JP2001281076A - 薄膜センサ - Google Patents
薄膜センサInfo
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- JP2001281076A JP2001281076A JP2000093797A JP2000093797A JP2001281076A JP 2001281076 A JP2001281076 A JP 2001281076A JP 2000093797 A JP2000093797 A JP 2000093797A JP 2000093797 A JP2000093797 A JP 2000093797A JP 2001281076 A JP2001281076 A JP 2001281076A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 温度変化あるいは歪みによる影響を除去で
き、圧力のみの測定を可能とする薄膜センサを提供す
る。 【解決手段】 銅とマンガンとニッケルとの合金により
薄膜センサを構成し、この場合の銅の組成を８７．４か
ら８７．８重量％とし、マンガンの組成を８．７５から
９．６重量％とし、ニッケルの組成を３．０から３．４
５重量％とすると、圧力のみを測定できる薄膜センサを
実現できる。
き、圧力のみの測定を可能とする薄膜センサを提供す
る。 【解決手段】 銅とマンガンとニッケルとの合金により
薄膜センサを構成し、この場合の銅の組成を８７．４か
ら８７．８重量％とし、マンガンの組成を８．７５から
９．６重量％とし、ニッケルの組成を３．０から３．４
５重量％とすると、圧力のみを測定できる薄膜センサを
実現できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は薄膜センサ、特に温
度変化及び歪みによる影響の小さい薄膜センサの改良に
関する。
度変化及び歪みによる影響の小さい薄膜センサの改良に
関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、しゅう動部の圧力測定等の目
的で薄膜センサが使用されている。このような薄膜セン
サは、センサ膜を真空蒸着あるいはスパッタリング法等
により、しゅう動部表面に直接形成して測定を行うた
め、センサの取付によるしゅう動面への影響が少ないと
いう特徴がある。
的で薄膜センサが使用されている。このような薄膜セン
サは、センサ膜を真空蒸着あるいはスパッタリング法等
により、しゅう動部表面に直接形成して測定を行うた
め、センサの取付によるしゅう動面への影響が少ないと
いう特徴がある。
【０００３】このような薄膜センサの例がトライボロジ
スト第４３巻第７号（１９９８）６１１〜６１７に記載
されている。
スト第４３巻第７号（１９９８）６１１〜６１７に記載
されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来の薄
膜センサでは、圧力測定時に、温度変化あるいは薄膜セ
ンサに加わる歪みにより測定圧力に誤差が生じるという
問題があった。このため、たとえばエンジンの主軸受部
等の高温かつ大きな歪みの発生する部位の圧力測定を行
う場合には、従来の薄膜センサでは性能が不十分であっ
た。
膜センサでは、圧力測定時に、温度変化あるいは薄膜セ
ンサに加わる歪みにより測定圧力に誤差が生じるという
問題があった。このため、たとえばエンジンの主軸受部
等の高温かつ大きな歪みの発生する部位の圧力測定を行
う場合には、従来の薄膜センサでは性能が不十分であっ
た。
【０００５】本発明は、上記従来の課題に鑑みなされた
ものであり、その目的は、温度変化あるいは歪みによる
影響を除去でき、圧力のみの測定を可能とする薄膜セン
サを提供することにある。
ものであり、その目的は、温度変化あるいは歪みによる
影響を除去でき、圧力のみの測定を可能とする薄膜セン
サを提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、銅とマンガンとニッケルとの合金により
構成される薄膜センサであって、銅の組成が８７．４か
ら８７．８重量％であり、マンガンの組成が８．７５か
ら９．６重量％であり、ニッケルの組成が３．０から
３．４５重量％であることを特徴とする。
に、本発明は、銅とマンガンとニッケルとの合金により
構成される薄膜センサであって、銅の組成が８７．４か
ら８７．８重量％であり、マンガンの組成が８．７５か
ら９．６重量％であり、ニッケルの組成が３．０から
３．４５重量％であることを特徴とする。
【０００７】また、クロムと金との合金により構成され
る薄膜センサであって、クロムの組成が３．０重量％以
上４．４重量％以下であることを特徴とする。
る薄膜センサであって、クロムの組成が３．０重量％以
上４．４重量％以下であることを特徴とする。
【０００８】また、クロムと金との合金により構成され
る薄膜センサであって、縦方向のゲージ率と横方向のゲ
ージ率がともに±０．３以内であることを特徴とする。
る薄膜センサであって、縦方向のゲージ率と横方向のゲ
ージ率がともに±０．３以内であることを特徴とする。
【０００９】また、薄膜センサであって、任意の直交軸
に対して一方向の長さと幅の比が、他方向の長さと幅の
比と同じであることを特徴とする。
に対して一方向の長さと幅の比が、他方向の長さと幅の
比と同じであることを特徴とする。
【００１０】また、上記薄膜センサにおいて、被測定対
象物とセンサとの間に形成される絶縁膜が窒化物である
ことを特徴とする。
象物とセンサとの間に形成される絶縁膜が窒化物である
ことを特徴とする。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態（以下
実施形態という）を、図面に従って説明する。
実施形態という）を、図面に従って説明する。
【００１２】図１（ａ）、（ｂ）には、銅（Ｃｕ）とマ
ンガン（Ｍｎ）とニッケル（Ｎｉ）との合金により構成
された薄膜センサについて、銅、マンガン、ニッケルの
組成比を種々変化させた場合の、５０℃における抵抗を
基準とする温度に対する抵抗変化率の測定結果が示され
る。すなわち、図１（ｂ）の（１）〜（６）の組成割合
（重量％）の合金を使用した薄膜センサの抵抗変化率
が、図１（ａ）の（１）〜（６）の直線でそれぞれ示さ
れている。
ンガン（Ｍｎ）とニッケル（Ｎｉ）との合金により構成
された薄膜センサについて、銅、マンガン、ニッケルの
組成比を種々変化させた場合の、５０℃における抵抗を
基準とする温度に対する抵抗変化率の測定結果が示され
る。すなわち、図１（ｂ）の（１）〜（６）の組成割合
（重量％）の合金を使用した薄膜センサの抵抗変化率
が、図１（ａ）の（１）〜（６）の直線でそれぞれ示さ
れている。
【００１３】なお、測定に使用した薄膜センサの形状は
円形であり、測定圧力は１００ＭＰａである。ただし、
温度感度、圧力感度はセンサの形状にほとんど依存しな
いので、円形以外の形状であっても結果には大きな相違
は生じない。
円形であり、測定圧力は１００ＭＰａである。ただし、
温度感度、圧力感度はセンサの形状にほとんど依存しな
いので、円形以外の形状であっても結果には大きな相違
は生じない。
【００１４】圧力測定用の薄膜センサとしては、測定結
果が温度変化に影響されないことが望ましく、図１
（ａ）の破線で示されるように、温度の変化に対して抵
抗変化率が０の線に特性が近いほどよい。図１（ａ）か
らわかるように、図１（ｂ）に示された合金組成のうち
（１）、（３）、（４）に対応するものは温度に対する
抵抗変化率が大きすぎて、薄膜センサの材料としては適
さない。これらに対して、合金組成が（６）のものは、
図１（ａ）に示された破線すなわち温度変化に対して抵
抗変化率がない場合に極めて近く、薄膜センサの材料と
して好適であることがわかる。さらに、図１（ｂ）に示
された合金組成のうち（２）および（５）のものは、図
１（ａ）に示されるように、温度に対する抵抗変化率
が、１００℃において１．０（Ω／Ω）×１０-3前後と
なっている。抵抗変化率の値としては、±１．５（Ω／
Ω）×１０-3以内とするのが望ましいので、薄膜センサ
の材料としては、合金組成が（２）のものから（５）の
ものの間であることが好適と考えられる。
果が温度変化に影響されないことが望ましく、図１
（ａ）の破線で示されるように、温度の変化に対して抵
抗変化率が０の線に特性が近いほどよい。図１（ａ）か
らわかるように、図１（ｂ）に示された合金組成のうち
（１）、（３）、（４）に対応するものは温度に対する
抵抗変化率が大きすぎて、薄膜センサの材料としては適
さない。これらに対して、合金組成が（６）のものは、
図１（ａ）に示された破線すなわち温度変化に対して抵
抗変化率がない場合に極めて近く、薄膜センサの材料と
して好適であることがわかる。さらに、図１（ｂ）に示
された合金組成のうち（２）および（５）のものは、図
１（ａ）に示されるように、温度に対する抵抗変化率
が、１００℃において１．０（Ω／Ω）×１０-3前後と
なっている。抵抗変化率の値としては、±１．５（Ω／
Ω）×１０-3以内とするのが望ましいので、薄膜センサ
の材料としては、合金組成が（２）のものから（５）の
ものの間であることが好適と考えられる。
【００１５】以上より、薄膜センサの材料として、銅と
マンガンとニッケルとの合金を使用する場合には、その
組成が図１（ｂ）に示された（２）と（５）との間、す
なわち、銅の組成が８７．４から８７．８重量％であ
り、マンガンの組成が８．７５から９．６重量％であ
り、ニッケルの組成が３．０から３．４５重量％の間で
あるのが好適であると考えられる。
マンガンとニッケルとの合金を使用する場合には、その
組成が図１（ｂ）に示された（２）と（５）との間、す
なわち、銅の組成が８７．４から８７．８重量％であ
り、マンガンの組成が８．７５から９．６重量％であ
り、ニッケルの組成が３．０から３．４５重量％の間で
あるのが好適であると考えられる。
【００１６】図２には、クロム（Ｃｒ）と金（Ａｕ）と
の合金により構成された薄膜センサについて、クロムの
含有量を種々変化させた場合の、５０℃における抵抗を
基準とする温度に対する抵抗変化率の測定結果が示され
る。図２において、使用したクロム、金合金中のクロム
含有量は、３．０重量％、３．６重量％、３．８重量
％、４．４重量％、５．７重量％である。
の合金により構成された薄膜センサについて、クロムの
含有量を種々変化させた場合の、５０℃における抵抗を
基準とする温度に対する抵抗変化率の測定結果が示され
る。図２において、使用したクロム、金合金中のクロム
含有量は、３．０重量％、３．６重量％、３．８重量
％、４．４重量％、５．７重量％である。
【００１７】図１（ａ）でも述べたとおり、圧力測定用
の薄膜センサとしては、測定結果が温度変化に影響され
ないことが望ましく、図２で言えばクロム含有量３．６
重量％が最も好適といえる。ただし、クロム含有量が
５．７重量％のものを除けば、いずれのものも温度に対
する抵抗変化率が１００℃において±１．５（Ω／Ω）
×１０-3以内となっているので、薄膜センサの材料とし
て使用可能である。したがって、クロムの組成が３．０
重量％以上４．４重量％以下であるクロム、金合金が薄
膜センサの材料として好適と考えられる。
の薄膜センサとしては、測定結果が温度変化に影響され
ないことが望ましく、図２で言えばクロム含有量３．６
重量％が最も好適といえる。ただし、クロム含有量が
５．７重量％のものを除けば、いずれのものも温度に対
する抵抗変化率が１００℃において±１．５（Ω／Ω）
×１０-3以内となっているので、薄膜センサの材料とし
て使用可能である。したがって、クロムの組成が３．０
重量％以上４．４重量％以下であるクロム、金合金が薄
膜センサの材料として好適と考えられる。
【００１８】次に、図３に示された形状の薄膜センサに
より、圧力測定値に及ぼす歪みの影響について説明す
る。図３においては、薄膜センサは２種類の材料Ａ，Ｂ
でそれぞれ直線状のセンサを形成し、お互いを９０°の
方向に位置するように配置してある。
より、圧力測定値に及ぼす歪みの影響について説明す
る。図３においては、薄膜センサは２種類の材料Ａ，Ｂ
でそれぞれ直線状のセンサを形成し、お互いを９０°の
方向に位置するように配置してある。
【００１９】また、図３に示された薄膜センサのうち、
材料Ａで形成した部分および材料Ｂで形成した部分につ
いての特性値は、以下のとおりである。
材料Ａで形成した部分および材料Ｂで形成した部分につ
いての特性値は、以下のとおりである。
【００２０】
【数１】 なお、以後材料Ａにより形成された薄膜センサをＸ方向
の薄膜センサといい、材料Ｂで形成された薄膜センサを
Ｙ方向の薄膜センサという。Ｙ方向の薄膜センサのゲー
ジ率すなわち歪みによる抵抗変化をＫｓｌ（（Ω／Ω）
／ε）、Ｘ方向のゲージ率をＫｓｗ（（Ω／Ω）／ε）
とし、εを薄膜センサにかかる歪みの大きさとすると、
これらのゲージ率はそれぞれ以下のように表される。
の薄膜センサといい、材料Ｂで形成された薄膜センサを
Ｙ方向の薄膜センサという。Ｙ方向の薄膜センサのゲー
ジ率すなわち歪みによる抵抗変化をＫｓｌ（（Ω／Ω）
／ε）、Ｘ方向のゲージ率をＫｓｗ（（Ω／Ω）／ε）
とし、εを薄膜センサにかかる歪みの大きさとすると、
これらのゲージ率はそれぞれ以下のように表される。
【００２１】
【数２】 ここで、一般にＲ＝ρ・（ｌ／Ｓ）＝ρ・（ｌ／ｗｔ）
となる。なお、Ｓは各薄膜センサの断面積である。この
式を上述したＹ方向の薄膜センサのゲージ率Ｋｓｌおよ
びＸ方向の薄膜センサのゲージ率Ｋｓｗにそれぞれ代入
すると各ゲージ率の式は以下のとおりとなる。
となる。なお、Ｓは各薄膜センサの断面積である。この
式を上述したＹ方向の薄膜センサのゲージ率Ｋｓｌおよ
びＸ方向の薄膜センサのゲージ率Ｋｓｗにそれぞれ代入
すると各ゲージ率の式は以下のとおりとなる。
【００２２】
【数３】 ここで、Ｘ方向の薄膜センサおよびＹ方向の薄膜センサ
の材料を適宜選択し、Ｋｓｌ＝０、Ｋｓｗ＝０とできれ
ば、図３に示された薄膜センサにどの方向から歪みが加
わっても、歪みの影響のない圧力センサを実現すること
ができる。
の材料を適宜選択し、Ｋｓｌ＝０、Ｋｓｗ＝０とできれ
ば、図３に示された薄膜センサにどの方向から歪みが加
わっても、歪みの影響のない圧力センサを実現すること
ができる。
【００２３】上記のような条件を完全には実現できない
としても、Ｙ方向の薄膜センサおよびＸ方向の薄膜セン
サのゲージ率を同じにすれば、それぞれの薄膜センサに
生じる歪みの影響を同じにできるので、相互にキャンセ
ルすることにより薄膜センサに加わる歪みによる抵抗変
化を補正することが可能となる。
としても、Ｙ方向の薄膜センサおよびＸ方向の薄膜セン
サのゲージ率を同じにすれば、それぞれの薄膜センサに
生じる歪みの影響を同じにできるので、相互にキャンセ
ルすることにより薄膜センサに加わる歪みによる抵抗変
化を補正することが可能となる。
【００２４】一般的に、薄膜センサを形成する場合に
は、図３に示されたＹ方向およびＸ方向について同じ材
料を使用するので、上記Ｋｓｌ、Ｋｓｗの式に以下の条
件を代入できる。
は、図３に示されたＹ方向およびＸ方向について同じ材
料を使用するので、上記Ｋｓｌ、Ｋｓｗの式に以下の条
件を代入できる。
【００２５】
【数４】 また、それぞれの薄膜センサの厚さを同じとした上で、
Ｙ方向およびＸ方向について、それぞれ長さと幅の比を
同じにすると、上記Ｋｓｌ、Ｋｓｗの式には以下の条件
も代入できる。
Ｙ方向およびＸ方向について、それぞれ長さと幅の比を
同じにすると、上記Ｋｓｌ、Ｋｓｗの式には以下の条件
も代入できる。
【００２６】
【数５】 これにより、Ｋｓｌ、Ｋｓｗは以下のとおりとなる。
【００２７】
【数６】 以上より、薄膜センサのＸ方向の長さと幅の比およびＹ
方向の長さと幅の比を同じにすれば、薄膜センサのＹ方
向ゲージ率ＫｓｌとＸ方向ゲージ率Ｋｓｗとを同じ値と
することができる。これは、薄膜センサの形状を、任意
の直交軸に対して一方向の長さと幅の比が、他方向の長
さと幅の比と同じになるようにすれば、それぞれの軸方
向のゲージ率を互いに同じ値とすることができることを
意味している。
方向の長さと幅の比を同じにすれば、薄膜センサのＹ方
向ゲージ率ＫｓｌとＸ方向ゲージ率Ｋｓｗとを同じ値と
することができる。これは、薄膜センサの形状を、任意
の直交軸に対して一方向の長さと幅の比が、他方向の長
さと幅の比と同じになるようにすれば、それぞれの軸方
向のゲージ率を互いに同じ値とすることができることを
意味している。
【００２８】図４（ａ）、（ｂ）には、上述した薄膜セ
ンサの形状の影響を調べるための２種類の形状パターン
が示される。すなわち、図４（ａ）には、任意の直交軸
に対して一方向の長さと幅の比が、他方向の長さと幅の
比と異なる例（以下、単線パターンという）が示され、
図４（ｂ）には両方の比が同じである例（以下一周パタ
ーンという）がそれぞれ示される。
ンサの形状の影響を調べるための２種類の形状パターン
が示される。すなわち、図４（ａ）には、任意の直交軸
に対して一方向の長さと幅の比が、他方向の長さと幅の
比と異なる例（以下、単線パターンという）が示され、
図４（ｂ）には両方の比が同じである例（以下一周パタ
ーンという）がそれぞれ示される。
【００２９】また、表１には、図４に示された薄膜セン
サの形状に対するゲージ率の測定結果が示される。
サの形状に対するゲージ率の測定結果が示される。
【００３０】
【表１】 なお、上記表１には、薄膜センサの材料として使用した
金、クロム合金のクロム含有量を３種類選び、それぞれ
のクロム含有量毎の両パターンにおけるゲージ率が示さ
れている。
金、クロム合金のクロム含有量を３種類選び、それぞれ
のクロム含有量毎の両パターンにおけるゲージ率が示さ
れている。
【００３１】表１に示されるように、クロム含有量が
３．０重量％および３．６重量％の場合では、Ｙ方向ゲ
ージ率ＫｓｌおよびＸ方向ゲージ率Ｋｓｗのいずれにお
いても単線パターンに対して一周パターンの値が大幅に
小さくなっている。すなわち、クロム含有量が３．０重
量％および３．６重量％の場合には、単線パターンで
は、ほとんどの場合ゲージ率が±０．３より大きい値で
あるのに対し、一周パターンの場合にはいずれも±０．
３以内となっている（０．３を大きく下回っている）。
３．０重量％および３．６重量％の場合では、Ｙ方向ゲ
ージ率ＫｓｌおよびＸ方向ゲージ率Ｋｓｗのいずれにお
いても単線パターンに対して一周パターンの値が大幅に
小さくなっている。すなわち、クロム含有量が３．０重
量％および３．６重量％の場合には、単線パターンで
は、ほとんどの場合ゲージ率が±０．３より大きい値で
あるのに対し、一周パターンの場合にはいずれも±０．
３以内となっている（０．３を大きく下回っている）。
【００３２】また、一周パターンにおいては、Ｙ方向ゲ
ージ率ＫｓｌとＸ方向ゲージ率Ｋｓｗの値がほぼ同じ値
となっており、上述したように薄膜センサに加わる歪み
による抵抗変化を高精度に補正することも可能となって
いる。
ージ率ＫｓｌとＸ方向ゲージ率Ｋｓｗの値がほぼ同じ値
となっており、上述したように薄膜センサに加わる歪み
による抵抗変化を高精度に補正することも可能となって
いる。
【００３３】図５には、被測定対象物が導電体の場合の
被測定対象物上に薄膜センサを形成した場合の例が示さ
れる。図５において、被測定対象物１０の上に形成され
た薄膜センサ１４は、絶縁膜１２により全体が覆われて
いる。このような構成により、被測定対象物１０と薄膜
センサ１４との間を絶縁しつつ圧力測定を行う。なお、
被測定物が絶縁体の場合には、絶縁膜１２を使用する必
要はない。
被測定対象物上に薄膜センサを形成した場合の例が示さ
れる。図５において、被測定対象物１０の上に形成され
た薄膜センサ１４は、絶縁膜１２により全体が覆われて
いる。このような構成により、被測定対象物１０と薄膜
センサ１４との間を絶縁しつつ圧力測定を行う。なお、
被測定物が絶縁体の場合には、絶縁膜１２を使用する必
要はない。
【００３４】また、上記絶縁膜１２は、図５に示される
ように、薄膜センサ１４全体を覆っているので、薄膜セ
ンサ１４の保護膜としても機能している。
ように、薄膜センサ１４全体を覆っているので、薄膜セ
ンサ１４の保護膜としても機能している。
【００３５】このような絶縁膜１２としては、従来Ａｌ
2Ｏ3等の酸化物が使用されていたが、本発明者らは、こ
の絶縁膜１２の材料としてＳｉ3Ｎ4等の窒化物を使用す
ることが好適であることを見いだした。
2Ｏ3等の酸化物が使用されていたが、本発明者らは、こ
の絶縁膜１２の材料としてＳｉ3Ｎ4等の窒化物を使用す
ることが好適であることを見いだした。
【００３６】図６には、上記絶縁膜１２として酸化物を
使用した場合と窒化物を使用した場合とにおける薄膜セ
ンサ１４の温度変化に対する抵抗変化率が示される。図
６に示されるように、絶縁膜１２の材料として酸化物を
使用した場合には温度に対する抵抗変化率が８．３〜１
２．７×１０-6（（Ω／Ω）／℃）であったのに対し、
窒化物を使用した場合には６．７〜９．７×１０
-6（（Ω／Ω）／℃）となった。
使用した場合と窒化物を使用した場合とにおける薄膜セ
ンサ１４の温度変化に対する抵抗変化率が示される。図
６に示されるように、絶縁膜１２の材料として酸化物を
使用した場合には温度に対する抵抗変化率が８．３〜１
２．７×１０-6（（Ω／Ω）／℃）であったのに対し、
窒化物を使用した場合には６．７〜９．７×１０
-6（（Ω／Ω）／℃）となった。
【００３７】このように、絶縁膜１２の材料として窒化
物を使用した場合には酸化物を使用した場合に比べ単位
温度あたりの圧力誤差値を小さくすることができる。し
たがって、絶縁膜１２の材料には窒化物が好適であるこ
とがわかる。
物を使用した場合には酸化物を使用した場合に比べ単位
温度あたりの圧力誤差値を小さくすることができる。し
たがって、絶縁膜１２の材料には窒化物が好適であるこ
とがわかる。
【００３８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
薄膜センサの材料として銅、マンガン、ニッケル合金あ
るいはクロム、金合金を使用し、それぞれの組成を適宜
調整することにより、単位温度あたりの圧力誤差値を小
さくでき、薄膜センサの性能を向上させることができ
る。
薄膜センサの材料として銅、マンガン、ニッケル合金あ
るいはクロム、金合金を使用し、それぞれの組成を適宜
調整することにより、単位温度あたりの圧力誤差値を小
さくでき、薄膜センサの性能を向上させることができ
る。
【００３９】また、薄膜センサの形状を、任意の直交軸
に対して長さと幅の比が一定となるように調整すること
により、縦方向および横方向のゲージ率を小さくできる
とともに、縦方向、横方向のゲージ率の値をほぼ同じ値
とすることができる。
に対して長さと幅の比が一定となるように調整すること
により、縦方向および横方向のゲージ率を小さくできる
とともに、縦方向、横方向のゲージ率の値をほぼ同じ値
とすることができる。
【００４０】また、絶縁膜として窒化物を使用すること
により、薄膜センサの圧力誤差値を小さくすることがで
きる。
により、薄膜センサの圧力誤差値を小さくすることがで
きる。
【図１】 銅、マンガン、ニッケル合金を材料とする薄
膜センサの温度に対する抵抗変化率を示す図である。
膜センサの温度に対する抵抗変化率を示す図である。
【図２】 クロム、金合金を材料とする薄膜センサの温
度に対する抵抗変化率を示す図である。
度に対する抵抗変化率を示す図である。
【図３】 Ｘ方向、Ｙ方向に互いに直交するように直線
状の薄膜センサを形成した例を示す図である。
状の薄膜センサを形成した例を示す図である。
【図４】 薄膜センサの形状のパターンの例を示す図で
ある。
ある。
【図５】 被測定対象物上に薄膜センサを形成した場合
の例を示す図である。
の例を示す図である。
【図６】 絶縁膜として酸化物および窒化物を使用した
場合の温度に対する抵抗率変化を示す図である。
場合の温度に対する抵抗率変化を示す図である。
１０ 被測定対象物、１２ 絶縁膜、１４ 薄膜セン
サ。
サ。
Claims (5)
- 【請求項１】 銅とマンガンとニッケルとの合金により
構成される薄膜センサであって、前記銅の組成が８７．
４から８７．８重量％であり、前記マンガンの組成が
８．７５から９．６重量％であり、前記ニッケルの組成
が３．０から３．４５重量％であることを特徴とする薄
膜センサ。 - 【請求項２】 クロムと金との合金により構成される薄
膜センサであって、前記クロムの組成が３．０重量％以
上４．４重量％以下であることを特徴とする薄膜セン
サ。 - 【請求項３】 クロムと金との合金により構成される薄
膜センサであって、縦方向のゲージ率と横方向のゲージ
率がともに±０．３以内であることを特徴とする薄膜セ
ンサ。 - 【請求項４】 任意の直交軸に対して一方向の長さと幅
の比が、他方向の長さと幅の比と同じであることを特徴
とする薄膜センサ。 - 【請求項５】 請求項１から請求項４のいずれか一項記
載の薄膜センサにおいて、被測定対象物とセンサとの間
に形成される絶縁膜が窒化物であることを特徴とする薄
膜センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000093797A JP4527236B2 (ja) | 2000-03-30 | 2000-03-30 | 薄膜センサ |
Applications Claiming Priority (1)
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