JPS6342339Y2 - - Google Patents
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- JPS6342339Y2 JPS6342339Y2 JP1982069731U JP6973182U JPS6342339Y2 JP S6342339 Y2 JPS6342339 Y2 JP S6342339Y2 JP 1982069731 U JP1982069731 U JP 1982069731U JP 6973182 U JP6973182 U JP 6973182U JP S6342339 Y2 JPS6342339 Y2 JP S6342339Y2
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Landscapes
- Measurement Of Force In General (AREA)
- Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は荷重の測定に使用されるロードセルに
関する。
関する。
金属箔製の抵抗体パターンを絶縁フイルムに接
着し、更にこのフイルムを測定すべき荷重が作用
するビーム体の起歪部領域に接着して構成される
公知のロードセルに比較して、製造工数が少なく
容易かつ安価に製造でき、かつ高精度の測定が可
能となる新規なロードセルが、本考案者等により
提案され、既に出願済みである。
着し、更にこのフイルムを測定すべき荷重が作用
するビーム体の起歪部領域に接着して構成される
公知のロードセルに比較して、製造工数が少なく
容易かつ安価に製造でき、かつ高精度の測定が可
能となる新規なロードセルが、本考案者等により
提案され、既に出願済みである。
このロードセルは、起歪部を有するビーム体上
に絶縁被膜を直接形成し、この被膜上に、金属材
料を蒸着、スパツタリング等により直接積層し、
これら金属層をエツチング処理して、必要な抵抗
体パターンおよび端子リードパターンを設けて構
成したものである。
に絶縁被膜を直接形成し、この被膜上に、金属材
料を蒸着、スパツタリング等により直接積層し、
これら金属層をエツチング処理して、必要な抵抗
体パターンおよび端子リードパターンを設けて構
成したものである。
ところで、この種構造のロードセルにおいて、
ホイートストンブリツジ回路をなすストレンゲー
ジ抵抗体パターンは、ビーム体に加工形成された
薄肉部分よりなる起歪部に対向して設けられる。
そして、このブリツジ回路の出力電圧(スパン)
Voは、Vo=Ve・ΔR/Rで求めることができる。
ホイートストンブリツジ回路をなすストレンゲー
ジ抵抗体パターンは、ビーム体に加工形成された
薄肉部分よりなる起歪部に対向して設けられる。
そして、このブリツジ回路の出力電圧(スパン)
Voは、Vo=Ve・ΔR/Rで求めることができる。
ここに、Veはブリツジ回路の入力電圧、Rは4
個のストレンゲージ抵抗体パターンに設定された
相等しい初期抵抗、ΔRは各抵抗体の伸縮による
変化量である。この式は、ΔR/R=KE(ただし、 Kはストレンゲージ抵抗体パターンのゲージ率、
Eはビーム体に発生する歪量である。)なる関係
から、Vo=Ve・KEで表わすことができる。こ
のことは、スパン(出力電圧)Voが、入力電圧
Veと歪量Eに比例することを意味する。ここで、
ロードセル毎のスパンのばらつきについて考察す
ると、入力電圧Veは回路技術により一定化され
るので、スパンのばらつき原因は荷重量に対応す
るビーム体の歪量Eであると言えるが、歪量Eは
ビーム体の起歪部の寸法およびビーム体の構成材
料のヤング率に依存するものである。ところで、
ヤング率のばらつきは少ないので、結局のとこ
ろ、ビーム体の加工精度がスパンのばらつきの最
大の原因と言える。そこで、スパン調整をなすス
パン調整用抵抗体パターンをストレンゲージ抵抗
体パターンからなるホイートストンブリツジ回路
に接続することにより、スパンのばらつきを抑制
する手段が講じられるが、この種構造のロードセ
ルにおいてはパターンの高密度化に伴つてスパン
調整用抵抗体パターンを大きくとることができ
ず、スパン調整範囲が狭かつた。これを解決する
ためには、スパン調整用抵抗体パターンを複数に
分割して分散配置することが考えられる。
個のストレンゲージ抵抗体パターンに設定された
相等しい初期抵抗、ΔRは各抵抗体の伸縮による
変化量である。この式は、ΔR/R=KE(ただし、 Kはストレンゲージ抵抗体パターンのゲージ率、
Eはビーム体に発生する歪量である。)なる関係
から、Vo=Ve・KEで表わすことができる。こ
のことは、スパン(出力電圧)Voが、入力電圧
Veと歪量Eに比例することを意味する。ここで、
ロードセル毎のスパンのばらつきについて考察す
ると、入力電圧Veは回路技術により一定化され
るので、スパンのばらつき原因は荷重量に対応す
るビーム体の歪量Eであると言えるが、歪量Eは
ビーム体の起歪部の寸法およびビーム体の構成材
料のヤング率に依存するものである。ところで、
ヤング率のばらつきは少ないので、結局のとこ
ろ、ビーム体の加工精度がスパンのばらつきの最
大の原因と言える。そこで、スパン調整をなすス
パン調整用抵抗体パターンをストレンゲージ抵抗
体パターンからなるホイートストンブリツジ回路
に接続することにより、スパンのばらつきを抑制
する手段が講じられるが、この種構造のロードセ
ルにおいてはパターンの高密度化に伴つてスパン
調整用抵抗体パターンを大きくとることができ
ず、スパン調整範囲が狭かつた。これを解決する
ためには、スパン調整用抵抗体パターンを複数に
分割して分散配置することが考えられる。
一方、前記ホイートストンブリツジ回路の出力
電圧は温度変化によつてもばらつきを生じ易い。
このため、出力電圧の温度依存性を補償するスパ
ン温度補償用抵抗体パターンをホイートストンブ
リツジ回路の入力側に設けたものが知られている
が、このスパン温度補償用抵抗体パターンと前記
スパン調整用抵抗体パターンとを接続すると、ス
パン調整用抵抗体パターンの調整によりスパン温
度補償用抵抗体パターンの補償に悪影響を与えて
再調整が必要となるおそれがある。
電圧は温度変化によつてもばらつきを生じ易い。
このため、出力電圧の温度依存性を補償するスパ
ン温度補償用抵抗体パターンをホイートストンブ
リツジ回路の入力側に設けたものが知られている
が、このスパン温度補償用抵抗体パターンと前記
スパン調整用抵抗体パターンとを接続すると、ス
パン調整用抵抗体パターンの調整によりスパン温
度補償用抵抗体パターンの補償に悪影響を与えて
再調整が必要となるおそれがある。
本考案は上記の事情のもとに案出されたもの
で、その目的は、スパン温度補償用抵抗体パター
ンによる補償に影響を及ぼすことなく、スパン調
整範囲の拡大を可能としたロードセルを提供する
ことにある。
で、その目的は、スパン温度補償用抵抗体パター
ンによる補償に影響を及ぼすことなく、スパン調
整範囲の拡大を可能としたロードセルを提供する
ことにある。
すなわち、本考案に係るロードセルは、起歪部
を有するビーム体に直接形成された絶縁被膜上に
設けられるスパン調整用抵抗体パターンを、粗調
整用抵抗体パターンと微調整用抵抗体パターンと
に2分割し、微調整用抵抗体パターンとスパン温
度補償用抵抗体パターンとをストレンゲージ抵抗
体パターンからなるホイートストンブリツジ回路
の入力側に直列に接続し、粗調整用抵抗体パター
ンを上記ホイートストンブリツジ回路の出力側に
並列に接続したことを特徴とする。
を有するビーム体に直接形成された絶縁被膜上に
設けられるスパン調整用抵抗体パターンを、粗調
整用抵抗体パターンと微調整用抵抗体パターンと
に2分割し、微調整用抵抗体パターンとスパン温
度補償用抵抗体パターンとをストレンゲージ抵抗
体パターンからなるホイートストンブリツジ回路
の入力側に直列に接続し、粗調整用抵抗体パター
ンを上記ホイートストンブリツジ回路の出力側に
並列に接続したことを特徴とする。
以下、本考案の一実施例を第1図から第10図
を参照して説明する。
を参照して説明する。
図中1はビーム体で、これは金属弾性体例えば
ステンレス鋼(SUS630)を機械加工して形成さ
れている。ビーム体1は、一端部に設けられた取
付孔2,2を通るボルト3により、固定部4に片
持ちされて使用される。このビーム体1の中間部
には、一対の円形孔5,5およびこれら円形孔
5,5をつなぐ空隙部6が夫々幅方向に貫通して
設けられ、円形孔5,5の上下部分を薄肉にし、
これらの薄肉部分を起歪部7a,7b,7c,7
dとして用いるようになつている。ビーム体1の
自由端部には係止孔8が設けられ、この孔8に例
えば吊下金具9を取付けて、測定すべき荷重Wを
矢印(第2図参照)の如く作用させるようになつ
ている。
ステンレス鋼(SUS630)を機械加工して形成さ
れている。ビーム体1は、一端部に設けられた取
付孔2,2を通るボルト3により、固定部4に片
持ちされて使用される。このビーム体1の中間部
には、一対の円形孔5,5およびこれら円形孔
5,5をつなぐ空隙部6が夫々幅方向に貫通して
設けられ、円形孔5,5の上下部分を薄肉にし、
これらの薄肉部分を起歪部7a,7b,7c,7
dとして用いるようになつている。ビーム体1の
自由端部には係止孔8が設けられ、この孔8に例
えば吊下金具9を取付けて、測定すべき荷重Wを
矢印(第2図参照)の如く作用させるようになつ
ている。
そして、ビーム体1のパターン形成面には、こ
れを被つて絶縁被膜10が直接形成されている。
この絶縁被膜10は耐熱性を有するポリイミド樹
脂等の高分子材料で構成される。
れを被つて絶縁被膜10が直接形成されている。
この絶縁被膜10は耐熱性を有するポリイミド樹
脂等の高分子材料で構成される。
この絶縁被膜10上には、ストレンゲージ抵抗
体パターン11〜14、スパン調整用抵抗体パタ
ーン15,16、および端子リードパターン17
が、夫々金属材料を直接積層して形成されてい
る。また、図示はしていないが、後述するホイー
トストンブリツジ回路の出力電圧の温度依存性を
補償するスパン温度補償用抵抗体パターンが、や
はり金属材料を積層して形成されている。
体パターン11〜14、スパン調整用抵抗体パタ
ーン15,16、および端子リードパターン17
が、夫々金属材料を直接積層して形成されてい
る。また、図示はしていないが、後述するホイー
トストンブリツジ回路の出力電圧の温度依存性を
補償するスパン温度補償用抵抗体パターンが、や
はり金属材料を積層して形成されている。
ストレンゲージ抵抗体パターン11〜14は、
夫々ビーム体1の上側起歪部7a,7bの領域に
対向して設けられている。これらの抵抗体パター
ン11〜14は、NiCr系合金例えばTCR(抵抗
温度係数)がほぼ零となる成分組成(Niが60重
量%、Crが40重量%)のNiCr系合金からなる金
属層Aで形成されている。そして、各抵抗体パタ
ーン11〜14は夫々第4図に示したように屈曲
蛇行状をなしている。
夫々ビーム体1の上側起歪部7a,7bの領域に
対向して設けられている。これらの抵抗体パター
ン11〜14は、NiCr系合金例えばTCR(抵抗
温度係数)がほぼ零となる成分組成(Niが60重
量%、Crが40重量%)のNiCr系合金からなる金
属層Aで形成されている。そして、各抵抗体パタ
ーン11〜14は夫々第4図に示したように屈曲
蛇行状をなしている。
スパン調整用抵抗体パターン15,16は、上
記金属層Aにより形成されている。そして、これ
らの抵抗体パターン15,16は、第5図に示し
たように任意に切断可能な切断部位18を有した
複数のラダー形粗調整部19、および任意に切断
可能な多数の切断部位20を有したラダー形微調
整部21により形成されている。したがつて、こ
れらの抵抗体パターン15,16は、任意の切断
部位18を切断することで抵抗値を粗調整できる
とともに、任意の切断部位20を切断するること
(第6図参照)で抵抗値を微調整できるものであ
る。そして、一方のスパン調整用抵抗体パターン
15は微調整用として後述するホイートストンブ
リツジ回路の入力側に直列に配設されており、他
方のスパン調整用抵抗体パターン16は粗調整用
として上記ブリツジ回路の出力側に並列に配設さ
れている。しかも、これらの抵抗体パターン1
5,16は本実施例では上側起歪部7a,7bの
領域を避けて設けられる。これは抵抗値調整の信
頼性をより高めるために必要により講じられる措
置であり、このことによつて各抵抗体パターン1
5,16が上側起歪部7a,7bの歪の影響を受
けて、抵抗値が変動することを防止できる。
記金属層Aにより形成されている。そして、これ
らの抵抗体パターン15,16は、第5図に示し
たように任意に切断可能な切断部位18を有した
複数のラダー形粗調整部19、および任意に切断
可能な多数の切断部位20を有したラダー形微調
整部21により形成されている。したがつて、こ
れらの抵抗体パターン15,16は、任意の切断
部位18を切断することで抵抗値を粗調整できる
とともに、任意の切断部位20を切断するること
(第6図参照)で抵抗値を微調整できるものであ
る。そして、一方のスパン調整用抵抗体パターン
15は微調整用として後述するホイートストンブ
リツジ回路の入力側に直列に配設されており、他
方のスパン調整用抵抗体パターン16は粗調整用
として上記ブリツジ回路の出力側に並列に配設さ
れている。しかも、これらの抵抗体パターン1
5,16は本実施例では上側起歪部7a,7bの
領域を避けて設けられる。これは抵抗値調整の信
頼性をより高めるために必要により講じられる措
置であり、このことによつて各抵抗体パターン1
5,16が上側起歪部7a,7bの歪の影響を受
けて、抵抗値が変動することを防止できる。
また、端子リードパターン17は、上記金属層
Aと、この上に直接積層して形成されたAu等の
金属層Bとで形成されている。このパターン17
は入力端子部17A,17Bおよび出力端子部1
7C,17Dを有している。そして、このパター
ン17は、ストレンゲージ抵抗体パターン11〜
14相互を接続して第3図に示したホイートスト
ンブリツジ回路を形成しているとともに、このブ
リツジ回路の入力側に微調整用としてのスパン調
整用抵抗体パターン15とスパン温度補償用抵抗
体パターン30とを直列に接続し、上記ブリツジ
回路の出力側に粗調整用としてのスパン調整用抵
抗体パターン16を並列に接続している。
Aと、この上に直接積層して形成されたAu等の
金属層Bとで形成されている。このパターン17
は入力端子部17A,17Bおよび出力端子部1
7C,17Dを有している。そして、このパター
ン17は、ストレンゲージ抵抗体パターン11〜
14相互を接続して第3図に示したホイートスト
ンブリツジ回路を形成しているとともに、このブ
リツジ回路の入力側に微調整用としてのスパン調
整用抵抗体パターン15とスパン温度補償用抵抗
体パターン30とを直列に接続し、上記ブリツジ
回路の出力側に粗調整用としてのスパン調整用抵
抗体パターン16を並列に接続している。
なお、以上の構成のロードセルは例えば次のよ
うにして製造される。
うにして製造される。
まず、第8図に示したように、ビーム体1の上
面に絶縁被膜10を積層形成した後、この被膜1
0の上面に2種の金属層A,Bを順次積層形成す
る。絶縁被膜10を形成するには、切削加工によ
り得られたビーム体1のパターン形成面を、ラツ
プ仕上により面粗さ1μ以下に仕上げるとともに、
クリーニング処理して清浄化した後、このパター
ン形成面に粘度1000cp程度に調整されたワニス
状のポリイミド樹脂を滴下する。次に、このビー
ム体1をスピンナに支持して、このスピンナによ
りビーム体1を1600rpm程度の速度で回転させる
ことで、パターン形成面上にポリイミド樹脂を均
一に塗布する。そして、このビーム体1を窒素ガ
ス雰囲気中において350℃で約1時間加熱処理す
ることにより、硬質な絶縁被膜10がパターン形
成面上に直接形成される。なお、この被膜10の
膜厚は約4μ程度である。また、金属層A,Bは
蒸着、スパツタリング、イオンプレーテイング法
等により直接積層形成される。なお、金属層Aの
膜厚は1000Å程度であり、金属層Bの膜厚は2μ
程度である。
面に絶縁被膜10を積層形成した後、この被膜1
0の上面に2種の金属層A,Bを順次積層形成す
る。絶縁被膜10を形成するには、切削加工によ
り得られたビーム体1のパターン形成面を、ラツ
プ仕上により面粗さ1μ以下に仕上げるとともに、
クリーニング処理して清浄化した後、このパター
ン形成面に粘度1000cp程度に調整されたワニス
状のポリイミド樹脂を滴下する。次に、このビー
ム体1をスピンナに支持して、このスピンナによ
りビーム体1を1600rpm程度の速度で回転させる
ことで、パターン形成面上にポリイミド樹脂を均
一に塗布する。そして、このビーム体1を窒素ガ
ス雰囲気中において350℃で約1時間加熱処理す
ることにより、硬質な絶縁被膜10がパターン形
成面上に直接形成される。なお、この被膜10の
膜厚は約4μ程度である。また、金属層A,Bは
蒸着、スパツタリング、イオンプレーテイング法
等により直接積層形成される。なお、金属層Aの
膜厚は1000Å程度であり、金属層Bの膜厚は2μ
程度である。
次に、第9図に示したように、金属層Bを、そ
の金属材料に応じてエツチヤントを用い、フオト
エツチングにより各パターン11〜17相当部分
を残して除去した後、金属層Aを、その金属材料
に応じたエツチヤントを用い、フオトエツチング
により各パターン11〜17相当部分を残して除
去する。この工程によつて、ストレンゲージ抵抗
体パターン11〜14およびスパン調整用抵抗体
パターン15,16の各相当部11′〜16′が、
金属層Bで被われたパターンが形成される。な
お、上記各相当部11′〜16′は第9図では詳細
に描いてないが、第4図および第5図に示したよ
うな形態を夫々有して形成される。
の金属材料に応じてエツチヤントを用い、フオト
エツチングにより各パターン11〜17相当部分
を残して除去した後、金属層Aを、その金属材料
に応じたエツチヤントを用い、フオトエツチング
により各パターン11〜17相当部分を残して除
去する。この工程によつて、ストレンゲージ抵抗
体パターン11〜14およびスパン調整用抵抗体
パターン15,16の各相当部11′〜16′が、
金属層Bで被われたパターンが形成される。な
お、上記各相当部11′〜16′は第9図では詳細
に描いてないが、第4図および第5図に示したよ
うな形態を夫々有して形成される。
最後に、第10図に示したように上記各相当部
11′〜16′上の金属層Bのみを、これに応じた
エツチヤントを用いてフオトエツチングすること
により除去して、金属層Aのみからなるストレン
ゲージ抵抗体パターン11〜14およびスパン調
整用抵抗体パターン15,16を露出させる。な
お、第10図では説明をより分り易くするために
各パターン11〜16の部分には斜線を符して描
いてあり、これらの部分は断面ではないことを付
言する。
11′〜16′上の金属層Bのみを、これに応じた
エツチヤントを用いてフオトエツチングすること
により除去して、金属層Aのみからなるストレン
ゲージ抵抗体パターン11〜14およびスパン調
整用抵抗体パターン15,16を露出させる。な
お、第10図では説明をより分り易くするために
各パターン11〜16の部分には斜線を符して描
いてあり、これらの部分は断面ではないことを付
言する。
以上によりロードセルに必要な各パターンが完
成される。なお、スパン温度補償用抵抗体パター
ン30はTi又はNi等の金属材料からなる金属層
を上記金属層Aに直接積層して形成されるもので
あり、したがつて、実際には端子リードパターン
17は上記2層の金属層に更に上記金属層Bを直
接積層して形成されるものとなつている。
成される。なお、スパン温度補償用抵抗体パター
ン30はTi又はNi等の金属材料からなる金属層
を上記金属層Aに直接積層して形成されるもので
あり、したがつて、実際には端子リードパターン
17は上記2層の金属層に更に上記金属層Bを直
接積層して形成されるものとなつている。
上記構造のロードセルは、スパン調整用抵抗体
パターン15をブリツジ回路の入力側に直列に設
けたから、この抵抗値を変化させることによりロ
ードセルのスパン(出力電圧)Voを調整でき、
この調整でロードセル毎のスパンのばらつきを補
正することができる。つまり、入力電圧Veに対
する出力電圧Voは、Vo=R/R+Rx・Ve・K・E で求めることができる。なお、Rxはスパン調整
用抵抗体パターン15の抵抗値、Rは4個のスト
レンゲージ抵抗体パターン11〜14に設定され
た相等しい初期抵抗、Kはストレンゲージ抵抗体
パターンのゲージ率、Eはビーム体に発生する歪
量である。ここに、本考案の背影技術でも述べた
ようにR,VeおよびKは一定とみなせるため、
スパン調整用抵抗体パターン15の抵抗値Rxの
調整で出力電圧Voの値を調整できる。また、上
記構造のロードセルは、スパン調整用抵抗体パタ
ーン16をブリツジ回路の出力側に並列に設置し
たから、この抵抗値Ryを変化させても出力電圧
Voを調整できる。この場合は、 Vo=R4・R3−R2・R1/Ω1・Ω2・Ω3−2R2・R4・Ry−R2
2・Ω2−R2 4・Ω3−Ry2・Ω1 で求めることができる。なお、R1〜R4は夫々ス
トレンゲージ抵抗体パターン11〜14の抵抗
値、Ω1は抵抗値R2,R4の合成抵抗値、Ω2は抵
抗値R1,R4,Ryの合成抵抗値、Ω3は抵抗値R3,
R2,Ryの合成抵抗値である。したがつて、Ryの
調整により出力電圧Voを調整できる。勿論、抵
抗値Rx,Ryの調整は上記切断部位18,19の
切断により行われることは既述の通りである。す
なわち、このようにしてビーム体1の加工精度の
ばらつきによるスパンのばらつきを、スパン調整
用抵抗体パターン15,16の抵抗値Rx,Ryの
調整で容易に行なうことができる。しかもスパン
調整用抵抗体パターンを分割してホイートストン
ブリツジ回路の入力側と出力側とに分散配置する
ので、パターンの高密度化をはかりながらスパン
調整範囲を大きくとることができる。したがつ
て、ビーム体1の加工精度を特に厳しく管理する
必要がないから、ビーム体1を安価に加工するこ
とができる。このため、ビーム体1の構成材料に
SUS630等のように加工性の良くない金属弾性体
を用いる場合に、特に好適する。しかも、このよ
うにスパンのばらつきを大きな調整範囲で調整で
きるから、アンプ回路でスパン調整を行なう場合
にあつても、その調整量を小さくでき容易に調整
を行なえるとともに、アンプ回路に調整幅が少な
い安価なものを使用することができる。
パターン15をブリツジ回路の入力側に直列に設
けたから、この抵抗値を変化させることによりロ
ードセルのスパン(出力電圧)Voを調整でき、
この調整でロードセル毎のスパンのばらつきを補
正することができる。つまり、入力電圧Veに対
する出力電圧Voは、Vo=R/R+Rx・Ve・K・E で求めることができる。なお、Rxはスパン調整
用抵抗体パターン15の抵抗値、Rは4個のスト
レンゲージ抵抗体パターン11〜14に設定され
た相等しい初期抵抗、Kはストレンゲージ抵抗体
パターンのゲージ率、Eはビーム体に発生する歪
量である。ここに、本考案の背影技術でも述べた
ようにR,VeおよびKは一定とみなせるため、
スパン調整用抵抗体パターン15の抵抗値Rxの
調整で出力電圧Voの値を調整できる。また、上
記構造のロードセルは、スパン調整用抵抗体パタ
ーン16をブリツジ回路の出力側に並列に設置し
たから、この抵抗値Ryを変化させても出力電圧
Voを調整できる。この場合は、 Vo=R4・R3−R2・R1/Ω1・Ω2・Ω3−2R2・R4・Ry−R2
2・Ω2−R2 4・Ω3−Ry2・Ω1 で求めることができる。なお、R1〜R4は夫々ス
トレンゲージ抵抗体パターン11〜14の抵抗
値、Ω1は抵抗値R2,R4の合成抵抗値、Ω2は抵
抗値R1,R4,Ryの合成抵抗値、Ω3は抵抗値R3,
R2,Ryの合成抵抗値である。したがつて、Ryの
調整により出力電圧Voを調整できる。勿論、抵
抗値Rx,Ryの調整は上記切断部位18,19の
切断により行われることは既述の通りである。す
なわち、このようにしてビーム体1の加工精度の
ばらつきによるスパンのばらつきを、スパン調整
用抵抗体パターン15,16の抵抗値Rx,Ryの
調整で容易に行なうことができる。しかもスパン
調整用抵抗体パターンを分割してホイートストン
ブリツジ回路の入力側と出力側とに分散配置する
ので、パターンの高密度化をはかりながらスパン
調整範囲を大きくとることができる。したがつ
て、ビーム体1の加工精度を特に厳しく管理する
必要がないから、ビーム体1を安価に加工するこ
とができる。このため、ビーム体1の構成材料に
SUS630等のように加工性の良くない金属弾性体
を用いる場合に、特に好適する。しかも、このよ
うにスパンのばらつきを大きな調整範囲で調整で
きるから、アンプ回路でスパン調整を行なう場合
にあつても、その調整量を小さくでき容易に調整
を行なえるとともに、アンプ回路に調整幅が少な
い安価なものを使用することができる。
そして、第3図に示したようにスパン温度補償
用抵抗体パターン30をホイートストンブリツジ
回路の入力側に設けたロードセルにおいて、入力
側のスパン調整用抵抗体パターン15の抵抗値
RXの変化で微調整をなし、出力側のスパン調整
用抵抗体パターン16の抵抗値RYで粗調整をな
すようにしたので、上記スパン調整用抵抗体パタ
ーン15の微調整により上記スパン温度補償用抵
抗体パターン30の補償に影響を及ぼすおそれが
なく、上記パターン15の調整を行なつても上記
パターン30の再調整を行なう必要が生じるのを
避けられる。
用抵抗体パターン30をホイートストンブリツジ
回路の入力側に設けたロードセルにおいて、入力
側のスパン調整用抵抗体パターン15の抵抗値
RXの変化で微調整をなし、出力側のスパン調整
用抵抗体パターン16の抵抗値RYで粗調整をな
すようにしたので、上記スパン調整用抵抗体パタ
ーン15の微調整により上記スパン温度補償用抵
抗体パターン30の補償に影響を及ぼすおそれが
なく、上記パターン15の調整を行なつても上記
パターン30の再調整を行なう必要が生じるのを
避けられる。
なお、本考案においてはブリツジバランス調整
用抵抗体パターンなど他のパターンを追加して、
より高精度なロードセルとなるようにして実施し
てもよい。
用抵抗体パターンなど他のパターンを追加して、
より高精度なロードセルとなるようにして実施し
てもよい。
その他、本考案の実施に当つては、考案の要旨
に反しない限り、ビーム体、起歪部、絶縁被膜、
ストレンゲージ抵抗体パターン、スパン調整用抵
抗体パターン、端子リードパターン等の具体的な
構造、形状、位置および材質等は、上記実施例に
制約されるものではなく、種々の態様に構成して
実施できることは勿論である。
に反しない限り、ビーム体、起歪部、絶縁被膜、
ストレンゲージ抵抗体パターン、スパン調整用抵
抗体パターン、端子リードパターン等の具体的な
構造、形状、位置および材質等は、上記実施例に
制約されるものではなく、種々の態様に構成して
実施できることは勿論である。
以上詳述したように、本考案によれば、スパン
温度補償用抵抗体パターンによる補償に影響を及
ぼすことなく、スパン調整範囲の拡大を可能とし
たロードセルを提供できる。
温度補償用抵抗体パターンによる補償に影響を及
ぼすことなく、スパン調整範囲の拡大を可能とし
たロードセルを提供できる。
第1図から第10図は本考案の一実施例を示
し、第1図は斜視図、第2図は第1図中−線
に沿う断面図、第3図は電気回路図、第4図はス
トレンゲージ抵抗体パターンの拡大図、第5図は
スパン調整用抵抗体パターンの拡大図、第6図は
スパン調整後の同抵抗体パターンの一部拡大図、
第7図は第1図中−線に沿う断面図、第8図
から第10図は製造方法を順を追つて示す説明図
である。 1……ビーム体、7a,7b……起歪部、10
……絶縁被膜、11,12,13,14……スト
レンゲージ抵抗体パターン、15,16……スパ
ン調整用抵抗体パターン、17……端子リードパ
ターン。
し、第1図は斜視図、第2図は第1図中−線
に沿う断面図、第3図は電気回路図、第4図はス
トレンゲージ抵抗体パターンの拡大図、第5図は
スパン調整用抵抗体パターンの拡大図、第6図は
スパン調整後の同抵抗体パターンの一部拡大図、
第7図は第1図中−線に沿う断面図、第8図
から第10図は製造方法を順を追つて示す説明図
である。 1……ビーム体、7a,7b……起歪部、10
……絶縁被膜、11,12,13,14……スト
レンゲージ抵抗体パターン、15,16……スパ
ン調整用抵抗体パターン、17……端子リードパ
ターン。
Claims (1)
- 起歪部を有しかつ測定をすべき荷重が作用する
金属弾性体製の片持ちビーム体と、このビーム体
のパターン形成面に直接形成された絶縁被膜と、
この被膜上に直接積層された金属層により形成さ
れ、かつ起歪部と対向して設けられたストレンゲ
ージ抵抗体パターンと、少なくとも上記金属層を
備えて絶縁被膜上に直接積層して形成されたスパ
ン調整用抵抗体パターン並びにスパン温度補償用
抵抗体パターンと、上記金属層およびこの上に積
層された他の金属層を備えて絶縁被膜上に直接積
層して形成され、ストレンゲージ抵抗体パターン
をホイートストンブリツジ回路に接続するととも
に、このブリツジ回路とスパン調整用抵抗体パタ
ーンおよびスパン温度補償用抵抗体パターンとを
接続して設けられた端子リードパターンとからな
るロードセルにおいて、前記スパン調整用抵抗体
パターンを粗調整用抵抗体パターンと微調整用抵
抗体パターンとに2分割し、微調整用抵抗体パタ
ーンと前記スパン温度補償用抵抗体パターンとを
前記ホイートストンブリツジ回路の入力側に直列
に接続し、粗調整用抵抗体パターンを前記ホイー
トストンブリツジ回路の出力側に並列に接続した
ことを特徴とするロードセル。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6973182U JPS58172844U (ja) | 1982-05-13 | 1982-05-13 | ロ−ドセル |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6973182U JPS58172844U (ja) | 1982-05-13 | 1982-05-13 | ロ−ドセル |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58172844U JPS58172844U (ja) | 1983-11-18 |
JPS6342339Y2 true JPS6342339Y2 (ja) | 1988-11-07 |
Family
ID=30079438
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6973182U Granted JPS58172844U (ja) | 1982-05-13 | 1982-05-13 | ロ−ドセル |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58172844U (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10049718A1 (de) * | 2000-10-07 | 2002-04-18 | Heidenhain Gmbh Dr Johannes | Vorrichtung zur Erfassung einer thermisch bedingten Längenausdehnung eines Maschinenteils |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5613712A (en) * | 1979-07-13 | 1981-02-10 | Hitachi Ltd | Ignition coil for internal combustion engine |
JPS56148025A (en) * | 1980-04-18 | 1981-11-17 | Tokyo Electric Co Ltd | Weighing device employing load cell |
-
1982
- 1982-05-13 JP JP6973182U patent/JPS58172844U/ja active Granted
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5613712A (en) * | 1979-07-13 | 1981-02-10 | Hitachi Ltd | Ignition coil for internal combustion engine |
JPS56148025A (en) * | 1980-04-18 | 1981-11-17 | Tokyo Electric Co Ltd | Weighing device employing load cell |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS58172844U (ja) | 1983-11-18 |
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