JP2573309Y2 - 半導体圧力センサ - Google Patents

半導体圧力センサ

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JP2573309Y2
JP2573309Y2 JP1992041295U JP4129592U JP2573309Y2 JP 2573309 Y2 JP2573309 Y2 JP 2573309Y2 JP 1992041295 U JP1992041295 U JP 1992041295U JP 4129592 U JP4129592 U JP 4129592U JP 2573309 Y2 JP2573309 Y2 JP 2573309Y2
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pressure sensor
semiconductor pressure
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貴雄 加藤
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Oki Electric Industry Co Ltd
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Description

【考案の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本考案は、半導体圧力センサ、特
にトリミング抵抗を搭載した圧力センサの構造に関する
ものである。
【0002】
【従来の技術】従来、このような分野の技術としては、
例えば「Totally Integrated Se
miconductor Pressure Sens
or」Technical Digest of TH
E 10th SENSORSYMPOSIUM 19
91,pp.129〜132に記載されるものがあっ
た。
【0003】まず、図示しないが、複数個の半導体圧力
センサチップを形成したウエハを用意し、このウエハと
同形のガラス基台を用意する。そこで、ガラス基台にウ
エハを真空中で重ね合わせて静電封着技術で接合する。
次に、半導体圧力センサチップ毎に切り分ける。次い
で、半導体圧力センサチップ2を外部環境から保護する
ために、ゲル7がコーティングされる。
【0004】このようにして、構成された半導体圧力セ
ンサの概略断面が図7に示される。すなわち、ガラス基
台1上に真空部3、圧力を電気信号に変換するためのピ
エゾ抵抗4、及び圧力特性、温度特性等を調整するため
の薄膜抵抗5が形成されている。次に、ピエゾ抵抗4の
抵抗値のばらつき、ダイアフラム6の厚さのばらつき等
による、半導体圧力センサチップ2の特性のばらつき
(温度特性など)を修正するために、特性を見ながらレ
ーザ8により薄膜抵抗5のトリミングを行い抵抗値を調
整する。
【0005】
【考案が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来技術においては、半導体圧力センサチップ2上に
コーティングするゲル7が、表面張力のためにレンズ状
に形成される。このため、ピエゾ抵抗4の抵抗値のばら
つき、ダイアフラム6の厚さのばらつき等による半導体
圧力センサチップ2の特性のばらつき(温度特性など)
を修正するために、薄膜抵抗5のトリミングを行うレー
ザ光が曲げられ、薄膜抵抗5のトリミング精度が低下
し、温度特性のずれが1%程度発生してしまうといった
問題があり、技術的に満足できるものではなかった。
【0006】本考案は、以上述べたゲルのレンズ効果に
よる薄膜抵抗のレーザトリミング精度が低下するといっ
た問題点を除去するため、ゲルのレンズ効果をなくし、
トリミング精度の優れた半導体圧力センサを提供するこ
とを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】本考案は、上記目的を達
成するために、ピエゾ抵抗の抵抗値のばらつきやダイア
フラムの厚さのばらつき等による半導体圧力センサチッ
プの特性のばらつきを修正する薄膜抵抗を有する半導体
圧力センサにおいて、前記薄膜抵抗の形成領域の外側
に、一連の堤防状をなす壁と、該壁の内部に平坦にコー
ティングされるゲルを設けるようにしたものである。
【0008】
【作用】本考案によれば、上記したように、薄膜抵抗の
形成領域の外側に、一連の堤防状をなす壁を設けるよう
にしたので、その壁の内部にゲルを平坦にコーティング
することができる。したがって、ゲルのレンズ効果によ
る薄膜抵抗のレーザトリミング精度低下をなくし、トリ
ミング精度の優れた半導体圧力センサを得ることができ
る。
【0009】
【実施例】以下、本考案の実施例を図面を参照しながら
詳細に説明する。図1は本考案の実施例を示す半導体圧
力センサの概略断面図、図2はそのガラス基台の平面
図、図3はその複数の半導体圧力センサチップが形成さ
れたウエハの平面図、図4はそのガラス板の平面図、図
5は図4のA−A線断面図である。
【0010】まず、図2に示すように、オリ・フラ12
を有するガラス基台10を用意する。このガラス基台1
0は後述するが、複数の半導体圧力センサチップを有す
るウエハと同形であり、半導体圧力センサチップが分割
される時には、同じく分割される。次に、図3に示すよ
うに、複数の半導体圧力センサチップ21を有するウエ
ハ20を用意する。ここで、31はスクライブライン、
32はオリ・フラである。
【0011】更に、図4に示すように、窓44を有する
網目状(格子状)のガラス板40を用意する。ここで、
41は堤防状のガラス壁、42はスクライブライン、4
3はオリ・フラである。図4のA−A線断面を見ると、
図5に示すように、後述するが、ゲルの流れ出しを防止
し、ゲルを平坦にコーティングするためのガラス壁とな
るガラス板の断面が示されている。
【0012】そこで、図6に示すように、ヒータ71が
電源72に接続され、加熱可能な電極70上に、前記ガ
ラス板40上に同形の前記ウエハ20と前記ガラス板4
0とをそれぞれのオリ・フラを基準として位置合わせし
て載置し、真空チャンバ80内において、前記ガラス板
40にもう一方の電極73をセットして、電極73と電
極70間に電圧が印加され、静電封着技術で接合する。
ここで、前記ウエハ20のスクライブライン上に前記ガ
ラス板40の堤防状のガラス壁41が位置合わせされ、
前記ウエハ20と前記ガラス板40とは密着し、確実に
静電封着することができる。
【0013】次に、前記ウエハ20のスクライブライン
31によって半導体センサチップ毎に切り分ける。その
後、図示しないが、外部電極との接続を行った後に、半
導体圧力センサチップ21を外部環境から保護するため
に、ゲル50がコーティングされる。このようにして、
構成された半導体圧力センサの断面が図1に示される。
【0014】すなわち、ガラス基台チップ11上に真空
部22、圧力を電気信号に変換するためのピエゾ抵抗2
3及び圧力特性、温度特性等を調整するための薄膜抵抗
24が形成されている。なお、ここで、真空部22は圧
力の計測部に連通させる等各種の用途があり、必ずしも
真空にする必要はない。更に、半導体圧力センサチップ
21の周辺部には堤防状のガラス壁41が形成され、そ
の堤防状のガラス壁41の内部にゲル50を平坦にコー
ティングする。
【0015】そこで、ピエゾ抵抗23の抵抗値のばらつ
き、ダイアフラム25の厚さのばらつき等による半導体
圧力センサチップ21の特性のばらつき(温度特性な
ど)を修正するために、特性を見ながらレーザ60によ
り薄膜抵抗24のトリミングを行い抵抗値を調整する。
なお、本考案は上記実施例に限定されるものではなく、
本考案の趣旨に基づき種々の変形が可能であり、それら
を本考案の範囲から排除するものではない。
【0016】
【考案の効果】以上、詳細に説明したように、本考案に
よれば、半導体圧力センサチップ上の周辺部に堤防状の
ガラス壁が形成されているため、ゲルを平坦にコーティ
ングすることができる。したがって、ゲルのレンズ効果
がないので、トリミングを行うレーザ光が曲がることな
く、薄膜抵抗の抵抗値を調整することができる。
【0017】このため、レーザによるトリミング精度が
向上し、更に、圧力センサの特性のずれを小さくし、高
精度な半導体圧力センサを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本考案の実施例を示す半導体圧力センサの概略
断面図である。
【図2】本考案の実施例を示す半導体圧力センサのガラ
ス基台の平面図である。
【図3】本考案の実施例を示す半導体圧力センサの複数
の半導体圧力センサチップが形成されたウエハの平面図
である。
【図4】本考案の実施例を示す半導体圧力センサのガラ
ス板の平面図である。
【図5】図4のA−A線断面図である。
【図6】本考案の実施例を示す半導体圧力センサの静電
封着状態を示す概略断面図である。
【図7】従来の半導体圧力センサの概略断面図である。
【符号の説明】
10 ガラス基台 11 ガラス基台チップ 12,32,43 オリ・フラ 20 ウエハ 21 半導体圧力センサチップ 22 真空部 23 ピエゾ抵抗 24 薄膜抵抗 25 ダイアフラム 31,42 スクライブライン 40 網目状(格子状)のガラス板 41 堤防状のガラス壁 50 ゲル 53 窓 60 レーザ 70,73 電極 71 ヒータ 72 電源 80 真空チャンバ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) H01L 29/84 G01L 9/04 101

Claims (2)

    (57)【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ピエゾ抵抗の抵抗値のばらつきやダイア
    フラムの厚さのばらつき等による半導体圧力センサチッ
    プの特性のばらつきを修正する薄膜抵抗を有する半導体
    圧力センサにおいて、 (a)前記薄膜抵抗の形成領域の外側に一連の堤防状を
    なす壁と、 (b)該壁の内部に平坦にコーティングされるゲルを具
    備することを特徴とする半導体圧力センサ。
  2. 【請求項2】 前記堤防状をなす壁はガラスからなるこ
    とを特徴とする請求項1記載の半導体圧力センサ。
JP1992041295U 1992-06-16 1992-06-16 半導体圧力センサ Expired - Fee Related JP2573309Y2 (ja)

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JPH062719U JPH062719U (ja) 1994-01-14
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008261750A (ja) * 2007-04-12 2008-10-30 Epson Toyocom Corp 圧力センサおよび圧力センサ用ダイヤフラム

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPH062719U (ja) 1994-01-14

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