JPS648289B2 - - Google Patents
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- JPS648289B2 JPS648289B2 JP321282A JP321282A JPS648289B2 JP S648289 B2 JPS648289 B2 JP S648289B2 JP 321282 A JP321282 A JP 321282A JP 321282 A JP321282 A JP 321282A JP S648289 B2 JPS648289 B2 JP S648289B2
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- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 9
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 9
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 4
- 239000000284 extract Substances 0.000 claims 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000599 Cr alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018487 Ni—Cr Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 229910052839 forsterite Inorganic materials 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N magnesium orthosilicate Chemical compound [Mg+2].[Mg+2].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L1/00—Measuring force or stress, in general
- G01L1/20—Measuring force or stress, in general by measuring variations in ohmic resistance of solid materials or of electrically-conductive fluids; by making use of electrokinetic cells, i.e. liquid-containing cells wherein an electrical potential is produced or varied upon the application of stress
- G01L1/22—Measuring force or stress, in general by measuring variations in ohmic resistance of solid materials or of electrically-conductive fluids; by making use of electrokinetic cells, i.e. liquid-containing cells wherein an electrical potential is produced or varied upon the application of stress using resistance strain gauges
- G01L1/2206—Special supports with preselected places to mount the resistance strain gauges; Mounting of supports
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は荷重の測定に使用されるロードセルに
関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a load cell used for measuring load.
ホイートストンブリツジ回路を構成する金属箔
製の抵抗体パターンを絶縁フイルムに接着し、更
にこのフイルムを測定すべき荷重が作用するビー
ム体の起歪部領域に接着して構成される公知のロ
ードセルに比較して、製造工数が少なく容易かつ
安価に製造できるとともに、高精度の測定が可能
となる新規なロードセルが、本発明者等により提
案され、既に出願済みである。このロードセル
は、ビーム体上に絶縁被膜を直接形成し、この被
膜上に、金属材料を蒸着、スパツタリング、又は
マスキングにより直接積層形成して、必要な抵抗
体パターンおよび端子リードパターンを設けて構
成したものである。 A known load cell is constructed by gluing the metal foil resistor pattern constituting the Wheatstone bridge circuit to an insulating film, and then gluing this film to the strain-generating region of the beam body where the load to be measured acts. In comparison, the present inventors have proposed a new load cell that can be manufactured easily and inexpensively with fewer manufacturing steps and that can perform highly accurate measurements, and has already filed an application. This load cell was constructed by forming an insulating film directly on the beam body, directly laminating a metal material on this film by vapor deposition, sputtering, or masking, and providing the necessary resistor pattern and terminal lead pattern. It is something.
ところで、従来提案されたこの種ロードセル
は、必要なパターンを高密度に形成できるから、
そのパターンの入力側と出力側とが間近に接近さ
れるものである。しかしこのようにパターンの入
力側と出力側を接近させた場合、入力側から出力
側へリークする電流によつてホイートストンブリ
ツジ回路の出力端子からの出力電圧が影響を受
け、その結果正確な出力を得る信頼性が損われる
ことが分つた。 By the way, this type of load cell that has been proposed so far can form the required pattern with high density,
The input side and output side of the pattern are closely approached. However, when the input side and output side of the pattern are brought close together in this way, the output voltage from the output terminal of the Wheatstone bridge circuit is affected by the current leaking from the input side to the output side, resulting in accurate output. It was found that the reliability of obtaining
本発明は上記の事情のもとに提案されたもの
で、その目的は、出力精度を向上させることがで
きるロードセルを提供することにある。 The present invention was proposed under the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a load cell that can improve output accuracy.
すなわち、本発明は、ビーム体に直接形成した
絶縁被膜上に、端子リードパターン、およびホイ
ートストンブリツジ回路を形成する少なくとも４
つの抵抗体パターンを設け、この各抵抗体パター
ンをそれぞれ接続する端子リードパターンの対向
する一方の２パターン間に直流の入力電圧を印加
するとともに対向する他方の２パターン間から出
力電圧を取出すロードセルにおいて、少なくとも
出力電圧を取出す２つの端子リードパターンを包
囲するとともに入力電圧の中間電位に設定された
ガイドパターンを設けたロードセルである。 That is, the present invention provides at least four wires that form a terminal lead pattern and a Wheatstone bridge circuit on an insulating coating formed directly on a beam body.
In a load cell, two resistor patterns are provided, and a DC input voltage is applied between two opposing terminal lead patterns that connect the resistor patterns, and an output voltage is extracted from between the other two opposing patterns. This load cell is provided with a guide pattern that surrounds at least two terminal lead patterns from which output voltage is taken out and is set to an intermediate potential of the input voltage.
以下、本発明を図面に示す一実施例を参照して
説明する。 Hereinafter, the present invention will be described with reference to an embodiment shown in the drawings.
図中１はビーム体で、これはステンレス鋼
（SUS630）、高力アルミニウム合金（A2218）等
の金属材料を機械加工して形成されている。ビー
ム体１は、一端部に設けられた取付孔２，２を通
るボルト３により、固定部４に片持ち支持されて
使用される。そして、ビーム体１の中間部分に
は、薄肉の起歪部領域５が形成されているととも
に、この領域５の下面に対向する作用片６が、ビ
ーム体１の他端側より延出形成されている。作用
片６の先端部には係止孔７が設けられ、この孔７
に例えば吊下金具８を取付けて、測定すべき荷重
Ｗを矢印の如く（第２図参照）作用させるように
なつている。 In the figure, 1 is a beam body, which is formed by machining metal materials such as stainless steel (SUS630) and high-strength aluminum alloy (A2218). The beam body 1 is used while being cantilevered by a fixing part 4 by bolts 3 passing through mounting holes 2, 2 provided at one end. A thin strain-generating region 5 is formed in the middle portion of the beam body 1, and an action piece 6 facing the lower surface of this region 5 extends from the other end of the beam body 1. ing. A locking hole 7 is provided at the tip of the action piece 6, and this hole 7
For example, a hanging metal fitting 8 is attached to it, and the load W to be measured is applied as shown by the arrow (see FIG. 2).
このビーム体１のパターン形成面となる上面に
は絶縁被膜９が直接形成されている。この絶縁被
膜９は本実施例の場合ポリイミド樹脂等の高分子
材料により形成されているが、特に耐熱性を要求
される場合には、二酸化けい素、アルミナ、フオ
ルステライト等を用いられる。 An insulating coating 9 is directly formed on the upper surface of the beam body 1, which is the pattern forming surface. In this embodiment, the insulating coating 9 is made of a polymeric material such as polyimide resin, but if particularly heat resistance is required, silicon dioxide, alumina, forsterite, etc. may be used.
そして、絶縁被膜９上には、ストレンゲージ抵
抗体パターン１０〜１３、端子リードパターン１
４、分圧用抵抗体パターン１５，１６、およびガ
ードパターン１７が、金属材料を直接積層して
夫々形成されている。ストレンゲージ抵抗体パタ
ーン１０〜１３は、起歪部領域５の歪量の相等し
い最大起歪部５Ａ，５Ｂに対向して設けられ、例
えばNi―Cr系合金で形成されている。なお、一
方の最大起歪部５Ａは作用片６に荷重Ｗを作用さ
せた時に最大伸び歪を発生し、かつ他方の最大起
歪部５Ｂは同じく荷重Ｗ作用時に最大縮み歪を発
生する部位である。これら各抵抗体パターン１０
〜１３はいずれも第４図に示したようにジグザグ
状をなしている。端子リードパターン１４、分圧
用抵抗体パターン１５，１６およびガードパター
ン１７は、いずれも上記ストレンゲージ抵抗体パ
ターン１０〜１３を形成するNi―Cr系合金等の
金属層Ａと、この上に直接積層形成されたAu等
の金属層Ｂとにより形成されている。そして、端
子リードパターン１４は、入力端子１４Ａ，１４
Ｂおよび出力端子１４Ｃ，１４Ｄを有していると
ともに、ストレンゲージ抵抗体パターン１０〜１
３相互を接続して第３図に示したホイートストン
ブリツジ回路を形成し、かつ分圧用抵抗体パター
ン１５，１６と入力端子１４Ａ，１４Ｂおよびガ
ードパターン１７とを接続して設けられている。
分圧用抵抗体パターン１５，１６はいずれも第４
図に示したようにジグザグ状であるとともに、上
記入力端子１４Ａ，１４Ｂをつなぎ、これら端子
１４Ａ，１４Ｂ間電圧V1の中間電位、例えば
V1／２をガイドパターン１７に与えるようにな
つている。これは分圧用抵抗体パターン１５，１
６の抵抗値を等しくすることによつて実現してい
る。またホイートストンブリツジ回路を形成する
各ストレンゲージ抵抗体パターン１０〜１３は一
般にその抵抗値が等しくなつており、従つて抵抗
体パターン１１と１３とを接続する端子リードパ
ターン１４及び抵抗体パターン１０と１２とを接
続する端子リードパターン１４の電位は前記ガイ
ドパターン１７の電位と等しくなつている。 Then, on the insulating coating 9 are strain gauge resistor patterns 10 to 13 and terminal lead patterns 1.
4. The voltage dividing resistor patterns 15 and 16 and the guard pattern 17 are each formed by directly laminating metal materials. The strain gauge resistor patterns 10 to 13 are provided to face the maximum strain generating portions 5A and 5B having the same amount of strain in the strain generating portion region 5, and are formed of, for example, a Ni--Cr alloy. In addition, one of the maximum strain-generating parts 5A generates the maximum elongation strain when the load W is applied to the action piece 6, and the other maximum strain-generating part 5B is a part that also generates the maximum compressive strain when the load W is applied. be. Each of these resistor patterns 10
- 13 all have a zigzag shape as shown in FIG. The terminal lead pattern 14, the voltage dividing resistor patterns 15 and 16, and the guard pattern 17 are all directly laminated on the metal layer A, such as a Ni-Cr alloy, which forms the strain gauge resistor patterns 10 to 13. A metal layer B such as Au is formed. The terminal lead pattern 14 is connected to the input terminals 14A, 14.
B and output terminals 14C, 14D, as well as strain gauge resistor patterns 10 to 1.
3 are connected to each other to form the Wheatstone bridge circuit shown in FIG.
The voltage dividing resistor patterns 15 and 16 are both fourth
As shown in the figure, it has a zigzag shape, connects the input terminals 14A and 14B, and has an intermediate potential of the voltage V 1 between these terminals 14A and 14B, e.g.
V 1 /2 is applied to the guide pattern 17. This is the voltage dividing resistor pattern 15,1
This is achieved by making the resistance values of 6 equal. Further, each of the strain gauge resistor patterns 10 to 13 forming the Wheatstone bridge circuit generally has the same resistance value, and therefore the terminal lead pattern 14 connecting the resistor patterns 11 and 13 and the resistor pattern 10 The potential of the terminal lead pattern 14 connecting with the guide pattern 12 is equal to the potential of the guide pattern 17.
そして抵抗体パターン１１と１３とを接続する
端子リードパターン１４と抵抗体パターン１０と
１２とを接続する端子リードパターン１４との間
から出力電圧V0を取出すようになつている。 The output voltage V 0 is extracted from between the terminal lead pattern 14 that connects the resistor patterns 11 and 13 and the terminal lead pattern 14 that connects the resistor patterns 10 and 12.
前記ガイドパターン１７は第４図に示すよう
に、前記出力端子１４Ｃを含みその出力端子１４
Ｃと前記抵抗体パターン１０，１２を接続する端
子リードパターン１４及び前記出力端子１４Ｄを
含みその出力端子１４Ｄと前記抵抗体パターン１
３，１１を接続する端子リードパターン１４を包
囲するように配置されている。なお、図中１７ａ
はボンデング結線部であるとともに、説明の都合
上第４図中において他のパターンとの判別を容易
にするためにガードパターン１７は斜線を付して
表示してあり、これは断面を示したものではな
い。 The guide pattern 17 includes the output terminal 14C, as shown in FIG.
C and the resistor patterns 10 and 12, including a terminal lead pattern 14 and the output terminal 14D, and the output terminal 14D and the resistor pattern 1.
It is arranged so as to surround the terminal lead pattern 14 connecting the terminals 3 and 11. In addition, 17a in the figure
is a bonding connection part, and for convenience of explanation, the guard pattern 17 is shown with diagonal lines in order to easily distinguish it from other patterns in FIG. 4, and this is a cross-sectional view. isn't it.
なお、以上の構成のロードセルは例えば次のよ
うにして製造される。 Note that the load cell having the above configuration is manufactured, for example, as follows.
まず、第６図Ａのように、切削加工により得ら
れたビーム体１の上面を脱脂洗浄し、この面上に
粘度1000cp程度に調整されたワニス状のポリイ
ミド樹脂液を滴下する。このビーム体１をスピン
ナにより1600rpm程度の速度で回転させることに
より、絶縁被膜材料を４〜5μｍ程度の厚さに調
整して塗布する。次に、このビーム体１を、まず
100℃で約１時間加熱処理して、絶縁被膜材料中
の溶剤を除去した後、更に250℃で約５時間加熱
処理して、硬質な絶縁被膜９を形成する。次に、
この絶縁被膜９上に、蒸着又はスパツタリングに
より金属層ＡおよびＢを次々に直接積層形成す
る。勿論、各々の層Ａ，Ｂの厚みは数μｍ以下に
適当に定められる。 First, as shown in FIG. 6A, the upper surface of the beam body 1 obtained by cutting is degreased and cleaned, and a varnish-like polyimide resin liquid adjusted to a viscosity of about 1000 cp is dropped onto this surface. By rotating this beam body 1 with a spinner at a speed of about 1600 rpm, the insulating coating material is applied to a thickness of about 4 to 5 μm. Next, this beam body 1 is first
After heat treatment at 100° C. for about 1 hour to remove the solvent in the insulating coating material, heat treatment is further performed at 250° C. for about 5 hours to form a hard insulating coating 9. next,
Metal layers A and B are directly laminated one after another on this insulating film 9 by vapor deposition or sputtering. Of course, the thickness of each layer A, B is appropriately determined to be several μm or less.
次に、第６図Ｂのように、金属層Ａ，Ｂに対し
て夫々の金属に適したエツチング液を用いて順次
フオトエツチングを行ない、各パターン１０〜１
７となる部分を残して他を除去することにより、
金属層Ａ，Ｂよりなる所定のパターンを現出させ
る。このことにより、端子リードパターン１４、
分圧用抵抗体パターン１５，１６およびガードパ
ターン１７が形成される。 Next, as shown in FIG. 6B, the metal layers A and B are sequentially photoetched using an etching solution suitable for each metal, and each pattern 10 to 1 is etched.
By leaving the part that is 7 and removing the others,
A predetermined pattern consisting of metal layers A and B is revealed. As a result, the terminal lead pattern 14,
Voltage dividing resistor patterns 15 and 16 and guard pattern 17 are formed.
この後、第６図Ｃのように金属層Ｂに適したエ
ツチング液を用いてフオトエツチングを行ないス
トレンゲージ抵抗体パターン１０〜１３に対向す
る金属層Ｂを除去し、同パターン１０〜１３を現
出形成する。 Thereafter, as shown in FIG. 6C, photo-etching is performed using an etching solution suitable for the metal layer B to remove the metal layer B facing the strain gauge resistor patterns 10 to 13 to reveal the same patterns 10 to 13. To form.
最後、第６図Ｄのようにガードパターン１７の
一部を金等によりなるリード線をボンデング結線
１７ａする。 Finally, as shown in FIG. 6D, a lead wire made of gold or the like is connected to a part of the guard pattern 17 by bonding 17a.
以上でロードセルが完成されるが、必要により
金属層を安定させるための熱処理を、適当な時期
に施してもよいことともに、耐候性を向上させる
ためにボンデング結線後に、絶縁被膜をオーバー
コーテイングしても差支えない。 The load cell is completed as described above, but if necessary, heat treatment may be performed at an appropriate time to stabilize the metal layer, and an insulating film may be overcoated after bonding to improve weather resistance. No problem.
このような構成の本実施例においては、入力端
子１４Ａ，１４Ｂ間電圧V1の1/2の電圧をガイド
パターン１７に印加し、そのガイドパターン１７
によつて少なくとも出力端子１４Ｃを含みその出
力端子１４Ｃと抵抗体パターン１０，１２を接続
する端子リードパターン１４及び出力端子１４Ｄ
を含みその出力端子１４Ｄと抵抗体パターン１
３，１１を接続する端子リードパターン１４を包
囲しているので、入力端子１４Ａに接続されてい
る端子リードパターン１４から抵抗体パターン１
０，１３側にリーク電流が流れることはなく、リ
ーク電流はすべてガイドパターン１７に流れるよ
うになる。従つてホイートストンブリツジ回路の
出力がリーク電流によつて影響されることはなく
出力精度の向上を図ることができる。 In this embodiment having such a configuration, a voltage of 1/2 of the voltage V 1 between the input terminals 14A and 14B is applied to the guide pattern 17, and the guide pattern 17
A terminal lead pattern 14 including at least an output terminal 14C and connecting the output terminal 14C and the resistor patterns 10, 12 and an output terminal 14D.
including its output terminal 14D and resistor pattern 1
Since it surrounds the terminal lead pattern 14 that connects the terminals 3 and 11, the resistor pattern 1 is connected to the terminal lead pattern 14 connected to the input terminal 14A.
No leakage current flows to the 0 and 13 sides, and all leakage current flows to the guide pattern 17. Therefore, the output of the Wheatstone bridge circuit is not affected by leakage current, and output accuracy can be improved.
例えば抵抗１３及び１０にそれぞれ流れる電流
をi1，i2とし、また抵抗１３及び１０にそれぞれ
発生する電圧をv1，v2とすると、出力電圧V0は
V0＝v2−v1＝i2・R10−i1・R13
となる。なお、R10は抵抗１０の抵抗値、R13は
抵抗１３の抵抗値である。 For example, if the currents flowing through the resistors 13 and 10 are i 1 and i 2 , and the voltages generated across the resistors 13 and 10 are v 1 and v 2 , respectively, then the output voltage V 0 is V 0 = v 2 − v 1 = i 2・R 10 −i 1・R 13 . Note that R 10 is the resistance value of the resistor 10 and R 13 is the resistance value of the resistor 13.
ここでリーク電流ilが入力端子１４Ａに接続さ
れた端子リードパターン１４から抵抗１２と１０
とを接続した端子リードパターン１４を介して抵
抗１０に流れたとすると、そのときの出力電圧
V0′は、このとき抵抗１０の両端に発生する電圧
をv2′とすると、
V0′＝v2′−v1
＝（i2＋il）・R10−i1・R13
となる。これによりV0′−V0＝il・R10となり、出
力電圧が変化することになる。 Here, the leakage current il flows from the terminal lead pattern 14 connected to the input terminal 14A to the resistors 12 and 10.
If the current flows to the resistor 10 via the terminal lead pattern 14 connected to the
V 0 ' is expressed as V 0 '=v 2 '-v 1 =(i 2 +il)·R 10 -i 1 ·R 13 , where v 2 ' is the voltage generated across the resistor 10 at this time. As a result, V 0 ′−V 0 =il·R 10 , and the output voltage changes.
これは入力端子１４Ａに接続された端子リード
パターン１４と抵抗１２と１０とを接続する端子
リードパターン１４との間に電位差がありリーク
電流ilが流れるためである。 This is because there is a potential difference between the terminal lead pattern 14 connected to the input terminal 14A and the terminal lead pattern 14 connecting the resistors 12 and 10, and a leakage current il flows.
そこでガイドパターン１７の電位を抵抗１２と
１０の接続点と同じ程度の電位となるように
V1／２に設定することによつてリーク電流ilを抵
抗１２と１０とを接続した端子リードパターン１
４ではなくガイドパターン１７に流すことができ
る。 Therefore, the potential of the guide pattern 17 is set to be about the same potential as the connection point of the resistors 12 and 10.
By setting the leakage current il to V 1 /2, the terminal lead pattern 1 connects the resistors 12 and 10.
The guide pattern 17 can be used instead of the guide pattern 4.
以上のことは入力端子１４Ａに接続された端子
リードパターン１４と抵抗１１と１３とを接続し
た端子リードパターン１４との間でも同様であ
る。 The above also applies to the terminal lead pattern 14 connected to the input terminal 14A and the terminal lead pattern 14 connected to the resistors 11 and 13.
こうして抵抗１０や１３にリーク電流が流れる
のをガイドパターン１７によつて防止することが
できる。すなわち出力端子１４Ｃ，１４Ｄ及びこ
の出力端子側の端子リードパターン１４の部分
を、入力電圧に対して保護でき、出力精度を向上
できる。 In this way, the guide pattern 17 can prevent leakage current from flowing through the resistors 10 and 13. That is, the output terminals 14C, 14D and the terminal lead pattern 14 on the output terminal side can be protected against input voltage, and output accuracy can be improved.
なお、上記一実施例は以上のように構成した
が、本発明においては、必要によりスパン調整用
抵抗体パターン、ブリツジバランス調整用抵抗体
パターン、その他の抵抗体パターンを追加して実
施してもよい。その他、本発明の実施に当つて
は、ビーム体、起歪部領域、端子リードパター
ン、ストレンゲージ抵抗体パターン、ガードパタ
ーン等の具体的な構造、形状、位置および材質等
は、発明の要旨に反しない限り上記一実施例に制
約されるものではなく、種々の態様に構成して実
施できることは勿論である。 Although the above-mentioned embodiment is configured as described above, in the present invention, a resistor pattern for span adjustment, a resistor pattern for bridge balance adjustment, and other resistor patterns may be added and implemented as necessary. Good too. In addition, when implementing the present invention, the specific structures, shapes, positions, materials, etc. of the beam body, strain-generating region, terminal lead pattern, strain gauge resistor pattern, guard pattern, etc. are not related to the gist of the invention. It goes without saying that the present invention is not limited to the above-mentioned embodiment as long as it does not contradict the above, and that it can be implemented in various ways.
以上詳述したようにこの発明によれば、出力精
度を向上させることができるロードセルを提供で
きるものである。 As described in detail above, according to the present invention, it is possible to provide a load cell that can improve output accuracy.
図面は本発明の一実施例を示し、第１図は斜視
図、第２図は荷重作用時における断面図、第３図
は電気回路図、第４図は各パターンの詳細を示す
拡大平面図、第５図は第４図中―線に沿う断
面図、第６図Ａ〜Ｄは製造方法を順に追つて示す
説明図である。
１…ビーム体、６…起歪部領域、９…絶縁被
膜、１０〜１３…ストレンゲージ抵抗体パター
ン、１４…端子リードパターン、１４Ａ，１４Ｂ
…入力端子、１４Ｃ，１４Ｄ…出力端子、１５，
１６…分圧用抵抗体パターン、１７…ガードパタ
ーン。
The drawings show one embodiment of the present invention; FIG. 1 is a perspective view, FIG. 2 is a sectional view when a load is applied, FIG. 3 is an electric circuit diagram, and FIG. 4 is an enlarged plan view showing details of each pattern. , FIG. 5 is a sectional view taken along the line ``--'' in FIG. 4, and FIGS. 6A to 6D are explanatory diagrams sequentially showing the manufacturing method. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1... Beam body, 6... Strain-generating part area, 9... Insulating coating, 10-13... Strain gauge resistor pattern, 14... Terminal lead pattern, 14A, 14B
...Input terminal, 14C, 14D...Output terminal, 15,
16... Resistor pattern for voltage division, 17... Guard pattern.
Claims (1)
成した絶縁被膜上に、金属材料を直接積層して少
なくとも端子リードパターン、およびビーム体の
起歪部領域に配置されかつ端子リードパターンで
接続されてホイートストンブリツジ回路を形成す
る少なくとも４つの抵抗体パターンを設け、この
各抵抗体パターンをそれぞれ接続する端子リード
パターンの対向する一方の２パターン間に直流の
入力電圧を印加するとともに対向する他方の２パ
ターン間から出力電圧を取出すロードセルにおい
て、少なくとも上記出力電圧を取出す２つの端子
リードパターンを包囲するとともに上記入力電圧
の中間電位に設定されたガイドパターンを設けて
なることを特徴とするロードセル。1 A metal material is directly laminated on the insulating coating formed directly on the beam body on which the load to be measured acts, and is arranged at least in the terminal lead pattern and in the strain-generating region of the beam body and connected by the terminal lead pattern. At least four resistor patterns forming a Wheatstone bridge circuit are provided, and a direct current input voltage is applied between two opposing terminal lead patterns connecting each of the resistor patterns, and a DC input voltage is applied between the two opposing terminal lead patterns. A load cell that extracts an output voltage from between patterns, characterized in that a guide pattern is provided that surrounds at least two terminal lead patterns from which the output voltage is extracted and is set to an intermediate potential of the input voltage.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP321282A JPS58120139A (en) | 1982-01-12 | 1982-01-12 | Load cell |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP321282A JPS58120139A (en) | 1982-01-12 | 1982-01-12 | Load cell |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58120139A JPS58120139A (en) | 1983-07-16 |
| JPS648289B2 true JPS648289B2 (en) | 1989-02-13 |
Family
ID=11551133
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP321282A Granted JPS58120139A (en) | 1982-01-12 | 1982-01-12 | Load cell |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58120139A (en) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60213838A (en) * | 1984-04-09 | 1985-10-26 | Tokyo Electric Co Ltd | Load cell |
| US4527434A (en) * | 1984-05-10 | 1985-07-09 | The Babcock & Wilcox Company | Cylindrical force transducer beam |
| EP0164862B1 (en) * | 1984-05-17 | 1989-10-11 | Tokyo Electric Co., Ltd. | Strain-gauged load cell |
-
1982
- 1982-01-12 JP JP321282A patent/JPS58120139A/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58120139A (en) | 1983-07-16 |
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