JPS6259767B2 - - Google Patents
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- JPS6259767B2 JPS6259767B2 JP55168533A JP16853380A JPS6259767B2 JP S6259767 B2 JPS6259767 B2 JP S6259767B2 JP 55168533 A JP55168533 A JP 55168533A JP 16853380 A JP16853380 A JP 16853380A JP S6259767 B2 JPS6259767 B2 JP S6259767B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L1/00—Measuring force or stress, in general
- G01L1/20—Measuring force or stress, in general by measuring variations in ohmic resistance of solid materials or of electrically-conductive fluids; by making use of electrokinetic cells, i.e. liquid-containing cells wherein an electrical potential is produced or varied upon the application of stress
- G01L1/22—Measuring force or stress, in general by measuring variations in ohmic resistance of solid materials or of electrically-conductive fluids; by making use of electrokinetic cells, i.e. liquid-containing cells wherein an electrical potential is produced or varied upon the application of stress using resistance strain gauges
- G01L1/2206—Special supports with preselected places to mount the resistance strain gauges; Mounting of supports
- G01L1/2243—Special supports with preselected places to mount the resistance strain gauges; Mounting of supports the supports being parallelogram-shaped
-
- G—PHYSICS
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- G01L1/20—Measuring force or stress, in general by measuring variations in ohmic resistance of solid materials or of electrically-conductive fluids; by making use of electrokinetic cells, i.e. liquid-containing cells wherein an electrical potential is produced or varied upon the application of stress
- G01L1/22—Measuring force or stress, in general by measuring variations in ohmic resistance of solid materials or of electrically-conductive fluids; by making use of electrokinetic cells, i.e. liquid-containing cells wherein an electrical potential is produced or varied upon the application of stress using resistance strain gauges
- G01L1/2287—Measuring force or stress, in general by measuring variations in ohmic resistance of solid materials or of electrically-conductive fluids; by making use of electrokinetic cells, i.e. liquid-containing cells wherein an electrical potential is produced or varied upon the application of stress using resistance strain gauges constructional details of the strain gauges
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、ビーム体の起歪部に直接、ロードセ
ル素子を形成するようにしたロードセルの製造方
法に関する。
ル素子を形成するようにしたロードセルの製造方
法に関する。
ロードセルは、ビーム体に荷重を加えて歪を生
じさせ、これに伴ないビーム体の起歪部に設けら
れた抵抗体の抵抗値が変化することを利用して荷
重の測定を行なうものであるが、このロードセル
の製造は、従来、次のように行なわれていた。ま
ずポリイミド、エポキシ等よりなる絶縁フイルム
上にコンスタンタンやニクロム等の金属箔を接着
した後、エツチング加工により抵抗体パターンを
形成してロードセル素子を完成し、これをビーム
体の起歪部に接着して完成するものであつた。
じさせ、これに伴ないビーム体の起歪部に設けら
れた抵抗体の抵抗値が変化することを利用して荷
重の測定を行なうものであるが、このロードセル
の製造は、従来、次のように行なわれていた。ま
ずポリイミド、エポキシ等よりなる絶縁フイルム
上にコンスタンタンやニクロム等の金属箔を接着
した後、エツチング加工により抵抗体パターンを
形成してロードセル素子を完成し、これをビーム
体の起歪部に接着して完成するものであつた。
しかしながら、このような方法では多くの工数
を要するとともに、特にロードセル素子をビーム
体に接着する工程では厳密な工程管理を要し、し
かも自動化が困難で量産性が悪く、コスト高とな
る欠点があつた。また絶縁フイルムを薄くするこ
とには限界があるためビーム体の歪を抵抗体へ正
確に伝えることができず、測定誤差が大きいとい
う欠点もあつた。更に抵抗体パターンは金属箔よ
り形成されるので、これを薄くすることにも限界
があり（約５μ程度）、大抵抗のものが得がたく
（350〜500Ω程度）、その結果、消費電力が大とな
る問題もあつた。
を要するとともに、特にロードセル素子をビーム
体に接着する工程では厳密な工程管理を要し、し
かも自動化が困難で量産性が悪く、コスト高とな
る欠点があつた。また絶縁フイルムを薄くするこ
とには限界があるためビーム体の歪を抵抗体へ正
確に伝えることができず、測定誤差が大きいとい
う欠点もあつた。更に抵抗体パターンは金属箔よ
り形成されるので、これを薄くすることにも限界
があり（約５μ程度）、大抵抗のものが得がたく
（350〜500Ω程度）、その結果、消費電力が大とな
る問題もあつた。
本発明はこのような事情にもとづいてなされた
もので、その目的は、工数を減少でき、かつ厳密
な工程管理を要することなく容易に製造すること
ができ、自動化により量産性を高めることもで
き、コスト低下を図ることができるとともに、抵
抗体及び絶縁層を極めて薄く形成することがで
き、測定時における消費電力の節減が図るロード
セルの製造方法を提供することにある。
もので、その目的は、工数を減少でき、かつ厳密
な工程管理を要することなく容易に製造すること
ができ、自動化により量産性を高めることもで
き、コスト低下を図ることができるとともに、抵
抗体及び絶縁層を極めて薄く形成することがで
き、測定時における消費電力の節減が図るロード
セルの製造方法を提供することにある。
以下、本発明の方法を図面に示す実施例にもと
づいて説明する。
づいて説明する。
まず、第１図及び第２図に、完成品としてのロ
ードセルを示す。ビーム体１は、例えばステンレ
ス鋼（SUS630）、ジユラルミン（A2014、
A2024、A2218）等の金属材料を切削加工して形
成されている。このビーム体１は、一端部に設け
られた取付孔２Ａ，２Ｂに取付ボルト３Ａ，３Ｂ
を通して任意の固定部４に取付けられるようにな
つている。また、ビーム体１の中間部分は薄肉の
起歪部５となつており、ビーム体１の他端側より
起歪部５の下方位置まで作用片６を延出させ、こ
の作用片６に設けた透孔７に、例えば吊下金具８
を取付けて、測定すべき荷重を矢印Ｗの如く作用
させるようにしている。前記起歪部５の上面には
ロードセル素子９が設けられている。このロード
セル素子９は、第５図Ｅに示す如く、ポリイミ
ド、エポキシ、アミドイミド、エポキシ変成ポリ
イミド等の耐熱絶縁性有機樹脂よりなる絶縁被膜
１０上に、第３図に示すようなブリツジ回路を構
成する第１〜第４の抵抗体１１Ａ〜１１Ｄ及び接
続線１２………を設けてなるもので、第１〜第４
の抵抗体１１Ａ〜１１Ｄの各抵抗値ＲA〜ＲDはい
ずれも同一となるように、かつ二等分割して形成
されており、それらの分割抵抗１１A1，１１A2
………１１D1，１１D2はいずれも起歪部５の両
端部に存在する、歪量の相等しい最大歪領域５
Ａ，５Ｂ上に設けられている。なお、一方の最大
歪領域５Ａには、作用片６に荷重Ｗを作用させた
とき最大伸び歪が生じ、他方の最大歪領域５Ｂに
は最大収縮歪が生ずるようになつている。そして
第１、第２の抵抗体１１Ａ，１１Ｂは最大伸び歪
領域５Ａに、また第３、第４の抵抗体１１Ｃ，１
１Ｄは最大収縮歪領域５に、それぞれ設けられて
いる。そして、特に最大伸び歪領域５Ａにおいて
は、第１の抵抗体１１Ａを構成する両分割抵抗体
１１A1，１１A2で、第２の抵抗体１１Ｂを構成
する分割抵抗体１１B1，１１B2を挾むような配
置になつており、最大収縮領域５Ｂにおいては、
第３の抵抗体１１Ｃを構成する分割抵抗体１１
C1，１１C2と第３の抵抗体１１Ｄを構成する分
割抵抗体１１D1，１１D2とが隣接して配置され
ている。なお、各分割抵抗体１１A1，１１A2，
………１１D1，１１D2は、第４図に示すように
ジグザグ状に配置された１本の細線にて構成され
ており、その両端に接続線１２が接続するように
なつている。また、前記分割抵抗体１１A1，１
１A2，………１１D1，１１D2間を接続する接続
線１２………は、互に交差しないことは勿論であ
るが、前記２つの領域５Ａ，５Ｂのいずれを通過
することもないように設けられている。そして接
続線１２………の一部（分割抵抗体１１A1，１
１C2間、１１B1，１１D2間、１１C1，１１B2間
及び１１D1，１１A2間を接続する接続線の各中
央部）をそれぞれ電極Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄとし、外部
リード線１３………を介して電極Ａ，Ｂ間に入力
電圧ＶIを印加し、電極Ｃ，Ｄ間に発生する出力
電圧ＶOを測定することにより荷重Ｗの大きさを
検出するような構成となつている。
ードセルを示す。ビーム体１は、例えばステンレ
ス鋼（SUS630）、ジユラルミン（A2014、
A2024、A2218）等の金属材料を切削加工して形
成されている。このビーム体１は、一端部に設け
られた取付孔２Ａ，２Ｂに取付ボルト３Ａ，３Ｂ
を通して任意の固定部４に取付けられるようにな
つている。また、ビーム体１の中間部分は薄肉の
起歪部５となつており、ビーム体１の他端側より
起歪部５の下方位置まで作用片６を延出させ、こ
の作用片６に設けた透孔７に、例えば吊下金具８
を取付けて、測定すべき荷重を矢印Ｗの如く作用
させるようにしている。前記起歪部５の上面には
ロードセル素子９が設けられている。このロード
セル素子９は、第５図Ｅに示す如く、ポリイミ
ド、エポキシ、アミドイミド、エポキシ変成ポリ
イミド等の耐熱絶縁性有機樹脂よりなる絶縁被膜
１０上に、第３図に示すようなブリツジ回路を構
成する第１〜第４の抵抗体１１Ａ〜１１Ｄ及び接
続線１２………を設けてなるもので、第１〜第４
の抵抗体１１Ａ〜１１Ｄの各抵抗値ＲA〜ＲDはい
ずれも同一となるように、かつ二等分割して形成
されており、それらの分割抵抗１１A1，１１A2
………１１D1，１１D2はいずれも起歪部５の両
端部に存在する、歪量の相等しい最大歪領域５
Ａ，５Ｂ上に設けられている。なお、一方の最大
歪領域５Ａには、作用片６に荷重Ｗを作用させた
とき最大伸び歪が生じ、他方の最大歪領域５Ｂに
は最大収縮歪が生ずるようになつている。そして
第１、第２の抵抗体１１Ａ，１１Ｂは最大伸び歪
領域５Ａに、また第３、第４の抵抗体１１Ｃ，１
１Ｄは最大収縮歪領域５に、それぞれ設けられて
いる。そして、特に最大伸び歪領域５Ａにおいて
は、第１の抵抗体１１Ａを構成する両分割抵抗体
１１A1，１１A2で、第２の抵抗体１１Ｂを構成
する分割抵抗体１１B1，１１B2を挾むような配
置になつており、最大収縮領域５Ｂにおいては、
第３の抵抗体１１Ｃを構成する分割抵抗体１１
C1，１１C2と第３の抵抗体１１Ｄを構成する分
割抵抗体１１D1，１１D2とが隣接して配置され
ている。なお、各分割抵抗体１１A1，１１A2，
………１１D1，１１D2は、第４図に示すように
ジグザグ状に配置された１本の細線にて構成され
ており、その両端に接続線１２が接続するように
なつている。また、前記分割抵抗体１１A1，１
１A2，………１１D1，１１D2間を接続する接続
線１２………は、互に交差しないことは勿論であ
るが、前記２つの領域５Ａ，５Ｂのいずれを通過
することもないように設けられている。そして接
続線１２………の一部（分割抵抗体１１A1，１
１C2間、１１B1，１１D2間、１１C1，１１B2間
及び１１D1，１１A2間を接続する接続線の各中
央部）をそれぞれ電極Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄとし、外部
リード線１３………を介して電極Ａ，Ｂ間に入力
電圧ＶIを印加し、電極Ｃ，Ｄ間に発生する出力
電圧ＶOを測定することにより荷重Ｗの大きさを
検出するような構成となつている。
次に、以上に述べたロードセルの製造方法を第
５図により説明する。
５図により説明する。
まず、第５図Ａのように、切削加工により得ら
れたビーム体１の起歪部５上面を脱脂洗浄し、そ
の洗浄された面上に、粘度1000cp程度に調整さ
れたワニス状の耐熱絶縁性有機樹脂（例えばポリ
イミド、エポキシ、アミドイミド、エポキシ変成
ポリイミド等）を滴下する。そしてビーム体１を
スピンナにより1000rpm程度の速度で回転するこ
とによつて、起歪部５の上面に耐熱絶縁性樹脂を
均一に塗布した後、N2ガス雰囲気中で約350℃に
加熱すると、樹脂が硬化して起歪部５の上面に厚
さ約６μの耐熱絶縁性樹脂被膜１０が形成され
る。次に、上記絶縁被膜１０上に、抵抗体となる
金属材料（例えばニクロム、コンスタンタン、ク
ロム、チタン等）を蒸着又はスパツタリング法に
より被着して、厚さ約1000Åの抵抗体薄膜１１′
を形成し、更にその上に、接続線となる金属材料
（例えば金、クロム金等）を蒸着又はスパツタリ
ング法により被着して、厚さ約２μの接続線薄膜
１２′を積層形成する。
れたビーム体１の起歪部５上面を脱脂洗浄し、そ
の洗浄された面上に、粘度1000cp程度に調整さ
れたワニス状の耐熱絶縁性有機樹脂（例えばポリ
イミド、エポキシ、アミドイミド、エポキシ変成
ポリイミド等）を滴下する。そしてビーム体１を
スピンナにより1000rpm程度の速度で回転するこ
とによつて、起歪部５の上面に耐熱絶縁性樹脂を
均一に塗布した後、N2ガス雰囲気中で約350℃に
加熱すると、樹脂が硬化して起歪部５の上面に厚
さ約６μの耐熱絶縁性樹脂被膜１０が形成され
る。次に、上記絶縁被膜１０上に、抵抗体となる
金属材料（例えばニクロム、コンスタンタン、ク
ロム、チタン等）を蒸着又はスパツタリング法に
より被着して、厚さ約1000Åの抵抗体薄膜１１′
を形成し、更にその上に、接続線となる金属材料
（例えば金、クロム金等）を蒸着又はスパツタリ
ング法により被着して、厚さ約２μの接続線薄膜
１２′を積層形成する。
次に、同図Ｂのように、接続線薄膜１２′及び
抵抗体薄膜１１′に対して順次、それぞれの金属
に適したエツチング液を用いてフオトエツチング
を行ない、抵抗体となる部分及び接続線となる部
分のみを残して他を除去し、所定のパターンを現
出させる。
抵抗体薄膜１１′に対して順次、それぞれの金属
に適したエツチング液を用いてフオトエツチング
を行ない、抵抗体となる部分及び接続線となる部
分のみを残して他を除去し、所定のパターンを現
出させる。
次に、同図Ｃのように、抵抗体となる部分に積
層された接続線薄膜をフオトエツチングにより除
去し、前記分割抵抗体１１A1，１１A2，………
１１D1，１１D2を現出させる。ここで、残りの
部分は各分割抵抗体間を接続する接続線１２……
…となる。
層された接続線薄膜をフオトエツチングにより除
去し、前記分割抵抗体１１A1，１１A2，………
１１D1，１１D2を現出させる。ここで、残りの
部分は各分割抵抗体間を接続する接続線１２……
…となる。
更に、同図Ｄのように、抵抗体及び接続線パタ
ーンの上に再び耐熱絶縁性樹脂よりなる絶縁被膜
１４を形成する。
ーンの上に再び耐熱絶縁性樹脂よりなる絶縁被膜
１４を形成する。
最後に、同図Ｅのように、絶縁被膜１４の一部
（分割抵抗体１１A1，１１C2間、１１B1，１１D2
間、１１C1，１１B2間及び１１D1，１１A2間を
接続する接続線１２………の各中央部を覆う部
分）をそれぞれエツチングにより除去して、それ
らの部分における接続線１２………の各露出部を
電極Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄとし、各電極に、例えばアル
ミニウム、金等よりなる外部リード線１３………
をボンデイングすると、第１図及び第２図に示す
ロードセルが完成する。
（分割抵抗体１１A1，１１C2間、１１B1，１１D2
間、１１C1，１１B2間及び１１D1，１１A2間を
接続する接続線１２………の各中央部を覆う部
分）をそれぞれエツチングにより除去して、それ
らの部分における接続線１２………の各露出部を
電極Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄとし、各電極に、例えばアル
ミニウム、金等よりなる外部リード線１３………
をボンデイングすると、第１図及び第２図に示す
ロードセルが完成する。
以上のように製造方法によると、ビーム体１の
表面に直接、ロードセル素子９を設けるようにし
ているので、工数を減少することができ、また、
ロードセル素子を別に製作してビーム体に接着す
る場合のような厳密な工程管理を要することもな
く、自動化を図ることも容易であり、量産性が高
められてコスト低下が図られる。また、絶縁被膜
１０は直線、ビーム体１の表面に塗布されるため
極めて薄く形成することができ、これによつて起
歪部５に生じた歪を正確に抵抗体１１Ａ〜１１Ｄ
へ伝達することができ、測定精度の高いロードセ
ルを得ることができる。また絶縁被膜１０として
耐熱絶縁性の樹脂を使用しているので、絶縁被膜
を薄く形成しても抵抗体１１A1，１１A2，……
…１１D1，１１D2の発熱によつて絶縁性が低下
したり破壊される虞れはない。また樹脂として有
機樹脂を使用しているので耐衝撃に強くビーム体
１に過荷重が負荷されても破壊される虞れはな
い。この点無機樹脂では過荷重が負荷されるとク
ラツク等が発生し破壊され易い。また有機樹脂を
使用することによりビーム体１の表面を鏡面仕上
げしなくても樹脂の塗布時表面の凹凸が平坦にな
りピンホール等が発生せず絶縁不良が発生する虞
れはない。この点無機樹脂では鏡面仕上げしない
と凹凸のエツジの部分で膜が形成しにくくなりピ
ンホール等が生じる問題がある。更に、抵抗体パ
ターン１１Ａ〜１１Ｄは電子ビーム蒸着又はスパ
ツタリング法により絶縁被膜１０上に極めて薄く
形成されるので、抵抗値の大きな抵抗体を形成す
ることが容易であり、その結果、測定時における
消費電力の小さいロードセルを得ることができ
る。
表面に直接、ロードセル素子９を設けるようにし
ているので、工数を減少することができ、また、
ロードセル素子を別に製作してビーム体に接着す
る場合のような厳密な工程管理を要することもな
く、自動化を図ることも容易であり、量産性が高
められてコスト低下が図られる。また、絶縁被膜
１０は直線、ビーム体１の表面に塗布されるため
極めて薄く形成することができ、これによつて起
歪部５に生じた歪を正確に抵抗体１１Ａ〜１１Ｄ
へ伝達することができ、測定精度の高いロードセ
ルを得ることができる。また絶縁被膜１０として
耐熱絶縁性の樹脂を使用しているので、絶縁被膜
を薄く形成しても抵抗体１１A1，１１A2，……
…１１D1，１１D2の発熱によつて絶縁性が低下
したり破壊される虞れはない。また樹脂として有
機樹脂を使用しているので耐衝撃に強くビーム体
１に過荷重が負荷されても破壊される虞れはな
い。この点無機樹脂では過荷重が負荷されるとク
ラツク等が発生し破壊され易い。また有機樹脂を
使用することによりビーム体１の表面を鏡面仕上
げしなくても樹脂の塗布時表面の凹凸が平坦にな
りピンホール等が発生せず絶縁不良が発生する虞
れはない。この点無機樹脂では鏡面仕上げしない
と凹凸のエツジの部分で膜が形成しにくくなりピ
ンホール等が生じる問題がある。更に、抵抗体パ
ターン１１Ａ〜１１Ｄは電子ビーム蒸着又はスパ
ツタリング法により絶縁被膜１０上に極めて薄く
形成されるので、抵抗値の大きな抵抗体を形成す
ることが容易であり、その結果、測定時における
消費電力の小さいロードセルを得ることができ
る。
次に、第６図ないし第８図に示す変形例につい
て説明する。
て説明する。
これは絶縁被膜１０の上面に、前記抵抗体１１
A1，１１A2，………１１D1，１１D2とともに補
正抵抗１５Ａ，１５Ｂを形成したもので、これら
の補正抵抗１５Ａ，１５Ｂは、それぞれ前記起歪
部５の両端部に、極力、最大起歪部５Ａ，５Ｂを
避けて配置することが望ましい。そして一方の補
正抵抗１５Ａは第１の両分割抵抗体１１A1，１
１A2間に介挿され、他方の補正抵抗１５Ｂはこ
れに隣接する、例えば第３の両分割抵抗体１１
C1，１１C2間に介挿される。そしてこれらの補
正抵抗１５Ａ，１５Ｂは、いずれも第８図に示す
ような小抵抗体１６………の集合によつて構成さ
れており、各小抵抗体１６………間の小断面部１
７………を切断することによつて電極Ａ，Ｄ間の
抵抗１１A′又はＡ，Ｃ間の抵抗１１C′を適宜、
調節できるようになつている。
A1，１１A2，………１１D1，１１D2とともに補
正抵抗１５Ａ，１５Ｂを形成したもので、これら
の補正抵抗１５Ａ，１５Ｂは、それぞれ前記起歪
部５の両端部に、極力、最大起歪部５Ａ，５Ｂを
避けて配置することが望ましい。そして一方の補
正抵抗１５Ａは第１の両分割抵抗体１１A1，１
１A2間に介挿され、他方の補正抵抗１５Ｂはこ
れに隣接する、例えば第３の両分割抵抗体１１
C1，１１C2間に介挿される。そしてこれらの補
正抵抗１５Ａ，１５Ｂは、いずれも第８図に示す
ような小抵抗体１６………の集合によつて構成さ
れており、各小抵抗体１６………間の小断面部１
７………を切断することによつて電極Ａ，Ｄ間の
抵抗１１A′又はＡ，Ｃ間の抵抗１１C′を適宜、
調節できるようになつている。
従つて、このような補正抵抗１５Ａ，１５Ｂが
設けられていると、前記分割抵抗体１１A1，１
１A2，………１１D1，１１D2の製作誤差を補正
抵抗１５Ａ，１５Ｂの調節によつて容易に補正す
ることができ、各電極間における抵抗値ＲA′，Ｒ
B，ＲC′，ＲD間に、ＲA′ＲB＝ＲC′ＲDなる平衡条
件を得ることができる。
設けられていると、前記分割抵抗体１１A1，１
１A2，………１１D1，１１D2の製作誤差を補正
抵抗１５Ａ，１５Ｂの調節によつて容易に補正す
ることができ、各電極間における抵抗値ＲA′，Ｒ
B，ＲC′，ＲD間に、ＲA′ＲB＝ＲC′ＲDなる平衡条
件を得ることができる。
なお、第６図ないし第８図の実施例に示すロー
ドセルも、前記実施例と同様の方法で製作するこ
とができる。
ドセルも、前記実施例と同様の方法で製作するこ
とができる。
また、前記両実施例では絶縁被膜上に蒸着又は
スパツタリング法により抵抗体及び電極を形成す
るものとしたが、抵抗体及び電極をマスキング法
によつて形成することもできる。
スパツタリング法により抵抗体及び電極を形成す
るものとしたが、抵抗体及び電極をマスキング法
によつて形成することもできる。
以上、種々実施例にもとづいて説明したよう
に、本発明の製造方法によれば、金属材料からな
るビーム体の起歪部に耐熱絶縁性有機樹脂を塗布
し、加熱硬化させて絶縁被膜を形成した後、その
絶縁被膜上に金属材料を蒸着又はスパツタリング
法により被着して抵抗体及び電極を形成するよう
にしているので、製造に要する工数を減少でき、
かつ厳密な工程管理を要することなく容易に製造
することができる。また、ロードセル素子がビー
ム上に直接形成され、接着工程を要しないので自
動化が容易となり量産性を高めることができ、コ
スト低下を図ることができる。また、抵抗体及び
絶縁被膜を極めて薄く形成できるので、歩どまり
が向上し、品質の安定化が図られるとともに測定
時における消費電力の節減が図られ、消費電力の
減少に伴ない発熱量も減少する。さらに絶縁被膜
は耐熱性の有機樹脂を使用しているので、薄く形
成しても抵抗体からの熱によつて絶縁性が低下し
たり破壊されたりする虞れがなく、またビーム体
の表面を鏡面仕上げしなくても絶縁が確実にでき
るロードセルを製造することができる。
に、本発明の製造方法によれば、金属材料からな
るビーム体の起歪部に耐熱絶縁性有機樹脂を塗布
し、加熱硬化させて絶縁被膜を形成した後、その
絶縁被膜上に金属材料を蒸着又はスパツタリング
法により被着して抵抗体及び電極を形成するよう
にしているので、製造に要する工数を減少でき、
かつ厳密な工程管理を要することなく容易に製造
することができる。また、ロードセル素子がビー
ム上に直接形成され、接着工程を要しないので自
動化が容易となり量産性を高めることができ、コ
スト低下を図ることができる。また、抵抗体及び
絶縁被膜を極めて薄く形成できるので、歩どまり
が向上し、品質の安定化が図られるとともに測定
時における消費電力の節減が図られ、消費電力の
減少に伴ない発熱量も減少する。さらに絶縁被膜
は耐熱性の有機樹脂を使用しているので、薄く形
成しても抵抗体からの熱によつて絶縁性が低下し
たり破壊されたりする虞れがなく、またビーム体
の表面を鏡面仕上げしなくても絶縁が確実にでき
るロードセルを製造することができる。
また、本発明の方法によれば、絶縁被膜上に形
成された抵抗体及び電極の上面に再び絶縁被膜を
形成するようにしたことにより、抵抗体を保護す
ることができ、抵抗体の機械的損傷や劣化を防止
することができ、かつロードセルとしての信頼性
を高めることができる。
成された抵抗体及び電極の上面に再び絶縁被膜を
形成するようにしたことにより、抵抗体を保護す
ることができ、抵抗体の機械的損傷や劣化を防止
することができ、かつロードセルとしての信頼性
を高めることができる。
更にまた、本発明の方法によれば、絶縁被膜上
に抵抗体及び電極をマスキング法により形成する
ようにしたことにより、ビーム体の表面にロード
セル素子を極めて容易に形成することができる。
なお、この方法は特に抵抗体パターンが粗い場合
に適している。
に抵抗体及び電極をマスキング法により形成する
ようにしたことにより、ビーム体の表面にロード
セル素子を極めて容易に形成することができる。
なお、この方法は特に抵抗体パターンが粗い場合
に適している。
第１図ないし第５図は本発明方法の一実施例を
示すもので、第１図はロードセルの外観斜視図、
第２図は同断面図、第３図はロードセル素子の回
路構成図、第４図はロードセル素子の部分拡大
図、第５図Ａ〜Ｅは製造方法を順に追つて示す説
明図、第６図ないし第８図は変形例を示すもの
で、第６図はロードセル素子の平面図、第７図は
同回路構成図、第８図は補正抵抗部分の拡大平面
図である。 １……ビーム体、５……起歪部、６……作用
片、９……ロードセル素子、１０……絶縁被膜、
１１Ａ〜１１Ｄ……抵抗体、１２……接続線、Ａ
〜Ｄ……電極、１３……外部リード線、１４……
絶縁被膜、１５Ａ，１５Ｂ……補正抵抗。
示すもので、第１図はロードセルの外観斜視図、
第２図は同断面図、第３図はロードセル素子の回
路構成図、第４図はロードセル素子の部分拡大
図、第５図Ａ〜Ｅは製造方法を順に追つて示す説
明図、第６図ないし第８図は変形例を示すもの
で、第６図はロードセル素子の平面図、第７図は
同回路構成図、第８図は補正抵抗部分の拡大平面
図である。 １……ビーム体、５……起歪部、６……作用
片、９……ロードセル素子、１０……絶縁被膜、
１１Ａ〜１１Ｄ……抵抗体、１２……接続線、Ａ
〜Ｄ……電極、１３……外部リード線、１４……
絶縁被膜、１５Ａ，１５Ｂ……補正抵抗。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 金属材料からなるビーム体の起歪部に耐熱絶
縁性有機樹脂を塗布し、加熱硬化させて絶縁被膜
を形成した後、その絶縁被膜上に金属材料を蒸着
又はスパツタリング法により被着して抵抗体及び
電極を形成するようにしたことを特徴とするロー
ドセルの製造方法。 ２ 金属材料からなるビーム体の起歪部に耐熱絶
縁性有機樹脂を塗布し、加熱硬化させて絶縁被膜
を形成した後、その絶縁被膜上に金属材料を蒸着
又はスパツタリング法により被着して抵抗体及び
電極を形成し、その抵抗体及び電極の上面に再び
耐熱絶縁性有機樹脂からなる絶縁被膜を形成する
ようにしたことを特徴とするロードセルの製造方
法。 ３ 金属材料からなるビーム体の起歪部に耐熱絶
縁性有機樹脂を塗布し、加熱硬化させて絶縁被膜
を形成した後、その絶縁被膜上にマスキング法に
より抵抗体及び電極を形成するようにしたことを
特徴とするロードセルの製造方法。
Priority Applications (9)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16853380A JPS5793220A (en) | 1980-11-29 | 1980-11-29 | Preparation of load cell |
| EP81109813A EP0053337B1 (en) | 1980-11-29 | 1981-11-21 | Load cell and method of manufacturing the same |
| DE8181109813T DE3176209D1 (en) | 1980-11-29 | 1981-11-21 | Load cell and method of manufacturing the same |
| US06/323,726 US4432247A (en) | 1980-11-29 | 1981-11-23 | Load cell having thin film strain gauges |
| AU77880/81A AU528989B2 (en) | 1980-11-29 | 1981-11-25 | Load cell and method of manufacturing |
| DK524881A DK161215C (da) | 1980-11-29 | 1981-11-26 | Belastningscelle og fremgangsmaade til fremstilling heraf |
| CA000391106A CA1176075A (en) | 1980-11-29 | 1981-11-27 | Load cell and method of manufacturing the same |
| ES507539A ES8303689A1 (es) | 1980-11-29 | 1981-11-27 | Dispositivo medidor de fuerza. |
| HK988/88A HK98888A (en) | 1980-11-29 | 1988-12-08 | Load cell and method of manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16853380A JPS5793220A (en) | 1980-11-29 | 1980-11-29 | Preparation of load cell |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5793220A JPS5793220A (en) | 1982-06-10 |
| JPS6259767B2 true JPS6259767B2 (ja) | 1987-12-12 |
Family
ID=15869778
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16853380A Granted JPS5793220A (en) | 1980-11-29 | 1980-11-29 | Preparation of load cell |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5793220A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59231431A (ja) * | 1983-06-14 | 1984-12-26 | Tokyo Electric Co Ltd | ロ−ドセル |
| JP2010243192A (ja) * | 2009-04-01 | 2010-10-28 | A & D Co Ltd | 歪ゲージとロードセル。 |
| JP2018028506A (ja) * | 2016-08-19 | 2018-02-22 | ミネベアミツミ株式会社 | 荷重検出器及び荷重検出システム |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4830955A (ja) * | 1971-08-26 | 1973-04-23 | ||
| JPS5344052A (en) * | 1976-09-15 | 1978-04-20 | Gen Electric | Thin film strain meter and method of producing same |
| JPS5531996A (en) * | 1978-08-28 | 1980-03-06 | Gould Inc | Strain gauge and making method thereof |
-
1980
- 1980-11-29 JP JP16853380A patent/JPS5793220A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4830955A (ja) * | 1971-08-26 | 1973-04-23 | ||
| JPS5344052A (en) * | 1976-09-15 | 1978-04-20 | Gen Electric | Thin film strain meter and method of producing same |
| JPS5531996A (en) * | 1978-08-28 | 1980-03-06 | Gould Inc | Strain gauge and making method thereof |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5793220A (en) | 1982-06-10 |
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