JPH04243989A - 耐酸化性炭素繊維強化炭素材 - Google Patents
耐酸化性炭素繊維強化炭素材Info
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- JPH04243989A JPH04243989A JP3025643A JP2564391A JPH04243989A JP H04243989 A JPH04243989 A JP H04243989A JP 3025643 A JP3025643 A JP 3025643A JP 2564391 A JP2564391 A JP 2564391A JP H04243989 A JPH04243989 A JP H04243989A
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Landscapes
- Ceramic Products (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、高温酸化雰囲気下にお
いて高度の酸化抵抗性を示す組織の炭素繊維強化炭素材
(以下「C/C材」という。)に関する。
いて高度の酸化抵抗性を示す組織の炭素繊維強化炭素材
(以下「C/C材」という。)に関する。
【0002】
【従来の技術】C/C材は、卓越した比強度、比弾性率
を有するうえに優れた耐熱性および化学的安定性を備え
ているため、航空宇宙用をはじめ多くの分野で構造材料
として有用されているが、この材料には易酸化性という
炭素材固有の材質的な欠点があり、これが汎用性を阻害
する最大のネックとなっている。このため、C/C材の
表面に耐酸化性の被覆を施して改質化する試みが従来か
らおこなわれており、例えばZrO2 、Al2 O3
、SiC、Si3 N4 等のセラミックス系物質に
よって被覆処理する方法が提案されている。しかし、S
iC被覆層を除いては、使用時の熱サイクルで被覆界面
に層間剥離や亀裂が生じ、酸化の進行を十分に阻止する
機能が発揮されない。
を有するうえに優れた耐熱性および化学的安定性を備え
ているため、航空宇宙用をはじめ多くの分野で構造材料
として有用されているが、この材料には易酸化性という
炭素材固有の材質的な欠点があり、これが汎用性を阻害
する最大のネックとなっている。このため、C/C材の
表面に耐酸化性の被覆を施して改質化する試みが従来か
らおこなわれており、例えばZrO2 、Al2 O3
、SiC、Si3 N4 等のセラミックス系物質に
よって被覆処理する方法が提案されている。しかし、S
iC被覆層を除いては、使用時の熱サイクルで被覆界面
に層間剥離や亀裂が生じ、酸化の進行を十分に阻止する
機能が発揮されない。
【0003】従来、C/C基材の表面にSiCの被覆を
施す方法として、気相反応により生成するSiCを直接
沈着させるCVD法(化学的気相蒸着法)と、基材の炭
素を反応源に利用して珪素成分と反応させることにより
SiCに転化させるコンバージョン法が知られている。 ところが、前者のCVD法を適用して形成したSiC被
覆層は、基材との界面が明確に分離している関係で、熱
衝撃を与えると相互の熱膨張差によって層間剥離現象が
起こり易い。このため、高温域での十分な耐酸化性は望
めない。これに対し、後者のコンバージョン法による場
合には基材の表層部が連続組織としてSiC層を形成す
る傾斜機能材質となるため界面剥離を生じることはない
が、CVD法に比べて緻密性に劣るうえ、反応時、被覆
層に微小なクラックが発生する問題がある。
施す方法として、気相反応により生成するSiCを直接
沈着させるCVD法(化学的気相蒸着法)と、基材の炭
素を反応源に利用して珪素成分と反応させることにより
SiCに転化させるコンバージョン法が知られている。 ところが、前者のCVD法を適用して形成したSiC被
覆層は、基材との界面が明確に分離している関係で、熱
衝撃を与えると相互の熱膨張差によって層間剥離現象が
起こり易い。このため、高温域での十分な耐酸化性は望
めない。これに対し、後者のコンバージョン法による場
合には基材の表層部が連続組織としてSiC層を形成す
る傾斜機能材質となるため界面剥離を生じることはない
が、CVD法に比べて緻密性に劣るうえ、反応時、被覆
層に微小なクラックが発生する問題がある。
【0004】このような問題点の解消を図るため、本発
明者らは既にC/C基材面にSiO接触によるコンバー
ジョン法で第1のSiC被膜を形成し、さらにその表面
をアモルファスSiCが析出するような条件でCVD法
による第2のSiC被覆層を形成する耐酸化処理法(特
願平2−114872号) 、更にこれを改良して第2
の被覆層を減圧加熱下でハロゲン化有機珪素化合物を基
材組織に間欠的に充填して還元熱分解させるパルスCV
I法を用いて形成する耐酸化処理法(特願平2−150
640号) を開発した。
明者らは既にC/C基材面にSiO接触によるコンバー
ジョン法で第1のSiC被膜を形成し、さらにその表面
をアモルファスSiCが析出するような条件でCVD法
による第2のSiC被覆層を形成する耐酸化処理法(特
願平2−114872号) 、更にこれを改良して第2
の被覆層を減圧加熱下でハロゲン化有機珪素化合物を基
材組織に間欠的に充填して還元熱分解させるパルスCV
I法を用いて形成する耐酸化処理法(特願平2−150
640号) を開発した。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】前記の耐酸化処理法の
うち、特に後者の方法を施すと各パルス毎に飽和度の高
い反応ガスが基材の任意部位へ侵入するため、第1層に
発生した微細クラックの内部にアモルファス質または微
細多結晶質のSiCを円滑に析出することができ、よっ
てC/C材の耐酸化性を大幅に向上させることができる
。しかしながら、詳細に組織調査をおこなうと第1被覆
層面に析出させた第2被覆層のSiCにも微小な亀裂が
発生しており、完全な耐酸化性を付与するためにはこの
亀裂を目詰めした組織とする必要が認められた。
うち、特に後者の方法を施すと各パルス毎に飽和度の高
い反応ガスが基材の任意部位へ侵入するため、第1層に
発生した微細クラックの内部にアモルファス質または微
細多結晶質のSiCを円滑に析出することができ、よっ
てC/C材の耐酸化性を大幅に向上させることができる
。しかしながら、詳細に組織調査をおこなうと第1被覆
層面に析出させた第2被覆層のSiCにも微小な亀裂が
発生しており、完全な耐酸化性を付与するためにはこの
亀裂を目詰めした組織とする必要が認められた。
【0006】したがって、本発明の目的は、先行技術を
更に改良を加えて一層高度な耐酸化性を具備した被覆組
織性状のC/C材を提供することにある。
更に改良を加えて一層高度な耐酸化性を具備した被覆組
織性状のC/C材を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めの本発明による耐酸化性C/C材は、炭素繊維強化炭
素材の基材面に、傾斜機能を有する多結晶質のSiC被
膜からなる第1被覆層、アモルファス質または微細多結
晶質のSiC被膜からなる第2被覆層、およびB2 O
3 −SiO2 ガラス被膜からなる第3被覆層が積層
形成されてなることを構成上の特徴としている。
めの本発明による耐酸化性C/C材は、炭素繊維強化炭
素材の基材面に、傾斜機能を有する多結晶質のSiC被
膜からなる第1被覆層、アモルファス質または微細多結
晶質のSiC被膜からなる第2被覆層、およびB2 O
3 −SiO2 ガラス被膜からなる第3被覆層が積層
形成されてなることを構成上の特徴としている。
【0008】基材となるC/Cは、炭素繊維の織布、フ
エルト、トウなどの強化繊維に炭化残留率の高いマトリ
ックス樹脂液を含浸または塗布して積層成形したのち、
硬化および焼成炭化処理する常用の方法で製造されたも
のが使用され、特に材料の限定はない。したがって、通
常、強化材の炭素繊維にはポリアクリロニトリル系、レ
ーヨン系、ピッチ系など各種のものが、またマトリック
ス樹脂としてフェノール系、フラン系その他炭化性の良
好な液状熱硬化性樹脂を用いたものが対象となる。
エルト、トウなどの強化繊維に炭化残留率の高いマトリ
ックス樹脂液を含浸または塗布して積層成形したのち、
硬化および焼成炭化処理する常用の方法で製造されたも
のが使用され、特に材料の限定はない。したがって、通
常、強化材の炭素繊維にはポリアクリロニトリル系、レ
ーヨン系、ピッチ系など各種のものが、またマトリック
ス樹脂としてフェノール系、フラン系その他炭化性の良
好な液状熱硬化性樹脂を用いたものが対象となる。
【0009】第1被覆層は、C/C基材の表層部が外面
に向かうに従って次第にSiCの組織化が進む傾斜機能
性状の多結晶質SiC被膜で、適切な膜厚は 100〜
300 μm の範囲である。膜厚が 100μm 未
満では良好な傾斜機能組織が形成されず、300 μm
を越える層形成は最早不要である。
に向かうに従って次第にSiCの組織化が進む傾斜機能
性状の多結晶質SiC被膜で、適切な膜厚は 100〜
300 μm の範囲である。膜厚が 100μm 未
満では良好な傾斜機能組織が形成されず、300 μm
を越える層形成は最早不要である。
【0010】第2被覆層は、第1被覆層におけるSiC
組織の微細なクラックや空隙を充填封止するためのアモ
ルファス質または微細多結晶質のSiC被膜で、好適な
膜厚は10〜50μm の範囲である。10μm を下
廻る膜厚では前記の充填封止効果が不十分となり、50
μm を越える膜厚は不要となる。
組織の微細なクラックや空隙を充填封止するためのアモ
ルファス質または微細多結晶質のSiC被膜で、好適な
膜厚は10〜50μm の範囲である。10μm を下
廻る膜厚では前記の充填封止効果が不十分となり、50
μm を越える膜厚は不要となる。
【0011】第3被覆層は、第2被覆層の生じる微小な
亀裂を目詰めするために形成されるもので、B2 O3
とSiO2 の複合ガラス質の被膜で構成される。好
適な膜厚は5〜20μm の範囲で、これを下廻ると耐
酸化性改善効果が有効に達成されず、20μm を越え
る膜厚は不要である。
亀裂を目詰めするために形成されるもので、B2 O3
とSiO2 の複合ガラス質の被膜で構成される。好
適な膜厚は5〜20μm の範囲で、これを下廻ると耐
酸化性改善効果が有効に達成されず、20μm を越え
る膜厚は不要である。
【0012】上記の積層構成を備える耐酸化性C/C材
は、下記にようにして製造することができる。第1被覆
層は、SiO2 粉末とSiもしくはC粉末を混合して
密閉加熱系に収納し、系内にC/C基材をセットして加
熱処理する工程により形成される。加熱段階でSiO2
が還元され、生成したSiOガスがC/C基材を構成
する炭素と反応して表層部をSiCに転化する。この際
、SiOガスの濃度、反応温度、反応時間等を制御する
ことによって基材のC層と被覆層のSiCが界面で連続
的に変化する傾斜機能を備える組織状態が形成される。
は、下記にようにして製造することができる。第1被覆
層は、SiO2 粉末とSiもしくはC粉末を混合して
密閉加熱系に収納し、系内にC/C基材をセットして加
熱処理する工程により形成される。加熱段階でSiO2
が還元され、生成したSiOガスがC/C基材を構成
する炭素と反応して表層部をSiCに転化する。この際
、SiOガスの濃度、反応温度、反応時間等を制御する
ことによって基材のC層と被覆層のSiCが界面で連続
的に変化する傾斜機能を備える組織状態が形成される。
【0013】第2被覆層の形成は、ハロゲン化有機珪素
化合物を水素ガスに同伴させながら石英反応室内で加熱
されているC/C基材にガス状態で接触させる操作を短
周期で間欠的に反復するパルスCVI工程によっておこ
なわれる。適切な反応条件は、ハロゲン化有機珪素化合
物としてトリクロロメチルシラン(CH3SiCl3)
を用い、水素ガスとのモル比(CH3SiCl3)が0
.01〜0.05になるように混合して 900〜11
00℃に加熱されたC/C基材がセットされている減圧
状態の反応室に秒間隔で間欠的な導入・停止を繰り返す
ことである。
化合物を水素ガスに同伴させながら石英反応室内で加熱
されているC/C基材にガス状態で接触させる操作を短
周期で間欠的に反復するパルスCVI工程によっておこ
なわれる。適切な反応条件は、ハロゲン化有機珪素化合
物としてトリクロロメチルシラン(CH3SiCl3)
を用い、水素ガスとのモル比(CH3SiCl3)が0
.01〜0.05になるように混合して 900〜11
00℃に加熱されたC/C基材がセットされている減圧
状態の反応室に秒間隔で間欠的な導入・停止を繰り返す
ことである。
【0014】第3被覆層のB2 O3 −SiO2 ガ
ラス被膜は、B(OC12H27)3およびSi(OC
2 H5)4 を第2被覆層面に真空含浸し、500
℃熱処理する方法によって形成される。この際、B2
O3 ガラスはB(OC12H27)3を直接に真空含
浸することにより形成することができるが、SiO2
ガラスはSi(OC2 H5)4 を予めpH1〜2に
調整して加水分解重合したから真空含浸することが好ま
しい。また、被覆順序として先にSiO2 ガラスを被
覆してからB2 O3 ガラスを被覆することが好結果
を与える。
ラス被膜は、B(OC12H27)3およびSi(OC
2 H5)4 を第2被覆層面に真空含浸し、500
℃熱処理する方法によって形成される。この際、B2
O3 ガラスはB(OC12H27)3を直接に真空含
浸することにより形成することができるが、SiO2
ガラスはSi(OC2 H5)4 を予めpH1〜2に
調整して加水分解重合したから真空含浸することが好ま
しい。また、被覆順序として先にSiO2 ガラスを被
覆してからB2 O3 ガラスを被覆することが好結果
を与える。
【0015】
【作用】本発明において、傾斜機能を有する多結晶質の
SiC被膜からなる第1被覆層はC/C基材の表面に緻
密で密着性の高い厚膜として形成され、アモルファス質
または微細多結晶質のSiC被膜からなる第2被覆層は
前記第1被覆層の微小な空隙(ピンホール)やクラック
等を充填封止するとともに、全表面を薄膜状の緻密層と
して被覆する。そして、B2 O3 −SiO2 ガラ
ス被膜からなる第3被覆層は、第2被覆層に発生した微
細なクラックを目詰めして被覆層の無孔構造化を確実な
ものとする。このような3段階における積層被覆の各機
能が総合的に作用して、C/C基材の全表面に酸化雰囲
気下での高温使用に耐える高耐酸化性能が付与される。
SiC被膜からなる第1被覆層はC/C基材の表面に緻
密で密着性の高い厚膜として形成され、アモルファス質
または微細多結晶質のSiC被膜からなる第2被覆層は
前記第1被覆層の微小な空隙(ピンホール)やクラック
等を充填封止するとともに、全表面を薄膜状の緻密層と
して被覆する。そして、B2 O3 −SiO2 ガラ
ス被膜からなる第3被覆層は、第2被覆層に発生した微
細なクラックを目詰めして被覆層の無孔構造化を確実な
ものとする。このような3段階における積層被覆の各機
能が総合的に作用して、C/C基材の全表面に酸化雰囲
気下での高温使用に耐える高耐酸化性能が付与される。
【0016】
【実施例】以下、本発明の実施例を比較例と対比して説
明する。 実施例 (1) C/C基材の作製 ポリアクリロニトリル系高弾性タイプの平織炭素繊維布
をフェノール樹脂初期縮合物からなるマトリックス樹脂
液に浸漬して含浸処理したのち、14枚積層してモール
ドに入れ、加熱温度110 ℃、適用圧力20kg/c
m2の条件で複合成形した。成形体を250 ℃の温度
に加熱して完全に硬化したのち、窒素雰囲気に保持され
た焼成炉に移し、5℃/hr の昇温速度で2000℃
まで上昇し5時間保持して焼成炭化した。ついで、得ら
れたC/C材にフェノール樹脂液を真空加圧下に含浸し
、前記と同様の2000℃焼成処理を3回反復して二次
元配向型のC/C基材を作製した。
明する。 実施例 (1) C/C基材の作製 ポリアクリロニトリル系高弾性タイプの平織炭素繊維布
をフェノール樹脂初期縮合物からなるマトリックス樹脂
液に浸漬して含浸処理したのち、14枚積層してモール
ドに入れ、加熱温度110 ℃、適用圧力20kg/c
m2の条件で複合成形した。成形体を250 ℃の温度
に加熱して完全に硬化したのち、窒素雰囲気に保持され
た焼成炉に移し、5℃/hr の昇温速度で2000℃
まで上昇し5時間保持して焼成炭化した。ついで、得ら
れたC/C材にフェノール樹脂液を真空加圧下に含浸し
、前記と同様の2000℃焼成処理を3回反復して二次
元配向型のC/C基材を作製した。
【0017】(2) 第1被覆層の形成SiO2 粉末
とSi粉末をモル比2:1の配合比率になるように混合
し、混合粉末を黒鉛ルツボに入れ上部にC/C基材(幅
30mm、長さ50mm、厚さ5mm) をセットした
。この黒鉛ルツボを電気炉に移し、内部をArガスで十
分に置換したのち50℃/hr の速度で1850℃ま
で昇温させ、2 時間保持してC/C基材の表層部に傾
斜機能を有するSiCの第1被覆層を形成した。形成さ
れたSiC被覆層の厚さは約 200μm であったが
、その表面に幅10μm 程度の亀裂が所々に発生して
いることが認められた。
とSi粉末をモル比2:1の配合比率になるように混合
し、混合粉末を黒鉛ルツボに入れ上部にC/C基材(幅
30mm、長さ50mm、厚さ5mm) をセットした
。この黒鉛ルツボを電気炉に移し、内部をArガスで十
分に置換したのち50℃/hr の速度で1850℃ま
で昇温させ、2 時間保持してC/C基材の表層部に傾
斜機能を有するSiCの第1被覆層を形成した。形成さ
れたSiC被覆層の厚さは約 200μm であったが
、その表面に幅10μm 程度の亀裂が所々に発生して
いることが認められた。
【0018】(3) 第2被覆層の形成第1被覆層を形
成したC/C基材をパルスCVI装置の石英反応管内に
設置し管内をArガスで十分に置換したのち高周波誘導
加熱によりC/C基材の温度を1000℃に上昇した。 ついで、真空ポンプにより反応管内を2秒で2Torr
以下に減圧し、直ちにトリクロロメチルシラン(CH3
SiCl3)とH2 の混合ガス(モル比5:100)
を1秒間で720Torr になるように導入し1秒間
保持した。この管内減圧、反応ガス導入および保持の操
作を3000回繰り返し、厚さ20μm のアモルファ
ス質または微細多結晶質SiCの第二被覆層を形成した
。形成した第2被覆層には、幅 0.5〜1.0 μm
の微細なクラックが新たに発生した。
成したC/C基材をパルスCVI装置の石英反応管内に
設置し管内をArガスで十分に置換したのち高周波誘導
加熱によりC/C基材の温度を1000℃に上昇した。 ついで、真空ポンプにより反応管内を2秒で2Torr
以下に減圧し、直ちにトリクロロメチルシラン(CH3
SiCl3)とH2 の混合ガス(モル比5:100)
を1秒間で720Torr になるように導入し1秒間
保持した。この管内減圧、反応ガス導入および保持の操
作を3000回繰り返し、厚さ20μm のアモルファ
ス質または微細多結晶質SiCの第二被覆層を形成した
。形成した第2被覆層には、幅 0.5〜1.0 μm
の微細なクラックが新たに発生した。
【0019】(4) 第3被覆層の形成第2被覆層を形
成したC/C基材を真空デシケータに入れ、真空ポンプ
で1Torr以下に減圧したのち、Si(OC2 H5
)4 1モルに対し7モル量のエタノールを加え、11
モルの水と0.03モルのHClを混合してpH1.5
で加水分解重合させた液を2Torrの減圧下に注入
した。C/C基材が完全に浸漬するまで液を注入し1時
間保持した。ついで、C/C基材をデシケータから取り
出し、空気雰囲気の電気炉に移して10℃/min.
の昇温速度で500 ℃まで加熱し、この温度に30分
間保持してSiO2 ガラスの被膜を形成した。
成したC/C基材を真空デシケータに入れ、真空ポンプ
で1Torr以下に減圧したのち、Si(OC2 H5
)4 1モルに対し7モル量のエタノールを加え、11
モルの水と0.03モルのHClを混合してpH1.5
で加水分解重合させた液を2Torrの減圧下に注入
した。C/C基材が完全に浸漬するまで液を注入し1時
間保持した。ついで、C/C基材をデシケータから取り
出し、空気雰囲気の電気炉に移して10℃/min.
の昇温速度で500 ℃まで加熱し、この温度に30分
間保持してSiO2 ガラスの被膜を形成した。
【0020】SiO2 ガラス被覆を形成したC/C基
材を真空デシケータに入れ、1Torr以下に減圧した
のち、B(OC12H27)3を2Torr以下の減圧
下に注入しC/C基材が浸漬した状態で1時間保持した
。C/C基材をデシケータから取り出し、室温空気中で
2時間風乾したのち、空気雰囲気に保持された電気炉に
移し500 ℃で30分間加熱してB2 O3 ガラス
の被膜を形成した。このようにして全面にB2 O3
−SiO2 ガラス被膜からなる第3被覆層を形成した
。
材を真空デシケータに入れ、1Torr以下に減圧した
のち、B(OC12H27)3を2Torr以下の減圧
下に注入しC/C基材が浸漬した状態で1時間保持した
。C/C基材をデシケータから取り出し、室温空気中で
2時間風乾したのち、空気雰囲気に保持された電気炉に
移し500 ℃で30分間加熱してB2 O3 ガラス
の被膜を形成した。このようにして全面にB2 O3
−SiO2 ガラス被膜からなる第3被覆層を形成した
。
【0021】(5) 耐酸化性の評価
上記の3段階被覆を施したC/C基材を空気雰囲気に保
持された電気炉に入れ、500 ℃の温度に30分保持
したのち常温まで自然冷却した。この工程を 500〜
1500℃までの 100℃毎におこない、最終的なC
/C基材の酸化による重量減少率を測定した。その結果
を表1に示した。
持された電気炉に入れ、500 ℃の温度に30分保持
したのち常温まで自然冷却した。この工程を 500〜
1500℃までの 100℃毎におこない、最終的なC
/C基材の酸化による重量減少率を測定した。その結果
を表1に示した。
【0022】比較例1
実施例の第1被覆層のみを形成したC/C基材につき、
同一条件による耐酸化性の評価をおこない、結果を表1
に併載した。
同一条件による耐酸化性の評価をおこない、結果を表1
に併載した。
【0023】比較例2
実施例の第2被覆層までのSiC被膜を形成したC/C
基材につき、同一条件による耐酸化性の評価をおこない
、結果を表1に示した。
基材につき、同一条件による耐酸化性の評価をおこない
、結果を表1に示した。
【0024】比較例3
実施例の同一条件で第1被覆層を形成し、これを常圧に
保持された反応管に設置して1000℃に加熱したのち
トリクロロメチルシラン(CH3SiCl3)とH2
の混合反応ガス( モル比5:100)を導入する通常
のCVD処理により膜厚20μm のSiC被膜を形成
した。このようにして2段階被覆形成したC/C基材に
つき実施例と同一条件による耐酸化性の評価をおこない
、結果を表1に併載した。
保持された反応管に設置して1000℃に加熱したのち
トリクロロメチルシラン(CH3SiCl3)とH2
の混合反応ガス( モル比5:100)を導入する通常
のCVD処理により膜厚20μm のSiC被膜を形成
した。このようにして2段階被覆形成したC/C基材に
つき実施例と同一条件による耐酸化性の評価をおこない
、結果を表1に併載した。
【0025】
【0026】表1の結果から、本発明の実施例によるC
/C基材は高度の耐酸化性を備えることが認められる。 これに対し、第1被覆層のみの比較例1では高い酸化消
耗が発生する。第2被覆層までを形成した比較例2では
かなり耐酸化性は改善されているが、第2被覆層に微小
なクラックが存在するため実施例に比べて耐酸化性は減
少している。また、第2被覆工程を通常のCVD法でお
こなった比較例3では第1被覆層のクラック目詰め機能
が不十分となるため、耐酸化性の改善効果は少ない。
/C基材は高度の耐酸化性を備えることが認められる。 これに対し、第1被覆層のみの比較例1では高い酸化消
耗が発生する。第2被覆層までを形成した比較例2では
かなり耐酸化性は改善されているが、第2被覆層に微小
なクラックが存在するため実施例に比べて耐酸化性は減
少している。また、第2被覆工程を通常のCVD法でお
こなった比較例3では第1被覆層のクラック目詰め機能
が不十分となるため、耐酸化性の改善効果は少ない。
【0027】
【発明の効果】以上のとおり、本発明によれば表面に傾
斜機能を有する多結晶質のSiC第1被覆層、アモルフ
ァス質または微細多結晶質のSiC第2被覆層、および
B2 O3 −SiO2 ガラス被膜の第3被覆層が積
層形成された高度の耐酸化性を備えるC/C基材を提供
することが可能となる。したがって、高温酸化雰囲気の
過酷な条件に晒される構造部材用途に適用して安定性能
の確保、耐久寿命の延長化などの効果が発揮される。
斜機能を有する多結晶質のSiC第1被覆層、アモルフ
ァス質または微細多結晶質のSiC第2被覆層、および
B2 O3 −SiO2 ガラス被膜の第3被覆層が積
層形成された高度の耐酸化性を備えるC/C基材を提供
することが可能となる。したがって、高温酸化雰囲気の
過酷な条件に晒される構造部材用途に適用して安定性能
の確保、耐久寿命の延長化などの効果が発揮される。
Claims (2)
- 【請求項1】 炭素繊維強化炭素材の基材面に、傾斜
機能を有する多結晶質のSiC被膜からなる第1被覆層
、アモルファス質または微細多結晶質のSiC被膜から
なる第2被覆層、およびB2 O3 −SiO2 ガラ
ス被膜からなる第3被覆層が積層形成されてなることを
特徴とする耐酸化性炭素繊維強化炭素材。 - 【請求項2】 第1被覆層の膜厚が 100〜300
μm 、第2被覆層の膜厚が10〜50μm 、第3
被覆層の膜厚が5〜20μm である請求項1記載の耐
酸化性炭素繊維強化炭素材。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3025643A JPH0791137B2 (ja) | 1991-01-25 | 1991-01-25 | 耐酸化性炭素繊維強化炭素材 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3025643A JPH0791137B2 (ja) | 1991-01-25 | 1991-01-25 | 耐酸化性炭素繊維強化炭素材 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04243989A true JPH04243989A (ja) | 1992-09-01 |
JPH0791137B2 JPH0791137B2 (ja) | 1995-10-04 |
Family
ID=12171517
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3025643A Expired - Fee Related JPH0791137B2 (ja) | 1991-01-25 | 1991-01-25 | 耐酸化性炭素繊維強化炭素材 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0791137B2 (ja) |
-
1991
- 1991-01-25 JP JP3025643A patent/JPH0791137B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0791137B2 (ja) | 1995-10-04 |
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