JP2573309Y2 - 半導体圧力センサ - Google Patents
半導体圧力センサInfo
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- JP2573309Y2 JP2573309Y2 JP1992041295U JP4129592U JP2573309Y2 JP 2573309 Y2 JP2573309 Y2 JP 2573309Y2 JP 1992041295 U JP1992041295 U JP 1992041295U JP 4129592 U JP4129592 U JP 4129592U JP 2573309 Y2 JP2573309 Y2 JP 2573309Y2
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- pressure sensor
- semiconductor pressure
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- Pressure Sensors (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本考案は、半導体圧力センサ、特
にトリミング抵抗を搭載した圧力センサの構造に関する
ものである。
にトリミング抵抗を搭載した圧力センサの構造に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、このような分野の技術としては、
例えば「Ｔｏｔａｌｌｙ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｓｅ
ｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｐｒｅｓｓｕｒｅ Ｓｅｎｓ
ｏｒ」Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ Ｄｉｇｅｓｔ ｏｆ ＴＨ
Ｅ １０ｔｈ ＳＥＮＳＯＲＳＹＭＰＯＳＩＵＭ １９
９１，ｐｐ．１２９〜１３２に記載されるものがあっ
た。
例えば「Ｔｏｔａｌｌｙ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｓｅ
ｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｐｒｅｓｓｕｒｅ Ｓｅｎｓ
ｏｒ」Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ Ｄｉｇｅｓｔ ｏｆ ＴＨ
Ｅ １０ｔｈ ＳＥＮＳＯＲＳＹＭＰＯＳＩＵＭ １９
９１，ｐｐ．１２９〜１３２に記載されるものがあっ
た。
【０００３】まず、図示しないが、複数個の半導体圧力
センサチップを形成したウエハを用意し、このウエハと
同形のガラス基台を用意する。そこで、ガラス基台にウ
エハを真空中で重ね合わせて静電封着技術で接合する。
次に、半導体圧力センサチップ毎に切り分ける。次い
で、半導体圧力センサチップ２を外部環境から保護する
ために、ゲル７がコーティングされる。
センサチップを形成したウエハを用意し、このウエハと
同形のガラス基台を用意する。そこで、ガラス基台にウ
エハを真空中で重ね合わせて静電封着技術で接合する。
次に、半導体圧力センサチップ毎に切り分ける。次い
で、半導体圧力センサチップ２を外部環境から保護する
ために、ゲル７がコーティングされる。
【０００４】このようにして、構成された半導体圧力セ
ンサの概略断面が図７に示される。すなわち、ガラス基
台１上に真空部３、圧力を電気信号に変換するためのピ
エゾ抵抗４、及び圧力特性、温度特性等を調整するため
の薄膜抵抗５が形成されている。次に、ピエゾ抵抗４の
抵抗値のばらつき、ダイアフラム６の厚さのばらつき等
による、半導体圧力センサチップ２の特性のばらつき
（温度特性など）を修正するために、特性を見ながらレ
ーザ８により薄膜抵抗５のトリミングを行い抵抗値を調
整する。
ンサの概略断面が図７に示される。すなわち、ガラス基
台１上に真空部３、圧力を電気信号に変換するためのピ
エゾ抵抗４、及び圧力特性、温度特性等を調整するため
の薄膜抵抗５が形成されている。次に、ピエゾ抵抗４の
抵抗値のばらつき、ダイアフラム６の厚さのばらつき等
による、半導体圧力センサチップ２の特性のばらつき
（温度特性など）を修正するために、特性を見ながらレ
ーザ８により薄膜抵抗５のトリミングを行い抵抗値を調
整する。
【０００５】
【考案が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来技術においては、半導体圧力センサチップ２上に
コーティングするゲル７が、表面張力のためにレンズ状
に形成される。このため、ピエゾ抵抗４の抵抗値のばら
つき、ダイアフラム６の厚さのばらつき等による半導体
圧力センサチップ２の特性のばらつき（温度特性など）
を修正するために、薄膜抵抗５のトリミングを行うレー
ザ光が曲げられ、薄膜抵抗５のトリミング精度が低下
し、温度特性のずれが１％程度発生してしまうといった
問題があり、技術的に満足できるものではなかった。
た従来技術においては、半導体圧力センサチップ２上に
コーティングするゲル７が、表面張力のためにレンズ状
に形成される。このため、ピエゾ抵抗４の抵抗値のばら
つき、ダイアフラム６の厚さのばらつき等による半導体
圧力センサチップ２の特性のばらつき（温度特性など）
を修正するために、薄膜抵抗５のトリミングを行うレー
ザ光が曲げられ、薄膜抵抗５のトリミング精度が低下
し、温度特性のずれが１％程度発生してしまうといった
問題があり、技術的に満足できるものではなかった。
【０００６】本考案は、以上述べたゲルのレンズ効果に
よる薄膜抵抗のレーザトリミング精度が低下するといっ
た問題点を除去するため、ゲルのレンズ効果をなくし、
トリミング精度の優れた半導体圧力センサを提供するこ
とを目的とする。
よる薄膜抵抗のレーザトリミング精度が低下するといっ
た問題点を除去するため、ゲルのレンズ効果をなくし、
トリミング精度の優れた半導体圧力センサを提供するこ
とを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本考案は、上記目的を達
成するために、ピエゾ抵抗の抵抗値のばらつきやダイア
フラムの厚さのばらつき等による半導体圧力センサチッ
プの特性のばらつきを修正する薄膜抵抗を有する半導体
圧力センサにおいて、前記薄膜抵抗の形成領域の外側
に、一連の堤防状をなす壁と、該壁の内部に平坦にコー
ティングされるゲルを設けるようにしたものである。
成するために、ピエゾ抵抗の抵抗値のばらつきやダイア
フラムの厚さのばらつき等による半導体圧力センサチッ
プの特性のばらつきを修正する薄膜抵抗を有する半導体
圧力センサにおいて、前記薄膜抵抗の形成領域の外側
に、一連の堤防状をなす壁と、該壁の内部に平坦にコー
ティングされるゲルを設けるようにしたものである。
【０００８】
【作用】本考案によれば、上記したように、薄膜抵抗の
形成領域の外側に、一連の堤防状をなす壁を設けるよう
にしたので、その壁の内部にゲルを平坦にコーティング
することができる。したがって、ゲルのレンズ効果によ
る薄膜抵抗のレーザトリミング精度低下をなくし、トリ
ミング精度の優れた半導体圧力センサを得ることができ
る。
形成領域の外側に、一連の堤防状をなす壁を設けるよう
にしたので、その壁の内部にゲルを平坦にコーティング
することができる。したがって、ゲルのレンズ効果によ
る薄膜抵抗のレーザトリミング精度低下をなくし、トリ
ミング精度の優れた半導体圧力センサを得ることができ
る。
【０００９】
【実施例】以下、本考案の実施例を図面を参照しながら
詳細に説明する。図１は本考案の実施例を示す半導体圧
力センサの概略断面図、図２はそのガラス基台の平面
図、図３はその複数の半導体圧力センサチップが形成さ
れたウエハの平面図、図４はそのガラス板の平面図、図
５は図４のＡ−Ａ線断面図である。
詳細に説明する。図１は本考案の実施例を示す半導体圧
力センサの概略断面図、図２はそのガラス基台の平面
図、図３はその複数の半導体圧力センサチップが形成さ
れたウエハの平面図、図４はそのガラス板の平面図、図
５は図４のＡ−Ａ線断面図である。
【００１０】まず、図２に示すように、オリ・フラ１２
を有するガラス基台１０を用意する。このガラス基台１
０は後述するが、複数の半導体圧力センサチップを有す
るウエハと同形であり、半導体圧力センサチップが分割
される時には、同じく分割される。次に、図３に示すよ
うに、複数の半導体圧力センサチップ２１を有するウエ
ハ２０を用意する。ここで、３１はスクライブライン、
３２はオリ・フラである。
を有するガラス基台１０を用意する。このガラス基台１
０は後述するが、複数の半導体圧力センサチップを有す
るウエハと同形であり、半導体圧力センサチップが分割
される時には、同じく分割される。次に、図３に示すよ
うに、複数の半導体圧力センサチップ２１を有するウエ
ハ２０を用意する。ここで、３１はスクライブライン、
３２はオリ・フラである。
【００１１】更に、図４に示すように、窓４４を有する
網目状（格子状）のガラス板４０を用意する。ここで、
４１は堤防状のガラス壁、４２はスクライブライン、４
３はオリ・フラである。図４のＡ−Ａ線断面を見ると、
図５に示すように、後述するが、ゲルの流れ出しを防止
し、ゲルを平坦にコーティングするためのガラス壁とな
るガラス板の断面が示されている。
網目状（格子状）のガラス板４０を用意する。ここで、
４１は堤防状のガラス壁、４２はスクライブライン、４
３はオリ・フラである。図４のＡ−Ａ線断面を見ると、
図５に示すように、後述するが、ゲルの流れ出しを防止
し、ゲルを平坦にコーティングするためのガラス壁とな
るガラス板の断面が示されている。
【００１２】そこで、図６に示すように、ヒータ７１が
電源７２に接続され、加熱可能な電極７０上に、前記ガ
ラス板４０上に同形の前記ウエハ２０と前記ガラス板４
０とをそれぞれのオリ・フラを基準として位置合わせし
て載置し、真空チャンバ８０内において、前記ガラス板
４０にもう一方の電極７３をセットして、電極７３と電
極７０間に電圧が印加され、静電封着技術で接合する。
ここで、前記ウエハ２０のスクライブライン上に前記ガ
ラス板４０の堤防状のガラス壁４１が位置合わせされ、
前記ウエハ２０と前記ガラス板４０とは密着し、確実に
静電封着することができる。
電源７２に接続され、加熱可能な電極７０上に、前記ガ
ラス板４０上に同形の前記ウエハ２０と前記ガラス板４
０とをそれぞれのオリ・フラを基準として位置合わせし
て載置し、真空チャンバ８０内において、前記ガラス板
４０にもう一方の電極７３をセットして、電極７３と電
極７０間に電圧が印加され、静電封着技術で接合する。
ここで、前記ウエハ２０のスクライブライン上に前記ガ
ラス板４０の堤防状のガラス壁４１が位置合わせされ、
前記ウエハ２０と前記ガラス板４０とは密着し、確実に
静電封着することができる。
【００１３】次に、前記ウエハ２０のスクライブライン
３１によって半導体センサチップ毎に切り分ける。その
後、図示しないが、外部電極との接続を行った後に、半
導体圧力センサチップ２１を外部環境から保護するため
に、ゲル５０がコーティングされる。このようにして、
構成された半導体圧力センサの断面が図１に示される。
３１によって半導体センサチップ毎に切り分ける。その
後、図示しないが、外部電極との接続を行った後に、半
導体圧力センサチップ２１を外部環境から保護するため
に、ゲル５０がコーティングされる。このようにして、
構成された半導体圧力センサの断面が図１に示される。
【００１４】すなわち、ガラス基台チップ１１上に真空
部２２、圧力を電気信号に変換するためのピエゾ抵抗２
３及び圧力特性、温度特性等を調整するための薄膜抵抗
２４が形成されている。なお、ここで、真空部２２は圧
力の計測部に連通させる等各種の用途があり、必ずしも
真空にする必要はない。更に、半導体圧力センサチップ
２１の周辺部には堤防状のガラス壁４１が形成され、そ
の堤防状のガラス壁４１の内部にゲル５０を平坦にコー
ティングする。
部２２、圧力を電気信号に変換するためのピエゾ抵抗２
３及び圧力特性、温度特性等を調整するための薄膜抵抗
２４が形成されている。なお、ここで、真空部２２は圧
力の計測部に連通させる等各種の用途があり、必ずしも
真空にする必要はない。更に、半導体圧力センサチップ
２１の周辺部には堤防状のガラス壁４１が形成され、そ
の堤防状のガラス壁４１の内部にゲル５０を平坦にコー
ティングする。
【００１５】そこで、ピエゾ抵抗２３の抵抗値のばらつ
き、ダイアフラム２５の厚さのばらつき等による半導体
圧力センサチップ２１の特性のばらつき（温度特性な
ど）を修正するために、特性を見ながらレーザ６０によ
り薄膜抵抗２４のトリミングを行い抵抗値を調整する。
なお、本考案は上記実施例に限定されるものではなく、
本考案の趣旨に基づき種々の変形が可能であり、それら
を本考案の範囲から排除するものではない。
き、ダイアフラム２５の厚さのばらつき等による半導体
圧力センサチップ２１の特性のばらつき（温度特性な
ど）を修正するために、特性を見ながらレーザ６０によ
り薄膜抵抗２４のトリミングを行い抵抗値を調整する。
なお、本考案は上記実施例に限定されるものではなく、
本考案の趣旨に基づき種々の変形が可能であり、それら
を本考案の範囲から排除するものではない。
【００１６】
【考案の効果】以上、詳細に説明したように、本考案に
よれば、半導体圧力センサチップ上の周辺部に堤防状の
ガラス壁が形成されているため、ゲルを平坦にコーティ
ングすることができる。したがって、ゲルのレンズ効果
がないので、トリミングを行うレーザ光が曲がることな
く、薄膜抵抗の抵抗値を調整することができる。
よれば、半導体圧力センサチップ上の周辺部に堤防状の
ガラス壁が形成されているため、ゲルを平坦にコーティ
ングすることができる。したがって、ゲルのレンズ効果
がないので、トリミングを行うレーザ光が曲がることな
く、薄膜抵抗の抵抗値を調整することができる。
【００１７】このため、レーザによるトリミング精度が
向上し、更に、圧力センサの特性のずれを小さくし、高
精度な半導体圧力センサを得ることができる。
向上し、更に、圧力センサの特性のずれを小さくし、高
精度な半導体圧力センサを得ることができる。
【図１】本考案の実施例を示す半導体圧力センサの概略
断面図である。
断面図である。
【図２】本考案の実施例を示す半導体圧力センサのガラ
ス基台の平面図である。
ス基台の平面図である。
【図３】本考案の実施例を示す半導体圧力センサの複数
の半導体圧力センサチップが形成されたウエハの平面図
である。
の半導体圧力センサチップが形成されたウエハの平面図
である。
【図４】本考案の実施例を示す半導体圧力センサのガラ
ス板の平面図である。
ス板の平面図である。
【図５】図４のＡ−Ａ線断面図である。
【図６】本考案の実施例を示す半導体圧力センサの静電
封着状態を示す概略断面図である。
封着状態を示す概略断面図である。
【図７】従来の半導体圧力センサの概略断面図である。
１０ ガラス基台 １１ ガラス基台チップ １２，３２，４３ オリ・フラ ２０ ウエハ ２１ 半導体圧力センサチップ ２２ 真空部 ２３ ピエゾ抵抗 ２４ 薄膜抵抗 ２５ ダイアフラム ３１，４２ スクライブライン ４０ 網目状（格子状）のガラス板 ４１ 堤防状のガラス壁 ５０ ゲル ５３ 窓 ６０ レーザ ７０，７３ 電極 ７１ ヒータ ７２ 電源 ８０ 真空チャンバ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 29/84 G01L 9/04 101
Claims (2)
- 【請求項１】 ピエゾ抵抗の抵抗値のばらつきやダイア
フラムの厚さのばらつき等による半導体圧力センサチッ
プの特性のばらつきを修正する薄膜抵抗を有する半導体
圧力センサにおいて、 （ａ）前記薄膜抵抗の形成領域の外側に一連の堤防状を
なす壁と、 （ｂ）該壁の内部に平坦にコーティングされるゲルを具
備することを特徴とする半導体圧力センサ。 - 【請求項２】 前記堤防状をなす壁はガラスからなるこ
とを特徴とする請求項１記載の半導体圧力センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1992041295U JP2573309Y2 (ja) | 1992-06-16 | 1992-06-16 | 半導体圧力センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1992041295U JP2573309Y2 (ja) | 1992-06-16 | 1992-06-16 | 半導体圧力センサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH062719U JPH062719U (ja) | 1994-01-14 |
| JP2573309Y2 true JP2573309Y2 (ja) | 1998-05-28 |
Family
ID=12604469
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1992041295U Expired - Fee Related JP2573309Y2 (ja) | 1992-06-16 | 1992-06-16 | 半導体圧力センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2573309Y2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008261750A (ja) * | 2007-04-12 | 2008-10-30 | Epson Toyocom Corp | 圧力センサおよび圧力センサ用ダイヤフラム |
-
1992
- 1992-06-16 JP JP1992041295U patent/JP2573309Y2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008261750A (ja) * | 2007-04-12 | 2008-10-30 | Epson Toyocom Corp | 圧力センサおよび圧力センサ用ダイヤフラム |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH062719U (ja) | 1994-01-14 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19980303 |
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