JPH01305618A - Cmosインバータ出力回路 - Google Patents
Cmosインバータ出力回路Info
- Publication number
- JPH01305618A JPH01305618A JP63136313A JP13631388A JPH01305618A JP H01305618 A JPH01305618 A JP H01305618A JP 63136313 A JP63136313 A JP 63136313A JP 13631388 A JP13631388 A JP 13631388A JP H01305618 A JPH01305618 A JP H01305618A
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- JP
- Japan
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- potential
- transistor
- resistor
- nch
- condition
- Prior art date
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- Pending
Links
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K19/00—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
- H03K19/0008—Arrangements for reducing power consumption
- H03K19/0013—Arrangements for reducing power consumption in field effect transistor circuits
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Computing Systems (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
- Logic Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
この発明はIC内部の信号をIG外部に出力するCMO
Sインバータ出力回路に関するものである。
Sインバータ出力回路に関するものである。
[従来の技術]
第3図は従来のCMOSインバータ出力回路の回路図で
、図において、(5)はCMO5出力回路、(6)はそ
の前段にあるインバータである。
、図において、(5)はCMO5出力回路、(6)はそ
の前段にあるインバータである。
この回路の動作について第4図を用いて説明する。前段
のインバータ(6)の出力eが1,0wレベルから旧g
hレベルに立ち上がる時、出力eの電圧がNch トラ
ンジスタのv、・□より低い期間(1+からt2)はト
ランジスタ7のみON状態で出力fはHighレベルを
出力する。次に、出力eの電圧がNch トランジスタ
のVTRよりも高く且つPch トランジスタのvTH
よりも低い期間(t2からt3)はトランジスタ7、ト
ランジスタ8共にON状態となり、NChトランジスタ
とPch トランジスタのON抵抗の分割比による電圧
が出力fより出力される。
のインバータ(6)の出力eが1,0wレベルから旧g
hレベルに立ち上がる時、出力eの電圧がNch トラ
ンジスタのv、・□より低い期間(1+からt2)はト
ランジスタ7のみON状態で出力fはHighレベルを
出力する。次に、出力eの電圧がNch トランジスタ
のVTRよりも高く且つPch トランジスタのvTH
よりも低い期間(t2からt3)はトランジスタ7、ト
ランジスタ8共にON状態となり、NChトランジスタ
とPch トランジスタのON抵抗の分割比による電圧
が出力fより出力される。
次に、出力eの電圧がPChトランジスタのVTllよ
り高い期間(t3以降)はトランジスタ8のみON状態
となり出力fはLowレベルを出力する。
り高い期間(t3以降)はトランジスタ8のみON状態
となり出力fはLowレベルを出力する。
出力eが旧ghレベルからLowレベルに立ち下がる時
は以上述べた逆の順序で状態が遷移する。
は以上述べた逆の順序で状態が遷移する。
[発明が解決しようとする課題]
従来のCMOSインバータ出力回路は以上のように構成
されていたので、前段のインバータの両トランジスタが
同時にON状態となる期間が存在し、このときに前記両
トランジスタに大きな貫通電流が流れこれがノイズの発
生の原因となる問題点があった。
されていたので、前段のインバータの両トランジスタが
同時にON状態となる期間が存在し、このときに前記両
トランジスタに大きな貫通電流が流れこれがノイズの発
生の原因となる問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、インバータの貫通電流を抑止し、ノイズの発
生を防ぐことを目的とする。
たもので、インバータの貫通電流を抑止し、ノイズの発
生を防ぐことを目的とする。
[課題を解決するための手段]
この発明のtJOsインバータ出力回路はChlOSイ
ンバータ出力回路の人力に高電位電源線と低電位電源線
間にPch )ランジスタ、抵抗、 Nch トランジ
スタを直列に接続した回路のPch トランジスタと抵
抗の接続点の出力、及びNch トランジスタと抵抗の
接続点の出力を受けるようにしたものである。
ンバータ出力回路の人力に高電位電源線と低電位電源線
間にPch )ランジスタ、抵抗、 Nch トランジ
スタを直列に接続した回路のPch トランジスタと抵
抗の接続点の出力、及びNch トランジスタと抵抗の
接続点の出力を受けるようにしたものである。
[作用]
この発明のCMOSインバータ出力回路はC:MOSイ
ンバータ出力回路の人力に高電位電源線と低電位電源線
間に直列に接続されたPChトランジスタ、抵抗、 N
ch トランジスタの回路の、Pch トランジスタと
抵抗の接続点の出力及び、Nch トランジスタと抵抗
の接続点の出力を受けるようにしたので、CMOSイン
バータ出力回路のPch、Nch両トランジスタが同時
にON状態となる期間がなくなり貫通電流は流れなくな
る。
ンバータ出力回路の人力に高電位電源線と低電位電源線
間に直列に接続されたPChトランジスタ、抵抗、 N
ch トランジスタの回路の、Pch トランジスタと
抵抗の接続点の出力及び、Nch トランジスタと抵抗
の接続点の出力を受けるようにしたので、CMOSイン
バータ出力回路のPch、Nch両トランジスタが同時
にON状態となる期間がなくなり貫通電流は流れなくな
る。
[実施例]
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第1
図において、(1)はPch トランジスタ、(2)は
拡散による抵抗、(3)はNch トランジスタ、破線
で囲んだ(4)はCMOSインバータ出力回路である。
図において、(1)はPch トランジスタ、(2)は
拡散による抵抗、(3)はNch トランジスタ、破線
で囲んだ(4)はCMOSインバータ出力回路である。
次に動作について第2図を用いて説明する。人力電位a
が第2図のように最初器ghレベルからLowレベルに
変化するとき、電位aがPchのVTHより低下したと
きPch トランジスタ(1)かON状態となり、電位
すはHighレベルに立−]二がるが、電位Cは抵抗(
2)による電圧降下により(抵抗(2)の抵抗値はトラ
ンジスタ(]) 、 (3)のON抵抗より充分大きい
) Lowレベルのままで電位aがNchのV T !
4まで降下するまではこの状態がつづく。次に電位aか
NchのVTHより低下したとき、Pch トランジス
タ(1)のみON状態となりNch トランジスタのO
FF状態の抵抗値は抵抗(2)の抵抗値より充分大きく
なるので、電位Cは旧ghレベルに立ち上がる。
が第2図のように最初器ghレベルからLowレベルに
変化するとき、電位aがPchのVTHより低下したと
きPch トランジスタ(1)かON状態となり、電位
すはHighレベルに立−]二がるが、電位Cは抵抗(
2)による電圧降下により(抵抗(2)の抵抗値はトラ
ンジスタ(]) 、 (3)のON抵抗より充分大きい
) Lowレベルのままで電位aがNchのV T !
4まで降下するまではこの状態がつづく。次に電位aか
NchのVTHより低下したとき、Pch トランジス
タ(1)のみON状態となりNch トランジスタのO
FF状態の抵抗値は抵抗(2)の抵抗値より充分大きく
なるので、電位Cは旧ghレベルに立ち上がる。
電位aがLowレベルから旧ghレベルに変化するとき
も以上の原理に従い電位す及び電位Cは第2図の破線の
ように変化する。
も以上の原理に従い電位す及び電位Cは第2図の破線の
ように変化する。
電位aの立上がり時及び立下がり時において、電位す、
cは第2図の様に変化するのでCMOSインバータ出力
回路(4)の両トランジスタが同時にON状態となるこ
とはなく、貫通電流は流れない。
cは第2図の様に変化するのでCMOSインバータ出力
回路(4)の両トランジスタが同時にON状態となるこ
とはなく、貫通電流は流れない。
[発明の効果]
以上のようにこの発明によれば、CMOSインバータ出
力回路のトランジスタに貫通電流が流れないようにした
ので、貫通電流によるノイズの発生がなくなり品質の向
上が得られる効果がある。
力回路のトランジスタに貫通電流が流れないようにした
ので、貫通電流によるノイズの発生がなくなり品質の向
上が得られる効果がある。
第1図はこの発明の一実施例によるCMOSインバータ
出力回路の回路図、第2図はこの発明の動作説明図、第
3図は従来のCMOSインバータ出力回路の回路図、第
4図は従来回路の動作説明図である。 図において、(1)はPch トランジスタ、(2)は
抵抗、(3)はNChトランジスタ、(4)はCMOS
インバータ出力回路を示す。
出力回路の回路図、第2図はこの発明の動作説明図、第
3図は従来のCMOSインバータ出力回路の回路図、第
4図は従来回路の動作説明図である。 図において、(1)はPch トランジスタ、(2)は
抵抗、(3)はNChトランジスタ、(4)はCMOS
インバータ出力回路を示す。
Claims (1)
- 高電位電源線と低電位電源線間に直列に接続されたP
チャネルトランジスターと抵抗とNチャネルトランジス
ターと前記Pチャネルトランジスタと抵抗の接続点の出
力及び前記Nチャネルトランジスタと抵抗の接続点の出
力を受けるCMOSインバータを具備し、前記Pチャネ
ルトランジスタのゲートと前記Nチャネルトランジスタ
のゲートを接続し、その接続点を入力端子とし、前記イ
ンバータの出力を出力端子としたことを特徴とするCM
OSインバータ出力回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63136313A JPH01305618A (ja) | 1988-06-02 | 1988-06-02 | Cmosインバータ出力回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63136313A JPH01305618A (ja) | 1988-06-02 | 1988-06-02 | Cmosインバータ出力回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01305618A true JPH01305618A (ja) | 1989-12-08 |
Family
ID=15172283
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63136313A Pending JPH01305618A (ja) | 1988-06-02 | 1988-06-02 | Cmosインバータ出力回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01305618A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN100353668C (zh) * | 2004-01-30 | 2007-12-05 | 旺宏电子股份有限公司 | 缓冲器中减小短路电流的系统及方法 |
JP2009147784A (ja) * | 2007-12-17 | 2009-07-02 | Toyota Industries Corp | 半導体素子の駆動回路 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6380620A (ja) * | 1986-09-24 | 1988-04-11 | Toshiba Corp | 出力回路 |
JPH01240013A (ja) * | 1988-03-22 | 1989-09-25 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置 |
-
1988
- 1988-06-02 JP JP63136313A patent/JPH01305618A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6380620A (ja) * | 1986-09-24 | 1988-04-11 | Toshiba Corp | 出力回路 |
JPH01240013A (ja) * | 1988-03-22 | 1989-09-25 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN100353668C (zh) * | 2004-01-30 | 2007-12-05 | 旺宏电子股份有限公司 | 缓冲器中减小短路电流的系统及方法 |
JP2009147784A (ja) * | 2007-12-17 | 2009-07-02 | Toyota Industries Corp | 半導体素子の駆動回路 |
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