JPH04207062A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH04207062A JPH04207062A JP2340501A JP34050190A JPH04207062A JP H04207062 A JPH04207062 A JP H04207062A JP 2340501 A JP2340501 A JP 2340501A JP 34050190 A JP34050190 A JP 34050190A JP H04207062 A JPH04207062 A JP H04207062A
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
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- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は放熱性に優れる半導体装置およびこれに用いる
リードフレームに関する。
リードフレームに関する。
（従来の技術）
従来の半導体装置では第５図に例示するように半導体チ
ップ１０をヒートシンク１１上に固着し、半導体チップ
１０からの熱をヒートシンク１１を通じてリードあるい
は封止樹脂に拡散させ、放熱するようにしている。
ップ１０をヒートシンク１１上に固着し、半導体チップ
１０からの熱をヒートシンク１１を通じてリードあるい
は封止樹脂に拡散させ、放熱するようにしている。
あるいは第６図に示すように、リードフレームを２層に
形成して、広い面積を有するダイパッド１２からリード
フレームを通じて放熱を図るようにした半導体装置も知
られている。
形成して、広い面積を有するダイパッド１２からリード
フレームを通じて放熱を図るようにした半導体装置も知
られている。
（発明が解決しようとする課題）
しかるに近年半導体チップは益々高集積化の一途を辿り
、発熱量も多いことから上記従来の半導体装置では放熱
性が充分でない。
、発熱量も多いことから上記従来の半導体装置では放熱
性が充分でない。
そこで、本発明は放熱性に優れる半導体装置およびこれ
に用いるリードフレームを提供することを目的とする。
に用いるリードフレームを提供することを目的とする。
（課題を解決するための手段）
上記目的による本発明に係る半導体装置では、ヒートシ
ンクが周縁部上でインナーリードに重ねられてインナー
リードに電気的に絶縁されて接合されると共に、ヒート
シンクのインナーリードに囲まれる部位に突出部が形成
されたリードフレームの該突出部上に、半導体チップが
そのジャンクションパターンの存在するチップ面を突出
部に向けて絶縁性接着剤により接合され、半導体チップ
とインナーリードとがＴＡＢリードにより電気的に接続
され、半導体チップが封止樹脂中に封止されていること
を特徴としている。
ンクが周縁部上でインナーリードに重ねられてインナー
リードに電気的に絶縁されて接合されると共に、ヒート
シンクのインナーリードに囲まれる部位に突出部が形成
されたリードフレームの該突出部上に、半導体チップが
そのジャンクションパターンの存在するチップ面を突出
部に向けて絶縁性接着剤により接合され、半導体チップ
とインナーリードとがＴＡＢリードにより電気的に接続
され、半導体チップが封止樹脂中に封止されていること
を特徴としている。
また、本発明に係るリードフレームでは、ヒートシンク
が周縁部上でインナーリードに重ねられてインナーリー
ドに電気的に絶縁されて接合されると共に、ヒートシン
クのインナーリードに囲まれる部位に半導体チップ接合
用の突出部が形成されていることを特徴としている。
が周縁部上でインナーリードに重ねられてインナーリー
ドに電気的に絶縁されて接合されると共に、ヒートシン
クのインナーリードに囲まれる部位に半導体チップ接合
用の突出部が形成されていることを特徴としている。
（作用）
本発明に係る半導体装置ではジャンクションパターンが
ある発熱量の大きいチップ面からの熱が直接ヒートシン
クを介して外部に放熱されるので、放熱性に優れ、より
集積度の高い半導体チップを搭載できる。
ある発熱量の大きいチップ面からの熱が直接ヒートシン
クを介して外部に放熱されるので、放熱性に優れ、より
集積度の高い半導体チップを搭載できる。
またリードフレームは、ヒートシンクのインナーリード
に囲まれる部位に突出部を設けているので、半導体チッ
プの接合が容易に行えると共に、半導体チップをそのジ
ャンクションパターンのあるチップ面を突出部に向けて
固定しても、ＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ
Ｂｏｎｄｉｎｇ）リードによって半導体チップとインナ
ーリードとを容易に接続することができる。
に囲まれる部位に突出部を設けているので、半導体チッ
プの接合が容易に行えると共に、半導体チップをそのジ
ャンクションパターンのあるチップ面を突出部に向けて
固定しても、ＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ
Ｂｏｎｄｉｎｇ）リードによって半導体チップとインナ
ーリードとを容易に接続することができる。
（実施例）
以下、本発明の好適な実施例を添付図面に基づいて詳細
に説明する。
に説明する。
第１図はリードフレーム２０の平面図、第２図はその断
面図である。
面図である。
図において、２１はアウターリード、２２はインナーリ
ード、２３はダムバー、２４はレール部、２５はヒート
シンクである。
ード、２３はダムバー、２４はレール部、２５はヒート
シンクである。
ヒートシンク２５はその上面周縁部にインナ−リード２
２下面に電気的絶縁性を有する接着剤２６を介して接合
されている。またヒートシンク２５上面の、インナーリ
ード２２先端で囲まれる空間部内に上面がインナ−リー
ド２２上面とほぼ面一になる突出部２７が形成されてい
る。
２下面に電気的絶縁性を有する接着剤２６を介して接合
されている。またヒートシンク２５上面の、インナーリ
ード２２先端で囲まれる空間部内に上面がインナ−リー
ド２２上面とほぼ面一になる突出部２７が形成されてい
る。
ヒートシンク２５は放熱性に優れる金属やセラミックが
用いられるが、半導体チップと熱膨張係数の近い素材、
例えばＭＯ材、ＡＩＮ材、ＳｉＣ材、Ｃｕ−Ｗ材などを
用いると好適である。
用いられるが、半導体チップと熱膨張係数の近い素材、
例えばＭＯ材、ＡＩＮ材、ＳｉＣ材、Ｃｕ−Ｗ材などを
用いると好適である。
第３図は上記リードフレーム２０を用いて形成した半導
体装置３０の断面図を示す。
体装置３０の断面図を示す。
本実施例の半導体装置３０は、ヒートシンク２５の突出
部２７上面に、半導体チップ２９がそのジャンクション
パターンのあるチップ面を突出部２７上面に向けて絶縁
性を有する接着剤３２により固着され、さらに半導体チ
ップ２９はインナーリード２２とＴ Ａ Ｂ （Ｔａｐ
ｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）リード３３
で電気的に接続されている。そして、ヒートシンク２５
が封止樹脂３４中に封止されて半導体装置３０に完成さ
れている。
部２７上面に、半導体チップ２９がそのジャンクション
パターンのあるチップ面を突出部２７上面に向けて絶縁
性を有する接着剤３２により固着され、さらに半導体チ
ップ２９はインナーリード２２とＴ Ａ Ｂ （Ｔａｐ
ｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）リード３３
で電気的に接続されている。そして、ヒートシンク２５
が封止樹脂３４中に封止されて半導体装置３０に完成さ
れている。
なお、ＴＡＢリードとはＴＡＢテープを用いたものであ
り、支持テープに銅箔からなるリードを多数本支持した
ＴＡＢテープを用いてリードを半導体チップとインナー
リードにボンディングし、支持テープ部分を除去してリ
ードのみを用いたもの、あるいはそのまま支持テープを
残したものをいう。
り、支持テープに銅箔からなるリードを多数本支持した
ＴＡＢテープを用いてリードを半導体チップとインナー
リードにボンディングし、支持テープ部分を除去してリ
ードのみを用いたもの、あるいはそのまま支持テープを
残したものをいう。
第４図は半導体チップ２９の反対側の面にもヒートシン
ク３５を接着剤３６によって接合し、両ヒートシンク２
５．３５の外側面を封止樹脂３４表面に露出させた実施
例を示す。両ヒートシンク２５．３５は封止樹脂３４中
に埋没させてもあるいは一部を露出させてもよい。
ク３５を接着剤３６によって接合し、両ヒートシンク２
５．３５の外側面を封止樹脂３４表面に露出させた実施
例を示す。両ヒートシンク２５．３５は封止樹脂３４中
に埋没させてもあるいは一部を露出させてもよい。
以上のように構成されているから、ジャンクションパタ
ーンがある発熱量の大きいチップ面からの熱が直接ヒー
トシンク２５を通じて外部に放熱されるので放熱性に優
れ、半導体チップ３】の高集積化に対処しうる。また第
４図に示すように半導体チップ３１の他面側にもヒート
シンク３５を設けることによりさらに放熱性を向上させ
ることができる。
ーンがある発熱量の大きいチップ面からの熱が直接ヒー
トシンク２５を通じて外部に放熱されるので放熱性に優
れ、半導体チップ３】の高集積化に対処しうる。また第
４図に示すように半導体チップ３１の他面側にもヒート
シンク３５を設けることによりさらに放熱性を向上させ
ることができる。
また、リードフレーム２０はヒートシンク２５の上面側
に突出部２７を設けているので、半導体チップ３１の接
合が容易に行え、またＴＡＢリード３３を用いることに
より半導体チップ３１の端子部の存在する面を突出部２
７側に向けて固定しても半導体チップ３１とインナーリ
ード２２との接続を容易に行える。
に突出部２７を設けているので、半導体チップ３１の接
合が容易に行え、またＴＡＢリード３３を用いることに
より半導体チップ３１の端子部の存在する面を突出部２
７側に向けて固定しても半導体チップ３１とインナーリ
ード２２との接続を容易に行える。
以上、本発明の好適な実施例について種々述べてきたが
、本発明は上述の実施例に限定されるのではなく、発明
の精神を逸脱しない範囲で多くの改変を施し得るのはも
ちろんである。
、本発明は上述の実施例に限定されるのではなく、発明
の精神を逸脱しない範囲で多くの改変を施し得るのはも
ちろんである。
（発明の効果）
本発明に係る半導体装置ではジャンクションパターンが
ある発熱量の大きいチ・ノブ面からの熱が直接ヒートシ
ンクを介して外部に放熱されるので、放熱性に優れ、よ
り集積度の高い半導体チップを搭載できる。
ある発熱量の大きいチ・ノブ面からの熱が直接ヒートシ
ンクを介して外部に放熱されるので、放熱性に優れ、よ
り集積度の高い半導体チップを搭載できる。
またリードフレームは、ヒートシンクのインナーリード
に囲まれる部位に突出部を設けているので、半導体チッ
プの接合が容易に行えると共に、半導体チップをそのジ
ャンクションパターンのあるチップ面を突出部に向けて
固定しても、ＴＡＢリードを用いて半導体チップとイン
ナーリードとを容易に接続することができる。
に囲まれる部位に突出部を設けているので、半導体チッ
プの接合が容易に行えると共に、半導体チップをそのジ
ャンクションパターンのあるチップ面を突出部に向けて
固定しても、ＴＡＢリードを用いて半導体チップとイン
ナーリードとを容易に接続することができる。
第１図はリードフレームの一例を示す平面図、第２図は
その断面図、第３図は半導体装置の一例を示す断面図、
第４図は半導体装置の他の実施例を示す断面図である。 第５図、第６図はそれぞれ従来の半導体装置の例を示す
断面図である。 ２０・・・リードフレーム、 ２２・・・インナーリー
ド、 ２５・ ・・ヒートシンク、２７・・・突出部
、 ３０・・・半導体装置、３１・・・半導体チップ、
３２・・・接着側、３３・・・ＴＡＢリード、 ３
４・・・封止樹脂。 第 １ 図 釜 第 ２ 図 りｎ 第 ５ 図 第６図
その断面図、第３図は半導体装置の一例を示す断面図、
第４図は半導体装置の他の実施例を示す断面図である。 第５図、第６図はそれぞれ従来の半導体装置の例を示す
断面図である。 ２０・・・リードフレーム、 ２２・・・インナーリー
ド、 ２５・ ・・ヒートシンク、２７・・・突出部
、 ３０・・・半導体装置、３１・・・半導体チップ、
３２・・・接着側、３３・・・ＴＡＢリード、 ３
４・・・封止樹脂。 第 １ 図 釜 第 ２ 図 りｎ 第 ５ 図 第６図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、ヒートシンクが周縁部上でインナーリードに重ねら
れてインナーリードに電気的に絶縁されて接合されると
共に、ヒートシンクのインナーリードに囲まれる部位に
突出部が形成されたリードフレームの該突出部上に、半
導体チップがそのジャンクションパターンの存在するチ
ップ面を突出部に向けて絶縁性接着剤により接合され、
半導体チップとインナーリードとがＴＡＢリードにより
電気的に接続され、半導体チップが封止樹脂中に封止さ
れていることを特徴とする半導体装置。 ２、ヒートシンクが周縁部上でインナーリードに重ねら
れてインナーリードに電気的に絶縁されて接合されると
共に、ヒートシンクのインナーリードに囲まれる部位に
半導体チップ接合用の突出部が形成されていることを特
徴とするリードフレーム。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2340501A JP2962575B2 (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 半導体装置 |
| KR1019910018795A KR920010862A (ko) | 1990-11-30 | 1991-10-25 | 반도체 장치 및 이것에 사용되는 리드프레임 |
| US07/798,736 US5293301A (en) | 1990-11-30 | 1991-11-27 | Semiconductor device and lead frame used therein |
| EP19910311114 EP0488783A3 (en) | 1990-11-30 | 1991-11-29 | Lead frame for semiconductor device comprising a heat sink |
| KR2019950026696U KR960000942Y1 (ko) | 1990-11-30 | 1995-09-28 | 반도체장치의 리드프레임 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2340501A JP2962575B2 (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04207062A true JPH04207062A (ja) | 1992-07-29 |
| JP2962575B2 JP2962575B2 (ja) | 1999-10-12 |
Family
ID=18337573
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2340501A Expired - Lifetime JP2962575B2 (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 半導体装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2962575B2 (ja) |
| KR (1) | KR920010862A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011211018A (ja) * | 2010-03-30 | 2011-10-20 | Denso Corp | 半導体モジュール |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| MY133357A (en) * | 1999-06-30 | 2007-11-30 | Hitachi Ltd | A semiconductor device and a method of manufacturing the same |
-
1990
- 1990-11-30 JP JP2340501A patent/JP2962575B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1991
- 1991-10-25 KR KR1019910018795A patent/KR920010862A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011211018A (ja) * | 2010-03-30 | 2011-10-20 | Denso Corp | 半導体モジュール |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR920010862A (ko) | 1992-06-27 |
| JP2962575B2 (ja) | 1999-10-12 |
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