JPH0420489B2 - - Google Patents

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JPH0420489B2
JPH0420489B2 JP60243354A JP24335485A JPH0420489B2 JP H0420489 B2 JPH0420489 B2 JP H0420489B2 JP 60243354 A JP60243354 A JP 60243354A JP 24335485 A JP24335485 A JP 24335485A JP H0420489 B2 JPH0420489 B2 JP H0420489B2
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Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
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    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G5/00Control arrangements or circuits for visual indicators common to cathode-ray tube indicators and other visual indicators
    • G09G5/36Control arrangements or circuits for visual indicators common to cathode-ray tube indicators and other visual indicators characterised by the display of a graphic pattern, e.g. using an all-points-addressable [APA] memory
    • G09G5/39Control of the bit-mapped memory
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F12/00Accessing, addressing or allocating within memory systems or architectures
    • G06F12/02Addressing or allocation; Relocation
    • G06F12/04Addressing variable-length words or parts of words
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06TIMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T1/00General purpose image data processing
    • G06T1/60Memory management

Description

【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕 本発明は、コンピユータ装置のビツトマツプ制
御形の画像表示用端末装置で表示するイメージデ
ータを格納するためのフレームバツフアなどに使
用される半導体メモリ及び半導体メモリシステム
に係り、特にバイトあるいはワード境界に拘らず
メモリ上の任意のビツト位置からアクセスするビ
ツトバウンダリアクセス機能あるいはその主要部
を有するメモリに関する。 〔発明の技術的背景〕 コンピユータの端末装置としてCRT(陰極線
管)表示装置が不可欠のものになつている。特
に、最近では文字だけでなく、グラフイツク画面
をも表示可能とするために、画素単位で表示制御
が可能なビツトマツプ制御形の高解像度のCRT
表示装置の使用が一般化している。 第7図は、ビツトマツプ制御形のCRT表示装
置71を端末装置に使用するコンピユータシステ
ムの要部を示しており、通常は表示すべきイメー
ジデータをフレームバツフア72と呼ばれるメモ
リに格納している。なお、73はプロセツサ、7
4は主メモリ、75はデータバスである。上記
CRT表示装置71の分解能が上がり、1画面当
りの情報量が多くなるにつれて、上記フレームバ
ツフア72は1ビツト構成のメモリよりも1語が
4ビツト構成とか8ビツト構成等の多ビツト構成
のメモリが有利であることが指摘されており、今
後はこれらが多用されてゆくものと考えられる。 上記したようなビツトマツプ制御形のCRT表
示装置が一般化するに伴ない、フレームバツフア
に格納されているイメージデータに対して、画面
の回転、拡大、縮少等の処理を実行可能なイメー
ジ処理装置の実現に対する要求が強くなつてい
る。イメージデータに対するこれらの処理は、一
般に画面上の任意のビツト位置から開始できなけ
ればならない。一方、フレームバツフア内のデー
タは、通常はバイト(8ビツト)あるいはワード
(16ビツト)等の単位で特定のバスラインに接続
されている。したがつて、上記イメージ処理を可
能とするためには、フレームバツフア上でバイト
あるいはワード境界に拘らず、メモリ上の任意の
ビツト位置からバイトあるいはワードデータを読
み出し・書き込みするという機能が(ビツトバウ
ンダリアクセス機能)が必要になる。即ち、第8
図に示すように、フレームバツフアに格納されて
いるイメージデータの1語単位の各データをノー
インタレース方式の画面上の表示位置に対応させ
て並べた場合、画面上の任意のビツト位置からの
データの読み出しあるいは書き込みをするように
アクセスする機能が必要になる。 〔背景技術の問題点〕 然るに、従来は上記ビツトバウンダリアクセス
機能を可能とするイメージ処理装置を実現するた
めに、メモリ外部に多数の論理素子を使用した回
路を構成しており、その回路規模が大きくなり、
コストが高くなるという問題があつた。 〔発明の目的〕 本発明は上記の事情に鑑みてなされたもので、
ビツトバウンダリアクセス機能を有し、低コスト
のイメージ処理装置の実現可能な半導体メモリを
提供するものである。 〔発明の概要〕 即ち、本発明は1つのアドレスに対応して複数
ビツトからなる語単位の読み出し動作・書き込み
動作を選択的に行う、または読み出し動作のみを
行う多ビツト構成の半導体メモリにおいて、メモ
リセルアレイと、1つの語の中のビツト位置を示
すビツトアドレスが入力されるビツトアドレス入
力端子とビツトバウンダリ制御入力が入力される
制御入力端子と、前記ビツトアドレスと前記ビツ
トバウンダリ制御入力に応じて、読み出し動作時
には、メモリセルアレイからの読み出しデータを
巡回シフトし、書き込み動作時には、入力データ
を巡回シフトしてシフトしたデータのうち所定の
ビツト位置のデータのみをメモリセルアレイに書
き込み巡回シフト制御回路と、データ読み出し動
作時に、前記ビツトアドレスと前記ビツトバウン
ダリ制御入力に応じたビツト位置の出力を高イン
ピーダンス状態に制御する出力制御回路とを具備
し、少なくとも読み出し系のビツトバウンダリ機
能を具備したことを特徴とするものである。さら
に、書き込み系のビツトバウンダリ機能を実現す
るためには、前記巡回シフト制御回路のシフト方
向を読み出し時とは逆方向にし、ビツトアドレス
の値に応じて所定ビツトを書き込むように制御す
る制御回路を設ければよい。 このようなビツトバウンダリ機能を有するメモ
リをビツトマツプ制御形表示装置の表示データ格
納用のフレームバツフアに用いることによつて画
面の回転、拡大、縮小等の処理を実行可能なイメ
ージ処理装置を低コストで実現できるようにな
る。 〔発明の実施例〕 以下、図面を参照して本発明の一実施例を詳細
に説明する。 第1図はビツトマツプ制御形のCRT表示装置
で表示すべきイメージデータを格納するためのフ
レームバツフアを示しており、偶数アドレスのメ
モリバンク(偶数バンク11)と奇数アドレスの
メモリバンク(奇数バンク12)に分けて構成さ
れており、A0〜Akビツトのアドレスデータのう
ち最小重みビツト(LSB)のA0はアドレスバス
13、残りのビツトA1〜Akはアドレスバス14
に供給されており、データバス15のデータ幅が
8ビツトであるとすれば8ビツトデータ(1語)
のうちのビツトの位置を示すためのビツトアドレ
スデータBAがビツトアドレスバス16に供給さ
れている。上記奇数バンク12のメモリは、アド
レス入力A0〜Akとして前記アドレスバス14か
らのA1〜Akビツトおよび“1”レベルに固定さ
れたA0ビツトが与えられ、ビツトアドレス入力
として前記ビツトアドレスバス16からビツトア
ドレスデータBAが与えられ、ビツトバウンダリ
制御入力CTLとして前記アドレスバス13から
A0ビツトが与えられる。一方、偶数バンク11
のメモリは、アドレス入力A0〜Akとして前記ア
ドレスバス14のA1〜Akビツトとアドレスバス
13のA0ビツトとが加算器17により加算され
て得られたA1〜Akビツトおよび“0”レベルに
固定されたA0ビツトが与えられ、ビツトアドレ
ス入力として前記ビツトアドレスバス16からビ
ツトアドレスデータBAが与えられ、ビツトバウ
ンダリ制御入力CTLとして前記アドレスバス1
3のA0ビツトがインバータ回路18により反転
されて得られた0ビツトが与えられる。 なお、本例では上記加算器17、インバータ回
路18は前記偶数バンク11、奇数バンク12の
メモリチツプとは別チツプに形成されている。 上記偶数バンク11、奇数バンク12はそれぞ
れ1つのアドレスに対応して複数ビツトからなる
語の読み出し・書き込みを選択的に行なう、たと
えばバイト構成のスタテイツク型ランダムアクセ
スメモリSRAMが用いられ、このSRAMは従来
のSRAMに比べてビツトバウンダリ機能の主要
機能が付加されるものであり、ビツトアドレス入
力端子が付加されると共に入出力回路部に工夫が
施されている。即ち、第2図は上記バンク用のメ
モリの要部を示しており、内部アドレスバス2
1、アドレスバツフア22、アドレスデコーダ2
3、メモリセルアレイ24は従来と同様である
が、メモリセルアレイ24と入出力バツフア25
との間に巡回型シフタ(シフト回路)および制御
回路26が設けられており、上記入出力バツフア
25における出力バツフアの出力状態を制御する
ための出力制御回路27が設けられており、ビツ
トアドレス入力およびビツトバウンダリ制御入力
に応じて上記入出力回路部を制御するための種々
の制御信号を発生するビツトバウンダリ制御回路
28が設けられている。このような入出力回路部
によつて、(1)ビツトアドレス入力BAの値により
定められる所定ビツト数だけ、ビツトバウンダリ
制御入力CLTによつて読み出し結果あるいは書
き込み入力を巡回シフト(読み出し時には左回
転、書き込み時には右回転)することを可能と
し、(2)ビツトアドレス入力BAおよびビツトバウ
ンダリ制御入力CTLに応じて、読み出し時には
読み出し出力データの全ビツトのうち所定のビツ
トをハイインピーダンス状態に制御し、書き込み
時には書き込み入力データの全てビツトのうち所
定のビツトだけを書き込むことを可能とする機能
を実現している。 次に、上記メモリの動作について第3図乃至第
6図を参照して説明する。 (A) 読み出し動作 (A)−1 いま、第3図に示すように遇数バンクに
おける指定アドレスの8ビツトデータのうちの
ビツトアドレス入力BAにより指定するビツト
位置からアクセスし、このビツト位置からの遇
数バンク内のデータA(たとえば3ビツト分)
およびこれに連続する奇数バンク内のデータB
(5ビツト分)とからなるバイトデータを読み
出す場合、アドレスバス13のアドレスビツト
A0“0”にされて両バンク11,12には同じ
アドレスビツトA1〜Akが入力する。これによ
つて、上記各バンク11,12においてそれぞ
れメモリセルアレイから読み出されたバイトデ
ータはビツトアドレス入力BAにより指定され
るビツト数だけシフタにより左方向に巡回シフ
トされる。次に、ビツトバウンダリ制御入力
CTLにより、出力データの全ビツトのうち所
定ビツトがハイインピーダンス状態となり、残
りのビツトは通常の出力状態となるように出力
バツフアが制御される。この場合、ビツトアド
レス入力BAの値とビツトバウンダリ制御入力
CTLの論理レベルとに応じて、出力バツフア
の各ビツト位置は表1に示すように高インピー
ダンス状態Zまたは通常の出力状態Xに制御さ
れる。
【表】 上記表において、ビツトアドレス入力BAの
値がたとえば「5」、アドレスビツト入力A0
“0”の場合、偶数バンク11においては、
CTL入力が“1”レベルであるので出力バツ
フアのうち第1〜第3ビツト位置は通常の出力
状態Xであつて、左方向に5ビツト巡回シフト
されているデータAがデータバス15に出力さ
れるが、残りの第4〜第8ビツト位置はハイイ
ンピーダンス状態Zである。また、奇数バンク
12においては、CTL入力が“0”レベルで
あるので出力バツフアのうち第1〜第3ビツト
位置はハイインピーダンス状態Zであるが、第
4〜第8ビツト位置は通常の出力状態Xであつ
て左方向に5ビツト巡回シフトされているデー
タBがデータバス15に出力される。したがつ
て、データバス15上にはデータA,Bからな
る所望のバイトデータが読み出されることにな
る。 (A)−2 これに対して、第4図に示すように奇数
バンクにおける指定アドレスの8ビツトデータ
のうちビツトアドレス入力BAにより指定する
ビツト位置からアクセスし、このビツト位置か
らの奇数バンク内のデータA(たとえば3ビツ
ト分)とこれに連続する偶数バンク内のデータ
B(5ビツト分)とからなるバイトデータを読
み出す場合、アドレスバス13のアドレスビツ
ト入力A0は“1”にされ、奇数バンク12の
アドレスビツト入力A1〜Akの値よりも偶数バ
ンク11のアドレスビツト入力A1〜Akの値は
上記アドレスビツトA0の値「1」が加算され
ているので「1」だけ大きい。上記各バンク1
1,12におけるビツトシフト動作は前述した
A0が“0”の場合と同様であるが、奇数バン
ク12においてはCTL入力が“1”であるの
でBA入力の値がたとえば「5」であるとすれ
ば出力バツフアのうちの第1〜第3ビツト位置
にあるデータAが出力し、偶数バンク11にお
いてはCTL入力が“0”であるので出力バツ
フアのうち第4〜第8ビツト位置からデータB
が出力し、データバス15上にはデータA,B
からなる所望のバイトデータが読み出されるこ
とになる。 (B) 書き込み動作 (B)−1 データバス15上のバイトデータ(説明
の都合上、たとえば3ビツト分のデータAと5
ビツト分のデータBからなつているものとす
る)を取り込み、このバイトデータを第5図に
示すように偶数バンク内に指定アドレスにおけ
る8ビツトのうちのビツトアドレス入力BAに
より指定するビツト位置からアクセスし、この
ビツト位置から偶数バンク内に前記データAを
書き込むと共にこれに連続する奇数バンク内に
前記データBを書き込む場合、アドレスバス1
3のアドレスビツト入力A0は“0”にされて
両バンク11,12には同じアドレスビツト
A1〜Akが入力する。これによつて、上記両バ
ンク11,12では前記データバス15から取
り込まれたデータはビツトアドレス入力BAに
より指定されるビツト数だけシフタにより右方
向に巡回シフトされる。次に、ビツトバウンダ
リ制御入力CTLにより、上記シフトされたバ
イトデータのうち所定のビツトだけがメモリセ
ルアレイ24に書き込まれ、残りのビツトは書
き込まれないように制御される。この場合、ビ
ツトアドレス入力BAの値とビツトバウンダリ
制御入力CTLの論理レベルとに応じて、シフ
トされたバイトデータの各ビツトに対して表2
に示すように書き込みX制御または非書き込み
N制御が行なわれる。
〔発明の効果〕
上述したように本発明の半導体メモリ及び半導
体メモリシステムによれば、ビツトバウンダリア
クセス機能を有するので、たとえばビツトマツプ
制御形表示装置の表示データ格納用のフレームバ
ツフアに用いることによつて、画面の回転、拡
大、縮小等の処理を実行可能なイメージ処理装置
を低コストで実現できるようになる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の半導体メモリの一応用例であ
るイメージ処理装置用フレームバツフアの一例を
示す構成説明図、第2図は本発明の半導体メモリ
の一実施例の要部を示す構成説明図、第3図およ
び第4図は第2図のフレームバツフアにおける読
み出し動作の2つのモードを説明するために示す
図、第5図および第6図は第2図のフレームバツ
フアにおける書き込み動作の2つのモードを説明
するために示す図、第7図はビツトマツプ制御形
CRT表示装置を端末に有するコンピユータシス
テムの一部を示す構成説明図、第8図は第7図中
のフレームバツフアに対するイメージ処理の様子
を説明するために示す図である。 24……メモリセルアレイ、25……入出力バ
ツフア、26……シフタおよび制御回路、27…
…出力制御回路、28……ビツトバウンダリ制御
回路。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 1つのアドレスに対応して複数ビツトからな
    る語単位の読み出し動作・書き込み動作を選択的
    に行う、または読み出し動作のみを行う多ビツト
    構成の半導体メモリにおいて、 メモリセルアレイと、 1つの語の中のビツト位置を示すビツトアドレ
    スが入力されるビツトアドレス入力端子とビツト
    バウンダリ制御入力が入力される制御入力端子
    と、 前記ビツトアドレスと前記ビツトバウンダリ制
    御入力に応じて、読み出し動作時には、メモリセ
    ルアレイからの読み出しデータを巡回シフトし、
    書き込み動作時には、入力データを巡回シフトし
    てシフトしたデータのうち所定のビツト位置のデ
    ータのみをメモリセルアレイに書き込む巡回シフ
    ト制御回路と、 データ読み出し動作時に、前記ビツトアドレス
    と前記ビツトバウンダリ制御入力に応じたビツト
    位置の出力を高インピーダンス状態に制御する出
    力制御回路と を具備したことを特徴とする半導体メモリ。 2 入力アドレスの最小重みビツトとそれ以外の
    入力アドレスとを加算するアドレス入力加算用の
    加算器を設けたことを特徴とする特許請求の範囲
    第1項に記載の半導体メモリ。 3 メモリセルアレイと、ビツトアドレス入力端
    子と制御入力端子と、前記各入力端子に入力され
    る入力信号に応じて、読み出し動作時には、メモ
    リセルアレイからの読み出しデータを巡回シフト
    し、書き込み動作時には、入力データを巡回シフ
    トしてシフトしたデータのうち所定のビツト位置
    のデータのみをメモリセルアレイに書き込む巡回
    シフト制御回路と、データ読み出し動作時に、前
    記各入力端子に入力される入力信号に応じたビツ
    ト位置の出力を高インピーダンス状態に制御する
    出力制御回路とを備えた多ビツト構成の半導体メ
    モリを、奇数用バンクと偶数用バンクに用いた半
    導体メモリシステムにおいて、 アドレスバスから供給されるアドレスの最小重
    みビツトを、奇数バンクの制御入力端子にはその
    まま供給し、偶数バンクの制御入力端子には反転
    して供給し、 ビツトアドレスバスから供給されるビツトアド
    レスを奇数バンクと偶数バンクのビツトアドレス
    入力端子に供給し、 アドレス入力の最小重みビツトを、奇数バンク
    では”1”レベルに偶数バンクでは”0”レベル
    に固定し、 アドレス入力の最小重みビツト以外のビツト
    は、奇数バンクにはアドレスバスから供給される
    アドレスをそのまま供給し、偶数バンクにはアド
    レスバスから供給されるアドレスの最小重みビツ
    トとそれ以外のアドレスビツトとを加算器を用い
    て加算して供給する ことを特徴とする半導体メモリシステム。
JP60243354A 1985-10-30 1985-10-30 半導体メモリ及び半導体メモリシステム Granted JPS62103893A (ja)

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EP86308476A EP0225059B1 (en) 1985-10-30 1986-10-30 Semiconductor memory
DE8686308476T DE3686994T2 (de) 1985-10-30 1986-10-30 Halbleiterspeicher.

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