JPH04195798A - 不揮発性半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は不揮発性半導体素子を用いたスイッチ信号発生
回路に関する。

［従来の技術］ 第４図に従来のスイッチ信号発生回路を示す。

１３はＰｃｈ　）ランジスタ、１４は不揮発性半導体素
子としてのヒユーズ素子、１５はインバータ、１６はプ
ログラム選択制御信号である。

動作を説明する。通常動作時はプログラム選択制御信号
１６はＬレベルである。不揮発性半導体素子１４がつな
がっている、即ちオンの場合は電位Ｖ２はＧＮＤレベル
となるためインバータ１５からＨレベルのスイッチ信号
が出力される。不揮発性半導体素子１４がつながってい
ない、即ちオフの場合は電位Ｖ２は１を源電圧レベルが
安定となるためインバータ１５からＬレベルのスイッチ
信号が出力される。

１４は初期状態としてはオンであるが、オフにする、つ
まりプログラムするのはｔｌＥＩＭ、圧を高電源電圧と
し、プログラム選択制御信号１６をＬレベルにすること
でトランジスタ１３をオンにし、不揮発性半導体素子１
４に電流を流しヒユーズを切ることで行う。プログラム
選択制御信号１６がＨ（高電源電圧）レベルの場合はト
ランジスタ１３はオフとなるため、不揮発性半導体素子
１４には電流が流れず、不揮発性半導体素子１４はプロ
グラムされない。

この様にプログラム選択制御信号１６をＬレベルにする
かＨレベルにするかで複数のスイッチ信号発生回路に対
して選択的なプログラムが可能である。

［発明が解決しようとする課題］ 従来のスイッチ信号発生回路では不揮発性半導体素子が
オンの場合、不揮発性半導体素子に電流が常時流れるた
め、消費電流の増加、不揮発性半導体素子の信頼性劣化
、等の問題があった。

そこで本発明はこのような課Ｕを解決すべく、消費電流
をなくし、また信頼性劣化を回避することを目的とする
。

［課題を解決するための手段］ トランジスタと不揮発性半導体素子と帰還回路から成り
、トランジスタの第１端子は第１の電源に接続され、第
２端子は、第１端子が第２の電源に接続された不揮発性
半導体素子の第２端子と帰還回路の入力端子に接続され
、該トランジスタのゲート端子は帰還回路の出力端子に
接続され、帰還回路の入力端子にはプログラム選択制御
信号が接続されていることを特徴とする不揮発性半導体
素子。

［作用］ 本発明の上記の構成によれば、不揮発性半導体素子がオ
ンの場合、帰還回路によりトランジスタがオフとなるた
め、消費電流をなくすことができる。

［実施例］ 第１図は本発明の第１の実施例である。１はＰｃｈ）ラ
ンジスタ、２は不揮発性半導体素子としてのヒユーズ素
子、３は帰還回路で２人力ＮＯＲで構成されており、そ
の１人力にはプログラム選択制御信号４が入力されてい
る。

動作を説明する。通常動作時はプログラム選択制御信号
４はＬレベルである。不揮発性半導体素子２がつながっ
ている、即ちオンの場合は電位Ｖ２はＧＮＤレベルとな
るため帰還回路３からＨレベルのスイッチ信号が出力さ
れる。この場合このＨレベルの信号がトランジスタ１の
ゲート電位Ｖ１となるため、トランジスタ１はオフとな
り、不揮発性半導体素子２には電流が流れない。不揮発
性半導体素子２がつながっていない、即ちオフの場合は
電位ｖ２は電源電圧レベルが安定となるため帰還回路３
からＬレベルのスイッチ信号が出力される。

２は初期状態としてはオンであるが、オフにする、つま
りプログラムするのは電源電圧を高電源電圧とし、プロ
グラム選択制御信号４をＨ（高電源電圧）レベルとし、
トランジスタ１のゲート電圧Ｖ１をＬレベルにすること
でトランジスタ１をオンにし、不揮発性半導体素子２に
電流を流しヒユーズを切ることで行う。プログラム選択
制御信号４がＬレベルの場合は帰還回路の２人力ＮＯＲ
の２人力が両方Ｌレベルとなるため、その出力はＨレベ
ルとなりトランジスタ１はオフとなるため、不揮発性半
導体素子２には電流が流れず不揮発性半導体素子２はプ
ログラムされない。

この様にプログラム選択制御信号４をＬレベルにするか
Ｈレベルにするかで複数のスイッチ信号発生回路に対し
て選択的なプログラムが可能である。

第２図は本発明の第２の実施例である。５はＮｃｈ）ラ
ンジスタ、６は不揮発性半導体素子としてのヒユーズ素
子、７は帰還回路で２人力ＮＡＮＤで構成されており、
その１人力にはプログラム選択制御信号８が入力されて
いる。

通常動作時はプログラム選択制御信号８はＨレベルであ
る。不揮発性半導体素子６がオンの場合は電位ｖ２はｔ
源電圧レベルとなるため帰還回路７からＬレベルのスイ
ッチ信号が出力される。従ってトランジスタ５はオフと
なり、不揮発性半導体素子６には電流が慶れない。不揮
発性半導体素子６がオフの場合は電位ｖ２はＧＮＤレベ
ルが安定となる六め帰還回路７かＩ”ｙＨレベルのスイ
ッチ信号が出力される。

プログラムするのは電Ｒ電圧を高電源電圧とし、プログ
ラム選択制御信号８をＬレベルとし、トランジスタ５の
ゲート電圧ｖ１をＨレベルにすることでトランジスタ５
をオンにし、不揮発性半導体素子６に電流を流しヒユー
ズを切ることで行う。

プログラム選択制御信号８がＨ（高ｔｉ電圧）レベルの
場合は帰還回路７の２人力ＮＡＮＤの２人力が両方Ｈレ
ベルとなるため、その出力はＬレベルとなりトランジス
タ５はオフとなるため、不揮発性半導体素子６には電流
が流れず不揮発性半導体素子６はプログラムされない。

第３図は本発明の第３の実施例である。９１〜９ｎはＮ
ｃｈトランジスタ、１０１〜１０ｎは不揮発性半導体素
子としてのＮｃｈＦＡＭＯ３素子、１１１〜ｌｌｎは帰
還回路で２人力ＮＯＲとインバータで構成されており、
その１人力にはプログラム選択制御信号１２１〜１２ｎ
がそれぞれ入力されている。

通常動作時はプログラム選択制御信号１２１〜１２ｎは
全てＬレベルであり、第１の実施例と同様の動作が行わ
れる。

プログラムについてもＮｃｈＦＡＭＯ３素子は初期状態
としてはオンであるので、第１の実施例と同様の動作が
行われることは容易に理解できるであろう。プログラム
選択制御信号１２１〜１２ｎの中でＬレベルのものだけ
が選択的にプログラムされるのである。

［発明の効果］ 以上述べたように本発明によれば、不揮発性半導体素子
がオンの場合、帰還回路によりトランジスタがオフとな
るため、消費電流をなくすことが可能になった。

また不揮発性半導体素子に電流が流れることによる誤プ
ログラム、等の信頼性の劣化を防ぐことが可能になった
。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の第１の実施例を示す回路図。 第２図は本発明の第２の実施例を示す回路図。第３図は
本発明の第３の実施例を示す回路図。第４図は従来の回
路図。 １．９１〜９ｎ　　　　：Ｐｃｈトランジスタ５　　　
　　　　　　　　　：Ｎｃｈ）ランジスタ２．６．１０
１〜１０ｎ：不揮発性半導体素子３．７．１１１〜ｌｌ
ｎ：帰還回路 ４．８．１２１〜１２ｎニブログラム選択制御信号 以上 出願人　セイコーエプソン株式会社 代理人　弁理士　鈴木喜三部（他１名）気１５　　　　
　　　箋２ａ 箋３８ 質４Ｇ

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. トランジスタと不揮発性半導体素子と帰還回路から成り
   、該トランジスタの第１端子は第１の電源に接続され、
   第２端子は、第１端子が第２の電源に接続された該不揮
   発性半導体素子の該第２端子と該帰還回路の入力端子に
   接続され、該トランジスタのゲート端子は該帰還回路の
   出力端子に接続され、該帰還回路の入力端子にはプログ
   ラム選択制御信号が接続されていることを特徴とする不
   揮発性半導体装置。