JPH04186674A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH04186674A JPH04186674A JP31180590A JP31180590A JPH04186674A JP H04186674 A JPH04186674 A JP H04186674A JP 31180590 A JP31180590 A JP 31180590A JP 31180590 A JP31180590 A JP 31180590A JP H04186674 A JPH04186674 A JP H04186674A
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- JP
- Japan
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- field plate
- polysilicon
- metal wiring
- wiring
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- Pending
Links
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- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 24
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 24
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims abstract description 6
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims abstract description 6
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 8
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 abstract description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置に関し、特にエンハンスメント型
の寄生ＭＯＳトランジスタが動作するのを防ぐ手段に関
する。
の寄生ＭＯＳトランジスタが動作するのを防ぐ手段に関
する。
第２図は、エンハンスメント型の寄生ｐＭＯｓトランジ
スタを示す断面図である。半導体基板表面部のエピタキ
シャル層などのＮ型領域１内に選択的に設けられた２つ
のＰ型拡散層２−１．２−２上に絶縁膜３をはさんで金
属配線９が存在している場合について説明する。金属配
線９の電位が、Ｎ型領域１の表面に反転層が生じる電位
（しきい電圧）になると、Ｐ型拡散層２−１．２−２を
各々ソースとトレインとし、金属配線９をケートとする
エンハンスメント型の寄生ｐＭＯＳトランジスタが動作
し、Ｐ型拡散層２−１．２−２を各々独立に使用するこ
とができなくなる。このような寄生ＭＯ３）−ランジス
タによる不具合を防止する手段の一つとしてフィールド
プレート方式が知られている。
スタを示す断面図である。半導体基板表面部のエピタキ
シャル層などのＮ型領域１内に選択的に設けられた２つ
のＰ型拡散層２−１．２−２上に絶縁膜３をはさんで金
属配線９が存在している場合について説明する。金属配
線９の電位が、Ｎ型領域１の表面に反転層が生じる電位
（しきい電圧）になると、Ｐ型拡散層２−１．２−２を
各々ソースとトレインとし、金属配線９をケートとする
エンハンスメント型の寄生ｐＭＯＳトランジスタが動作
し、Ｐ型拡散層２−１．２−２を各々独立に使用するこ
とができなくなる。このような寄生ＭＯ３）−ランジス
タによる不具合を防止する手段の一つとしてフィールド
プレート方式が知られている。
第３図は、従来のフィールドプレート方式の半導体装置
を示す平面レイアウト図である。
を示す平面レイアウト図である。
Ｐ型拡散層２−１．２−２上を絶縁層（図示しない）を
はさんでＰ型拡散層２−２の最高電位端と接続した。金
属配線６−１〜６−４と同−層次の金属膜からなるフィ
ールドプレート４で覆うことにより反転層（Ｐチャネル
）の発生を阻止する。
はさんでＰ型拡散層２−２の最高電位端と接続した。金
属配線６−１〜６−４と同−層次の金属膜からなるフィ
ールドプレート４で覆うことにより反転層（Ｐチャネル
）の発生を阻止する。
このフィールドプレート方式によれは、より上層の電極
配線（図示しない）による寄生ＭＯＳトランジスタ効果
を防止することかできる。
配線（図示しない）による寄生ＭＯＳトランジスタ効果
を防止することかできる。
上述した従来の半導体装置は、金属膜によるフィールド
プレートを有しているので、フィールドプレート領域に
は同−層次の金属配線を設けることができず、配線レイ
アウト上の制約となり半導体装置のチップ面積の縮小化
の障害となる。
プレートを有しているので、フィールドプレート領域に
は同−層次の金属配線を設けることができず、配線レイ
アウト上の制約となり半導体装置のチップ面積の縮小化
の障害となる。
本発明は、半導体基板表面部のＮ（又はＰ）型領域内に
選択的に設けられたＰ（又はＮ）型拡散層上に絶縁膜を
介して配置され正（又は負）電位端に接続されたフィー
ルドプレートと、金属配線とを有する半導体装置におい
て、前記フィールドプレートは前記金属配線より融点の
高い導電膜からなるというものである。
選択的に設けられたＰ（又はＮ）型拡散層上に絶縁膜を
介して配置され正（又は負）電位端に接続されたフィー
ルドプレートと、金属配線とを有する半導体装置におい
て、前記フィールドプレートは前記金属配線より融点の
高い導電膜からなるというものである。
〔実施例〕
次に本発明の実施例について図面を参照して説明する。
第１図（ａ）は本発明の一実施例を示す平面レイアウト
図、第１図（ｂ）は第１図（ａ）のＸ−Ｘ線相当部で切
断した半導体チップの断面図である。
図、第１図（ｂ）は第１図（ａ）のＸ−Ｘ線相当部で切
断した半導体チップの断面図である。
２つのＰ型拡散層２−１．２−２とこれらの闇のＮ型領
域１上を絶縁層３をはさんでポリシリコン膜のフィール
ドプレート４ａで覆い、２つのＰ型拡散層２−１．２−
２で最高電位となる接続部（接続コンタクト８）に接続
されている。ポリシリコン膜（４〉上には、絶縁層５を
はさんでアルミニウムなどの金属配線６−５（金属配線
６−１〜６−４と同−層次の金属膜）が２つのＰ型拡散
層２−１．２−２を横切り交差している。金属配線６−
５の電位がエンハンスメント型ｐＭＯＳトランジスタの
しきい電圧となっても、金属配線６−５は、フィールド
プレート４ａ上を通過している為に、２つのＰ型拡散層
２−１．２−２の間のＮ型領域１の表面では、フィール
ドプレート４ａの電位の影響により、反転層〈Ｐチャネ
ル〉の発生は起きずに、寄生素子であるエンハンスメン
ト型ｐＭｏＳトランジスタは動作しない。しかも、ポリ
シリコン膜はアルミニウムより融点が高いこともあって
フィールドプレー）−４ａ上に金属配線を配置できる為
に、電極配線のレイアウトの制約がなくなる。よって、
最少となる電極配線のレイアウト配置が可能と成る。
域１上を絶縁層３をはさんでポリシリコン膜のフィール
ドプレート４ａで覆い、２つのＰ型拡散層２−１．２−
２で最高電位となる接続部（接続コンタクト８）に接続
されている。ポリシリコン膜（４〉上には、絶縁層５を
はさんでアルミニウムなどの金属配線６−５（金属配線
６−１〜６−４と同−層次の金属膜）が２つのＰ型拡散
層２−１．２−２を横切り交差している。金属配線６−
５の電位がエンハンスメント型ｐＭＯＳトランジスタの
しきい電圧となっても、金属配線６−５は、フィールド
プレート４ａ上を通過している為に、２つのＰ型拡散層
２−１．２−２の間のＮ型領域１の表面では、フィール
ドプレート４ａの電位の影響により、反転層〈Ｐチャネ
ル〉の発生は起きずに、寄生素子であるエンハンスメン
ト型ｐＭｏＳトランジスタは動作しない。しかも、ポリ
シリコン膜はアルミニウムより融点が高いこともあって
フィールドプレー）−４ａ上に金属配線を配置できる為
に、電極配線のレイアウトの制約がなくなる。よって、
最少となる電極配線のレイアウト配置が可能と成る。
なお、ポリシリコン膜の代りにＭｏＪ？？Ｗなどの高融
点金属膜でフィールドプレートを形成してもよい。
点金属膜でフィールドプレートを形成してもよい。
以上、寄生ｐＭＯＳトランジスタの場合について説明し
たが寄生ｎ Ｍ ＯＳ ）ランジスタの場合にはフィー
ルドプレートを負電位端に接続すればよいのである。
たが寄生ｎ Ｍ ＯＳ ）ランジスタの場合にはフィー
ルドプレートを負電位端に接続すればよいのである。
以上説明したように、本発明は、金属配線より融点の高
い導電膜でフィールドプレートを構成することにより、
その上を絶縁膜で覆えば、フィールドプレート領域にも
他の領域と同様に同−層次の金属膜で電極配線を設ける
ことが可能となり、半導体装置を縮少化することができ
る効果がある。
い導電膜でフィールドプレートを構成することにより、
その上を絶縁膜で覆えば、フィールドプレート領域にも
他の領域と同様に同−層次の金属膜で電極配線を設ける
ことが可能となり、半導体装置を縮少化することができ
る効果がある。
第１図（ａ）は本発明の一実施例を示す平面レイアウト
図、第１図（ｂ）は第１図（ａ）のＸ−Ｘ線相当部の断
面図、第２図は、エンハンスメント型の寄生ｐＭＯＳト
ランジスタを示す断面図、第３図は、従来例を示す平面
レイアウト図である。 １・・・Ｎ型領域、２−１．２−２・・・Ｐ型拡散層、
３・・・絶縁膜、４，４ａ・・・フィールドプレート、
５・・・絶縁膜、６−１．６−５・・・金属配線、７−
１〜７−８・・・接続コンタクト、９・・・金属配線。
図、第１図（ｂ）は第１図（ａ）のＸ−Ｘ線相当部の断
面図、第２図は、エンハンスメント型の寄生ｐＭＯＳト
ランジスタを示す断面図、第３図は、従来例を示す平面
レイアウト図である。 １・・・Ｎ型領域、２−１．２−２・・・Ｐ型拡散層、
３・・・絶縁膜、４，４ａ・・・フィールドプレート、
５・・・絶縁膜、６−１．６−５・・・金属配線、７−
１〜７−８・・・接続コンタクト、９・・・金属配線。
Claims (1)
- 半導体基板表面部のＮ（又はＰ）型領域内に選択的に設
けられたＰ（又はＮ）型拡散層上に絶縁膜を介して配置
され正（又は負）電位端に接続されたフィールドプレー
トと、金属配線とを有する半導体装置において、前記フ
ィールドプレートは前記金属配線より融点の高い導電膜
からなることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31180590A JPH04186674A (ja) | 1990-11-16 | 1990-11-16 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31180590A JPH04186674A (ja) | 1990-11-16 | 1990-11-16 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04186674A true JPH04186674A (ja) | 1992-07-03 |
Family
ID=18021644
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31180590A Pending JPH04186674A (ja) | 1990-11-16 | 1990-11-16 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04186674A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102856352A (zh) * | 2011-06-27 | 2013-01-02 | 中国科学院微电子研究所 | 绝缘栅双极晶体管终端及其制作方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55102251A (en) * | 1979-01-29 | 1980-08-05 | Toshiba Corp | Mos integrated circuit device |
-
1990
- 1990-11-16 JP JP31180590A patent/JPH04186674A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55102251A (en) * | 1979-01-29 | 1980-08-05 | Toshiba Corp | Mos integrated circuit device |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102856352A (zh) * | 2011-06-27 | 2013-01-02 | 中国科学院微电子研究所 | 绝缘栅双极晶体管终端及其制作方法 |
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