JPS5975104A - 歪センサ - Google Patents
歪センサInfo
- Publication number
- JPS5975104A JPS5975104A JP18585682A JP18585682A JPS5975104A JP S5975104 A JPS5975104 A JP S5975104A JP 18585682 A JP18585682 A JP 18585682A JP 18585682 A JP18585682 A JP 18585682A JP S5975104 A JPS5975104 A JP S5975104A
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- Japan
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- pattern
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- beam body
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- Measurement Of Force In General (AREA)
- Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、たとえば電子秤に用いられる歪センサに関す
る。
る。
〔発明の技術的背景およびその問題点〕従来の薄膜抵抗
体により形成された歪センサにおいては、ストレンゲー
ジ抵抗体としてＮｉＣｒ ＋ＮｉＣｒサーメットが用い
られ、ストレンゲージ・ビーム体間の絶縁層には５ｉＯ
ｚやＴａ２０５などの無機酸化物層が用いられている。
体により形成された歪センサにおいては、ストレンゲー
ジ抵抗体としてＮｉＣｒ ＋ＮｉＣｒサーメットが用い
られ、ストレンゲージ・ビーム体間の絶縁層には５ｉＯ
ｚやＴａ２０５などの無機酸化物層が用いられている。
この場合、ストレンゲージ抵抗体はゼロ点の温度ドリフ
トラ少くするために抵抗の温度係数を極力小さくしなけ
ればならないが、ＮｉＣｒ−？ＮｉＣｒサーメットは膜
形成時の真空度依存性が太きいため、温度係数のバラツ
キを小さくすることは容易でない。また、絶縁層として
上述した無機酸化物を用いた場合ビーム体表面の傷やピ
ンホールの影響を受けやすく絶縁不良が生じ易い。そし
て、歪センサとして使用するとき、ビーム体の伸縮によ
υＴａｚＯｓなどは柔軟性に乏しいため、大きな衝撃が
ビーム体に加わったときなどクラック等が発生し易い。
トラ少くするために抵抗の温度係数を極力小さくしなけ
ればならないが、ＮｉＣｒ−？ＮｉＣｒサーメットは膜
形成時の真空度依存性が太きいため、温度係数のバラツ
キを小さくすることは容易でない。また、絶縁層として
上述した無機酸化物を用いた場合ビーム体表面の傷やピ
ンホールの影響を受けやすく絶縁不良が生じ易い。そし
て、歪センサとして使用するとき、ビーム体の伸縮によ
υＴａｚＯｓなどは柔軟性に乏しいため、大きな衝撃が
ビーム体に加わったときなどクラック等が発生し易い。
さらに、導体層としてＡｕが用いられているが高価とな
る。
る。
本発明は、このような点に鑑みなされたもので、高精度
で信頼性が高く安価な歪センサを得ることを目的とする
。
で信頼性が高く安価な歪センサを得ることを目的とする
。
本発明は、ビーム体上に絶縁樹脂層、ＮｉＣｒＳｉを主
成分とする第一抵抗層、Ｃｒヲ主成分とする第二抵抗層
およびＣｕヲ主成分とする導体層を順次積層形成し、フ
ォトエツチングにより所定のパターンを形成することに
より、これらの組合せの特性面から歪センサに好適とな
り、パターン形成も容易となるように構成したものであ
る。
成分とする第一抵抗層、Ｃｒヲ主成分とする第二抵抗層
およびＣｕヲ主成分とする導体層を順次積層形成し、フ
ォトエツチングにより所定のパターンを形成することに
より、これらの組合せの特性面から歪センサに好適とな
り、パターン形成も容易となるように構成したものであ
る。
本発明の一実施例を図面に基づいて説明する。
まず、第１図は歪センサの概略を示すもので、ジュラル
ミンや５ＵＳ６３０などを機械加工してなるビーム体（
１）には溝（２）により連結されつつ薄肉変形部（３）
（４）を形成する穴（５） （６）が形成されている。
ミンや５ＵＳ６３０などを機械加工してなるビーム体（
１）には溝（２）により連結されつつ薄肉変形部（３）
（４）を形成する穴（５） （６）が形成されている。
そして、ビーム体（１）の上面には歪センサ回路（７）
がパターン形成されており、ストレンゲージ抵抗体（８
α）（８４）（８０）（８ｄ）は薄肉変形部（３） （
４）上に設けられている。
がパターン形成されており、ストレンゲージ抵抗体（８
α）（８４）（８０）（８ｄ）は薄肉変形部（３） （
４）上に設けられている。
また、（９）は温度センサであシビーム体（１）の変形
量の温度による変化を補償する抵抗体である。これらの
ストレンゲージ抵抗体（８ａ）（８４）（８ｃ）（８ｄ
）や温度センサ（９）はリードパターン（１０）により
互いに連結され、第２図に示すような歪センサ回路が形
成され □ている。
量の温度による変化を補償する抵抗体である。これらの
ストレンゲージ抵抗体（８ａ）（８４）（８ｃ）（８ｄ
）や温度センサ（９）はリードパターン（１０）により
互いに連結され、第２図に示すような歪センサ回路が形
成され □ている。
また、ビーム体（１）にはベース０ηに対する取付用の
孔（２）が形成され、先端側には荷重が印加される金具
が接続される孔α１が形成されている。第３図は荷重が
印加されたときの変形の様子を示すもので、今荷重Ｗが
印加されるとビーム体（１）は変形シ、ストレンゲージ
抵抗体（８ｃＬ）（８４）は引張り歪を受け、ストレン
ゲージ抵抗体（８ｃ）（８ｄ）は圧縮歪を受け、それぞ
れの抵抗値が変化し、歪センサ回路に出力電圧が発生す
るというものである。
孔（２）が形成され、先端側には荷重が印加される金具
が接続される孔α１が形成されている。第３図は荷重が
印加されたときの変形の様子を示すもので、今荷重Ｗが
印加されるとビーム体（１）は変形シ、ストレンゲージ
抵抗体（８ｃＬ）（８４）は引張り歪を受け、ストレン
ゲージ抵抗体（８ｃ）（８ｄ）は圧縮歪を受け、それぞ
れの抵抗値が変化し、歪センサ回路に出力電圧が発生す
るというものである。
しかして、歪センサ回路の形成について第４図々いし第
６図により説明する。まず、ビーム体（１）のパターン
形成面を平坦に研磨し清浄に洗浄した後、１０００ｃｐ
の粘度をもつフェス状のポリイミド樹脂を滴下し、ビー
ム体（１）をスピンナにより約１６００ｒｐｍの回転速
度で回転させてポリイミド樹脂をパターン形成面に均一
に塗布する。その後、１００℃で１時間乾燥後、２００
℃で１時間加熱硬化することにより厚さ４μのポリイミ
ド樹脂からなる絶縁拉］脂層０４ヲ形成する。ついで、
スパッタリングにより、この絶縁樹脂層Ｑ→上に厚さ１
０００ＸのＮｉ（：ｒＳｉ層（Ｎｉニア０．Ｃｒ：２０
．Ｓｉ：１０）を形成して第一抵抗層α９とする。さら
に、第二抵抗層αＱとして厚さ１μのＣｒ膜層を形成し
、その表面に導体層α乃として厚さ２μのＣｕ膜層を形
成する。第４図はこのようにして得られた積層体を示す
。ここで、スパッタリング条件は、初期到達真空度６×
１０Ｔｏｒｒ、アルゴン分圧Ｐａｒ ＝ ４ ｘ １Ｏ
−３Ｔｏｒｒとし、スパッタリング出力にはＤｏ電源を
使用する。
６図により説明する。まず、ビーム体（１）のパターン
形成面を平坦に研磨し清浄に洗浄した後、１０００ｃｐ
の粘度をもつフェス状のポリイミド樹脂を滴下し、ビー
ム体（１）をスピンナにより約１６００ｒｐｍの回転速
度で回転させてポリイミド樹脂をパターン形成面に均一
に塗布する。その後、１００℃で１時間乾燥後、２００
℃で１時間加熱硬化することにより厚さ４μのポリイミ
ド樹脂からなる絶縁拉］脂層０４ヲ形成する。ついで、
スパッタリングにより、この絶縁樹脂層Ｑ→上に厚さ１
０００ＸのＮｉ（：ｒＳｉ層（Ｎｉニア０．Ｃｒ：２０
．Ｓｉ：１０）を形成して第一抵抗層α９とする。さら
に、第二抵抗層αＱとして厚さ１μのＣｒ膜層を形成し
、その表面に導体層α乃として厚さ２μのＣｕ膜層を形
成する。第４図はこのようにして得られた積層体を示す
。ここで、スパッタリング条件は、初期到達真空度６×
１０Ｔｏｒｒ、アルゴン分圧Ｐａｒ ＝ ４ ｘ １Ｏ
−３Ｔｏｒｒとし、スパッタリング出力にはＤｏ電源を
使用する。
このようにして形成された積層体につき、フォトエツチ
ングにより所定のパターンを得る。まず、第５図（ｃＬ
）に示すようにフォトレジストで所定のパターンを形成
後、このパターン部以外の領域のＣｕ。
ングにより所定のパターンを得る。まず、第５図（ｃＬ
）に示すようにフォトレジストで所定のパターンを形成
後、このパターン部以外の領域のＣｕ。
Ｃｒ、Ｎｉ（：：ｒＳｉをそれぞれのエラチャン）ｋ用
いてエツチングし、図示のよう々パターンを得る。ここ
で、パターン部以外の領域はポリイミド樹脂層、すなわ
ち絶縁樹脂層α４が露出する。ここに、最後ノＮｉＣｒ
Ｓｉ層のエツチングにおいてフッ化水酸塩化第二鉄系の
エッチャントを用いるものであり、ポリイミド樹脂はこ
のエッチャントには侵されることなく最適である。ちな
みに、公知の絶縁層であるＳｉＯ２層の場合にはフッ化
水酸塩化第二鉄系の侵蝕が激しく使用できない。つづい
て、第５図（揃に示すように、ストレンゲージ抵抗体（
８α）（ｓ汐）（ｓｃ）（８ｄ）、温度センサ（９）上
層のＣｕ層ヲＣｕのエッチャントを用いてエツチングし
、図示のようなパターンを得る。これによシ、パターン
上の必要箇所にはＣｒ膜が露出することになる。この場
合、Ｃｕのエッチャントは塩化紀二鉄系のものであり、
このエッチャントによＦ）Ｃｒ膜を侵蝕することがない
ため、上述のような選択エツチングが可能であり、この
膜構成は好都合である。このプロセスにより温度センサ
（９）が完成する。さらに、第５図（Ｏｌに示すように
、ストレンゲージ抵抗体（８ｃＬ）（８４）（８ｃ）（
８ｉ）に積層されているｃｒｒｔａをＣｒのエッチャン
トでエツチングすることにより 、ＮｉＣｒＳｉによる
第一抵抗層０９が露出し、歪センサ回路が完成される。
いてエツチングし、図示のよう々パターンを得る。ここ
で、パターン部以外の領域はポリイミド樹脂層、すなわ
ち絶縁樹脂層α４が露出する。ここに、最後ノＮｉＣｒ
Ｓｉ層のエツチングにおいてフッ化水酸塩化第二鉄系の
エッチャントを用いるものであり、ポリイミド樹脂はこ
のエッチャントには侵されることなく最適である。ちな
みに、公知の絶縁層であるＳｉＯ２層の場合にはフッ化
水酸塩化第二鉄系の侵蝕が激しく使用できない。つづい
て、第５図（揃に示すように、ストレンゲージ抵抗体（
８α）（ｓ汐）（ｓｃ）（８ｄ）、温度センサ（９）上
層のＣｕ層ヲＣｕのエッチャントを用いてエツチングし
、図示のようなパターンを得る。これによシ、パターン
上の必要箇所にはＣｒ膜が露出することになる。この場
合、Ｃｕのエッチャントは塩化紀二鉄系のものであり、
このエッチャントによＦ）Ｃｒ膜を侵蝕することがない
ため、上述のような選択エツチングが可能であり、この
膜構成は好都合である。このプロセスにより温度センサ
（９）が完成する。さらに、第５図（Ｏｌに示すように
、ストレンゲージ抵抗体（８ｃＬ）（８４）（８ｃ）（
８ｉ）に積層されているｃｒｒｔａをＣｒのエッチャン
トでエツチングすることにより 、ＮｉＣｒＳｉによる
第一抵抗層０９が露出し、歪センサ回路が完成される。
ここで、Ｃｒ膜のエツチングは硝酸セリウム第ニアンモ
ニウム−過酸化水素系を用いるが、このエッチャントに
よｐＮｉ（：：ｒＳｉ膜が侵蝕されることがなく、上述
した選択エツチングが可能となる。第６図は第５図（Ｃ
）のｘ −ｘ’断面図を示す。この第６図に示すように
、リードパターン（１１層はＮｉＣｒ５ ｉ ／Ｃｒ／
Ｃｕの積層体であり、温度センサ（９）はＮｉＣｒＳｉ
／Ｃｒの積層体であり、ストレンゲージ抵抗体（８ａ）
（８４）（８ｃ）（８ｄ）はＮｉＣｒＳｉ層のみにより
構成されることになる。
ニウム−過酸化水素系を用いるが、このエッチャントに
よｐＮｉ（：：ｒＳｉ膜が侵蝕されることがなく、上述
した選択エツチングが可能となる。第６図は第５図（Ｃ
）のｘ −ｘ’断面図を示す。この第６図に示すように
、リードパターン（１１層はＮｉＣｒ５ ｉ ／Ｃｒ／
Ｃｕの積層体であり、温度センサ（９）はＮｉＣｒＳｉ
／Ｃｒの積層体であり、ストレンゲージ抵抗体（８ａ）
（８４）（８ｃ）（８ｄ）はＮｉＣｒＳｉ層のみにより
構成されることになる。
したがって、本実施例によれば、ＮｉＣｒＳｉ層からな
る第一抵抗層００は約２００μΩｍと比抵抗が大きく、
かつ、抵抗温度係数が数ｐｐｍ／℃と小さいため、スト
レンゲージ抵抗体（８ａ）（８−ｅｒ）（８０）（８ｄ
）として好適である。さらに、スパッタリング形成時、
真空度、アルゴン分圧、スパッタリング速度等の形成条
件の依存性が少ないため製造が容易である。また、Ｃｒ
膜は抵抗温度係数が膜厚１μのとき３０００ｐｐｒｒＶ
／℃と大きいため、温度センサ（９）として好適である
。
る第一抵抗層００は約２００μΩｍと比抵抗が大きく、
かつ、抵抗温度係数が数ｐｐｍ／℃と小さいため、スト
レンゲージ抵抗体（８ａ）（８−ｅｒ）（８０）（８ｄ
）として好適である。さらに、スパッタリング形成時、
真空度、アルゴン分圧、スパッタリング速度等の形成条
件の依存性が少ないため製造が容易である。また、Ｃｒ
膜は抵抗温度係数が膜厚１μのとき３０００ｐｐｒｒＶ
／℃と大きいため、温度センサ（９）として好適である
。
しかも、Ｃｕは比抵抗が小さく （２〜３Ｘ１０’Ωｃ
ｒｎ）、パターン形成後もリード線半田付けが可能であ
って安価でリードパターン０１として適している。結局
、ポリイミド樹脂層／ＮｉＣｒＳｉ層／Ｃｒ層／Ｃｕ層
の膜構成によれば、それらの特性面から歪センサとして
好適であり、かつ、選択エツチングによるパターン形成
で容易であるため、この面からも歪センサとして好適で
ある。
ｒｎ）、パターン形成後もリード線半田付けが可能であ
って安価でリードパターン０１として適している。結局
、ポリイミド樹脂層／ＮｉＣｒＳｉ層／Ｃｒ層／Ｃｕ層
の膜構成によれば、それらの特性面から歪センサとして
好適であり、かつ、選択エツチングによるパターン形成
で容易であるため、この面からも歪センサとして好適で
ある。
なお、本実施例では絶縁樹脂層α荀としてポリイミド樹
脂を用いたが、環化系ポリブタジェンゴムを用いてもよ
い。まず、ビーム体（１）のパターン形成面を平滑に研
磨し清浄に洗浄した後、粘度３００ｅｐに調整されたフ
ェス状の環化系ポリブタジェンゴムを滴下し、ビーム体
（１）をスピンナにより約１６０Ｏｒｐｍの回転速度で
回転させて環化系ポリブタジェンゴムをパターン形成面
に均一に塗布する。
脂を用いたが、環化系ポリブタジェンゴムを用いてもよ
い。まず、ビーム体（１）のパターン形成面を平滑に研
磨し清浄に洗浄した後、粘度３００ｅｐに調整されたフ
ェス状の環化系ポリブタジェンゴムを滴下し、ビーム体
（１）をスピンナにより約１６０Ｏｒｐｍの回転速度で
回転させて環化系ポリブタジェンゴムをパターン形成面
に均一に塗布する。
そして、８０℃で３０分溶剤を蒸発させた後、１８０℃
で１時間加熱硬化させることにより厚さ４μの環化系ポ
リブタジェンゴム膜を形成する。ついで、ポリイミド樹
脂の場合と同様に、スパッタリングによシ第−、二抵抗
層ぐ９αＱ、導体層０ηを形成した後、フォトエツチン
グによシ所定のパターンが形成される。この場合にもエ
ツチングに際し、環化系ポリブタジェンゴム膜がエッチ
ャントにより侵蝕されるととはない。
で１時間加熱硬化させることにより厚さ４μの環化系ポ
リブタジェンゴム膜を形成する。ついで、ポリイミド樹
脂の場合と同様に、スパッタリングによシ第−、二抵抗
層ぐ９αＱ、導体層０ηを形成した後、フォトエツチン
グによシ所定のパターンが形成される。この場合にもエ
ツチングに際し、環化系ポリブタジェンゴム膜がエッチ
ャントにより侵蝕されるととはない。
ところで、リードパターン（１０の抵抗値を小さくする
には、パターン幅を犬きくするか、膜厚を厚くすること
が考えられる。この場合、小型歪センサなどのようにパ
ターン面積が限定されるときには、リードパターン（１
１の膜厚を厚くすることが必要となる。ところが、たと
えば導体層０７）としてのＣｕ層を３μから５μの膜厚
にすると、膜形成時の歪が蓄積されて剥離等の現象がし
ばしば発生する。一方、歪の少ない導体層材料としてＡ
ｕ−？Ａ／が公知であるが、Ａｕは高価であ、ｌ 、
ＡＩ！では半田付けできないものである。このよう力場
台、導体層０７）としてはＡｔ −Ｃｕ層を用いればよ
い。たとえば、絶縁樹脂層Ｑ４１ ＝ ４／Ｊ 、 Ｎ
ｉＣｒＳｉ層＝ｏ、ｔμ、Ｃｒ層＝１／ｊ、ＡＩ！層＝
５μ。
には、パターン幅を犬きくするか、膜厚を厚くすること
が考えられる。この場合、小型歪センサなどのようにパ
ターン面積が限定されるときには、リードパターン（１
１の膜厚を厚くすることが必要となる。ところが、たと
えば導体層０７）としてのＣｕ層を３μから５μの膜厚
にすると、膜形成時の歪が蓄積されて剥離等の現象がし
ばしば発生する。一方、歪の少ない導体層材料としてＡ
ｕ−？Ａ／が公知であるが、Ａｕは高価であ、ｌ 、
ＡＩ！では半田付けできないものである。このよう力場
台、導体層０７）としてはＡｔ −Ｃｕ層を用いればよ
い。たとえば、絶縁樹脂層Ｑ４１ ＝ ４／Ｊ 、 Ｎ
ｉＣｒＳｉ層＝ｏ、ｔμ、Ｃｒ層＝１／ｊ、ＡＩ！層＝
５μ。
Ｃｕ層＝１μに積層形成した後、前述したプロセスによ
る選択エツチングで所定のパターンが得られたものであ
る。すなわち、歪のない厚膜化がＡＩ！層により達成さ
れ、半田付けはＣｕ層の存在により確保される。この場
合、ＡＩ！のエッチャントはリン酸−酢酸系のエッチャ
ントが用いられ、これによればＴｉ膜を侵蝕することな
く選択エツチングが可能となる。なおこのような４層の
積層構造ＮｉＣｒＳｉ ／Ｃｒ／Ａｔ／Ｃｕは、すべて
同一真空槽内で真空を破らずに連続して積層される場合
は相互の膜間の密着性は良好であるが、Ｎｉ（：：ｒＳ
ｉ ／Ｃｒ ／Ａ７を同一真空槽内で連続して積層した
後真空槽から取出し、ｈｉＩｉｉ上にＣｕ層を積層した
場合にはＡＪ膜とＣｕ膜との間に密着不良を生じ易いこ
とがわかったものである。一方、Ｃｕ膜ｆ：積層する前
にＮｉあるいはＴｉ膜を数１００λ程度に形成し、Ｃｕ
膜を積層した場合には密着性が良好となったものである
。したがって、すべて同一真空槽内で積層形成し々い場
合には、ＮｉＣｒ５ｌ／Ｃｒ ／ Ａｌ ／Ｎｉ ／
ＣｕあるいはＮｉＣｒＳｉ ／Ｃｒ ／Ａｌ ／ Ｔｉ
／Ｃｕの層構成が望ましい。
る選択エツチングで所定のパターンが得られたものであ
る。すなわち、歪のない厚膜化がＡＩ！層により達成さ
れ、半田付けはＣｕ層の存在により確保される。この場
合、ＡＩ！のエッチャントはリン酸−酢酸系のエッチャ
ントが用いられ、これによればＴｉ膜を侵蝕することな
く選択エツチングが可能となる。なおこのような４層の
積層構造ＮｉＣｒＳｉ ／Ｃｒ／Ａｔ／Ｃｕは、すべて
同一真空槽内で真空を破らずに連続して積層される場合
は相互の膜間の密着性は良好であるが、Ｎｉ（：：ｒＳ
ｉ ／Ｃｒ ／Ａ７を同一真空槽内で連続して積層した
後真空槽から取出し、ｈｉＩｉｉ上にＣｕ層を積層した
場合にはＡＪ膜とＣｕ膜との間に密着不良を生じ易いこ
とがわかったものである。一方、Ｃｕ膜ｆ：積層する前
にＮｉあるいはＴｉ膜を数１００λ程度に形成し、Ｃｕ
膜を積層した場合には密着性が良好となったものである
。したがって、すべて同一真空槽内で積層形成し々い場
合には、ＮｉＣｒ５ｌ／Ｃｒ ／ Ａｌ ／Ｎｉ ／
ＣｕあるいはＮｉＣｒＳｉ ／Ｃｒ ／Ａｌ ／ Ｔｉ
／Ｃｕの層構成が望ましい。
本発明は、上述したようにビーム体上に絶縁樹脂層、Ｎ
ｉ（：：ｒＳｉを主成分とする第一抵抗層、Ｃｒを主成
分とする第二抵抗層およびＣｕｔ主成分とする導体層を
順次積層形成し、フォトエツチングにより所定のパター
ンを形成したので、これらの層組合せに基づく特性面の
利点から歪センサに好適となり、パターン形成も容易で
あｐ、よって、高精度で信頼性の高い安価なものを提供
できるものである。
ｉ（：：ｒＳｉを主成分とする第一抵抗層、Ｃｒを主成
分とする第二抵抗層およびＣｕｔ主成分とする導体層を
順次積層形成し、フォトエツチングにより所定のパター
ンを形成したので、これらの層組合せに基づく特性面の
利点から歪センサに好適となり、パターン形成も容易で
あｐ、よって、高精度で信頼性の高い安価なものを提供
できるものである。
図面は本発明の一実施例を示すもので、第１図は斜視図
、第２図は回路図、第３図は動作状態の側面図、第４図
は要旨を示す縦断側面図、第５図（ａｌ〜（Ｏｌはフォ
トエツチングプロセスを示す平面図、第６図は第５図（
Ｇｌのｘ−ｘ’線断面図である。 １・・・ビーム体、１４・−・絶縁樹脂層、１５・・・
第一抵抗層、１６・・・第二抵抗層、１７・・・導体層
１６− ］０剛 」Ｕ図 ｑＪ６ 面 」５α 」■ Ｘ Ｋ
、第２図は回路図、第３図は動作状態の側面図、第４図
は要旨を示す縦断側面図、第５図（ａｌ〜（Ｏｌはフォ
トエツチングプロセスを示す平面図、第６図は第５図（
Ｇｌのｘ−ｘ’線断面図である。 １・・・ビーム体、１４・−・絶縁樹脂層、１５・・・
第一抵抗層、１６・・・第二抵抗層、１７・・・導体層
１６− ］０剛 」Ｕ図 ｑＪ６ 面 」５α 」■ Ｘ Ｋ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ビーム体上に絶縁樹脂層、ＮｉＣｒ５ｉ ｋ主成分
とする第一抵抗層、Ｃｒを主成分とする第二抵抗層およ
びＣｕｔ主成分とする導体層を順次積層形成し、フォト
エツチングにより所定のパターンを形成したことを特徴
とする歪センサ。 ２ 絶縁樹脂層がポリイミド樹脂により形成されること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の歪センサ。 ３ 絶縁樹脂層が環化系ポリブタジェンゴムにより形成
されることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の歪
センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18585682A JPS5975104A (ja) | 1982-10-22 | 1982-10-22 | 歪センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18585682A JPS5975104A (ja) | 1982-10-22 | 1982-10-22 | 歪センサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5975104A true JPS5975104A (ja) | 1984-04-27 |
| JPH0331201B2 JPH0331201B2 (ja) | 1991-05-02 |
Family
ID=16178070
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18585682A Granted JPS5975104A (ja) | 1982-10-22 | 1982-10-22 | 歪センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5975104A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06102143A (ja) * | 1992-02-03 | 1994-04-15 | Teledyne Ind Inc | 歪みセンサ |
| US5640178A (en) * | 1994-09-16 | 1997-06-17 | Fujitsu Limited | Pointing device |
| WO2001004594A1 (fr) * | 1999-07-09 | 2001-01-18 | Nok Corporation | Jauge de contrainte |
| JP2014071085A (ja) * | 2012-10-02 | 2014-04-21 | Honda Motor Co Ltd | 薄膜センサ |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52139992A (en) * | 1976-05-06 | 1977-11-22 | Gould Inc | Distortion meter and method of manufacture thereof |
| JPS55144501A (en) * | 1979-04-23 | 1980-11-11 | Siemens Ag | Strain gauge and making method thereof |
-
1982
- 1982-10-22 JP JP18585682A patent/JPS5975104A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Also Published As
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| JPH0331201B2 (ja) | 1991-05-02 |
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