JPS61286731A - ロ−ドセル - Google Patents

ロ−ドセル

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Publication number
JPS61286731A
JPS61286731A JP12889185A JP12889185A JPS61286731A JP S61286731 A JPS61286731 A JP S61286731A JP 12889185 A JP12889185 A JP 12889185A JP 12889185 A JP12889185 A JP 12889185A JP S61286731 A JPS61286731 A JP S61286731A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
insulating
beam body
load cell
bridge circuit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP12889185A
Other languages
English (en)
Inventor
Sadao Oyoshi
大吉 貞夫
Toru Kitagawa
徹 北川
Kosuke Ushijima
牛島 康祐
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba TEC Corp
Original Assignee
Tokyo Electric Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electric Co Ltd filed Critical Tokyo Electric Co Ltd
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Publication of JPS61286731A publication Critical patent/JPS61286731A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、荷重変化に応じて変形することにより電気的
出力を変化させるストレンゲージを薄膜技術によりブリ
ッジ回路パターンとして形成したロードセルに関するも
のである。
従来の技術 従来、ビーム体の一面に薄膜技術によりストレンゲージ
を含むブリッジ回路パターンを形成するようにしたロー
ドセルにおいて、ビーム体とブリッジ回路パターンとの
間の絶縁のためにポリイミド等の有機物による絶縁膜を
介在させている。
発明が解決しようとする問題点 ポリイミド等の絶縁膜の形成は、スピンナーやロールコ
ータ等の手法により形成しているものであるが、これら
の方法によると絶縁膜をムラがなく、かつ、気泡がなく
形成することに時間がかかり、この作業が不充分である
ときには気泡が残り易くてビーム体とブリッジ回路パタ
ーンとの間の絶縁が破壊され、製品歩留まりを著しく悪
くしている。また、有機物の薄膜は安定化させるために
キュア等の時間がかかり、耐薬品性に対しても信頼性が
良くないものである。
問題点を解決するための手段 ビーム体とブリッジ回路パターンとの間の絶縁膜を絶縁
窒化物により形成する。
作用 これにより、絶縁を完全にし、電気的静特性、環境特性
等の信頼性を向上させ、さらに、スパッタリング等の薄
膜技術により無機物の薄膜を形成して製造コストを低減
する。
実施例 まず、アルミニュウム材料等の素材を機械加工してビー
ム体1が形成されている。このビーム体1には二つの穴
2が互いに連通されて形成され、これらの穴2により平
行四辺形の交点に位置する四個の薄肉の変形部3が形成
されている。そして、これらの変形部3の間は互いに平
行な二本のアーム4とされ、両端には図示しないベース
に固定される固定部5と受皿が取り付けられる荷重受は
部6とが設けられている。これらの固定部5と荷重受は
部6とには固定または連結用のボルト孔7゜8が形成さ
れている。
このようなビーム体1の一面9には、蒸着またはスパッ
タリングによる薄膜技術で絶縁層10とN i Cr 
S iによるストレンゲージ層11とTiからなる温度
補正用抵抗層12とCuよりなるリードパターン層13
とが順次積層されて形成されている。
前記絶縁層10は、絶縁窒化物により形成されているも
のであり、その具体的な材質は、BN、SiNの何れか
である。すなおち、これらの中から選択して絶縁層10
が形成される。
しかして、前記ストレンゲージ層11と温度補正用抵抗
層12とリードパターン層13とはフォトエツチングに
よりパターン形成されてストレンゲージ14と温度補正
用抵抗15とリード線部16と端子部17とが形成され
、これらによりブリッジ回路パターン18が構成されて
いる。
このような構成において、絶縁層10は絶縁窒化物によ
り形成され、これは無機物であるので、ビーム体1とリ
ード線部16との耐圧特性が有機物の絶縁層の場合に較
べて優れている。また、電気的特性の性能を比較した時
、絶縁膜が無機物のため、ロードセルとしての特性の非
直線性、ヒステリシス、クリープ特性が向上する0例え
ば、クリープ特性で見ると、従来、0.02%の変化に
対して、0.005%以下となり、大幅な品質向上が可
能となり、歩留まりの向上が見込まれる。
発明の効果 本発明は、上述のようにビーム体とブリッジ回路パター
ンとの間に絶縁窒化物による絶縁層を形成したので、有
機物による絶縁に較べてその耐圧特性が優れており、ロ
ードセルとしての特性も向上させることができるもので
ある。
【図面の簡単な説明】
図面は本発明の一実施例を示すもので、第1図は斜視図
、第2図はその一部を拡大した断面図である。 1・・・ビーム体、10・・・絶縁層、14・・・スト
レンゲージ、18・・・ブリッジ回路パターン3」 昆 J、Zコ

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、平行四辺形の四個所の交点に位置する変形部を有す
    るビーム体を設け、このビーム体の一面に薄膜技術によ
    り前記変形部に位置するストレンゲージを含むブリッジ
    回路パターンを形成したロードセルにおいて、前記ビー
    ム体の表面と前記ブリッジ回路パターンとの間に絶縁窒
    化物による絶縁層を形成したことを特徴とするロードセ
    ル。 2、絶縁窒化物をBNとしたことを特徴とする特許請求
    の範囲第1項記載のロードセル。 3、絶縁窒化物をSiNとしたことを特徴とする特許請
    求の範囲第1項記載のロードセル。
JP12889185A 1985-06-13 1985-06-13 ロ−ドセル Pending JPS61286731A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001281076A (ja) * 2000-03-30 2001-10-10 Toyota Motor Corp 薄膜センサ

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001281076A (ja) * 2000-03-30 2001-10-10 Toyota Motor Corp 薄膜センサ
JP4527236B2 (ja) * 2000-03-30 2010-08-18 トヨタ自動車株式会社 薄膜センサ

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