JPS648289B2 - - Google Patents
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- JPS648289B2 JPS648289B2 JP321282A JP321282A JPS648289B2 JP S648289 B2 JPS648289 B2 JP S648289B2 JP 321282 A JP321282 A JP 321282A JP 321282 A JP321282 A JP 321282A JP S648289 B2 JPS648289 B2 JP S648289B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L1/00—Measuring force or stress, in general
- G01L1/20—Measuring force or stress, in general by measuring variations in ohmic resistance of solid materials or of electrically-conductive fluids; by making use of electrokinetic cells, i.e. liquid-containing cells wherein an electrical potential is produced or varied upon the application of stress
- G01L1/22—Measuring force or stress, in general by measuring variations in ohmic resistance of solid materials or of electrically-conductive fluids; by making use of electrokinetic cells, i.e. liquid-containing cells wherein an electrical potential is produced or varied upon the application of stress using resistance strain gauges
- G01L1/2206—Special supports with preselected places to mount the resistance strain gauges; Mounting of supports
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Measurement Of Force In General (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は荷重の測定に使用されるロードセルに
関する。
関する。
ホイートストンブリツジ回路を構成する金属箔
製の抵抗体パターンを絶縁フイルムに接着し、更
にこのフイルムを測定すべき荷重が作用するビー
ム体の起歪部領域に接着して構成される公知のロ
ードセルに比較して、製造工数が少なく容易かつ
安価に製造できるとともに、高精度の測定が可能
となる新規なロードセルが、本発明者等により提
案され、既に出願済みである。このロードセル
は、ビーム体上に絶縁被膜を直接形成し、この被
膜上に、金属材料を蒸着、スパツタリング、又は
マスキングにより直接積層形成して、必要な抵抗
体パターンおよび端子リードパターンを設けて構
成したものである。
製の抵抗体パターンを絶縁フイルムに接着し、更
にこのフイルムを測定すべき荷重が作用するビー
ム体の起歪部領域に接着して構成される公知のロ
ードセルに比較して、製造工数が少なく容易かつ
安価に製造できるとともに、高精度の測定が可能
となる新規なロードセルが、本発明者等により提
案され、既に出願済みである。このロードセル
は、ビーム体上に絶縁被膜を直接形成し、この被
膜上に、金属材料を蒸着、スパツタリング、又は
マスキングにより直接積層形成して、必要な抵抗
体パターンおよび端子リードパターンを設けて構
成したものである。
ところで、従来提案されたこの種ロードセル
は、必要なパターンを高密度に形成できるから、
そのパターンの入力側と出力側とが間近に接近さ
れるものである。しかしこのようにパターンの入
力側と出力側を接近させた場合、入力側から出力
側へリークする電流によつてホイートストンブリ
ツジ回路の出力端子からの出力電圧が影響を受
け、その結果正確な出力を得る信頼性が損われる
ことが分つた。
は、必要なパターンを高密度に形成できるから、
そのパターンの入力側と出力側とが間近に接近さ
れるものである。しかしこのようにパターンの入
力側と出力側を接近させた場合、入力側から出力
側へリークする電流によつてホイートストンブリ
ツジ回路の出力端子からの出力電圧が影響を受
け、その結果正確な出力を得る信頼性が損われる
ことが分つた。
本発明は上記の事情のもとに提案されたもの
で、その目的は、出力精度を向上させることがで
きるロードセルを提供することにある。
で、その目的は、出力精度を向上させることがで
きるロードセルを提供することにある。
すなわち、本発明は、ビーム体に直接形成した
絶縁被膜上に、端子リードパターン、およびホイ
ートストンブリツジ回路を形成する少なくとも４
つの抵抗体パターンを設け、この各抵抗体パター
ンをそれぞれ接続する端子リードパターンの対向
する一方の２パターン間に直流の入力電圧を印加
するとともに対向する他方の２パターン間から出
力電圧を取出すロードセルにおいて、少なくとも
出力電圧を取出す２つの端子リードパターンを包
囲するとともに入力電圧の中間電位に設定された
ガイドパターンを設けたロードセルである。
絶縁被膜上に、端子リードパターン、およびホイ
ートストンブリツジ回路を形成する少なくとも４
つの抵抗体パターンを設け、この各抵抗体パター
ンをそれぞれ接続する端子リードパターンの対向
する一方の２パターン間に直流の入力電圧を印加
するとともに対向する他方の２パターン間から出
力電圧を取出すロードセルにおいて、少なくとも
出力電圧を取出す２つの端子リードパターンを包
囲するとともに入力電圧の中間電位に設定された
ガイドパターンを設けたロードセルである。
以下、本発明を図面に示す一実施例を参照して
説明する。
説明する。
図中１はビーム体で、これはステンレス鋼
（SUS630）、高力アルミニウム合金（A2218）等
の金属材料を機械加工して形成されている。ビー
ム体１は、一端部に設けられた取付孔２，２を通
るボルト３により、固定部４に片持ち支持されて
使用される。そして、ビーム体１の中間部分に
は、薄肉の起歪部領域５が形成されているととも
に、この領域５の下面に対向する作用片６が、ビ
ーム体１の他端側より延出形成されている。作用
片６の先端部には係止孔７が設けられ、この孔７
に例えば吊下金具８を取付けて、測定すべき荷重
Ｗを矢印の如く（第２図参照）作用させるように
なつている。
（SUS630）、高力アルミニウム合金（A2218）等
の金属材料を機械加工して形成されている。ビー
ム体１は、一端部に設けられた取付孔２，２を通
るボルト３により、固定部４に片持ち支持されて
使用される。そして、ビーム体１の中間部分に
は、薄肉の起歪部領域５が形成されているととも
に、この領域５の下面に対向する作用片６が、ビ
ーム体１の他端側より延出形成されている。作用
片６の先端部には係止孔７が設けられ、この孔７
に例えば吊下金具８を取付けて、測定すべき荷重
Ｗを矢印の如く（第２図参照）作用させるように
なつている。
このビーム体１のパターン形成面となる上面に
は絶縁被膜９が直接形成されている。この絶縁被
膜９は本実施例の場合ポリイミド樹脂等の高分子
材料により形成されているが、特に耐熱性を要求
される場合には、二酸化けい素、アルミナ、フオ
ルステライト等を用いられる。
は絶縁被膜９が直接形成されている。この絶縁被
膜９は本実施例の場合ポリイミド樹脂等の高分子
材料により形成されているが、特に耐熱性を要求
される場合には、二酸化けい素、アルミナ、フオ
ルステライト等を用いられる。
そして、絶縁被膜９上には、ストレンゲージ抵
抗体パターン１０〜１３、端子リードパターン１
４、分圧用抵抗体パターン１５，１６、およびガ
ードパターン１７が、金属材料を直接積層して
夫々形成されている。ストレンゲージ抵抗体パタ
ーン１０〜１３は、起歪部領域５の歪量の相等し
い最大起歪部５Ａ，５Ｂに対向して設けられ、例
えばNi―Cr系合金で形成されている。なお、一
方の最大起歪部５Ａは作用片６に荷重Ｗを作用さ
せた時に最大伸び歪を発生し、かつ他方の最大起
歪部５Ｂは同じく荷重Ｗ作用時に最大縮み歪を発
生する部位である。これら各抵抗体パターン１０
〜１３はいずれも第４図に示したようにジグザグ
状をなしている。端子リードパターン１４、分圧
用抵抗体パターン１５，１６およびガードパター
ン１７は、いずれも上記ストレンゲージ抵抗体パ
ターン１０〜１３を形成するNi―Cr系合金等の
金属層Ａと、この上に直接積層形成されたAu等
の金属層Ｂとにより形成されている。そして、端
子リードパターン１４は、入力端子１４Ａ，１４
Ｂおよび出力端子１４Ｃ，１４Ｄを有していると
ともに、ストレンゲージ抵抗体パターン１０〜１
３相互を接続して第３図に示したホイートストン
ブリツジ回路を形成し、かつ分圧用抵抗体パター
ン１５，１６と入力端子１４Ａ，１４Ｂおよびガ
ードパターン１７とを接続して設けられている。
分圧用抵抗体パターン１５，１６はいずれも第４
図に示したようにジグザグ状であるとともに、上
記入力端子１４Ａ，１４Ｂをつなぎ、これら端子
１４Ａ，１４Ｂ間電圧V1の中間電位、例えば
V1／２をガイドパターン１７に与えるようにな
つている。これは分圧用抵抗体パターン１５，１
６の抵抗値を等しくすることによつて実現してい
る。またホイートストンブリツジ回路を形成する
各ストレンゲージ抵抗体パターン１０〜１３は一
般にその抵抗値が等しくなつており、従つて抵抗
体パターン１１と１３とを接続する端子リードパ
ターン１４及び抵抗体パターン１０と１２とを接
続する端子リードパターン１４の電位は前記ガイ
ドパターン１７の電位と等しくなつている。
抗体パターン１０〜１３、端子リードパターン１
４、分圧用抵抗体パターン１５，１６、およびガ
ードパターン１７が、金属材料を直接積層して
夫々形成されている。ストレンゲージ抵抗体パタ
ーン１０〜１３は、起歪部領域５の歪量の相等し
い最大起歪部５Ａ，５Ｂに対向して設けられ、例
えばNi―Cr系合金で形成されている。なお、一
方の最大起歪部５Ａは作用片６に荷重Ｗを作用さ
せた時に最大伸び歪を発生し、かつ他方の最大起
歪部５Ｂは同じく荷重Ｗ作用時に最大縮み歪を発
生する部位である。これら各抵抗体パターン１０
〜１３はいずれも第４図に示したようにジグザグ
状をなしている。端子リードパターン１４、分圧
用抵抗体パターン１５，１６およびガードパター
ン１７は、いずれも上記ストレンゲージ抵抗体パ
ターン１０〜１３を形成するNi―Cr系合金等の
金属層Ａと、この上に直接積層形成されたAu等
の金属層Ｂとにより形成されている。そして、端
子リードパターン１４は、入力端子１４Ａ，１４
Ｂおよび出力端子１４Ｃ，１４Ｄを有していると
ともに、ストレンゲージ抵抗体パターン１０〜１
３相互を接続して第３図に示したホイートストン
ブリツジ回路を形成し、かつ分圧用抵抗体パター
ン１５，１６と入力端子１４Ａ，１４Ｂおよびガ
ードパターン１７とを接続して設けられている。
分圧用抵抗体パターン１５，１６はいずれも第４
図に示したようにジグザグ状であるとともに、上
記入力端子１４Ａ，１４Ｂをつなぎ、これら端子
１４Ａ，１４Ｂ間電圧V1の中間電位、例えば
V1／２をガイドパターン１７に与えるようにな
つている。これは分圧用抵抗体パターン１５，１
６の抵抗値を等しくすることによつて実現してい
る。またホイートストンブリツジ回路を形成する
各ストレンゲージ抵抗体パターン１０〜１３は一
般にその抵抗値が等しくなつており、従つて抵抗
体パターン１１と１３とを接続する端子リードパ
ターン１４及び抵抗体パターン１０と１２とを接
続する端子リードパターン１４の電位は前記ガイ
ドパターン１７の電位と等しくなつている。
そして抵抗体パターン１１と１３とを接続する
端子リードパターン１４と抵抗体パターン１０と
１２とを接続する端子リードパターン１４との間
から出力電圧V0を取出すようになつている。
端子リードパターン１４と抵抗体パターン１０と
１２とを接続する端子リードパターン１４との間
から出力電圧V0を取出すようになつている。
前記ガイドパターン１７は第４図に示すよう
に、前記出力端子１４Ｃを含みその出力端子１４
Ｃと前記抵抗体パターン１０，１２を接続する端
子リードパターン１４及び前記出力端子１４Ｄを
含みその出力端子１４Ｄと前記抵抗体パターン１
３，１１を接続する端子リードパターン１４を包
囲するように配置されている。なお、図中１７ａ
はボンデング結線部であるとともに、説明の都合
上第４図中において他のパターンとの判別を容易
にするためにガードパターン１７は斜線を付して
表示してあり、これは断面を示したものではな
い。
に、前記出力端子１４Ｃを含みその出力端子１４
Ｃと前記抵抗体パターン１０，１２を接続する端
子リードパターン１４及び前記出力端子１４Ｄを
含みその出力端子１４Ｄと前記抵抗体パターン１
３，１１を接続する端子リードパターン１４を包
囲するように配置されている。なお、図中１７ａ
はボンデング結線部であるとともに、説明の都合
上第４図中において他のパターンとの判別を容易
にするためにガードパターン１７は斜線を付して
表示してあり、これは断面を示したものではな
い。
なお、以上の構成のロードセルは例えば次のよ
うにして製造される。
うにして製造される。
まず、第６図Ａのように、切削加工により得ら
れたビーム体１の上面を脱脂洗浄し、この面上に
粘度1000cp程度に調整されたワニス状のポリイ
ミド樹脂液を滴下する。このビーム体１をスピン
ナにより1600rpm程度の速度で回転させることに
より、絶縁被膜材料を４〜5μｍ程度の厚さに調
整して塗布する。次に、このビーム体１を、まず
100℃で約１時間加熱処理して、絶縁被膜材料中
の溶剤を除去した後、更に250℃で約５時間加熱
処理して、硬質な絶縁被膜９を形成する。次に、
この絶縁被膜９上に、蒸着又はスパツタリングに
より金属層ＡおよびＢを次々に直接積層形成す
る。勿論、各々の層Ａ，Ｂの厚みは数μｍ以下に
適当に定められる。
れたビーム体１の上面を脱脂洗浄し、この面上に
粘度1000cp程度に調整されたワニス状のポリイ
ミド樹脂液を滴下する。このビーム体１をスピン
ナにより1600rpm程度の速度で回転させることに
より、絶縁被膜材料を４〜5μｍ程度の厚さに調
整して塗布する。次に、このビーム体１を、まず
100℃で約１時間加熱処理して、絶縁被膜材料中
の溶剤を除去した後、更に250℃で約５時間加熱
処理して、硬質な絶縁被膜９を形成する。次に、
この絶縁被膜９上に、蒸着又はスパツタリングに
より金属層ＡおよびＢを次々に直接積層形成す
る。勿論、各々の層Ａ，Ｂの厚みは数μｍ以下に
適当に定められる。
次に、第６図Ｂのように、金属層Ａ，Ｂに対し
て夫々の金属に適したエツチング液を用いて順次
フオトエツチングを行ない、各パターン１０〜１
７となる部分を残して他を除去することにより、
金属層Ａ，Ｂよりなる所定のパターンを現出させ
る。このことにより、端子リードパターン１４、
分圧用抵抗体パターン１５，１６およびガードパ
ターン１７が形成される。
て夫々の金属に適したエツチング液を用いて順次
フオトエツチングを行ない、各パターン１０〜１
７となる部分を残して他を除去することにより、
金属層Ａ，Ｂよりなる所定のパターンを現出させ
る。このことにより、端子リードパターン１４、
分圧用抵抗体パターン１５，１６およびガードパ
ターン１７が形成される。
この後、第６図Ｃのように金属層Ｂに適したエ
ツチング液を用いてフオトエツチングを行ないス
トレンゲージ抵抗体パターン１０〜１３に対向す
る金属層Ｂを除去し、同パターン１０〜１３を現
出形成する。
ツチング液を用いてフオトエツチングを行ないス
トレンゲージ抵抗体パターン１０〜１３に対向す
る金属層Ｂを除去し、同パターン１０〜１３を現
出形成する。
最後、第６図Ｄのようにガードパターン１７の
一部を金等によりなるリード線をボンデング結線
１７ａする。
一部を金等によりなるリード線をボンデング結線
１７ａする。
以上でロードセルが完成されるが、必要により
金属層を安定させるための熱処理を、適当な時期
に施してもよいことともに、耐候性を向上させる
ためにボンデング結線後に、絶縁被膜をオーバー
コーテイングしても差支えない。
金属層を安定させるための熱処理を、適当な時期
に施してもよいことともに、耐候性を向上させる
ためにボンデング結線後に、絶縁被膜をオーバー
コーテイングしても差支えない。
このような構成の本実施例においては、入力端
子１４Ａ，１４Ｂ間電圧V1の1/2の電圧をガイド
パターン１７に印加し、そのガイドパターン１７
によつて少なくとも出力端子１４Ｃを含みその出
力端子１４Ｃと抵抗体パターン１０，１２を接続
する端子リードパターン１４及び出力端子１４Ｄ
を含みその出力端子１４Ｄと抵抗体パターン１
３，１１を接続する端子リードパターン１４を包
囲しているので、入力端子１４Ａに接続されてい
る端子リードパターン１４から抵抗体パターン１
０，１３側にリーク電流が流れることはなく、リ
ーク電流はすべてガイドパターン１７に流れるよ
うになる。従つてホイートストンブリツジ回路の
出力がリーク電流によつて影響されることはなく
出力精度の向上を図ることができる。
子１４Ａ，１４Ｂ間電圧V1の1/2の電圧をガイド
パターン１７に印加し、そのガイドパターン１７
によつて少なくとも出力端子１４Ｃを含みその出
力端子１４Ｃと抵抗体パターン１０，１２を接続
する端子リードパターン１４及び出力端子１４Ｄ
を含みその出力端子１４Ｄと抵抗体パターン１
３，１１を接続する端子リードパターン１４を包
囲しているので、入力端子１４Ａに接続されてい
る端子リードパターン１４から抵抗体パターン１
０，１３側にリーク電流が流れることはなく、リ
ーク電流はすべてガイドパターン１７に流れるよ
うになる。従つてホイートストンブリツジ回路の
出力がリーク電流によつて影響されることはなく
出力精度の向上を図ることができる。
例えば抵抗１３及び１０にそれぞれ流れる電流
をi1，i2とし、また抵抗１３及び１０にそれぞれ
発生する電圧をv1，v2とすると、出力電圧V0は V0＝v2−v1＝i2・R10−i1・R13 となる。なお、R10は抵抗１０の抵抗値、R13は
抵抗１３の抵抗値である。
をi1，i2とし、また抵抗１３及び１０にそれぞれ
発生する電圧をv1，v2とすると、出力電圧V0は V0＝v2−v1＝i2・R10−i1・R13 となる。なお、R10は抵抗１０の抵抗値、R13は
抵抗１３の抵抗値である。
ここでリーク電流ilが入力端子１４Ａに接続さ
れた端子リードパターン１４から抵抗１２と１０
とを接続した端子リードパターン１４を介して抵
抗１０に流れたとすると、そのときの出力電圧
V0′は、このとき抵抗１０の両端に発生する電圧
をv2′とすると、 V0′＝v2′−v1 ＝（i2＋il）・R10−i1・R13 となる。これによりV0′−V0＝il・R10となり、出
力電圧が変化することになる。
れた端子リードパターン１４から抵抗１２と１０
とを接続した端子リードパターン１４を介して抵
抗１０に流れたとすると、そのときの出力電圧
V0′は、このとき抵抗１０の両端に発生する電圧
をv2′とすると、 V0′＝v2′−v1 ＝（i2＋il）・R10−i1・R13 となる。これによりV0′−V0＝il・R10となり、出
力電圧が変化することになる。
これは入力端子１４Ａに接続された端子リード
パターン１４と抵抗１２と１０とを接続する端子
リードパターン１４との間に電位差がありリーク
電流ilが流れるためである。
パターン１４と抵抗１２と１０とを接続する端子
リードパターン１４との間に電位差がありリーク
電流ilが流れるためである。
そこでガイドパターン１７の電位を抵抗１２と
１０の接続点と同じ程度の電位となるように
V1／２に設定することによつてリーク電流ilを抵
抗１２と１０とを接続した端子リードパターン１
４ではなくガイドパターン１７に流すことができ
る。
１０の接続点と同じ程度の電位となるように
V1／２に設定することによつてリーク電流ilを抵
抗１２と１０とを接続した端子リードパターン１
４ではなくガイドパターン１７に流すことができ
る。
以上のことは入力端子１４Ａに接続された端子
リードパターン１４と抵抗１１と１３とを接続し
た端子リードパターン１４との間でも同様であ
る。
リードパターン１４と抵抗１１と１３とを接続し
た端子リードパターン１４との間でも同様であ
る。
こうして抵抗１０や１３にリーク電流が流れる
のをガイドパターン１７によつて防止することが
できる。すなわち出力端子１４Ｃ，１４Ｄ及びこ
の出力端子側の端子リードパターン１４の部分
を、入力電圧に対して保護でき、出力精度を向上
できる。
のをガイドパターン１７によつて防止することが
できる。すなわち出力端子１４Ｃ，１４Ｄ及びこ
の出力端子側の端子リードパターン１４の部分
を、入力電圧に対して保護でき、出力精度を向上
できる。
なお、上記一実施例は以上のように構成した
が、本発明においては、必要によりスパン調整用
抵抗体パターン、ブリツジバランス調整用抵抗体
パターン、その他の抵抗体パターンを追加して実
施してもよい。その他、本発明の実施に当つて
は、ビーム体、起歪部領域、端子リードパター
ン、ストレンゲージ抵抗体パターン、ガードパタ
ーン等の具体的な構造、形状、位置および材質等
は、発明の要旨に反しない限り上記一実施例に制
約されるものではなく、種々の態様に構成して実
施できることは勿論である。
が、本発明においては、必要によりスパン調整用
抵抗体パターン、ブリツジバランス調整用抵抗体
パターン、その他の抵抗体パターンを追加して実
施してもよい。その他、本発明の実施に当つて
は、ビーム体、起歪部領域、端子リードパター
ン、ストレンゲージ抵抗体パターン、ガードパタ
ーン等の具体的な構造、形状、位置および材質等
は、発明の要旨に反しない限り上記一実施例に制
約されるものではなく、種々の態様に構成して実
施できることは勿論である。
以上詳述したようにこの発明によれば、出力精
度を向上させることができるロードセルを提供で
きるものである。
度を向上させることができるロードセルを提供で
きるものである。
図面は本発明の一実施例を示し、第１図は斜視
図、第２図は荷重作用時における断面図、第３図
は電気回路図、第４図は各パターンの詳細を示す
拡大平面図、第５図は第４図中―線に沿う断
面図、第６図Ａ〜Ｄは製造方法を順に追つて示す
説明図である。 １…ビーム体、６…起歪部領域、９…絶縁被
膜、１０〜１３…ストレンゲージ抵抗体パター
ン、１４…端子リードパターン、１４Ａ，１４Ｂ
…入力端子、１４Ｃ，１４Ｄ…出力端子、１５，
１６…分圧用抵抗体パターン、１７…ガードパタ
ーン。
図、第２図は荷重作用時における断面図、第３図
は電気回路図、第４図は各パターンの詳細を示す
拡大平面図、第５図は第４図中―線に沿う断
面図、第６図Ａ〜Ｄは製造方法を順に追つて示す
説明図である。 １…ビーム体、６…起歪部領域、９…絶縁被
膜、１０〜１３…ストレンゲージ抵抗体パター
ン、１４…端子リードパターン、１４Ａ，１４Ｂ
…入力端子、１４Ｃ，１４Ｄ…出力端子、１５，
１６…分圧用抵抗体パターン、１７…ガードパタ
ーン。
Claims (1)
- １ 測定すべき荷重が作用するビーム体に直接形
成した絶縁被膜上に、金属材料を直接積層して少
なくとも端子リードパターン、およびビーム体の
起歪部領域に配置されかつ端子リードパターンで
接続されてホイートストンブリツジ回路を形成す
る少なくとも４つの抵抗体パターンを設け、この
各抵抗体パターンをそれぞれ接続する端子リード
パターンの対向する一方の２パターン間に直流の
入力電圧を印加するとともに対向する他方の２パ
ターン間から出力電圧を取出すロードセルにおい
て、少なくとも上記出力電圧を取出す２つの端子
リードパターンを包囲するとともに上記入力電圧
の中間電位に設定されたガイドパターンを設けて
なることを特徴とするロードセル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP321282A JPS58120139A (ja) | 1982-01-12 | 1982-01-12 | ロ−ドセル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP321282A JPS58120139A (ja) | 1982-01-12 | 1982-01-12 | ロ−ドセル |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58120139A JPS58120139A (ja) | 1983-07-16 |
| JPS648289B2 true JPS648289B2 (ja) | 1989-02-13 |
Family
ID=11551133
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP321282A Granted JPS58120139A (ja) | 1982-01-12 | 1982-01-12 | ロ−ドセル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58120139A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60213838A (ja) * | 1984-04-09 | 1985-10-26 | Tokyo Electric Co Ltd | ロ−ドセル |
| US4527434A (en) * | 1984-05-10 | 1985-07-09 | The Babcock & Wilcox Company | Cylindrical force transducer beam |
| EP0164862B1 (en) * | 1984-05-17 | 1989-10-11 | Tokyo Electric Co., Ltd. | Strain-gauged load cell |
-
1982
- 1982-01-12 JP JP321282A patent/JPS58120139A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58120139A (ja) | 1983-07-16 |
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