JPS61286729A - ロ−ドセル - Google Patents
ロ−ドセルInfo
- Publication number
- JPS61286729A JPS61286729A JP12889285A JP12889285A JPS61286729A JP S61286729 A JPS61286729 A JP S61286729A JP 12889285 A JP12889285 A JP 12889285A JP 12889285 A JP12889285 A JP 12889285A JP S61286729 A JPS61286729 A JP S61286729A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulating
- insulating layer
- layer
- bridge circuit
- load cell
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Measurement Of Force In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、荷重変化に応じて変形することにより電気的
出力を変化させるストレンゲージを薄膜技術によりブリ
ッジ回路パターンとして形成したロードセルに関するも
のである。
出力を変化させるストレンゲージを薄膜技術によりブリ
ッジ回路パターンとして形成したロードセルに関するも
のである。
従来の技術
従来、ビーム体の一面に薄膜技術によりストレンゲージ
を含むブリッジ回路パターンを形成するようにしたロー
ドセルにおいて、ビーム体とブリッジ回路パターンとの
間の絶縁のためにポリイミド等の有機物による絶縁膜を
介在させている。
を含むブリッジ回路パターンを形成するようにしたロー
ドセルにおいて、ビーム体とブリッジ回路パターンとの
間の絶縁のためにポリイミド等の有機物による絶縁膜を
介在させている。
発明が解決しようとする問題点
ポリイミド等の絶縁膜の形成は、スピンナーやロールコ
ータ等の手法により形成しているものであるが、これら
の方法によると絶縁膜をムラがなく、かつ、気泡がなく
形成することに時間がかかり、この作業が不充分である
ときには気泡が残り易くてビーム体とブリッジ回路パタ
ーンとの間の絶縁が破壊され、製品歩留まりを著しく悪
くしている。また、有機物の薄膜は安定化させるために
キュア等の時間がかかり、耐薬品性に対しても信頼性が
良くないものである。
ータ等の手法により形成しているものであるが、これら
の方法によると絶縁膜をムラがなく、かつ、気泡がなく
形成することに時間がかかり、この作業が不充分である
ときには気泡が残り易くてビーム体とブリッジ回路パタ
ーンとの間の絶縁が破壊され、製品歩留まりを著しく悪
くしている。また、有機物の薄膜は安定化させるために
キュア等の時間がかかり、耐薬品性に対しても信頼性が
良くないものである。
問題点を解決するための手段
ビーム体とブリッジ回路パターンとの間に絶縁酸化物ま
たは絶縁窒化物による絶縁膜とこの絶縁膜の上に位置す
るポリイミドによる絶縁膜とを重ね合せて形成する。
たは絶縁窒化物による絶縁膜とこの絶縁膜の上に位置す
るポリイミドによる絶縁膜とを重ね合せて形成する。
作用
これにより、絶縁酸化物または絶縁窒化物の絶縁層を形
成して絶縁を完全にし、電気的静特性。
成して絶縁を完全にし、電気的静特性。
環境特性等の信頼性を向上させ、また、ポリイミドによ
る絶縁層をその上に形成してブリッジ回路パターンの形
成を容易にし、しかも、ポリイミドによる絶縁層に気泡
等が存在しても絶縁の点では問題がないものである。
る絶縁層をその上に形成してブリッジ回路パターンの形
成を容易にし、しかも、ポリイミドによる絶縁層に気泡
等が存在しても絶縁の点では問題がないものである。
実施例
まず、アルミニュウム材料等の素材を機械加工してビー
ム体1が形成されている。このビーム体1には二つの穴
2が互いに連通されて形成され、これらの穴2により平
行四辺形の交点に位置する四個の薄肉の変形部3が形成
されている。そして、これらの変形部3の間は互いに平
行な二本のアーム4とされ、両端には図示しないベース
に固定される固定部5と受皿が取り付けられる荷重受は
部6とが設けられている。これらの固定部5と荷重受は
部6とには固定または連結用のボルト孔7゜8が形成さ
れている。
ム体1が形成されている。このビーム体1には二つの穴
2が互いに連通されて形成され、これらの穴2により平
行四辺形の交点に位置する四個の薄肉の変形部3が形成
されている。そして、これらの変形部3の間は互いに平
行な二本のアーム4とされ、両端には図示しないベース
に固定される固定部5と受皿が取り付けられる荷重受は
部6とが設けられている。これらの固定部5と荷重受は
部6とには固定または連結用のボルト孔7゜8が形成さ
れている。
このようなビーム体1の一面9には、蒸着またはスパッ
タリングによる薄膜技術で絶縁層10とポリイミドによ
る絶縁層11とNiCrSiによるストレンゲージ層1
2とTiからなる温度補正用抵抗層13とCuよりなる
リードパターン層14とが順次積層されて形成されてい
る。
タリングによる薄膜技術で絶縁層10とポリイミドによ
る絶縁層11とNiCrSiによるストレンゲージ層1
2とTiからなる温度補正用抵抗層13とCuよりなる
リードパターン層14とが順次積層されて形成されてい
る。
前記絶縁層10は、絶縁酸化物または絶縁窒化物により
形成されているものであり、その具体的な材質は、Si
○、Sin、、Al2O,、ZrO,、BN、SiNの
内の何れかである。すなわち、これらの中から選択して
絶縁層10が形成される。
形成されているものであり、その具体的な材質は、Si
○、Sin、、Al2O,、ZrO,、BN、SiNの
内の何れかである。すなわち、これらの中から選択して
絶縁層10が形成される。
このように形成された絶縁層10の上にポリイミドによ
る絶縁層11が形成されるが、この絶縁層11はスピン
ナー等の手段により薄い膜に成形される。
る絶縁層11が形成されるが、この絶縁層11はスピン
ナー等の手段により薄い膜に成形される。
しかして、前記ストレンゲージ層12と温度補正用抵抗
層13とリードパターン層14とはフォトエツチングに
よりパターン形成されてストレンゲージ15と温度補正
用抵抗16とリード線部17と端子部18とが形成され
、これらによりブリッジ回路パターン19が構成されて
いる。
層13とリードパターン層14とはフォトエツチングに
よりパターン形成されてストレンゲージ15と温度補正
用抵抗16とリード線部17と端子部18とが形成され
、これらによりブリッジ回路パターン19が構成されて
いる。
このような構成において、絶縁層10は絶縁酸化物また
は絶縁窒化物により形成され、これは無機物であるので
、ビーム体1とリード線部17との耐圧特性が有機物の
絶縁層の場合に較べて優れている。また、電気的特性の
性能を比較した時、絶縁膜が無機物のため、ロードセル
としての特性の非直線性、ヒステリシス、クリープ特性
が向上する。例えば、クリープ特性で見ると、従来、0
゜02%の変化に対して、0.005%以下となり。
は絶縁窒化物により形成され、これは無機物であるので
、ビーム体1とリード線部17との耐圧特性が有機物の
絶縁層の場合に較べて優れている。また、電気的特性の
性能を比較した時、絶縁膜が無機物のため、ロードセル
としての特性の非直線性、ヒステリシス、クリープ特性
が向上する。例えば、クリープ特性で見ると、従来、0
゜02%の変化に対して、0.005%以下となり。
大幅な品質向上が可能となり1歩留まりの向上が見込ま
れる。
れる。
また、ポリイミドによる絶縁層11が形成されているの
で、ストレンゲージ層12等の形成が容易になり、しか
も、その絶縁層11にピンホールがあってもその下には
絶縁酸化物または絶縁窒化物による絶縁層10が存する
ため、絶縁の点では問題がない。
で、ストレンゲージ層12等の形成が容易になり、しか
も、その絶縁層11にピンホールがあってもその下には
絶縁酸化物または絶縁窒化物による絶縁層10が存する
ため、絶縁の点では問題がない。
発明の効果
本発明は、上述のようにビーム体とブリッジ回路パター
ンとの間に絶縁酸化物または絶縁窒化物による絶縁層と
この絶縁層の上に位置するポリイミドによる絶縁層とを
重ね合せて形成したので。
ンとの間に絶縁酸化物または絶縁窒化物による絶縁層と
この絶縁層の上に位置するポリイミドによる絶縁層とを
重ね合せて形成したので。
有機物のみによる絶縁に較べてその耐圧特性が優れてお
り、ロードセルとしての特性も向上させることができ、
また、絶縁酸化物または絶縁窒化物による絶縁層の上に
ポリイミドによる絶縁層を重ね合せたので、ブリッジ回
路パターンの形成が平滑な面の上に形成することができ
て容易である等の効果を有するものである。
り、ロードセルとしての特性も向上させることができ、
また、絶縁酸化物または絶縁窒化物による絶縁層の上に
ポリイミドによる絶縁層を重ね合せたので、ブリッジ回
路パターンの形成が平滑な面の上に形成することができ
て容易である等の効果を有するものである。
【図面の簡単な説明】
図面は本発明の一実施例を示すもので、第1図は斜視図
、第2図はその一部を拡大した断面図である。
、第2図はその一部を拡大した断面図である。
Claims (1)
- 平行四辺形の四個所の交点に位置する変形部を有するビ
ーム体を設け、このビーム体の一面に薄膜技術により前
記変形部に位置するストレンゲージを含むブリッジ回路
パターンを形成したロードセルにおいて、前記ビーム体
の表面と前記ブリッジ回路パターンとの間に絶縁酸化物
または絶縁窒化物による絶縁層とこの絶縁層の上に位置
するポリイミドによる絶縁膜とを重ね合せて形成したこ
とを特徴とするロードセル。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12889285A JPS61286729A (ja) | 1985-06-13 | 1985-06-13 | ロ−ドセル |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12889285A JPS61286729A (ja) | 1985-06-13 | 1985-06-13 | ロ−ドセル |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61286729A true JPS61286729A (ja) | 1986-12-17 |
Family
ID=14995926
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12889285A Pending JPS61286729A (ja) | 1985-06-13 | 1985-06-13 | ロ−ドセル |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61286729A (ja) |
-
1985
- 1985-06-13 JP JP12889285A patent/JPS61286729A/ja active Pending
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