JPH10170380A - 半導体センサ装置 - Google Patents

半導体センサ装置

Info

Publication number
JPH10170380A
JPH10170380A JP8329818A JP32981896A JPH10170380A JP H10170380 A JPH10170380 A JP H10170380A JP 8329818 A JP8329818 A JP 8329818A JP 32981896 A JP32981896 A JP 32981896A JP H10170380 A JPH10170380 A JP H10170380A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
chip
sensor
resin
semiconductor
package
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP8329818A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3620185B2 (ja
Inventor
Hiroshi Nomura
浩 野村
Yukihiro Katou
之啓 加藤
Akira Niiobi
亮 新帯
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Denso Corp
Original Assignee
Denso Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Denso Corp filed Critical Denso Corp
Priority to JP32981896A priority Critical patent/JP3620185B2/ja
Priority to US08/979,799 priority patent/US5948991A/en
Priority to FR9715416A priority patent/FR2756923B1/fr
Priority to DE19758891A priority patent/DE19758891B4/de
Priority to DE19754616A priority patent/DE19754616B4/de
Publication of JPH10170380A publication Critical patent/JPH10170380A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3620185B2 publication Critical patent/JP3620185B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4912—Layout
    • H01L2224/49171—Fan-out arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85909—Post-treatment of the connector or wire bonding area
    • H01L2224/8592—Applying permanent coating, e.g. protective coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Abstract

(57)【要約】 【課題】 隔壁部材を不要とし、一体に設けるＩＣチッ
プを汚染物質から保護するための構成得る。 【解決手段】 リードフレーム２４にＩＣチップ２５を
搭載してボンディングワイヤ２６で接続する。この状態
で熱硬化性樹脂でトランスファ成形して樹脂パッケージ
２２を形成する。圧力センサチップ３０の搭載部分は凹
状のセンサマウント部２７として形成される。圧力セン
サチップ３０の表面および露出しているリードフレーム
２４ｃ部分には圧力伝達を妨げない保護用樹脂３２がコ
ーティングされる。ケースへの実装時にはターミナル２
３を溶接した部分を含めてポッティングにより樹脂封止
される。このとき、樹脂パッケージ２２の形状により、
圧力センサチップ３０部分とは隔絶されているので、簡
単に実装することができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体センサチッ
プおよび半導体素子チップを一体に備えた半導体センサ
装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】この種の半導体センサ装置として、例え
ば、半導体圧力センサ装置においては、半導体圧力セン
サチップが圧力測定環境下にさらされた状態で、圧力媒
体から受ける圧力でダイヤフラム部が変位するように設
けられている。半導体圧力センサチップのダイヤフラム
部にはピエゾ抵抗効果を有する抵抗体が形成されてお
り、ダイヤフラム部が変位するとこれに応じて抵抗体の
抵抗値が変化する。その抵抗値の変化をブリッジ接続し
た回路の出力端子から電圧信号としてセンサ出力を得て
圧力を検出するものである。
【０００３】このような半導体圧力センサ装置により、
例えば、エンジンの吸入空気量を検出するために圧力を
測定することに用いられるが、この場合に、圧力媒体と
しての吸入空気には、排気ガスや排気ガスが冷却されて
できる酸性の凝縮水が混在していることが一般的であ
る。そこで、このようにダイヤフラム部を圧力測定環境
下にさらす必要があることから、圧力測定媒体からセン
サチップを保護するための構成が必要となる。
【０００４】このような構成のものとして、例えば、図
１０に示すような半導体圧力センサ装置がある。この図
１０において、ケース１にはコネクタとの接続を行うた
めのコネクタ部１ａが形成されていると共にセンサモジ
ュール２が実装される実装部１ｂとが形成されている。
また、ケース１にはセンサモジュール２とコネクタとを
電気的に接続するための複数本のコネクタピン３がイン
サート成形により設けられている。
【０００５】ケース１の実装部１ｂは、上下に開口して
おり、ここにはセンサモジュール２が接着固定されてい
る。センサモジュール２は、セラミック製のプリント基
板４の一方の面側には、台座５を介して圧力センサチッ
プ６が接着固定されており、その圧力センサチップ６の
電極パッドとプリント基板４に形成された電極部とがボ
ンディングワイヤ７により電気的に接続されている。プ
リント基板４の他方の面側には、圧力センサチップ６か
ら出力されるセンサ信号を処理するための信号処理回路
を設けたＩＣチップ８や他の電子部品９などが実装され
ている。そして、プリント基板４とケース１のコネクタ
ピン３との間が接続導体１０により電気的に接続されて
いる。
【０００６】センサモジュール２が実装された状態で、
プリント基板４の圧力センサチップ６が搭載された面側
には弾性を有する保護用の樹脂１１がコーティングされ
ており、圧力センサチップ６は、樹脂１１を介して圧力
測定媒体から圧力を受けるとダイヤフラム部が変位して
圧力に応じた検出信号を出力するようになっている。ま
た、プリント基板４の反対側の面にはポッティングによ
り樹脂１２が充填されており、これによってＩＣチップ
８の部分への圧力測定媒体の侵入による特性劣化を防止
すると共に、コネクタピン３と接続導体１０との接続部
が保護されるように構成している。
【０００７】そして、本体ケース１のＩＣチップ８が搭
載された側にはキャップ１３が接着固定され、圧力セン
サチップ６が搭載された側には圧力導入口１４ａが形成
されたポート１４が接着固定されている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記構成の
ものでは、センサモジュール２の構成として、一方の面
に圧力センサチップ６を実装すると共に他方の面にＩＣ
チップ８等を実装する構成であるから、本体ケース１へ
の実装に手間がかかると共に、ＩＣチップ８が圧力媒体
により汚染されるのを防止するためのシール構造も複雑
になり、総じて実装組立ての工数が増大することにより
コスト高になる不具合がある。
【０００９】そこで、このような不具合を解消すべく、
本発明者らは図１１および図１２に示すような構成のも
のを考えた。すなわち、このものでは、センサモジュー
ル１５を、導体パターン１６ａを一体に設けた基板１６
の一方側の面に圧力センサチップ６およびＩＣチップ８
などを実装したものとして構成している。そして、この
センサモジュール１５を本体ケース１７に実装する際に
は、圧力センサチップ６部分のみを樹脂１１でコーティ
ングして圧力測定時に汚染されないようにして圧力媒体
の圧力を伝達可能な構成とし、ＩＣチップ８を含んだ他
の部分をポッティング用の樹脂１２でコーティングする
ようにするために、隔壁部材１８を別途に接着する構成
としている。
【００１０】この場合、ＩＣチップ８を圧力媒体による
汚染から保護するためには、耐汚染性の優れた弾性率の
高いコーティング用の樹脂１２を設ける必要があり、一
方、圧力センサチップ６には圧力伝達をするためにゲル
状の柔らかい弾性率をもった樹脂１１をコーティングす
る必要があり、このために隔壁部材１８を設けることが
必須条件となる。
【００１１】しかしながら、このような構成を想定した
場合には、本体ケース１７への実装時にセンサモジュー
ル１５に隔壁部材１８を個々に装着するための作業が必
要となるが、位置合わせを行って接着する工程は面倒な
作業となり、多大な工数を要することになる。
【００１２】本発明は、上記事情に鑑みてなされたもの
で、その目的は、隔壁部材などを設ける必要がなく、し
かもＩＣチップを汚染物質から保護するための構成を新
たな構成を追加することなく得られるようにした半導体
センサ装置を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明によれ
ば、樹脂パッケージには、半導体センサチップが検知動
作が可能となるように露出した状態に設けられると共
に、半導体回路チップが樹脂に封入された状態に設けら
れるので、半導体センサチップと半導体回路チップとを
一体に設ける構成としながら、半導体回路チップを汚染
から保護するための構成を別途に採用する必要がなくな
り、ケースなどに実装するための実装工数を低減するこ
とができるようになり、取り扱い上も便利になる。
【００１４】請求項２の発明によれば、ケースなどに実
装する場合に、半導体センサチップの表面を検出媒体の
状態が伝達可能となる状態で保護するようにコーティン
グすると共に、樹脂パッケージから外部に導出された接
続用のリード部を検出媒体の雰囲気から保護するように
コーティングする必要があるときには、樹脂パッケージ
のセンサマウント部が凹状に形成されているので、樹脂
パッケージそのものを分離用の隔壁として利用して上述
の異なるコーティングを行うことができるようになり、
実装時の組立てコストの低減を図れるようになる。
【００１５】請求項３の発明によれば、樹脂パッケージ
をセンサマウント部の裏面側に対応して凹部を形成した
構造としているので、樹脂パッケージを成形する際に、
センサマウント部を形成している凹状部と裏面側に形成
する凹部との両方により樹脂流れに対する抵抗を受ける
ようになり、これによって樹脂が一方側にだけ流れるこ
とによる内部での気泡残りが防止されて充填性の良い樹
脂パッケージを形成することができるようになる。
【００１６】請求項４の発明によれば、樹脂パッケージ
を熱硬化性の樹脂により形成するので、内部に封入して
いる半導体回路チップに対する気密性を高くすることが
でき、これによって耐汚染性の向上を図って信頼性の高
い樹脂パッケージを得ることができるようになる。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明を半導体圧力センサ
装置に適用した場合の第１の実施の形態について図１な
いし図５を参照しながら説明する。図１および図２は本
実施の形態の半導体圧力センサ装置２１を示しており、
これは、例えば自動車のエンジン制御用としてエンジン
の吸入空気量を検出するために用いられるもので、圧力
測定範囲は、例えば１０ｋＰａ［ａｂｓ］〜２５０ｋＰ
ａ［ａｂｓ］程度のものである。したがって、圧力媒体
である吸入空気には空気だけではなく排気ガスや排気ガ
スが冷却されてできる酸性の凝縮水等が混じっており、
このような半導体圧力センサ装置２１にとっては汚染環
境下に配置して使用することになる。
【００１８】さて、半導体圧力センサ装置２１は、後述
するトランスファ成形法により形成した矩形容器状をな
す樹脂パッケージ２２の一端面側から３本のターミナル
２３を導出した状態に形成されている。これら３本のタ
ーミナル２３は、それぞれ電源端子，信号出力端子およ
び接地端子に対応して設けられたものである。樹脂パッ
ケージ２２の内部には、ターミナル２３を含んだリード
フレーム２４およびこのリードフレーム２４の半導体回
路用リード部２４ａに搭載された半導体回路チップとし
てのＩＣチップ２５が封入されている。
【００１９】リードフレーム２４は、上述した半導体回
路用リード部２４ａ，ターミナル２３となる３つの端子
リード部２４ｂおよび４つの半導体センサ用リード部２
４ｃから構成されている。ＩＣチップ２５は、センサ信
号が入力されるとこれを信号処理して検出信号として出
力するもので、チップ表面に形成されている７つのボン
ディングパッドとリードフレーム２４の各部に対してボ
ンディングワイヤ２６により電気的に接続されている。
【００２０】樹脂パッケージ２２は、ＩＣチップ２５が
搭載された側の面に矩形状をなす凹状に形成されたセン
サマウント部２７が設けられており、このセンサマウン
ト部２７の底面にはリードフレーム２４のセンサ用リー
ド部２４ｃの一端部側が四隅部に露出されている。ま
た、樹脂パッケージ２２のセンサマウント部２７の裏面
側には、凹部として２本の凹状溝部２８が形成されてい
る。この凹状溝部２８は後述するように成形時の樹脂流
れに抵抗を与えるように設けられるもので、各凹状溝部
２８の両端部にはセンサ用リード部２４ｃの裏面側が露
出するように貫通した支持ピン用の孔２８ａが形成され
ており、成形時に裏面側から挿通される支持ピンにより
センサ用リード部２４ｃが支持されることにより形成さ
れるものである。
【００２１】このようにして形成されているセンサマウ
ント部２７の中央にはガラス製の台座２９が接着固定さ
れ、その上に半導体センサチップとしての圧力センサチ
ップ３０が陽極接合により接着された状態で搭載されて
いる。圧力センサチップ３０は、シリコン基板の中央部
にエッチングにより形成した薄肉部をダイヤフラムとし
て形成したもので、台座２９に接着することにより密閉
された空間を圧力基準室３０ａとして用いるようになっ
ている。そして、圧力センサチップ３０のダイヤフラム
部にはピエゾ抵抗効果を利用した複数の抵抗体が形成さ
れている。そして、これら複数の抵抗体はブリッジ接続
された状態で信号端子および電源端子が４つの電極パッ
ドに接続されている。
【００２２】この圧力センサチップ３０の四隅の電極パ
ッドとセンサ用リード部２４ｃの露出された部分との間
は、ボンディングワイヤ３１によりボンディングされて
おり、圧力センサチップ３０から出力されるセンサ信号
はボンディングワイヤ３１，センサ用リード部２４ｃを
介してＩＣチップ２５に入力されるようになっている。
そして、圧力センサチップ３０のダイヤフラム部は圧力
を受けて変位すると、抵抗体がこれに応じてピエゾ抵抗
効果によって抵抗値が変化するので、ブリッジ回路の平
衡状態が崩れてセンサ信号を出力するようになってい
る。
【００２３】このように圧力センサチップ３０が搭載さ
れた状態で、圧力センサチップ３０のダイヤフラムの部
分およびボンディングワイヤ３１が接続されるセンサ用
リード部２４ｃの表面部分には、これらを覆うようにし
て保護用の樹脂３２がコーティングされている。この樹
脂３２は、圧力センサチップ３０による圧力検出動作に
支障を来さない程度の硬さのものを用いており、例え
ば、シリコーン樹脂系のゲル状物などを用いており、そ
の複素弾性率としては、例えば１０３〜１０５Ｐａ程度
のものを採用している。また、ボンディングワイヤ３１
の表面には、図示はしないが薄くコーティング剤が塗布
されており、汚染環境下でも電気的に絶縁状態が保たれ
るようになっている。
【００２４】次に、このような半導体圧力センサ２１を
実装用のケース３３に搭載した状態での構成について説
明する。図３および図４において、ケース３３は、例え
ばＰＢＴ樹脂により形成されたもので、実装面側が開口
された実装部３３ａおよびコネクタ部３３ｂが形成され
これらの間を電気的に接続するための３本のコネクタピ
ン３４がインサート成形されている。
【００２５】半導体圧力センサ２１はケース３３の実装
部３３ａに収容載置されており、３本のターミナル２３
とコネクタピン３４との間は溶接により電気的に接続さ
れている。また、半導体圧力センサ２１の樹脂パッケー
ジ２２は、外周部に樹脂注型剤（ポッティングシール
剤）３５を用いてポッティング樹脂封止されており、こ
れにより半導体圧力センサ２１がケース３３内に接着固
定されている。
【００２６】この場合、樹脂注型剤３５は、ケース３３
内でコネクタピン３４のインサート部を介して負圧を受
けたときでも実装部３３ａ内部に気泡が発生せず、しか
もＩＣチップ２５が封入された樹脂パッケージ２２が実
装部３３ａに強固に接着固定され、且つターミナル２３
とコネクタピン３４との溶接部が汚染環境下でも保護で
きるような硬度および密着度の材質のものを使用する必
要がある。このような樹脂注型剤３５としては、例え
ば、弾性率が１０５〜１０６Ｐａ程度のシリコーン樹脂
系のゴムやエポキシ系の樹脂などがある。
【００２７】上述のようにして半導体圧力センサ２１が
ケース３３内に収容されると、実装部３３ａの開口部３
６に同じくＰＢＴ樹脂製のポート３７が接着固定され
る。このポート３７には、中央部に筒状をなす圧力伝達
孔３８が形成されており、この圧力伝達孔３８を介して
ケース３３内部の半導体圧力センサ２１に搭載した圧力
センサチップ３０に外部の圧力を伝達するようになって
いる。
【００２８】次に、半導体圧力センサ２１の樹脂パッケ
ージ２２の成形過程について簡単に説明する。成形時の
樹脂流れの状態を縦断面で示す図５において、リードフ
レーム２４にはＩＣチップ２５がマウントされた状態で
ボンディングワイヤ２６が接続されている。この状態で
リードフレーム２４は、下金型３９の所定部位に載置さ
れる。次いで、上金型４０により型を閉じた後、熱硬化
性樹脂４１を型内に投入してプランジャ４２を押し込
む。
【００２９】これにより、熱硬化性樹脂４１は、一旦、
金型３９，４０の熱によって溶融するとプランジャ４２
による圧力でゲート４３を介してキャビティ４４内に流
動するようになる。このとき、熱硬化性樹脂４１は、上
金型４０の凸部４０ａ（樹脂パッケージ２２のセンサマ
ウント部２７に対応する部分）と下金型３９の凸部３９
ａ，３９ｂ（樹脂パッケージ２２の凹状溝部２８に対応
する部分）との間が狭くなっていることにより、流れが
抵抗を受けて上下共に均一に遅くなる。
【００３０】これによって、熱硬化性樹脂４１は、キャ
ビティ４４の末端部分まで気泡を残すことなく充填さ
れ、キャビティ４４内部の空気はエアベント４５を介し
て外部に抜けるようになる。そして、このように充填さ
れた熱硬化性樹脂４１は、さらに型内で加熱されて硬化
し、固化し樹脂パッケージ２２が形成されるようにな
る。この後、成形物は金型３９，４０から取り出され、
ゲート４３部分で切断されて樹脂パッケージ２２を得る
ことができるようになる。
【００３１】上記構成の半導体圧力センサ２１では、圧
力を検出する場合に次のようにして動作する。すなわ
ち、ポート３７の圧力伝達孔３８を介して圧力媒体であ
る空気が内部に連通しているので、保護用樹脂３２を介
して圧力センサチップ３０のダイヤフラムに対して変形
応力を与える。ダイヤフラムで受ける変形応力で、ピエ
ゾ抵抗効果により抵抗体の抵抗値が変化し、ブリッジ回
路の平衡状態が崩れて電圧出力が得られる。この電圧信
号をＩＣチップ２５において信号処理して圧力検出信号
を得るようになる。
【００３２】このような本実施の形態によれば、熱硬化
性樹脂４１を用いて成形した樹脂パッケージ２２によ
り、ＩＣチップ２５を封入した状態で圧力センサチップ
３０のセンサマウント部２７を設ける構成としたので、
ケース３３への実装時にＩＣチップ２５を圧力媒体とし
ての空気による汚染から保護するためのコーティング剤
を圧力センサチップ３０とは異なるコーティング剤で保
護するための構造を設ける必要がなくなり、組立て性や
実装作業が簡単且つ安価に行えると共に、ＩＣチップ２
５の封入状態を熱可塑性樹脂などに比べて良好に保持す
ることができるようになる。
【００３３】また、本実施の形態によれば、樹脂パッケ
ージ２２に圧力センサチップ３０をマウントするための
センサマウント部２７として凹状に形成したので、ター
ミナル２３とコネクタピン３４との溶接部を保護する樹
脂注型剤３５とを隔てるための部材を別途に設ける必要
がなくなり、部品点数を削減すると共に実装工数を低減
することができるようになる。
【００３４】さらに、本実施の形態によれば、樹脂パッ
ケージ２２のセンサマウント部２７の裏面側に対応して
２本の凹状溝部２８を設ける構成としたので、トランス
ファ成形時に熱硬化性樹脂４１の流れを均一にしてキャ
ビティ４４内部に気泡などを残すことなく末端まで充填
させることができるようになり、信頼性の高い樹脂パッ
ケージ２２を製作することができるようになる。
【００３５】図６は本発明の第２の実施の形態を示すも
ので、第１の実施の形態と異なるところは、樹脂パッケ
ージ２２に代えて、裏面側に広く浅く形成した凹状溝部
４６を設けた樹脂パッケージ４７を形成したところであ
る。つまり、凹状溝部４６を、センサマウント部２７の
開口寸法とほぼ同じ程度となるように形成したもので、
その深さ寸法については、第１の実施の形態のものに比
べて肉厚になるように設定することができる。
【００３６】そして、このような構成によっても、樹脂
パッケージ４７をトランスファ成形する際に、センサマ
ウント部２７と裏面側の凹状溝部４６とに熱硬化性樹脂
４１を均一に流動させることができ、気泡など残留空気
のない状態で樹脂パッケージ４７を成形することができ
るものである。
【００３７】図７は本発明の第３の実施の形態を示すも
ので、第１の実施の形態と異なるところは、樹脂パッケ
ージ２２に代えて、裏面側に狭く深く形成した凹状溝部
４８を設けた樹脂パッケージ４９を形成したところであ
り、これによっても、第２の実施の形態と略同様の作用
効果を得ることができる。なお、センサマウント部２７
の裏面側の樹脂の厚さ寸法は、圧力センサチップ３０の
マウント時に強度が保持できる程度に設定することが好
ましい。
【００３８】図８および図９は本発明の第４の実施の形
態を示すもので、第１の実施の形態と異なるところは、
樹脂パッケージ２２に代えて樹脂パッケージ５０を設け
る構成としたところである。すなわち、樹脂パッケージ
５０においては、センサマウント部５１の外周には周壁
となるような部分がなく、熱硬化性樹脂はＩＣチップ２
５がマウントされた部分に形成されるだけの構成であ
る。
【００３９】この実施の形態の場合には、圧力センサチ
ップ３０を保護するための樹脂３２をターミナル２３と
コネクタピン３４との溶接部にも樹脂注型剤として使用
可能な測定環境下での用途に対応するもので、ケース３
３に実装する際には、樹脂パッケージ５０の全体が覆わ
れるように保護用の樹脂３２でポッティング樹脂封止さ
れるものである。
【００４０】このような第４の実施の形態によれば、用
途に応じては簡単に保護用の樹脂３２をポッティングに
より圧力センサチップ３０部分と樹脂パッケージ５０の
外周部分とに同時に充填してポッティング樹脂封止する
ことができるようになる。
【００４１】本発明は、上記実施の形態にのみ限定され
るものではなく、次のように変形また拡張できる。圧力
センサチップ３０を保護する樹脂３２は、センサマウン
ト部２７内全域に渡って充填する構成としても良い。気
体の圧力センサ以外に、水圧センサ，湿度センサ，成分
センサ，光センサあるいは加速度センサなど半導体セン
サチップが検出雰囲気の影響を受ける状態で検出動作を
行うようにした半導体センサ装置全般に適用することが
できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態を示す縦断側面図
【図２】平面図
【図３】本体ケースに実装した状態で示す縦断側面図
【図４】本体ケースのポートを外した状態で示す平面図
【図５】成形時の樹脂の流れる状態を示す縦断側面図
【図６】本発明の第２の実施の形態を示す図１相当図
【図７】本発明の第３の実施の形態を示す図１相当図
【図８】本発明の第４の実施の形態を示す図３相当図
【図９】同図４相当図
【図１０】従来例を示す図３相当図
【図１１】発明者の想定した従来例を示す図３相当図
【図１２】同図４相当図
【符号の説明】
２１は半導体圧力センサ（半導体センサ装置）、２２は
樹脂パッケージ、２３はターミナル、２４はリードフレ
ーム、２４ａは半導体回路用リード部、２４ｂは端子リ
ード部、２４ｃは半導体センサ用リード部、２５はＩＣ
チップ（半導体回路チップ）、２６はボンディングワイ
ヤ、２７はセンサマウント部、２８は凹状溝部（凹
部）、２９は台座、３０は圧力センサチップ（半導体セ
ンサチップ）、３１はボンディングワイヤ、３２は保護
用樹脂、３３はケース、３３ａは実装部、３３ｂはコネ
クタ部、３４はコネクタピン、３５は樹脂注型剤、３７
はポート、３８は圧力伝達孔、３９は下金型、４０は上
金型、４１は熱硬化性樹脂、４２はプランジャ、４３は
ゲート、４４はキャビティ、４５はエアベント、４６，
４８は凹状溝部、４７，４９，５０は樹脂パッケージ、
５１はセンサマウント部である。

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 検出環境の状態を検出してセンサ信号を
    出力する半導体センサチップと、 この半導体センサチップから出力されるセンサ信号を演
    算処理して検出信号を生成する半導体回路チップと、 前記半導体センサチップに対応した半導体センサ用リー
    ド部および前記半導体回路チップに対応した半導体回路
    用リード部を有するリードフレームと、 このリードフレームに前記半導体回路チップをマウント
    すると共に電気的に接続した状態で且つ前記センサ用リ
    ード部を露出させてセンサマウント部を形成するように
    樹脂成形された樹脂パッケージとを備え、 前記半導体センサチップは、前記パッケージに形成され
    たセンサマウント部にマウントされると共に、前記リー
    ドフレームの半導体センサ用リード部に電気的に接続さ
    れた状態に設けられていることを特徴とする半導体セン
    サ装置。
  2. 【請求項２】 前記樹脂パッケージは、前記センサマウ
    ント部の周囲を樹脂により取り囲むようにした凹状に形
    成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体
    センサ装置。
  3. 【請求項３】 前記樹脂パッケージは、前記センサマウ
    ント部の裏面側に対応して凹部が形成されており、その
    凹部は成形時に樹脂の流れに抵抗を与えるように設けら
    れていることを特徴とする請求項１または２に記載の半
    導体センサ装置。
  4. 【請求項４】 前記樹脂パッケージは、熱硬化性樹脂を
    用いて成形されることを特徴とする請求項１ないし３の
    いずれかに記載の半導体センサ装置。
JP32981896A 1996-12-09 1996-12-10 半導体センサ装置 Expired - Fee Related JP3620185B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP32981896A JP3620185B2 (ja) 1996-12-10 1996-12-10 半導体センサ装置
US08/979,799 US5948991A (en) 1996-12-09 1997-11-26 Semiconductor physical quantity sensor device having semiconductor sensor chip integrated with semiconductor circuit chip
FR9715416A FR2756923B1 (fr) 1996-12-09 1997-12-05 Dispositif detecteur de type semi-conducteur
DE19758891A DE19758891B4 (de) 1996-12-09 1997-12-09 Halbleitersensor und Verfahren zu dessen Herstellung
DE19754616A DE19754616B4 (de) 1996-12-09 1997-12-09 Drucksensor

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP32981896A JP3620185B2 (ja) 1996-12-10 1996-12-10 半導体センサ装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH10170380A true JPH10170380A (ja) 1998-06-26
JP3620185B2 JP3620185B2 (ja) 2005-02-16

Family

ID=18225579

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP32981896A Expired - Fee Related JP3620185B2 (ja) 1996-12-09 1996-12-10 半導体センサ装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3620185B2 (ja)

Cited By (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6601453B2 (en) 2001-11-16 2003-08-05 Hitachi, Ltd. Pressure detecting apparatus
KR100636580B1 (ko) 2004-06-18 2006-10-19 오끼 덴끼 고오교 가부시끼가이샤 반도체 가속도 센서 장치 및 그것을 제조하는 방법
JP2007053378A (ja) * 2005-08-17 2007-03-01 Robert Bosch Gmbh マイクロメカニック構成要素
US7224044B2 (en) * 2002-01-31 2007-05-29 Fujitsu Hitachi Plasma Display Limited Semiconductor chip mounting substrate and flat display
WO2008029654A1 (en) 2006-09-06 2008-03-13 Hitachi Metals, Ltd. Semiconductor sensor device and method for manufacturing same
JP2008111795A (ja) * 2006-10-31 2008-05-15 Denso Corp 圧力センサ
US7412895B2 (en) 2006-02-20 2008-08-19 Mitsubishi Electric Corp. Semiconductor pressure sensor and die for molding a semiconductor pressure sensor
JP2009052970A (ja) * 2007-08-24 2009-03-12 Denso Corp 圧力センサ
JP2009544028A (ja) * 2006-07-19 2009-12-10 コンチネンタル オートモーティヴ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 圧力検出装置
JP2010502999A (ja) * 2006-09-15 2010-01-28 ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング 側面衝突検知用圧力センサおよび圧力センサの保護材料表面を形成する方法
JP2011502355A (ja) * 2007-10-30 2011-01-20 ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング モジュールケーシング並びにモジュールケーシングを製造する方法
CN102194714A (zh) * 2010-03-05 2011-09-21 铜陵三佳科技股份有限公司 一种带树脂上料光电检测装置的半导体封装设备
JP2012052809A (ja) * 2010-08-31 2012-03-15 Hitachi Automotive Systems Ltd センサの構造
JP2013061348A (ja) * 2008-01-18 2013-04-04 Robert Bosch Gmbh 圧力測定モジュール
US8418558B2 (en) 2009-05-29 2013-04-16 Torex Semiconductor Ltd. Acceleration sensor element and acceleration sensor having same
US8474318B2 (en) 2007-07-27 2013-07-02 Hitachi Metals, Ltd. Acceleration sensor
WO2014136336A1 (ja) * 2013-03-04 2014-09-12 日立オートモティブシステムズ株式会社 センサ装置
JP2015064299A (ja) * 2013-09-25 2015-04-09 株式会社フジクラ 防水型圧力センサ
WO2016021123A1 (ja) * 2014-08-08 2016-02-11 株式会社デンソー 電子回路部品
WO2016031218A1 (ja) * 2014-08-29 2016-03-03 株式会社デンソー 電子回路部品およびその製造方法
US11699647B2 (en) 2021-04-15 2023-07-11 Infineon Technologies Ag Pre-molded lead frames for semiconductor packages

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5208276B2 (ja) 2009-07-14 2013-06-12 三菱電機株式会社 車両状態検出装置および製造方法
JP6214433B2 (ja) 2013-10-04 2017-10-18 株式会社フジクラ 半導体圧力センサ

Cited By (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100694902B1 (ko) * 2001-11-16 2007-03-13 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼 압력검출장치
US6601453B2 (en) 2001-11-16 2003-08-05 Hitachi, Ltd. Pressure detecting apparatus
US7224044B2 (en) * 2002-01-31 2007-05-29 Fujitsu Hitachi Plasma Display Limited Semiconductor chip mounting substrate and flat display
KR100636580B1 (ko) 2004-06-18 2006-10-19 오끼 덴끼 고오교 가부시끼가이샤 반도체 가속도 센서 장치 및 그것을 제조하는 방법
JP2007053378A (ja) * 2005-08-17 2007-03-01 Robert Bosch Gmbh マイクロメカニック構成要素
US7603908B2 (en) 2006-02-20 2009-10-20 Mitsubishi Electric Corporation Semiconductor pressure sensor, manufacturing method thereof, and die for molding semiconductor pressure sensor
DE102006043884B4 (de) * 2006-02-20 2010-11-18 Mitsubishi Electric Corp. Halbleiterdrucksensor und Form zum Formen des Sensors
US7412895B2 (en) 2006-02-20 2008-08-19 Mitsubishi Electric Corp. Semiconductor pressure sensor and die for molding a semiconductor pressure sensor
JP2009544028A (ja) * 2006-07-19 2009-12-10 コンチネンタル オートモーティヴ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 圧力検出装置
US8022433B2 (en) 2006-09-06 2011-09-20 Hitachi Metals, Ltd. Semiconductor sensor device and method for manufacturing same
WO2008029654A1 (en) 2006-09-06 2008-03-13 Hitachi Metals, Ltd. Semiconductor sensor device and method for manufacturing same
US8353214B2 (en) 2006-09-15 2013-01-15 Robert Bosch Gmbh Pressure sensor for side-impact sensing and method for forming a surface of a protective material for a pressure sensor
JP2010502999A (ja) * 2006-09-15 2010-01-28 ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング 側面衝突検知用圧力センサおよび圧力センサの保護材料表面を形成する方法
JP2008111795A (ja) * 2006-10-31 2008-05-15 Denso Corp 圧力センサ
US8474318B2 (en) 2007-07-27 2013-07-02 Hitachi Metals, Ltd. Acceleration sensor
JP2009052970A (ja) * 2007-08-24 2009-03-12 Denso Corp 圧力センサ
JP2011502355A (ja) * 2007-10-30 2011-01-20 ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング モジュールケーシング並びにモジュールケーシングを製造する方法
JP2013061348A (ja) * 2008-01-18 2013-04-04 Robert Bosch Gmbh 圧力測定モジュール
US8418558B2 (en) 2009-05-29 2013-04-16 Torex Semiconductor Ltd. Acceleration sensor element and acceleration sensor having same
CN102194714A (zh) * 2010-03-05 2011-09-21 铜陵三佳科技股份有限公司 一种带树脂上料光电检测装置的半导体封装设备
JP2012052809A (ja) * 2010-08-31 2012-03-15 Hitachi Automotive Systems Ltd センサの構造
WO2014136336A1 (ja) * 2013-03-04 2014-09-12 日立オートモティブシステムズ株式会社 センサ装置
JP2014170858A (ja) * 2013-03-04 2014-09-18 Hitachi Automotive Systems Ltd センサ装置
JP2015064299A (ja) * 2013-09-25 2015-04-09 株式会社フジクラ 防水型圧力センサ
WO2016021123A1 (ja) * 2014-08-08 2016-02-11 株式会社デンソー 電子回路部品
JP2016039291A (ja) * 2014-08-08 2016-03-22 株式会社デンソー 電子回路部品
WO2016031218A1 (ja) * 2014-08-29 2016-03-03 株式会社デンソー 電子回路部品およびその製造方法
US11699647B2 (en) 2021-04-15 2023-07-11 Infineon Technologies Ag Pre-molded lead frames for semiconductor packages

Also Published As

Publication number Publication date
JP3620185B2 (ja) 2005-02-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3620185B2 (ja) 半導体センサ装置
US5948991A (en) Semiconductor physical quantity sensor device having semiconductor sensor chip integrated with semiconductor circuit chip
KR100605028B1 (ko) 온도센서 일체형 압력센서
US7900521B2 (en) Exposed pad backside pressure sensor package
EP3032227B1 (en) Flow sensor package
US8359927B2 (en) Molded differential PRT pressure sensor
US5859759A (en) Semiconductor pressure sensor module
US6401545B1 (en) Micro electro-mechanical system sensor with selective encapsulation and method therefor
US7219543B2 (en) Sensor device having molded signal-outputting portion
US4295117A (en) Pressure sensor assembly
US6405592B1 (en) Hermetically-sealed sensor with a movable microstructure
US4850227A (en) Pressure sensor and method of fabrication thereof
US5604363A (en) Semiconductor pressure sensor with package
US20030115967A1 (en) Pressure sensor module
US20120061775A1 (en) Device for use as dual-sided sensor package
WO2003062779A1 (fr) Capteur de pression, element electronique de debitmetre et procede de fabrication associe
GB2432457A (en) Sensor arrangement and method for fabricating a sensor arrangement
KR20190137699A (ko) 압력 감지 애플리케이션들에 대한 오버몰딩된 리드 프레임 조립체
JP2006194682A (ja) 温度センサ一体型圧力センサ装置
CN110945645B (zh) 半导体装置及半导体装置的制造方法
JP2001116639A (ja) 半導体圧力センサおよびその製造方法
US20200075466A1 (en) Sensor device and method of manufacture
JP3620184B2 (ja) 圧力センサ
JP2695643B2 (ja) 圧力センサユニットの製造方法
JP3722037B2 (ja) 圧力センサ装置

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20040708

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20040722

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20040917

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20041026

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20041108

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071126

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101126

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111126

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111126

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121126

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131126

Year of fee payment: 9

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees