンディングワイヤとを備えた半導体集積回路装置であって、
    前記第２のワイヤボンディングパッドは、前記パッケージの周辺に沿って複数列に配列された第２の信号パッドと第２の給電パッドからなっており、前記第２の給電パッドはすべて、前記複数列の最も内側の列に配置されており、前記第２の給電パッドから引き出される第２の給電配線の幅は、該第２の給電パッドの幅以上であり、前記複数列の最も内側の列以外の列に配置されている第２の信号パッドから引き出される信号配線の幅は、該第２の信号パッドの幅よりも細いことを特徴とするの半導体集積回路装置。
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