JPH04113681A - 半導体圧力センサ - Google Patents
半導体圧力センサInfo
- Publication number
- JPH04113681A JPH04113681A JP23531090A JP23531090A JPH04113681A JP H04113681 A JPH04113681 A JP H04113681A JP 23531090 A JP23531090 A JP 23531090A JP 23531090 A JP23531090 A JP 23531090A JP H04113681 A JPH04113681 A JP H04113681A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pressure sensor
- sensor chip
- protruding wall
- diaphragm
- gel
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 14
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 3
- 230000002411 adverse Effects 0.000 abstract description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract 1
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 description 1
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
- Switches Operated By Changes In Physical Conditions (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明は、半導体圧力センサの構造に関するものであ
る。
る。
［従来の技術］
第２図は従来の半導体圧力センサの構造を示す断面図で
ある。
ある。
第２図において、１ａは圧力センサチップ、１ｂは前記
圧力センサチップ１ａ上に形成されたゲージ抵抗で、ブ
リッジ接続されている。１ｃは前記圧力センサチップ１
ａのダイヤフラム、２は前記圧力センサチップ１ａを支
持するガラス台座、３は外部リード、４は前記圧力セン
サチップ１ａと外部リード３を電気的に接続するワイヤ
、５は圧力導入パイプを兼ねたステム、６はキャップ、
７は前記ステム５とキャップ６により形成される真空室
、８はワイヤ保護のためのゲルである。
圧力センサチップ１ａ上に形成されたゲージ抵抗で、ブ
リッジ接続されている。１ｃは前記圧力センサチップ１
ａのダイヤフラム、２は前記圧力センサチップ１ａを支
持するガラス台座、３は外部リード、４は前記圧力セン
サチップ１ａと外部リード３を電気的に接続するワイヤ
、５は圧力導入パイプを兼ねたステム、６はキャップ、
７は前記ステム５とキャップ６により形成される真空室
、８はワイヤ保護のためのゲルである。
従来の半導体圧力センサは上記のような構造をしており
、圧力導入パイプを兼ねたステム５を通して圧力が加わ
ると圧力センサチップ１ａに応力がかかり、この圧力セ
ンサチップ１ａ上に形成されたゲージ抵抗１ｂに歪みが
生じる。これによりゲージ抵抗１ｂのバランスが崩れ起
電力を生じる。
、圧力導入パイプを兼ねたステム５を通して圧力が加わ
ると圧力センサチップ１ａに応力がかかり、この圧力セ
ンサチップ１ａ上に形成されたゲージ抵抗１ｂに歪みが
生じる。これによりゲージ抵抗１ｂのバランスが崩れ起
電力を生じる。
［発明が解決しようとする課題］
しかしながら、従来の半導体圧力センサでは、ワイヤ４
の保護のためのゲル８が圧力センサチップ１ａ上に流れ
落ちる可能性があり、この場合には、圧力センサチップ
１ａに不必要な応力が加わり、出力特性に悪影響を与え
る等の問題点があった。
の保護のためのゲル８が圧力センサチップ１ａ上に流れ
落ちる可能性があり、この場合には、圧力センサチップ
１ａに不必要な応力が加わり、出力特性に悪影響を与え
る等の問題点があった。
この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、ゲルがゲージ抵抗上に流れ落ちるのを防ぐ
機能を付加し、より精度の高い出力電圧特性が得られる
半導体圧力センサを提供することを目的とする。
れたもので、ゲルがゲージ抵抗上に流れ落ちるのを防ぐ
機能を付加し、より精度の高い出力電圧特性が得られる
半導体圧力センサを提供することを目的とする。
［課題を解決するための手段］
この発明に係る半導体圧力センサは、ゲージ抵抗を囲む
ようにゲル流入防止用の突起壁を設けたものである。
ようにゲル流入防止用の突起壁を設けたものである。
また、突起壁はガラスコート皮膜をエツチングにより形
成したものである。
成したものである。
［作用１
この発明においては、圧力センサチップ上にブノッジ構
造に形成されたゲージ抵抗を囲むように突起壁を設けた
ので、ワイヤ部分に付けられたゲルが製品に加わる振動
等によってダイヤフラム部分に流れ込んでもリング状の
突起壁によってせきとめられる。したがって、ゲルがゲ
ージ抵抗に悪影響を与えることがなくなり、常に正しい
出力電圧特性が得られる。
造に形成されたゲージ抵抗を囲むように突起壁を設けた
ので、ワイヤ部分に付けられたゲルが製品に加わる振動
等によってダイヤフラム部分に流れ込んでもリング状の
突起壁によってせきとめられる。したがって、ゲルがゲ
ージ抵抗に悪影響を与えることがなくなり、常に正しい
出力電圧特性が得られる。
また、突起壁はガラスコート皮膜をエツチングすること
により形成される。
により形成される。
〔実施例］
以下、この発明の一実施例を図面に基づいて説明する。
第１図はこの発明における半導体圧力センサの構造を示
すものである。なお、第２図に示した従来例に対応する
部分には同一の符号を付すことでその説明は省略する。
すものである。なお、第２図に示した従来例に対応する
部分には同一の符号を付すことでその説明は省略する。
第１図において、９は前記ゲル８がダイヤフラム１ｃ部
分に流れ落ちな（／（ように圧力センサチップ１ａのゲ
ージ抵抗１ｂを囲むように接着したゲル流入防止用の突
起壁である。
分に流れ落ちな（／（ように圧力センサチップ１ａのゲ
ージ抵抗１ｂを囲むように接着したゲル流入防止用の突
起壁である。
上記のように、圧力センサチップ１ａのゲージ抵抗１ｂ
を囲むように突起壁９を接着することによって、ゲル８
がダイヤフラム１Ｃ上に流れ落ちることがなくなるため
、圧力センサチップ１ａに不必要な圧力が加わることが
なく、したがって、出力特性に悪影響を及ぼすこともな
くなる。
を囲むように突起壁９を接着することによって、ゲル８
がダイヤフラム１Ｃ上に流れ落ちることがなくなるため
、圧力センサチップ１ａに不必要な圧力が加わることが
なく、したがって、出力特性に悪影響を及ぼすこともな
くなる。
なお、上記実施例では、ゲル流入防止用の突起壁９を接
着により形成したものを示したが、この突起壁９はチッ
プの保護のために裏面に付けられているガラスコート皮
膜をエツチングにより形成してもよい。
着により形成したものを示したが、この突起壁９はチッ
プの保護のために裏面に付けられているガラスコート皮
膜をエツチングにより形成してもよい。
［発明の効果１
以上説明したように、この発明においては、ゲージ抵抗
を囲むようにゲル流入防止用の突起壁を設けたので、ゲ
ルがダイヤフレム上に流れ落ちることがなくなり、ダイ
ヤフラムに余分な応力が加わることがなくなるの。した
がって、精度の高い特性の半導体圧力センサを得ること
ができる。
を囲むようにゲル流入防止用の突起壁を設けたので、ゲ
ルがダイヤフレム上に流れ落ちることがなくなり、ダイ
ヤフラムに余分な応力が加わることがなくなるの。した
がって、精度の高い特性の半導体圧力センサを得ること
ができる。
また、突起壁は圧力センサチップの保護のために設けら
れているガラスコート皮膜をエツチングにより簡単に形
成できる。
れているガラスコート皮膜をエツチングにより簡単に形
成できる。
第１図はこの発明の一実施例示す半導体圧力センサの構
造断面図、第２図は従来の半導体圧力センサの構造断面
図である。 図において、１ａは圧力センサチップ、１ｂはゲージ抵
抗、１ｃはダイヤフラム、２はガラス台座、３は外部リ
ード、４はワイヤ、５はステム、６はキャップ、７は真
空室、８はゲル、９は突起壁である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。
造断面図、第２図は従来の半導体圧力センサの構造断面
図である。 図において、１ａは圧力センサチップ、１ｂはゲージ抵
抗、１ｃはダイヤフラム、２はガラス台座、３は外部リ
ード、４はワイヤ、５はステム、６はキャップ、７は真
空室、８はゲル、９は突起壁である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (2)
- （１）シリコンウエハに受圧部であるダイヤフラム，こ
のダイヤフラム内にブリッジ構造のゲージ抵抗を形成し
て圧力センサチップとし、半導体のピエゾ抵抗効果を利
用して感知した圧力を電気信号に変換する機能を持つ半
導体圧力センサにおいて、前記ゲージ抵抗を囲むように
ゲル流入防止用の突起壁を設けたことを特徴とする半導
体圧力センサ。 - （２）ゲル流入防止用の突起壁は、圧力センサチップの
保護のために前記圧力センサチップの裏面に設けられた
ガラスコート皮膜をエッチングにより形成したものであ
る請求項（１）記載の半導体圧力センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23531090A JPH04113681A (ja) | 1990-09-03 | 1990-09-03 | 半導体圧力センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23531090A JPH04113681A (ja) | 1990-09-03 | 1990-09-03 | 半導体圧力センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04113681A true JPH04113681A (ja) | 1992-04-15 |
Family
ID=16984220
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23531090A Pending JPH04113681A (ja) | 1990-09-03 | 1990-09-03 | 半導体圧力センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04113681A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5436491A (en) * | 1992-10-19 | 1995-07-25 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Pressure sensor for high temperature vibration intense environment |
| US5492923A (en) * | 1993-05-06 | 1996-02-20 | Bayer Aktiengesellschaft | Substituted pyridines and 2-oxo-1,2-dihydropyridines |
| CN1323289C (zh) * | 2004-01-21 | 2007-06-27 | 株式会社电装 | 容纳在壳体中的压力传感器 |
-
1990
- 1990-09-03 JP JP23531090A patent/JPH04113681A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5436491A (en) * | 1992-10-19 | 1995-07-25 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Pressure sensor for high temperature vibration intense environment |
| US5492923A (en) * | 1993-05-06 | 1996-02-20 | Bayer Aktiengesellschaft | Substituted pyridines and 2-oxo-1,2-dihydropyridines |
| US5712296A (en) * | 1993-05-06 | 1998-01-27 | Bayer Aktiengesellschaft | Substituted pyridines and 2-oxo-1,2-dihydropyridines |
| CN1323289C (zh) * | 2004-01-21 | 2007-06-27 | 株式会社电装 | 容纳在壳体中的压力传感器 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4295115A (en) | Semiconductor absolute pressure transducer assembly and method | |
| JP3114453B2 (ja) | 物理量検出センサ及びプロセス状態検出器 | |
| US7183620B2 (en) | Moisture resistant differential pressure sensors | |
| JPH10170380A (ja) | 半導体センサ装置 | |
| JPH11344402A (ja) | 半導体圧力センサ | |
| JPH04113681A (ja) | 半導体圧力センサ | |
| JPS5887880A (ja) | 半導体ダイアフラム形センサ | |
| JPH0447244A (ja) | 半導体圧力センサ | |
| JPH10170367A (ja) | 半導体式圧力センサ | |
| JP2017219461A (ja) | 歪検出器及びその製造方法 | |
| JP2512220B2 (ja) | 複合機能形センサ | |
| JPH0566979B2 (ja) | ||
| JPS59154332A (ja) | 半導体圧力センサ | |
| JPH05223670A (ja) | 半導体圧力センサ | |
| JPH0419495B2 (ja) | ||
| JPS62203381A (ja) | 半導体圧力検出装置 | |
| JPH0567168B2 (ja) | ||
| JP2748077B2 (ja) | 圧力センサ | |
| JP2573309Y2 (ja) | 半導体圧力センサ | |
| JP2005221454A (ja) | 圧力センサ | |
| JPS61245036A (ja) | 半導体圧力検出装置 | |
| JPS6155264B2 (ja) | ||
| JPH01244325A (ja) | 圧力センサユニット | |
| JP2006047193A (ja) | 圧力センサ | |
| JPH11326094A (ja) | 圧力センサ |