JPS61286730A - ロ−ドセル - Google Patents
ロ−ドセルInfo
- Publication number
- JPS61286730A JPS61286730A JP12889085A JP12889085A JPS61286730A JP S61286730 A JPS61286730 A JP S61286730A JP 12889085 A JP12889085 A JP 12889085A JP 12889085 A JP12889085 A JP 12889085A JP S61286730 A JPS61286730 A JP S61286730A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- insulating
- beam body
- load cell
- strain gauge
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Measurement Of Force In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、荷重変化に応じて変形することにより電気的
出力を変化させるストレンゲージを薄膜技術によりブリ
ッジ回路パターンとして形成したロードセルに関するも
のである。
出力を変化させるストレンゲージを薄膜技術によりブリ
ッジ回路パターンとして形成したロードセルに関するも
のである。
従来の技術
従来、ビーム体の一面に薄膜技術によりストレンゲージ
を含むブリッジ回路パターンを形成するようにしたロー
ドセルにおいて、ビーム体とブリッジ回路パターンとの
間の絶縁のためにポリイミド等の有機物による絶縁膜を
介在させている。
を含むブリッジ回路パターンを形成するようにしたロー
ドセルにおいて、ビーム体とブリッジ回路パターンとの
間の絶縁のためにポリイミド等の有機物による絶縁膜を
介在させている。
発明が解決しようとする問題点
ポリイミド等の絶縁膜の形成は、スピンナーやロールコ
ータ等の手法により形成しているものであるが、これら
の方法によると絶縁膜をムラがなく、かつ、気泡がなく
形成することに時間がかかり、この作業が不充分である
ときには気泡が残り易くてビーム体とブリッジ回路パタ
ーンとの間の絶縁が破壊され、製品歩留まりを著しく悪
くしている。また、有機物の薄膜は安定化させるために
キュア等の時間がかかり、耐薬品性に対しても信頼性が
良くないものである。
ータ等の手法により形成しているものであるが、これら
の方法によると絶縁膜をムラがなく、かつ、気泡がなく
形成することに時間がかかり、この作業が不充分である
ときには気泡が残り易くてビーム体とブリッジ回路パタ
ーンとの間の絶縁が破壊され、製品歩留まりを著しく悪
くしている。また、有機物の薄膜は安定化させるために
キュア等の時間がかかり、耐薬品性に対しても信頼性が
良くないものである。
問題点を解決するための手段
ビーム体とブリッジ回路パターンとの間の絶縁膜を絶縁
酸化物により形成する。
酸化物により形成する。
作用
これにより、絶縁を完全にし、電気的静特性。
環境特性等の信頼性を向上させ、さらに、スパッタリン
グ等の薄膜技術により無機物の薄膜を形成して製造コス
トを低減する。
グ等の薄膜技術により無機物の薄膜を形成して製造コス
トを低減する。
実施例
まず、アルミニュウム材料等の素材を機械加工してビー
ム体１が形成されている。このビーム体１には二つの穴
２が互いに連通されて形成され、これらの穴２により平
行四辺形の交点に位置する四個の薄肉の変形部３が形成
されている。そして、これらの変形部３の間は互いに平
行な二本のアーム４とされ、両端には図示しないベース
に固定される固定部５と受皿が取り付けられる荷重受は
部６とが設けられている。これらの固定部５と荷重受は
部６とには固定または連結用のボルト孔７゜８が形成さ
れている。
ム体１が形成されている。このビーム体１には二つの穴
２が互いに連通されて形成され、これらの穴２により平
行四辺形の交点に位置する四個の薄肉の変形部３が形成
されている。そして、これらの変形部３の間は互いに平
行な二本のアーム４とされ、両端には図示しないベース
に固定される固定部５と受皿が取り付けられる荷重受は
部６とが設けられている。これらの固定部５と荷重受は
部６とには固定または連結用のボルト孔７゜８が形成さ
れている。
このようなビーム体１の一面９には、蒸着またはスパッ
タリングによる薄膜技術で絶縁層１０とＮｉＣｒＳｉに
よるストレンゲージ層１１とＴｉからなる温度補正用抵
抗層１２とＣｕよりなるリードパターン層１３とが順次
積層されて形成されている。
タリングによる薄膜技術で絶縁層１０とＮｉＣｒＳｉに
よるストレンゲージ層１１とＴｉからなる温度補正用抵
抗層１２とＣｕよりなるリードパターン層１３とが順次
積層されて形成されている。
前記絶縁層１０は、絶縁酸化物により形成されているも
のであり、その具体的な材質は、Ｓｉｎ。
のであり、その具体的な材質は、Ｓｉｎ。
Ｓｉｎ、、Ａｌ２Ｏ，、ＺｒＯ，の内の何れかである。
すなわち、これらの中から選択して絶縁層１０が形成さ
れる。
れる。
しかして、前記ストレンゲージ層１１と温度補正用抵抗
層１２とリードパターン層１３とはフォトエツチングに
よりパターン形成されてストレンゲージ１４と温度補正
用抵抗１５とリード線部１６と端子部１７とが形成され
、これらによりブリッジ回路パターン１８が構成されて
いる。
層１２とリードパターン層１３とはフォトエツチングに
よりパターン形成されてストレンゲージ１４と温度補正
用抵抗１５とリード線部１６と端子部１７とが形成され
、これらによりブリッジ回路パターン１８が構成されて
いる。
このような構成において、絶縁層１０は絶縁酸化物によ
り形成され、これは無機物であるので。
り形成され、これは無機物であるので。
ビーム体１とリード線部１６との耐圧特性が有機物の絶
縁層の場合に較べて優れている。また、電気的特性の性
能を比較した時、絶縁膜が無機物のため、ロードセルと
しての特性の非直線性、ヒステリシス、クリープ特性が
向上する１例えば、クリープ特性で見ると、従来、０．
０２％の変化に対して、０．００５％以下となり、大幅
な品質向上が可能となり１歩留まりの向上が見込まれる
。
縁層の場合に較べて優れている。また、電気的特性の性
能を比較した時、絶縁膜が無機物のため、ロードセルと
しての特性の非直線性、ヒステリシス、クリープ特性が
向上する１例えば、クリープ特性で見ると、従来、０．
０２％の変化に対して、０．００５％以下となり、大幅
な品質向上が可能となり１歩留まりの向上が見込まれる
。
発明の効果
本発明は、上述のようにビーム体とブリッジ回路パター
ンとの間に絶縁酸化物による絶縁層を形成したので、有
機物による絶縁に較べてその耐圧特性が優れており、ロ
ードセルとしての特性も向上させることができるもので
ある。
ンとの間に絶縁酸化物による絶縁層を形成したので、有
機物による絶縁に較べてその耐圧特性が優れており、ロ
ードセルとしての特性も向上させることができるもので
ある。
図面は本発明の一実施例を示すもので、第１図は斜視図
、第２図はその一部を拡大した断面図である。
、第２図はその一部を拡大した断面図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、平行四辺形の四個所の交点に位置する変形部を有す
るビーム体を設け、このビーム体の一面に薄膜技術によ
り前記変形部に位置するストレンゲージを含むブリッジ
回路パターンを形成したロードセルにおいて、前記ビー
ム体の表面と前記ブリッジ回路パターンとの間に絶縁酸
化物による絶縁層を形成したことを特徴とするロードセ
ル。 ２、絶縁酸化物をＳｉＯまたはＳｉＯ＿２としたことを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載のロードセル。 ３、絶縁酸化物をＡｌ＿２Ｏ＿３としたことを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載のロードセル。 ４、絶縁酸化物をＺｒＯ＿２としたことを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載のロードセル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12889085A JPS61286730A (ja) | 1985-06-13 | 1985-06-13 | ロ−ドセル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12889085A JPS61286730A (ja) | 1985-06-13 | 1985-06-13 | ロ−ドセル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61286730A true JPS61286730A (ja) | 1986-12-17 |
Family
ID=14995879
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12889085A Pending JPS61286730A (ja) | 1985-06-13 | 1985-06-13 | ロ−ドセル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61286730A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6512445B1 (en) * | 1998-03-31 | 2003-01-28 | Mannesmann Vdo Ag | Strain-sensitive resistor |
| JP2009519444A (ja) * | 2005-12-16 | 2009-05-14 | ザトーリウス アクチエン ゲゼルシャフト | ひずみゲージ要素を含む精密力変換器 |
-
1985
- 1985-06-13 JP JP12889085A patent/JPS61286730A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6512445B1 (en) * | 1998-03-31 | 2003-01-28 | Mannesmann Vdo Ag | Strain-sensitive resistor |
| JP2009519444A (ja) * | 2005-12-16 | 2009-05-14 | ザトーリウス アクチエン ゲゼルシャフト | ひずみゲージ要素を含む精密力変換器 |
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