JPH062275Y2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH062275Y2 JPH062275Y2 JP866088U JP866088U JPH062275Y2 JP H062275 Y2 JPH062275 Y2 JP H062275Y2 JP 866088 U JP866088 U JP 866088U JP 866088 U JP866088 U JP 866088U JP H062275 Y2 JPH062275 Y2 JP H062275Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- type
- diffusion region
- wiring
- semiconductor device
- oxide film
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
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Description
【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本考案は、半導体装置、特に集積回路の構造に関するも
のである。
のである。
〔従来の技術〕 近年の半導体装置の一例を第３図に示す。第３図におい
て、８はｎ型エピタキシャル層で、この中にＰ型第１拡
散領域１とＰ型第２拡散領域２が設けられ、これら表面
に熱酸化膜５が形成されている。３はＰ型第１拡散領域
１を外部端子に接続する配線であり、この配線３はＰ型
第２拡散領域２と交差して引出されている。なお、図示
していないが、Ｐ型第２拡散領域２にも外部端子に接続
する配線が設けられており、回動動作時には最低電位と
なるＧＮＤ端子に接続される。これら外部端子に静電気
が印加された場合、特にＧＮＤ端子を正、Ｐ型第１拡散
領域１の端子が負となる様な静電気が印加されると、Ｐ
型第２拡散領域２がソース、Ｐ型第１拡散領域１がドレ
イン、Ｐ型第１拡散領域１から外部端子に接続する配線
３をゲートする寄生ＰチャンネルＭＯＳＦＥＴが働く。
ところで静電気による印加電圧は数キロボルトと大きい
ため、上述した状態で静電気が印加されると寄生ＭＯＳ
ＦＥＴのチャンネル部は破壊される。従来この寄生ＭＯ
ＳＦＥＴの防止策として第３図に示すように、ソース及
びドレインとなるＰ型拡散領域１および２間に高濃度の
Ｎ型不純物拡散領域からなるチャンネルストッパ７を形
成し、寄生ＭＯＳＦＥＴが動作しないようにしていた。
て、８はｎ型エピタキシャル層で、この中にＰ型第１拡
散領域１とＰ型第２拡散領域２が設けられ、これら表面
に熱酸化膜５が形成されている。３はＰ型第１拡散領域
１を外部端子に接続する配線であり、この配線３はＰ型
第２拡散領域２と交差して引出されている。なお、図示
していないが、Ｐ型第２拡散領域２にも外部端子に接続
する配線が設けられており、回動動作時には最低電位と
なるＧＮＤ端子に接続される。これら外部端子に静電気
が印加された場合、特にＧＮＤ端子を正、Ｐ型第１拡散
領域１の端子が負となる様な静電気が印加されると、Ｐ
型第２拡散領域２がソース、Ｐ型第１拡散領域１がドレ
イン、Ｐ型第１拡散領域１から外部端子に接続する配線
３をゲートする寄生ＰチャンネルＭＯＳＦＥＴが働く。
ところで静電気による印加電圧は数キロボルトと大きい
ため、上述した状態で静電気が印加されると寄生ＭＯＳ
ＦＥＴのチャンネル部は破壊される。従来この寄生ＭＯ
ＳＦＥＴの防止策として第３図に示すように、ソース及
びドレインとなるＰ型拡散領域１および２間に高濃度の
Ｎ型不純物拡散領域からなるチャンネルストッパ７を形
成し、寄生ＭＯＳＦＥＴが動作しないようにしていた。
上述した従来の半導体装置は、外部端子数が数十になる
半導体装置もあり、これらの外部端子に接続されるｐ型
不純物拡散領域の数も多く、寄生ＭＯＳＦＥＴ構造が多
数存在する。この為、寄生ＭＯＳＦＥＴの防止対策とし
てチャンネルストッパを形成した従来の半導体装置で
は、そのサイズが大きくなるという欠点があった。
半導体装置もあり、これらの外部端子に接続されるｐ型
不純物拡散領域の数も多く、寄生ＭＯＳＦＥＴ構造が多
数存在する。この為、寄生ＭＯＳＦＥＴの防止対策とし
てチャンネルストッパを形成した従来の半導体装置で
は、そのサイズが大きくなるという欠点があった。
本考案はＮ型エピタキシャル層（領域）中に近接配置さ
れているＰ型第１拡散領域とＰ型第２拡散領域を有し、
これら第１および第２拡散領域をそれぞれ別個の外部端
子に接続する第１および第２配線を有する半導体装置に
おいて、前記第１および第２配線の内のどちらか一方
が、他方の配線に接続されているＰ型拡散領域上を通過
する場合に、通過する配線とそのＰ型拡散領域の間の酸
化膜が他の領域上の酸化膜より厚い酸化膜を有している
ことを特徴とする。
れているＰ型第１拡散領域とＰ型第２拡散領域を有し、
これら第１および第２拡散領域をそれぞれ別個の外部端
子に接続する第１および第２配線を有する半導体装置に
おいて、前記第１および第２配線の内のどちらか一方
が、他方の配線に接続されているＰ型拡散領域上を通過
する場合に、通過する配線とそのＰ型拡散領域の間の酸
化膜が他の領域上の酸化膜より厚い酸化膜を有している
ことを特徴とする。
次に、本考案について図面を参照して説明する。第１図
は本考案の一実施例の平面図、第２図は第１図のＡ−
Ａ′断面図である。ｎ型エピタキシャル層８の中にＰ型
第１拡散領域１とＰ型第２拡散領域２が設けられ、これ
らの表面に熱酸化膜５が設けられ、Ｐ型第１拡散領域１
は配線３により、またＰ型第２拡散領域は配線６による
外部端子に接続されている。配線３はＰ型第２拡散領域
２と交差して引出されており、Ｐ型第２拡散領域２の上
の熱酸化膜４は選択酸化により他の領域上の熱酸化膜５
より厚くなっている。このためＰ型第１拡散領域１をド
レイン、配線３をゲート、Ｐ型第２拡散領域２をソース
とする寄生ＰチャンネルＭＯＳＦＥＴＱ１は、Ｐ型第２
拡散領域２の上の熱酸化膜４が他の熱酸化膜５より厚い
のでしきい値電圧（ＶＴが大きくなり、寄生ＭＯＳＦＥ
ＴＱ１は静電気によりＰ型第１拡散領域１に負、Ｐ型第
２拡散領域２に正の電圧が印加されても動作しなくなり
破壊しなくなる。
は本考案の一実施例の平面図、第２図は第１図のＡ−
Ａ′断面図である。ｎ型エピタキシャル層８の中にＰ型
第１拡散領域１とＰ型第２拡散領域２が設けられ、これ
らの表面に熱酸化膜５が設けられ、Ｐ型第１拡散領域１
は配線３により、またＰ型第２拡散領域は配線６による
外部端子に接続されている。配線３はＰ型第２拡散領域
２と交差して引出されており、Ｐ型第２拡散領域２の上
の熱酸化膜４は選択酸化により他の領域上の熱酸化膜５
より厚くなっている。このためＰ型第１拡散領域１をド
レイン、配線３をゲート、Ｐ型第２拡散領域２をソース
とする寄生ＰチャンネルＭＯＳＦＥＴＱ１は、Ｐ型第２
拡散領域２の上の熱酸化膜４が他の熱酸化膜５より厚い
のでしきい値電圧（ＶＴが大きくなり、寄生ＭＯＳＦＥ
ＴＱ１は静電気によりＰ型第１拡散領域１に負、Ｐ型第
２拡散領域２に正の電圧が印加されても動作しなくなり
破壊しなくなる。
以上説明したように本考案は配線が交差するＰ型第２拡
散領域の上に厚い熱酸化膜を設けているだけなので従来
のチャンネルストッパとして高濃度のＮ型拡散領域を設
けたものより第１、第２拡散領域間の距離が数十μｍ小
さくなり、半導体装置のサイズ縮小ができる効果があ
る。
散領域の上に厚い熱酸化膜を設けているだけなので従来
のチャンネルストッパとして高濃度のＮ型拡散領域を設
けたものより第１、第２拡散領域間の距離が数十μｍ小
さくなり、半導体装置のサイズ縮小ができる効果があ
る。
第１図は本考案の一実施例の平面図、第２図は第１図の
Ａ−Ａ′線断面図、第３図は従来例の断面図である。 １…Ｐ型第１拡散領域、２…Ｐ型第２拡散領域、３，６
…配線、４，５…熱酸化膜、７…チャンネルストッパ、
８…Ｎ型エピタキシャル層。
Ａ−Ａ′線断面図、第３図は従来例の断面図である。 １…Ｐ型第１拡散領域、２…Ｐ型第２拡散領域、３，６
…配線、４，５…熱酸化膜、７…チャンネルストッパ、
８…Ｎ型エピタキシャル層。
Claims (1)
- 【請求項１】Ｎ型エピタキシャル層中に近接配置されて
いるＰ型第１拡散領域とＰ型第２拡散領域を有し、これ
ら第１および第２拡散領域をそれぞれ別個の外部端子に
接続する第１および第２配線を有する半導体装置におい
て、前記第１および第２配線の内のどちらか一方の配線
が、他方の配線に接続されているＰ型拡散領域上を通過
しておき、通過する配線とそのＰ型拡散領域の間の酸化
膜が他の領域上の酸化膜より厚くされていることを特徴
とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP866088U JPH062275Y2 (ja) | 1988-01-25 | 1988-01-25 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP866088U JPH062275Y2 (ja) | 1988-01-25 | 1988-01-25 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01113343U JPH01113343U (ja) | 1989-07-31 |
| JPH062275Y2 true JPH062275Y2 (ja) | 1994-01-19 |
Family
ID=31214735
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP866088U Expired - Lifetime JPH062275Y2 (ja) | 1988-01-25 | 1988-01-25 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH062275Y2 (ja) |
-
1988
- 1988-01-25 JP JP866088U patent/JPH062275Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01113343U (ja) | 1989-07-31 |
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