JPH02122572A - 保護層を有する圧力センサー - Google Patents
保護層を有する圧力センサーInfo
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- JPH02122572A JPH02122572A JP27658088A JP27658088A JPH02122572A JP H02122572 A JPH02122572 A JP H02122572A JP 27658088 A JP27658088 A JP 27658088A JP 27658088 A JP27658088 A JP 27658088A JP H02122572 A JPH02122572 A JP H02122572A
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- Japan
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- pressure sensor
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- silicone
- nisib
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- Pending
Links
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Landscapes
- Pressure Sensors (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
（産業上の利用分野）
本発明は歪ゲージの保護材の改良に関するもので、各種
薄膜材料、厚膜材料の保護材及び各種センサーやプリン
ト基板の封止材として利用されるものである。
薄膜材料、厚膜材料の保護材及び各種センサーやプリン
ト基板の封止材として利用されるものである。
（従来の技術）
圧力センサーとして利用されるダイアフラム上に設けら
れたＮｉＳｉＢ歪ゲージの保護材としては特開昭６１−
０６５４６４号によりＳｉＯ□を主成分とする薄膜をス
パッタリング、真空蒸着等の方法により付着させるとい
う方法が用いられている。
れたＮｉＳｉＢ歪ゲージの保護材としては特開昭６１−
０６５４６４号によりＳｉＯ□を主成分とする薄膜をス
パッタリング、真空蒸着等の方法により付着させるとい
う方法が用いられている。
（発明が解決しようとする課題）
しかし、前記保護膜はスパッタリング等の真空成膜を用
いるために薄膜にピンホールが出来やすく、蒸気の浸入
を容易にし、前記非晶質薄膜の電解腐蝕を引き起こすと
いう問題点がある。
いるために薄膜にピンホールが出来やすく、蒸気の浸入
を容易にし、前記非晶質薄膜の電解腐蝕を引き起こすと
いう問題点がある。
第２図は８個の試料について前記非晶質薄膜にＳｉＯ□
を主成分とした保護膜を付着させた歪ゲージの高温高温
通電放置に対するブリッジ抵抗出力図である。
を主成分とした保護膜を付着させた歪ゲージの高温高温
通電放置に対するブリッジ抵抗出力図である。
第３図は４個の試料について前記非晶質薄膜にＳｉＯ□
の保護膜を付着させ、更にシリコーン系のゲル状コーテ
ィング材を塗布した歪ゲージのブリッジ抵抗出力図であ
る。
の保護膜を付着させ、更にシリコーン系のゲル状コーテ
ィング材を塗布した歪ゲージのブリッジ抵抗出力図であ
る。
前記両者を比較すると明らかにシリコーン系ゲル状コー
ティング材を塗布した歪ゲージの方がブリッジ抵抗出力
のバラツキが大変小さく、又シリコーン系ゲル状コーテ
ィング材の無い歪ゲージでは電解腐蝕を起こしたものが
みられる。
ティング材を塗布した歪ゲージの方がブリッジ抵抗出力
のバラツキが大変小さく、又シリコーン系ゲル状コーテ
ィング材の無い歪ゲージでは電解腐蝕を起こしたものが
みられる。
以上よりシリコーン系ゲル状コーティング材の有無が前
記非晶質薄膜歪ゲージに影響を与えるものである。
記非晶質薄膜歪ゲージに影響を与えるものである。
本発明は耐湿性があり、かつ信顛性のある歪ゲージを得
ることを技術的課題とするものである。
ることを技術的課題とするものである。
（課題を解決するための手段）
前記課題を解決するために講じた技術的手段は次のよう
である。すなわち、 ガラス又は金属ダイアフラム上に形成したＮｉＳｉＢ又
はＮｉＣｒＳｉ非晶質合金薄膜歪ゲージ上の一部又は前
面上にＳｉＯ□を主成分とした保護膜をスパッタリング
等の真空成膜技術を用いて付着させた圧力センサーゲー
ジに於て、更にシリコーン系のゲル状コーティング材で
保護層を形成した圧力センサーである。
である。すなわち、 ガラス又は金属ダイアフラム上に形成したＮｉＳｉＢ又
はＮｉＣｒＳｉ非晶質合金薄膜歪ゲージ上の一部又は前
面上にＳｉＯ□を主成分とした保護膜をスパッタリング
等の真空成膜技術を用いて付着させた圧力センサーゲー
ジに於て、更にシリコーン系のゲル状コーティング材で
保護層を形成した圧力センサーである。
（作用）
Ｓｔｏｗを主成分とした保護膜を付着したＮｉＳｉＢ非
晶質合金又はＮｉＣｒＳｉ非晶質合金からなる歪ゲージ
上に耐湿性、密着性に優れるシリコーン系のゲル状コー
ティング材を塗布、硬化させるもので、 前記第２図及び第３図を比較すると、高温高温通電耐久
（８０℃、９５％、８■、１０００ｈｒ以上）でシリコ
ーン系ゲル状コーティング材を塗布した前記非晶質歪ゲ
ージのブリッジ抵抗出力のバラツキは、大変小さく、か
つ電解腐蝕は起きていないことから、シリコーン系ゲル
は湿気による影響を防止しているものである。
晶質合金又はＮｉＣｒＳｉ非晶質合金からなる歪ゲージ
上に耐湿性、密着性に優れるシリコーン系のゲル状コー
ティング材を塗布、硬化させるもので、 前記第２図及び第３図を比較すると、高温高温通電耐久
（８０℃、９５％、８■、１０００ｈｒ以上）でシリコ
ーン系ゲル状コーティング材を塗布した前記非晶質歪ゲ
ージのブリッジ抵抗出力のバラツキは、大変小さく、か
つ電解腐蝕は起きていないことから、シリコーン系ゲル
は湿気による影響を防止しているものである。
またシリコーン系ゲル状コーティング材は、ゲル状に硬
化し、フレキシビリティに冨むためにダイアフラム変形
に対し前記非晶質合金からなる歪ゲージに影響を及ぼさ
ない、 又シリコーン系ゲル状コーティング材はヘラ又はデイス
ペンサー等で簡単に塗布することができ真空脱泡を行え
ばゲル自身歪ゲージには何ら影響を与えないものである
。
化し、フレキシビリティに冨むためにダイアフラム変形
に対し前記非晶質合金からなる歪ゲージに影響を及ぼさ
ない、 又シリコーン系ゲル状コーティング材はヘラ又はデイス
ペンサー等で簡単に塗布することができ真空脱泡を行え
ばゲル自身歪ゲージには何ら影響を与えないものである
。
（実施例）
以下実施例について説明する。
第１図は歪ゲージの保護材として、ヘラやデイスペンサ
ー等で塗布した圧力センサーのダイアフラムである。
ー等で塗布した圧力センサーのダイアフラムである。
第１図に於て１はガラス及び金属基板、２はフレキシブ
ル基板（ＦＰＣ） 、３はＮｉＳｉＢ又はＮｉＣｒＳｉ
非晶膜で、４は電極膜、５はハンダ、５ａ、５ｂはＳｉ
ｎ、を主成分とする保護膜で、７ａ、７ｂ、７ｃはシリ
コーン系のゲル状コーティング材である。
ル基板（ＦＰＣ） 、３はＮｉＳｉＢ又はＮｉＣｒＳｉ
非晶膜で、４は電極膜、５はハンダ、５ａ、５ｂはＳｉ
ｎ、を主成分とする保護膜で、７ａ、７ｂ、７ｃはシリ
コーン系のゲル状コーティング材である。
この様にしてコーティング材？ａ、７ｂ、７ｃにより耐
久性の優れた圧力センサーを得ることができる。
久性の優れた圧力センサーを得ることができる。
本発明は次の効果を有する。すなわち、耐候性、特に耐
湿性に優れており、ゲル状に重合するために、フレキシ
ビリティに冨み、ダイアフラムの変形に対応でき、更に
シリコーン系ゲル状コーティング材は取り扱いが容易で
、ヘラ又はデイスペンサー等で簡単に塗布できるもので
ある。
湿性に優れており、ゲル状に重合するために、フレキシ
ビリティに冨み、ダイアフラムの変形に対応でき、更に
シリコーン系ゲル状コーティング材は取り扱いが容易で
、ヘラ又はデイスペンサー等で簡単に塗布できるもので
ある。
第１図は本実施例の拡大断面図、第２図は５ｉ０２保護
膜のみの場合のブリッジ抵抗出力変化量とし高温高温通
電放置時間との関係を示す図、第３図はシリコーンゲル
塗布品のブリッジ抵抗出力変化量と高温高温通電放置時
間との関係を示す図である。 １・・・ガラス。 ３・・・非晶質合金薄膜。 ５ａ、６ｂ、Ｓｔｏｗ ” ’保護膜。 ７ａ、７ｂ、７Ｃ・・・コーティング。
膜のみの場合のブリッジ抵抗出力変化量とし高温高温通
電放置時間との関係を示す図、第３図はシリコーンゲル
塗布品のブリッジ抵抗出力変化量と高温高温通電放置時
間との関係を示す図である。 １・・・ガラス。 ３・・・非晶質合金薄膜。 ５ａ、６ｂ、Ｓｔｏｗ ” ’保護膜。 ７ａ、７ｂ、７Ｃ・・・コーティング。
Claims (1)
- ガラス又は金属ダイアフラム上に形成したＮｉＳｉＢ
又はＮｉＣｒＳｉ非晶質合金薄膜歪ゲージ上の一部又は
前面上にＳｉＯ＿２を主成分とした保護膜をスパッタリ
ング等の真空成膜技術を用いて付着させた圧力センサー
ゲージに於て、前記保護膜上にシリコーン系のゲル状コ
ーティング材で保護層を形成した圧力センサー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27658088A JPH02122572A (ja) | 1988-10-31 | 1988-10-31 | 保護層を有する圧力センサー |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27658088A JPH02122572A (ja) | 1988-10-31 | 1988-10-31 | 保護層を有する圧力センサー |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02122572A true JPH02122572A (ja) | 1990-05-10 |
Family
ID=17571449
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27658088A Pending JPH02122572A (ja) | 1988-10-31 | 1988-10-31 | 保護層を有する圧力センサー |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02122572A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5400489A (en) * | 1991-11-30 | 1995-03-28 | Endress Hauser Gmbh Co | Method of stabilizing the surface properties of objects to be thermally treated in a vacuum |
| KR20170073284A (ko) * | 2015-12-18 | 2017-06-28 | 주식회사 케이씨텍 | 화학 기계적 연마 시스템의 기판 로딩 장치 및 그 제어방법 |
-
1988
- 1988-10-31 JP JP27658088A patent/JPH02122572A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5400489A (en) * | 1991-11-30 | 1995-03-28 | Endress Hauser Gmbh Co | Method of stabilizing the surface properties of objects to be thermally treated in a vacuum |
| KR20170073284A (ko) * | 2015-12-18 | 2017-06-28 | 주식회사 케이씨텍 | 화학 기계적 연마 시스템의 기판 로딩 장치 및 그 제어방법 |
| KR20220047952A (ko) * | 2015-12-18 | 2022-04-19 | 주식회사 케이씨텍 | 화학 기계적 연마 시스템의 기판 로딩 장치 및 그 제어방법 |
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