JPH04204224A - セラミック又は石英ロードセル - Google Patents
セラミック又は石英ロードセルInfo
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- JPH04204224A JPH04204224A JP33784790A JP33784790A JPH04204224A JP H04204224 A JPH04204224 A JP H04204224A JP 33784790 A JP33784790 A JP 33784790A JP 33784790 A JP33784790 A JP 33784790A JP H04204224 A JPH04204224 A JP H04204224A
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Landscapes
- Measurement Of Force In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野］
本発明はセラミック製起歪体又は石英製起歪体を用いた
ロードセルに関するものである。
ロードセルに関するものである。
［従来技術及び発明が解決口ようとする課題１従来この
種の技術としては特開日召６３−２７３０２９号公報に
開示されたものがあった。該ロードセルはセラミック製
起歪体に撓み量検出手段を設けたものである。起歪体の
起歪部に撓み量検出手段となる抵抗体パターレを形成す
る薄膜をスパッタや蒸着等の薄膜形成手段で形成する場
合、薄膜形成用のチャンバーに起歪体を収容するのであ
るが、起歪体は太きいからチャシバ−に収容できる個数
に制限があり、多くの起歪体に一度に歪ゲージを形成で
きないという問題点かあった。
種の技術としては特開日召６３−２７３０２９号公報に
開示されたものがあった。該ロードセルはセラミック製
起歪体に撓み量検出手段を設けたものである。起歪体の
起歪部に撓み量検出手段となる抵抗体パターレを形成す
る薄膜をスパッタや蒸着等の薄膜形成手段で形成する場
合、薄膜形成用のチャンバーに起歪体を収容するのであ
るが、起歪体は太きいからチャシバ−に収容できる個数
に制限があり、多くの起歪体に一度に歪ゲージを形成で
きないという問題点かあった。
また、」１下両面に歪ゲージを形成する場合、工程か複
雑であったり、上下面の歪ゲージの特性、特に温度係数
がそろわなかったりする。そのため片面たけで歪ゲージ
を形成する場合が一般的であるが、その場合は、偏荷重
における直線性やその他の精度の点で良いものを得るこ
とができないという問題があった。
雑であったり、上下面の歪ゲージの特性、特に温度係数
がそろわなかったりする。そのため片面たけで歪ゲージ
を形成する場合が一般的であるが、その場合は、偏荷重
における直線性やその他の精度の点で良いものを得るこ
とができないという問題があった。
また、上記特開昭６３−２７３０２９号公報には第２図
のように起歪体の薄肉部のセラミック部分２０に歪ゲー
ジ２１を形成した後、他部材２２゜２３と組合せて接合
させる方法が開示されている。
のように起歪体の薄肉部のセラミック部分２０に歪ゲー
ジ２１を形成した後、他部材２２゜２３と組合せて接合
させる方法が開示されている。
接合個所をここで示すように、構造的又はメタライズ等
で接合したとしてもセラミックが一体的に形成される程
の接合状態には程遠く、起歪体で計量物の全重量を支え
るその応力が直接的に作用し、この部分がクリープした
りして所定の精度は得られない。
で接合したとしてもセラミックが一体的に形成される程
の接合状態には程遠く、起歪体で計量物の全重量を支え
るその応力が直接的に作用し、この部分がクリープした
りして所定の精度は得られない。
また、特開昭６３−２５６８３２号公報に開示している
ように、インサート、焼嵌法も同様のことがいえる。
ように、インサート、焼嵌法も同様のことがいえる。
また、実開昭６０−２５９３３号公報等は、外枠体を形
成する型の中に起歪体を中子として設置すると共に、セ
ラミック粉末を充填して適当な加圧力、焼成温度にて焼
結することによって結合化を行う方法が示されているが
、焼成温度か高くなければならず、起歪体に先に述べた
ゲージを形成した場合、悪影響がある。また、工法その
ものも大がかりとなり、更に形成した歪ゲージを傷付け
やすい。
成する型の中に起歪体を中子として設置すると共に、セ
ラミック粉末を充填して適当な加圧力、焼成温度にて焼
結することによって結合化を行う方法が示されているが
、焼成温度か高くなければならず、起歪体に先に述べた
ゲージを形成した場合、悪影響がある。また、工法その
ものも大がかりとなり、更に形成した歪ゲージを傷付け
やすい。
また、従来の金属起歪体ロードセルと同様に、通常の歪
ゲージをエポキシ系或はフェノール系等の高分子樹脂接
着剤にてセラミック製起歪体に貼り付けたものでは、歪
ゲージの接着剤のクリープの影響や、歪ゲージのベース
材のクリープの影響等で期待する精度が得られない。
ゲージをエポキシ系或はフェノール系等の高分子樹脂接
着剤にてセラミック製起歪体に貼り付けたものでは、歪
ゲージの接着剤のクリープの影響や、歪ゲージのベース
材のクリープの影響等で期待する精度が得られない。
本発明は上述の点に鑑みてなされたもので、上記問題点
を除去し、製造が容易でかつ緒特性に優れたセラミック
又は石英ロードセルを提供することを目的とする。
を除去し、製造が容易でかつ緒特性に優れたセラミック
又は石英ロードセルを提供することを目的とする。
［課題を解決するための手段］
上記課題を解決するため本発明は、セラミック又は石英
ロードセルを、所定形状の薄いセラミック基板又は薄い
石英基板上に歪ゲージとなる抵抗体薄膜パターンを形成
し、該歪ゲージとなる抵抗体薄膜パターンを形成したセ
ラミック基板又は石英基板をセラミック製起歪体又は石
英製起歪体の起歪部近傍にガラス又はガラス質接着剤に
よって接着して構成した。
ロードセルを、所定形状の薄いセラミック基板又は薄い
石英基板上に歪ゲージとなる抵抗体薄膜パターンを形成
し、該歪ゲージとなる抵抗体薄膜パターンを形成したセ
ラミック基板又は石英基板をセラミック製起歪体又は石
英製起歪体の起歪部近傍にガラス又はガラス質接着剤に
よって接着して構成した。
また、上記歪ゲージを形成したセラミック又は石英基板
のゲージ面をセラミック製起歪体又は石英起歪体の起歪
部近傍面にガラス又はガラス質接着剤で接着したことを
特徴とする。
のゲージ面をセラミック製起歪体又は石英起歪体の起歪
部近傍面にガラス又はガラス質接着剤で接着したことを
特徴とする。
［作用］
セラミック製ロードセルを上記構成とすることにより、
歪ゲージを形成したセラミック基板又は石英基板をセラ
ミック製起歪体の起歪部近傍にカラス又はガラス質接着
剤によって接着した構成とするから、歪ゲージを一度に
多くのセラミック基板又は石英基板上に形成することが
できるので、起歪体上に直接歪ゲージを形成するのに比
較し、歪ゲージの形成が容易になる。
歪ゲージを形成したセラミック基板又は石英基板をセラ
ミック製起歪体の起歪部近傍にカラス又はガラス質接着
剤によって接着した構成とするから、歪ゲージを一度に
多くのセラミック基板又は石英基板上に形成することが
できるので、起歪体上に直接歪ゲージを形成するのに比
較し、歪ゲージの形成が容易になる。
また、歪ゲージの形成されたセラミック基板又は石英基
板をガラス又はガラス質接着剤により貼り付けたので、
ガラスとセラミック及び石英とは弾性特性が近いため、
起歪体の起歪部の歪を確実にゲージに伝達し、クリープ
を生じない。
板をガラス又はガラス質接着剤により貼り付けたので、
ガラスとセラミック及び石英とは弾性特性が近いため、
起歪体の起歪部の歪を確実にゲージに伝達し、クリープ
を生じない。
また、焼成の際、セラミックから析出する珪素とガラス
又はガラス質接着剤が確実に結合し、良好な接着性を得
ることができる。
又はガラス質接着剤が確実に結合し、良好な接着性を得
ることができる。
また、セラミック基板又は石英基板上に形成された歪ゲ
ージの該ゲージ面を起歪体面に貼り付けることにより、
歪ゲージをこのセラミック基板又は石英基板で覆ったと
同じ構造になる。
ージの該ゲージ面を起歪体面に貼り付けることにより、
歪ゲージをこのセラミック基板又は石英基板で覆ったと
同じ構造になる。
［実施例］
以下、本発明の一実施例を図面に基ついて説明する。
第１図は本発明のセラミック製ロードセルの概略構造を
示す分解斜蜆図である３図示するように、厚さ０．３〜
Ｏ，’Ｓｍｍの薄いセラミック基板１゜１′に薄膜の抵
抗体パターンからなる歪ゲージ２を形成する。セラミッ
ク製の起歪体の起歪部３ａの上下面にガラス質４を付着
又は塗布し、その上の所定位置に前記歪ゲージ２が形成
された前記セラミック基板１をその歪ゲージ面が外側に
なるように配置し、圧接した後、焼成しガラス質を溶融
し、セラミック基板１．１′ を起歪体３上下面に貼り
付ける。このようなガラス質によるセラミックとセラミ
ック相互の接着は、例えば特開昭５６−１０９８７８号
公報や特開昭６０−６７０７８号公報に開示されている
。特に後者のガラス状リン酸アルミはアルミナセラミッ
クに対して優れた接着性を有し、低温で扱うことができ
るから、既に薄いセラミック基板の上に形成された薄膜
抵抗体を変質させる二とがない。但し、ガラス質接着剤
としてはガラス状リン酸アルミに限定されるものではな
いことは当然であろうまた、ガラス質接着剤の中には接
着性の良好なアンダーコートと呼ばれる下地処理剤やオ
ーバーコートと呼ばれる保護被膜剤なとも含むものとす
る５ 上記セラミック基板１．１′の貼り付けに際してはセラ
ミック基板１．１′の上面に形成された歪ゲージ２がそ
れぞれ起歪部３ａの真上及び真下に位置するように配置
する。
示す分解斜蜆図である３図示するように、厚さ０．３〜
Ｏ，’Ｓｍｍの薄いセラミック基板１゜１′に薄膜の抵
抗体パターンからなる歪ゲージ２を形成する。セラミッ
ク製の起歪体の起歪部３ａの上下面にガラス質４を付着
又は塗布し、その上の所定位置に前記歪ゲージ２が形成
された前記セラミック基板１をその歪ゲージ面が外側に
なるように配置し、圧接した後、焼成しガラス質を溶融
し、セラミック基板１．１′ を起歪体３上下面に貼り
付ける。このようなガラス質によるセラミックとセラミ
ック相互の接着は、例えば特開昭５６−１０９８７８号
公報や特開昭６０−６７０７８号公報に開示されている
。特に後者のガラス状リン酸アルミはアルミナセラミッ
クに対して優れた接着性を有し、低温で扱うことができ
るから、既に薄いセラミック基板の上に形成された薄膜
抵抗体を変質させる二とがない。但し、ガラス質接着剤
としてはガラス状リン酸アルミに限定されるものではな
いことは当然であろうまた、ガラス質接着剤の中には接
着性の良好なアンダーコートと呼ばれる下地処理剤やオ
ーバーコートと呼ばれる保護被膜剤なとも含むものとす
る５ 上記セラミック基板１．１′の貼り付けに際してはセラ
ミック基板１．１′の上面に形成された歪ゲージ２がそ
れぞれ起歪部３ａの真上及び真下に位置するように配置
する。
セラミック基板ｌ、１′の上面に歪ゲージ２を形成する
には、まず薄膜のセラミック基板ｌ上に蒸着又はスパッ
タ法等の薄膜形成法により歪抵抗体材料を薄膜形成し、
続いて形成された薄膜をエツチングする事によって所定
の歪ゲージ並びに配線パターンを形成する。エツチング
技術については各種の方法んうるが、いずれの方法も公
知の技術であり、詳述を省略する。又は上記以外の薄膜
形成法としてはイオンプレーチイング法なともある。セ
ラミック基板１は起歪体３に比較し極めて薄く、且つ小
さいから蒸着又はスパッタ法により形成する薄膜場合、
チャンバー内に多くのセラミック基板を一度にいれるこ
とができるので、上面に歪ゲージ２を形成したセラミッ
ク基板を多数製造することができる。
には、まず薄膜のセラミック基板ｌ上に蒸着又はスパッ
タ法等の薄膜形成法により歪抵抗体材料を薄膜形成し、
続いて形成された薄膜をエツチングする事によって所定
の歪ゲージ並びに配線パターンを形成する。エツチング
技術については各種の方法んうるが、いずれの方法も公
知の技術であり、詳述を省略する。又は上記以外の薄膜
形成法としてはイオンプレーチイング法なともある。セ
ラミック基板１は起歪体３に比較し極めて薄く、且つ小
さいから蒸着又はスパッタ法により形成する薄膜場合、
チャンバー内に多くのセラミック基板を一度にいれるこ
とができるので、上面に歪ゲージ２を形成したセラミッ
ク基板を多数製造することができる。
なお、上記例において、セラミック基板１，１′の歪ゲ
ージが形成された面を起歪体側として起歪体３上に貼り
付けることにより、歪ゲージ２を起歪体３の上に直接形
成し、その上にセラミックコーティングを施したのと略
同し構成となる。これにより歪ゲージ２の上面からさら
に防湿処理や絶縁処理を施す必要がなく、ロードセルは
防湿性及び絶縁性に優れたものとなる。但し、この場合
は端子部２ａを金属箔やリボンにより予め外に引き出し
ておく必要がある。
ージが形成された面を起歪体側として起歪体３上に貼り
付けることにより、歪ゲージ２を起歪体３の上に直接形
成し、その上にセラミックコーティングを施したのと略
同し構成となる。これにより歪ゲージ２の上面からさら
に防湿処理や絶縁処理を施す必要がなく、ロードセルは
防湿性及び絶縁性に優れたものとなる。但し、この場合
は端子部２ａを金属箔やリボンにより予め外に引き出し
ておく必要がある。
上記実施例においては、セラミック基板を起歪体の上下
面に１枚づつ貼り付けるようにした例を示したが、セラ
ミック基板の大きさはこれに限定されるものではなく、
セラミック基板の大きさを小さくして、〕個の歪ゲージ
を１枚のセラミック基板に形成するようにし、起歪体の
起歪部近傍にこのセラミック基板を１枚或は複数枚貼り
付けるようにしても良いことは当然である。また、セラ
ミック基板を起歪体の上下面の片面だけに貼り付けても
本発明に含まれることは当然である。
面に１枚づつ貼り付けるようにした例を示したが、セラ
ミック基板の大きさはこれに限定されるものではなく、
セラミック基板の大きさを小さくして、〕個の歪ゲージ
を１枚のセラミック基板に形成するようにし、起歪体の
起歪部近傍にこのセラミック基板を１枚或は複数枚貼り
付けるようにしても良いことは当然である。また、セラ
ミック基板を起歪体の上下面の片面だけに貼り付けても
本発明に含まれることは当然である。
また、セラミック基板や起歪体のセラミック材質もアル
ミナ、ジルコニア、窒化珪素系、その他一般的なセラミ
ックの他、アルミナと結晶構造を同じくする人工サファ
イアや人工ルビーなとも含むものとする。
ミナ、ジルコニア、窒化珪素系、その他一般的なセラミ
ックの他、アルミナと結晶構造を同じくする人工サファ
イアや人工ルビーなとも含むものとする。
また、上記実施例では起歪体としてセラミック又は石英
製起歪体を用い、歪ゲージを形成する基板としてセラミ
ック基板を用いたが、起歪体及び歪ゲージを形成する基
板の材質としてはセラミックに限定されるものではなく
、−石英でおっても同じ特性が得られることが確認、で
きた。
製起歪体を用い、歪ゲージを形成する基板としてセラミ
ック基板を用いたが、起歪体及び歪ゲージを形成する基
板の材質としてはセラミックに限定されるものではなく
、−石英でおっても同じ特性が得られることが確認、で
きた。
また、起歪体の構造も第１図に示すものに限定されるも
のではないことは当然である。
のではないことは当然である。
［発明の効果］
以上説明したように本発明によれば、薄いセラミック基
板又は薄い石英基板上に歪ゲージを形成し、該セラミッ
ク基板又は石英基板をセラミック製起歪体又は石英！８
！起全起歪起歪部近傍にガラス又はガラス質接着剤によ
って接着した構成とする二とにより、下記のような優れ
た効果が得られる。
板又は薄い石英基板上に歪ゲージを形成し、該セラミッ
ク基板又は石英基板をセラミック製起歪体又は石英！８
！起全起歪起歪部近傍にガラス又はガラス質接着剤によ
って接着した構成とする二とにより、下記のような優れ
た効果が得られる。
（１）歪ゲージを一度に多くのセラミック基板上に形成
するので、起歪体上に直接歪ゲージを形成するのに比較
し、歪ゲージの形成か容易になる。
するので、起歪体上に直接歪ゲージを形成するのに比較
し、歪ゲージの形成か容易になる。
また、セラミック基板上に形成された抵抗体薄膜のエツ
チングが容易である。また、レーザー等のトリミングに
よる抵抗値の調整か容易になる。
チングが容易である。また、レーザー等のトリミングに
よる抵抗値の調整か容易になる。
（２）歪ゲージの形成に不良がでてもリスクが少なくて
すむ。
すむ。
（３）また、歪ゲージの形成されたセラミック基板をガ
ラスにより貼り付けるので、ガラスとセラミックとは弾
性特性か近いため、起歪体の起歪部の歪を確実にゲージ
に伝達し、クリープを生じない。
ラスにより貼り付けるので、ガラスとセラミックとは弾
性特性か近いため、起歪体の起歪部の歪を確実にゲージ
に伝達し、クリープを生じない。
（４）焼成の際、セラミックから析出する珪素とガラス
が確実に結合し、良好な接着性を得ることができる。
が確実に結合し、良好な接着性を得ることができる。
（５）また、歪ゲージを形成したセラミック又は石英基
板のゲージ面を起歪体の起歪部近傍面に接着することに
より、歪ゲージの上面からさらに防湿処理や絶縁処理を
施すことなく、防湿性及び絶縁性の優れたものとなる。
板のゲージ面を起歪体の起歪部近傍面に接着することに
より、歪ゲージの上面からさらに防湿処理や絶縁処理を
施すことなく、防湿性及び絶縁性の優れたものとなる。
第１図は本発明のセラミヅタ製ローにマルの概略構造を
示す分解斜視図、第２図は従来の＝−にセルの構造を示
す図である３ 図中、１はセラミック基板、２は歪ゲージ、３は起歪体
。
示す分解斜視図、第２図は従来の＝−にセルの構造を示
す図である３ 図中、１はセラミック基板、２は歪ゲージ、３は起歪体
。
Claims (2)
- （１）所定形状の薄いセラミック基板又は薄い石英基板
上に歪ゲージとなる抵抗体薄膜パターンを形成し、該歪
ゲージとなる抵抗体薄膜パターンを形成したセラミック
基板又は石英基板をセラミック製起歪体又は石英製起歪
体の起歪部近傍にガラス又はガラス質接着剤によって接
着したことを特徴とするセラミック又は石英ロードセル
。 - （２）上記歪ゲージを形成したセラミック又は石英基板
のゲージ面をセラミック製起歪体又は石英起歪体の起歪
部近傍面にガラス又はガラス質接着剤で接着したことを
特徴とするセラミック又は石英ロードセル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33784790A JPH0758230B2 (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | セラミック又は石英ロードセル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33784790A JPH0758230B2 (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | セラミック又は石英ロードセル |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04204224A true JPH04204224A (ja) | 1992-07-24 |
| JPH0758230B2 JPH0758230B2 (ja) | 1995-06-21 |
Family
ID=18312537
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33784790A Expired - Fee Related JPH0758230B2 (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | セラミック又は石英ロードセル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0758230B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009168505A (ja) * | 2008-01-11 | 2009-07-30 | A & D Co Ltd | ロードセル |
| JP2014074661A (ja) * | 2012-10-04 | 2014-04-24 | Research Institute For Electromagnetic Materials | 歪ゲージ |
| JP2014077673A (ja) * | 2012-10-09 | 2014-05-01 | Toyo Sokki Kk | 超小型ロードセル |
| WO2014188678A1 (ja) * | 2013-05-21 | 2014-11-27 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 荷重検出装置 |
-
1990
- 1990-11-30 JP JP33784790A patent/JPH0758230B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JP2014074661A (ja) * | 2012-10-04 | 2014-04-24 | Research Institute For Electromagnetic Materials | 歪ゲージ |
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|---|---|
| JPH0758230B2 (ja) | 1995-06-21 |
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