JPS621206B2 - - Google Patents
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- JPS621206B2 JPS621206B2 JP16853480A JP16853480A JPS621206B2 JP S621206 B2 JPS621206 B2 JP S621206B2 JP 16853480 A JP16853480 A JP 16853480A JP 16853480 A JP16853480 A JP 16853480A JP S621206 B2 JPS621206 B2 JP S621206B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L1/00—Measuring force or stress, in general
- G01L1/20—Measuring force or stress, in general by measuring variations in ohmic resistance of solid materials or of electrically-conductive fluids; by making use of electrokinetic cells, i.e. liquid-containing cells wherein an electrical potential is produced or varied upon the application of stress
- G01L1/22—Measuring force or stress, in general by measuring variations in ohmic resistance of solid materials or of electrically-conductive fluids; by making use of electrokinetic cells, i.e. liquid-containing cells wherein an electrical potential is produced or varied upon the application of stress using resistance strain gauges
- G01L1/2287—Measuring force or stress, in general by measuring variations in ohmic resistance of solid materials or of electrically-conductive fluids; by making use of electrokinetic cells, i.e. liquid-containing cells wherein an electrical potential is produced or varied upon the application of stress using resistance strain gauges constructional details of the strain gauges
-
- G—PHYSICS
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- G01L1/00—Measuring force or stress, in general
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- G01L1/22—Measuring force or stress, in general by measuring variations in ohmic resistance of solid materials or of electrically-conductive fluids; by making use of electrokinetic cells, i.e. liquid-containing cells wherein an electrical potential is produced or varied upon the application of stress using resistance strain gauges
- G01L1/2206—Special supports with preselected places to mount the resistance strain gauges; Mounting of supports
- G01L1/2243—Special supports with preselected places to mount the resistance strain gauges; Mounting of supports the supports being parallelogram-shaped
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、ビーム体の最大起歪部に接続線がか
からないように形成して測定精度の高度化を図つ
たロードセル素子に関する。
からないように形成して測定精度の高度化を図つ
たロードセル素子に関する。
ロードセルは、ビーム体の起歪部にロードセル
素子を設け、ビーム体に荷重をかけて歪を生じさ
せたとき、これに伴ないロードセル素子内の抵抗
体の抵抗値が変化することを利用して荷重の測定
を行なうものであるが、一般に、素子内には第１
図に示すような４つの抵抗体１００Ａ，１００
Ｂ，１００Ｃ，１００Ｄが設けられ、これらを接
続線１０１…で接続して第２図に示すブリツジ回
路を構成するようにしている。そしてこれらの抵
抗体１００Ａ，１００Ｂ，１００Ｃ，１００Ｄの
抵抗値ＲA，ＲB，ＲC，ＲD間にＲAＲB＝ＲCＲDの
平衝条件が成立するように各抵抗値が調整されて
いる。一方、ロードセル素子をローセルのビーム
体に設けるにあたつては、ビーム体の起歪部内に
おいて最大伸び歪が生ずる領域１０２Ａと、最大
収縮歪が生ずる領域１０２Ｂとを求め、かつそれ
らの領域１０２Ａ，１０２Ｂにおける歪量が互に
等しいことを確認して１組の抵抗体１００Ａ，１
００Ｂを一方の領域１０２Ａ内に、他の１組の抵
抗体１００Ｃ，１００Ｄを他方の領域１０２Ｂ内
にそれぞれ配置する必要がある。
素子を設け、ビーム体に荷重をかけて歪を生じさ
せたとき、これに伴ないロードセル素子内の抵抗
体の抵抗値が変化することを利用して荷重の測定
を行なうものであるが、一般に、素子内には第１
図に示すような４つの抵抗体１００Ａ，１００
Ｂ，１００Ｃ，１００Ｄが設けられ、これらを接
続線１０１…で接続して第２図に示すブリツジ回
路を構成するようにしている。そしてこれらの抵
抗体１００Ａ，１００Ｂ，１００Ｃ，１００Ｄの
抵抗値ＲA，ＲB，ＲC，ＲD間にＲAＲB＝ＲCＲDの
平衝条件が成立するように各抵抗値が調整されて
いる。一方、ロードセル素子をローセルのビーム
体に設けるにあたつては、ビーム体の起歪部内に
おいて最大伸び歪が生ずる領域１０２Ａと、最大
収縮歪が生ずる領域１０２Ｂとを求め、かつそれ
らの領域１０２Ａ，１０２Ｂにおける歪量が互に
等しいことを確認して１組の抵抗体１００Ａ，１
００Ｂを一方の領域１０２Ａ内に、他の１組の抵
抗体１００Ｃ，１００Ｄを他方の領域１０２Ｂ内
にそれぞれ配置する必要がある。
ところが、従来のこの種のロードセル素子にあ
つては、第１図に見られるように、抵抗体１００
Ａ〜１００Ｄ間を接続する接続線１０１…が最大
歪領域１０２Ａ，１０２Ｂを通過することを避け
られず、そのため起歪部の歪によつて接続線１０
１…の一部も伸び縮みし、その結果、接続線１０
１…の抵抗値が変化してこれが測定誤差発生の原
因となる欠点があつた。なお、接続線１０１…
を、絶縁層を介して交差させることにより、最大
歪領域１０２Ａ，１０２Ｂを通過することを防止
できるが、このようにすると製造工程が繁雑にな
るので好ましくない。
つては、第１図に見られるように、抵抗体１００
Ａ〜１００Ｄ間を接続する接続線１０１…が最大
歪領域１０２Ａ，１０２Ｂを通過することを避け
られず、そのため起歪部の歪によつて接続線１０
１…の一部も伸び縮みし、その結果、接続線１０
１…の抵抗値が変化してこれが測定誤差発生の原
因となる欠点があつた。なお、接続線１０１…
を、絶縁層を介して交差させることにより、最大
歪領域１０２Ａ，１０２Ｂを通過することを防止
できるが、このようにすると製造工程が繁雑にな
るので好ましくない。
本発明はこのような事情にもとづいてなされた
もので、その目的は、ビーム体の最大歪領域に配
置される抵抗体の接続線を互に交差することな
く、かつ最大歪領域を通過することなく配置して
ブリツジ回路を構成し、測定精度の高度化を図る
ことができるロードセル素子を提供することにあ
る。
もので、その目的は、ビーム体の最大歪領域に配
置される抵抗体の接続線を互に交差することな
く、かつ最大歪領域を通過することなく配置して
ブリツジ回路を構成し、測定精度の高度化を図る
ことができるロードセル素子を提供することにあ
る。
以下、本発明の構成を図面に示す実施例にもと
づいて説明する。
づいて説明する。
まず、第３図及び第４図にロードセルの概略構
成を示す。ビーム体１は、例えばステンレス鋼
（SUS630）、ジユラルミン（A2014，A2024，
A2218）等の金属材料を切削加工して形成されて
いる。このビーム体１は、一端部に設けられた取
付孔２Ａ，２Ｂに取付ボルト３Ａ，３Ｂを通して
任意の固定部４に取付けられるようになつてい
る。また、ビーム体１の中間部分は薄肉の起歪部
５となつており、ビーム体１の他端側より起歪部
５の下方位置まで作用片６を延出させ、この作用
片６に設けた透孔７に、例えば吊下金具８を取付
けて、測定すべき荷重を矢印Ｗの如く作用させる
ようにしている。前記起歪部５の上面にはロード
セル素子９が設けられている。このロードセル素
子９は、第７図Ｅに示す如く、ポリイミド、エポ
キシ、アミドイミド、エポキシ変成ポリイミド等
の耐熱絶縁性樹脂よりなる絶縁被膜１０上に、第
５図に示すようなブリツジ回路を構成する第１〜
第４の抵抗体１１Ａ〜１１Ｄ及び接続線１２…を
設けてなるもので、第１〜第４の抵抗体１１Ａ〜
１１Ｄの各抵抗値ＲA〜ＲDはいずれも同一抵抗値
となるように、かつ二等分割して形成されてお
り、それらの分割抵抗体１１A1，１１A2…１１
D1，１１D2はいずれも起歪部５の両端部に存在
する、歪量の相等しい最大歪領域５Ａ，５Ｂ上に
設けられている。なお、一方の最大歪領域５Ａに
は、作用片６に荷重Ｗを作用させたとき最大伸び
歪が生じ、他方の最大歪領域５Ｂには最大収縮歪
が生ずるようになつている。そして第１，第２の
抵抗体１１Ａ，１１Ｂは最大伸び歪領域５Ａに、
また第３，第４の抵抗体１１Ｃ，１１Ｄは最大収
縮歪領域５Ｂにそれぞれ設けられている。そし
て、特に最大伸び歪領域５Ａにおいては、第１の
抵抗体１１Ａを構成する両分割抵抗体１１A1，
１１A2で、第２の抵抗体１１Ｂを構成する分割
抵抗体１１B1，１１B2を挾むような配置になつ
ており、最大収縮歪領域５Ｂにおいては、第３の
抵抗体１１Ｃを構成する分割抵抗体１１C1，１
１C2と第３の抵抗体１１Ｄを構成する分割抵抗
体１１D1，１１D2とが隣接して配置されてい
る。なお、各分割抵抗体１１A1，１１A2，…１
１D1，１１D2は、第６図に示すようにジグザグ
状に配置された１本の細線にて構成されており、
その両端に接続線１２が接続するようになつてい
る。また、前記分割抵抗体１１A1，１１A2，…
１１D1，１１D2間を接続する接続線１２…は、
互に交差しないことは勿論であるが、前記２つの
領域５Ａ，５Ｂのいずれを通過することもないよ
うに設けられている。そして接続線１２…の一部
（分割抵抗体１１A1，１１C2間、１１B1，１１D2
間、１１C1，１１B2間及び１１D1，１１A2間を
接続する接続線の各中央部）をそれぞれ電極Ａ，
Ｂ，Ｃ，Ｄとし、外部リード線１３…を介して電
極Ａ，Ｂ間に入力電圧V1を印加し、電極Ｃ，Ｄ
間に発生する出力電圧Voを測定することにより
荷重Ｗの大きさを検出するような構成となつてい
る。
成を示す。ビーム体１は、例えばステンレス鋼
（SUS630）、ジユラルミン（A2014，A2024，
A2218）等の金属材料を切削加工して形成されて
いる。このビーム体１は、一端部に設けられた取
付孔２Ａ，２Ｂに取付ボルト３Ａ，３Ｂを通して
任意の固定部４に取付けられるようになつてい
る。また、ビーム体１の中間部分は薄肉の起歪部
５となつており、ビーム体１の他端側より起歪部
５の下方位置まで作用片６を延出させ、この作用
片６に設けた透孔７に、例えば吊下金具８を取付
けて、測定すべき荷重を矢印Ｗの如く作用させる
ようにしている。前記起歪部５の上面にはロード
セル素子９が設けられている。このロードセル素
子９は、第７図Ｅに示す如く、ポリイミド、エポ
キシ、アミドイミド、エポキシ変成ポリイミド等
の耐熱絶縁性樹脂よりなる絶縁被膜１０上に、第
５図に示すようなブリツジ回路を構成する第１〜
第４の抵抗体１１Ａ〜１１Ｄ及び接続線１２…を
設けてなるもので、第１〜第４の抵抗体１１Ａ〜
１１Ｄの各抵抗値ＲA〜ＲDはいずれも同一抵抗値
となるように、かつ二等分割して形成されてお
り、それらの分割抵抗体１１A1，１１A2…１１
D1，１１D2はいずれも起歪部５の両端部に存在
する、歪量の相等しい最大歪領域５Ａ，５Ｂ上に
設けられている。なお、一方の最大歪領域５Ａに
は、作用片６に荷重Ｗを作用させたとき最大伸び
歪が生じ、他方の最大歪領域５Ｂには最大収縮歪
が生ずるようになつている。そして第１，第２の
抵抗体１１Ａ，１１Ｂは最大伸び歪領域５Ａに、
また第３，第４の抵抗体１１Ｃ，１１Ｄは最大収
縮歪領域５Ｂにそれぞれ設けられている。そし
て、特に最大伸び歪領域５Ａにおいては、第１の
抵抗体１１Ａを構成する両分割抵抗体１１A1，
１１A2で、第２の抵抗体１１Ｂを構成する分割
抵抗体１１B1，１１B2を挾むような配置になつ
ており、最大収縮歪領域５Ｂにおいては、第３の
抵抗体１１Ｃを構成する分割抵抗体１１C1，１
１C2と第３の抵抗体１１Ｄを構成する分割抵抗
体１１D1，１１D2とが隣接して配置されてい
る。なお、各分割抵抗体１１A1，１１A2，…１
１D1，１１D2は、第６図に示すようにジグザグ
状に配置された１本の細線にて構成されており、
その両端に接続線１２が接続するようになつてい
る。また、前記分割抵抗体１１A1，１１A2，…
１１D1，１１D2間を接続する接続線１２…は、
互に交差しないことは勿論であるが、前記２つの
領域５Ａ，５Ｂのいずれを通過することもないよ
うに設けられている。そして接続線１２…の一部
（分割抵抗体１１A1，１１C2間、１１B1，１１D2
間、１１C1，１１B2間及び１１D1，１１A2間を
接続する接続線の各中央部）をそれぞれ電極Ａ，
Ｂ，Ｃ，Ｄとし、外部リード線１３…を介して電
極Ａ，Ｂ間に入力電圧V1を印加し、電極Ｃ，Ｄ
間に発生する出力電圧Voを測定することにより
荷重Ｗの大きさを検出するような構成となつてい
る。
次に、以上に述べたロードセルの製造方法を第
７図により説明する。
７図により説明する。
まず、第７図Ａのように、切削加工により得ら
れたビーム体１の起歪部５上面を脱脂洗浄し、そ
の洗浄された面上に、粘度1000cp程度に調整さ
れたワニス状の耐熱絶縁性樹脂（例えばポリイミ
ド、エポキシ、アミドイミド、エポキシ変成ポリ
イミド等）を滴下する。そしてビーム体１をスピ
ンナにより1000rpm程度の速度で回転することに
よつて、起歪部５の上面に耐熱絶縁性樹脂を均一
に塗布した後、N2ガス雰囲気中で約350℃に加熱
すると、樹脂が硬化して起歪部５の上面に厚さ約
６μの耐熱絶縁性樹脂被膜１０が形成される。次
に、上記絶縁被膜１０上に、抵抗体となる金属材
料（例えばニクロム、コンスタンタン、クロム、
チタン等）を蒸着又はスパツタリング法により被
着して、厚さ約1000Åの抵抗体薄膜１１′を形成
し、更にその上に、接続線となる金属材料（例え
ば金、クロム金等）を蒸着又はスパツタリング法
により被着して、厚さ約２μの接続線薄膜１２′
を積層形成する。
れたビーム体１の起歪部５上面を脱脂洗浄し、そ
の洗浄された面上に、粘度1000cp程度に調整さ
れたワニス状の耐熱絶縁性樹脂（例えばポリイミ
ド、エポキシ、アミドイミド、エポキシ変成ポリ
イミド等）を滴下する。そしてビーム体１をスピ
ンナにより1000rpm程度の速度で回転することに
よつて、起歪部５の上面に耐熱絶縁性樹脂を均一
に塗布した後、N2ガス雰囲気中で約350℃に加熱
すると、樹脂が硬化して起歪部５の上面に厚さ約
６μの耐熱絶縁性樹脂被膜１０が形成される。次
に、上記絶縁被膜１０上に、抵抗体となる金属材
料（例えばニクロム、コンスタンタン、クロム、
チタン等）を蒸着又はスパツタリング法により被
着して、厚さ約1000Åの抵抗体薄膜１１′を形成
し、更にその上に、接続線となる金属材料（例え
ば金、クロム金等）を蒸着又はスパツタリング法
により被着して、厚さ約２μの接続線薄膜１２′
を積層形成する。
次に、同図Ｂのように、接続線薄膜１２′及び
抵抗体薄膜１１′に対して順次、それぞれの金属
に適したエツチング液を用いてフオトエツチング
を行ない、抵抗体となる部分及び接続線となる部
分のみを残して他を除去し、所定のパターンを現
出させる。
抵抗体薄膜１１′に対して順次、それぞれの金属
に適したエツチング液を用いてフオトエツチング
を行ない、抵抗体となる部分及び接続線となる部
分のみを残して他を除去し、所定のパターンを現
出させる。
次に、同図Ｃのように、抵抗体となる部分に積
層された接続線薄膜をフオトエツチングにより除
去し、前記分割抵抗体１１A1，１１A2，…１１
D1，１１D2を現出させる。ここで、残りの部分
は各分割抵抗体間を接続する接続線１２…とな
る。
層された接続線薄膜をフオトエツチングにより除
去し、前記分割抵抗体１１A1，１１A2，…１１
D1，１１D2を現出させる。ここで、残りの部分
は各分割抵抗体間を接続する接続線１２…とな
る。
更に、同図Ｄのように、抵抗体及び接続線パタ
ーンの上に再び耐熱絶縁性樹脂よりなる絶縁被膜
１４を形成する。
ーンの上に再び耐熱絶縁性樹脂よりなる絶縁被膜
１４を形成する。
最後に、同図Ｅのように、絶縁被膜１４の一部
（分割抵抗体１１A1，１１C2間、１１B1，１１D2
間、１１C1，１１B2間及び１１D1，１１A2間を
接続する接続線１２…の各中央部を覆う部分）を
それぞれエツチングにより除去して、それらの部
分における接続線１２…の各露出部を電極Ａ，
Ｂ，Ｃ，Ｄとし、各電極に、例えばアルミニウ
ム、金等よりなる外部リード線１３…をボンデイ
ングすると、第３図及び第４図に示すロードセル
が完成する。
（分割抵抗体１１A1，１１C2間、１１B1，１１D2
間、１１C1，１１B2間及び１１D1，１１A2間を
接続する接続線１２…の各中央部を覆う部分）を
それぞれエツチングにより除去して、それらの部
分における接続線１２…の各露出部を電極Ａ，
Ｂ，Ｃ，Ｄとし、各電極に、例えばアルミニウ
ム、金等よりなる外部リード線１３…をボンデイ
ングすると、第３図及び第４図に示すロードセル
が完成する。
以上のように製造されたロードセルによると、
ビーム体１の表面に直接、ロードセル素子９を設
けるようにしているので、工数を減少することが
でき、また、ロードセル素子を別に製作してビー
ム体に接着する場合のような厳密な工程管理を要
することもなく、自動化を図ることも容易であ
り、量産性が高められてコスト低下が図られる。
また、絶縁被膜１０は直接、ビーム体１の表面に
塗布されるため極めて薄く形成することができ、
これによつて起歪部５に生じた歪を正確に抵抗体
１１Ａ〜１１Ｄへ伝達することができ、測定精度
の高いロードセルを得ることができる。更に、抵
抗体パターン１１Ａ〜１１Ｄは蒸着又はスパツタ
リング法により絶縁被膜１０上に極めて薄く形成
されるので、抵抗値の大きな抵抗体を形成するこ
とが容易であり、その結果、測定時における消費
電力の小さいロードセルを得ることができる。更
に、ロードセル素子９は、最大伸び歪領域５Ａ上
の１組の抵抗体１１Ａ，１１Ｂを、第１の抵抗体
１１Ａの両分割抵抗体１１A1，１１A2で第２の
抵抗体１１Ｂを挾むように配置したことによつて
各抵抗体を接続する接続線１２…をいずれも互に
交差したり最大歪領域５Ａ，５Ｂを通過すること
なしに設けることができ、ビーム体１の起歪部５
に歪を生じても接続線１２…は殆んど変形せず、
この点においても測定精度が一層高められること
になる。また、プリツジ回路を構成する４つの抵
抗体１１Ａ〜１１Ｄをいずれも二分割して同一パ
ターンに形成したことにより、それらの抵抗体は
すべて温度変化や機械的強度その他の条件が同一
になるので、測定精度を高める点で有利になり、
かつ製作も容易になる。
ビーム体１の表面に直接、ロードセル素子９を設
けるようにしているので、工数を減少することが
でき、また、ロードセル素子を別に製作してビー
ム体に接着する場合のような厳密な工程管理を要
することもなく、自動化を図ることも容易であ
り、量産性が高められてコスト低下が図られる。
また、絶縁被膜１０は直接、ビーム体１の表面に
塗布されるため極めて薄く形成することができ、
これによつて起歪部５に生じた歪を正確に抵抗体
１１Ａ〜１１Ｄへ伝達することができ、測定精度
の高いロードセルを得ることができる。更に、抵
抗体パターン１１Ａ〜１１Ｄは蒸着又はスパツタ
リング法により絶縁被膜１０上に極めて薄く形成
されるので、抵抗値の大きな抵抗体を形成するこ
とが容易であり、その結果、測定時における消費
電力の小さいロードセルを得ることができる。更
に、ロードセル素子９は、最大伸び歪領域５Ａ上
の１組の抵抗体１１Ａ，１１Ｂを、第１の抵抗体
１１Ａの両分割抵抗体１１A1，１１A2で第２の
抵抗体１１Ｂを挾むように配置したことによつて
各抵抗体を接続する接続線１２…をいずれも互に
交差したり最大歪領域５Ａ，５Ｂを通過すること
なしに設けることができ、ビーム体１の起歪部５
に歪を生じても接続線１２…は殆んど変形せず、
この点においても測定精度が一層高められること
になる。また、プリツジ回路を構成する４つの抵
抗体１１Ａ〜１１Ｄをいずれも二分割して同一パ
ターンに形成したことにより、それらの抵抗体は
すべて温度変化や機械的強度その他の条件が同一
になるので、測定精度を高める点で有利になり、
かつ製作も容易になる。
以上、実施例にもとづいて説明したように、本
発明のロードセル素子によれば、ブリツジ回路を
構成する４つの抵抗体のうちの少なくとも１つを
二分割形成し、その両分割抵抗体と別の１の抵抗
体とを別の抵抗体を間にして、ビーム体表面の最
大伸び歪領域又は最大収縮歪領域の一方に、また
他の２つの抵抗体を前記２つの領域の他方にそれ
ぞれ配置するとともに、各抵抗体を接続する接続
線を、互に交差しないように、かつ前記２つの領
域のいずれも通過しないように形成したことによ
り、ビーム体の歪によつて接続線が変形すること
を防止でき、測定精度が高められる。
発明のロードセル素子によれば、ブリツジ回路を
構成する４つの抵抗体のうちの少なくとも１つを
二分割形成し、その両分割抵抗体と別の１の抵抗
体とを別の抵抗体を間にして、ビーム体表面の最
大伸び歪領域又は最大収縮歪領域の一方に、また
他の２つの抵抗体を前記２つの領域の他方にそれ
ぞれ配置するとともに、各抵抗体を接続する接続
線を、互に交差しないように、かつ前記２つの領
域のいずれも通過しないように形成したことによ
り、ビーム体の歪によつて接続線が変形すること
を防止でき、測定精度が高められる。
第１図は従来例を示す平面図、第２図は同従来
例の回路構成図、第３図ないし第７図は本発明の
一実施例を示すもので、第３図はロードセルの外
観斜視図、第４図は同断面図、第５図はロードセ
ル素子の回路構成図、第６図はロードセル素子の
部分拡大図、第７図Ａ〜Ｅはロードセルの製造工
程を順を追つて示す説明図である。 １……ビーム体、５……起歪部、５Ａ……最大
伸び歪領域、５Ｂ……最大収縮歪領域、９……ロ
ードセル素子、１０……絶縁被膜、１１Ａ〜１１
Ｄ……抵抗体、１１A1，１１A2……１１D1，１
１D2……分割抵抗体、１２……接続線。
例の回路構成図、第３図ないし第７図は本発明の
一実施例を示すもので、第３図はロードセルの外
観斜視図、第４図は同断面図、第５図はロードセ
ル素子の回路構成図、第６図はロードセル素子の
部分拡大図、第７図Ａ〜Ｅはロードセルの製造工
程を順を追つて示す説明図である。 １……ビーム体、５……起歪部、５Ａ……最大
伸び歪領域、５Ｂ……最大収縮歪領域、９……ロ
ードセル素子、１０……絶縁被膜、１１Ａ〜１１
Ｄ……抵抗体、１１A1，１１A2……１１D1，１
１D2……分割抵抗体、１２……接続線。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ブリツジ回路を構成する４つの抵抗体のうち
の少なくとも１つを二分割形成し、その両分割抵
抗体と別の１つの抵抗体とを別の抵抗体を間にし
て、ビーム体表面の最大伸び歪領域又は最大収縮
歪領域の一方に、また他の２つの抵抗体を前記２
つの領域の他方にそれぞれ配置し、各抵抗体を薄
膜でパターン化した接続線で接続するとともに、
その接続線を互に交差しないように、かつ前記２
つの領域のいずれも通過しない位置に形成したこ
とを特徴とするロードセル素子。 ２ ブリツジ回路を構成する４つの抵抗体をいず
れも二分割して同一パターンに形成したことを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載のロードセル
素子。
Priority Applications (10)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16853480A JPS5793221A (en) | 1980-11-29 | 1980-11-29 | Load cell element |
| DE8181109813T DE3176209D1 (en) | 1980-11-29 | 1981-11-21 | Load cell and method of manufacturing the same |
| EP81109813A EP0053337B1 (en) | 1980-11-29 | 1981-11-21 | Load cell and method of manufacturing the same |
| US06/323,726 US4432247A (en) | 1980-11-29 | 1981-11-23 | Load cell having thin film strain gauges |
| AU77880/81A AU528989B2 (en) | 1980-11-29 | 1981-11-25 | Load cell and method of manufacturing |
| DK524881A DK161215C (da) | 1980-11-29 | 1981-11-26 | Belastningscelle og fremgangsmaade til fremstilling heraf |
| CA000391106A CA1176075A (en) | 1980-11-29 | 1981-11-27 | Load cell and method of manufacturing the same |
| ES507539A ES8303689A1 (es) | 1980-11-29 | 1981-11-27 | Dispositivo medidor de fuerza. |
| ES516545A ES516545A0 (es) | 1980-11-29 | 1982-10-15 | Metodo de fabricacion de un dispositivo medidor de fuerza. |
| HK988/88A HK98888A (en) | 1980-11-29 | 1988-12-08 | Load cell and method of manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16853480A JPS5793221A (en) | 1980-11-29 | 1980-11-29 | Load cell element |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5793221A JPS5793221A (en) | 1982-06-10 |
| JPS621206B2 true JPS621206B2 (ja) | 1987-01-12 |
Family
ID=15869796
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16853480A Granted JPS5793221A (en) | 1980-11-29 | 1980-11-29 | Load cell element |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5793221A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1992018992A1 (en) * | 1991-04-10 | 1992-10-29 | Roy Weinstein | Magnetic field replicator and method |
-
1980
- 1980-11-29 JP JP16853480A patent/JPS5793221A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1992018992A1 (en) * | 1991-04-10 | 1992-10-29 | Roy Weinstein | Magnetic field replicator and method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5793221A (en) | 1982-06-10 |
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