JPH0418479B2 - - Google Patents
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- JPH0418479B2 JPH0418479B2 JP60269687A JP26968785A JPH0418479B2 JP H0418479 B2 JPH0418479 B2 JP H0418479B2 JP 60269687 A JP60269687 A JP 60269687A JP 26968785 A JP26968785 A JP 26968785A JP H0418479 B2 JPH0418479 B2 JP H0418479B2
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- wiring layer
- layer
- patterning
- wiring
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Landscapes
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は、少なくとも２層の配線層を形成し
た多層配線基板に関する。
た多層配線基板に関する。
（従来技術）
この種の多層配線基板、例えば２層の配線基板
は、一般に絶縁基板上に、成膜、パターンニング
により第１配線層を形成し、次いで塗布、パター
ンニングにより絶縁層を形成し、しかる後成膜、
パターンニングにより第２配線層を形成し、最後
に保護膜を塗布、パターンニングにより形成し
て、製造されている。従来、第１配線層、絶縁
層、第２配線層の材質としては、Cr−Ta2O5−
Crの組合せのもの及びITO（インジウム−スズ酸
化物）−ポリイミド−ITOの組合せのものがある。
いずれも第１配線層と第２配線層を同じ材質とし
ているために、パターンニングに使用するエツチ
ング液が同じものとなる。このため、第２配線層
をパターンニングする際、第１配線層の露出部分
を予じめマスクしてエツチング液に侵されないよ
うにする必要がある。この結果、製造工程が煩雑
となる。とくに３層以上の配線層を形成する場
合、この傾向が顕著となる。またCr−Ta2O5−
Crの組合せの多層配線基板は、絶縁層及び第２
配線層がいずれも不透明であるため、第１配線層
のパターンニング時に設けたアライメントマーク
を第２配線層のパターンニング時に見ることが困
難である。このため、第２配線層の製膜時にアラ
イメントマークのある部分へマスクを設けると
か、あるいは別途アライメントマークを設けてパ
ターンニングをするなどしなければならない。こ
の結果各パターン間の誤差が大きくなるため、高
密度化の障害となつていた。
は、一般に絶縁基板上に、成膜、パターンニング
により第１配線層を形成し、次いで塗布、パター
ンニングにより絶縁層を形成し、しかる後成膜、
パターンニングにより第２配線層を形成し、最後
に保護膜を塗布、パターンニングにより形成し
て、製造されている。従来、第１配線層、絶縁
層、第２配線層の材質としては、Cr−Ta2O5−
Crの組合せのもの及びITO（インジウム−スズ酸
化物）−ポリイミド−ITOの組合せのものがある。
いずれも第１配線層と第２配線層を同じ材質とし
ているために、パターンニングに使用するエツチ
ング液が同じものとなる。このため、第２配線層
をパターンニングする際、第１配線層の露出部分
を予じめマスクしてエツチング液に侵されないよ
うにする必要がある。この結果、製造工程が煩雑
となる。とくに３層以上の配線層を形成する場
合、この傾向が顕著となる。またCr−Ta2O5−
Crの組合せの多層配線基板は、絶縁層及び第２
配線層がいずれも不透明であるため、第１配線層
のパターンニング時に設けたアライメントマーク
を第２配線層のパターンニング時に見ることが困
難である。このため、第２配線層の製膜時にアラ
イメントマークのある部分へマスクを設けると
か、あるいは別途アライメントマークを設けてパ
ターンニングをするなどしなければならない。こ
の結果各パターン間の誤差が大きくなるため、高
密度化の障害となつていた。
（解決しようとする技術的課題）
この発明の目的とするところは、第２配線層の
パターンニング時に第１配線層がエツチングされ
ることがなく、その製造工程を簡素化できる多層
配線基板を提供することにある。
パターンニング時に第１配線層がエツチングされ
ることがなく、その製造工程を簡素化できる多層
配線基板を提供することにある。
更にこの発明の目的は、第２配線層のパターン
ニングに第１配線層のパターンニングに使用した
アライメントマークを有効に使用して高密度化が
可能な多層配線基板を提供することにある。
ニングに第１配線層のパターンニングに使用した
アライメントマークを有効に使用して高密度化が
可能な多層配線基板を提供することにある。
（技術的課題を解決する手段）
この発明は、絶縁基板上に第１配線層と、同第
１配線層上の所定個所に開口したスルーホールを
有する絶縁層と、第２配線層とを順次形成した多
層配線基板において、絶縁層が透明材（例えばポ
リイミド）で、第１配線層がクロム、第２配線層
がITO（インジウム−スズ酸化物）でそれぞれ形
成されている多層配線基板である。
１配線層上の所定個所に開口したスルーホールを
有する絶縁層と、第２配線層とを順次形成した多
層配線基板において、絶縁層が透明材（例えばポ
リイミド）で、第１配線層がクロム、第２配線層
がITO（インジウム−スズ酸化物）でそれぞれ形
成されている多層配線基板である。
（発明の作用、効果）
第１配線層と第２配線層との材質が異なるた
め、第２配線層のエツチング液として第１配線層
を侵すことのないものを使用することができる。
このため第１配線層の露出部分（絶縁層で被覆さ
れていない個所）をマスクしなくとも、第２配線
層のパターンニングを行うことができ、製造工程
が簡素化される。
め、第２配線層のエツチング液として第１配線層
を侵すことのないものを使用することができる。
このため第１配線層の露出部分（絶縁層で被覆さ
れていない個所）をマスクしなくとも、第２配線
層のパターンニングを行うことができ、製造工程
が簡素化される。
また絶縁層及び第２配線層が透明であるため、
第２配線層のパターンニング時に、第１配線層の
アライメントマークが見やすく、作業能率が向上
するとともにパターンニングの精度が向上し、高
密度化を図ることができる。
第２配線層のパターンニング時に、第１配線層の
アライメントマークが見やすく、作業能率が向上
するとともにパターンニングの精度が向上し、高
密度化を図ることができる。
また第１配線層にCr、第２配線層にITOを使
用しているので、Cr／ITO間で干渉色が生じて
いる。従つて第２配線層のパターニングの際、エ
ツチングが終了した時点で干渉色が消えるため、
エツチング終点の確認を容易におこなえる。また
第３配線層以上をITOで形成する場合、ITOから
なる第２配線層上にポリイミドからなる絶縁層を
塗布、パターンニング後キユアしてから行なう。
このため第２配線層が変質してITOのエツチング
液（希塩酸）ではエツチングされなくなる。この
結果、３層以上をパターンニングする際にも、露
出している下層をマスクする必要がなくなり、製
造工程が著しく向上する。
用しているので、Cr／ITO間で干渉色が生じて
いる。従つて第２配線層のパターニングの際、エ
ツチングが終了した時点で干渉色が消えるため、
エツチング終点の確認を容易におこなえる。また
第３配線層以上をITOで形成する場合、ITOから
なる第２配線層上にポリイミドからなる絶縁層を
塗布、パターンニング後キユアしてから行なう。
このため第２配線層が変質してITOのエツチング
液（希塩酸）ではエツチングされなくなる。この
結果、３層以上をパターンニングする際にも、露
出している下層をマスクする必要がなくなり、製
造工程が著しく向上する。
（実施例）
第１図乃至第４図を参照してこの発明の一実施
例につき説明する。
例につき説明する。
第１図は多層配線基板の断面図である。この配
線基板は、ガラス製絶縁基板１上に厚さ0.2μｍの
クロム製第１配線層２、厚さ4μｍのポリイミド
製絶縁層３、厚さ0.3μｍのITO製第２配線層４及
び厚さ0.2μｍのアクリル系樹脂であるEVR（富士
薬品株式会社製商品名）保護層５を順次形成して
おり、前記第２配線層４は、絶縁層３に形成した
スルーホール６を介して、第１配線層２と接続し
ている。
線基板は、ガラス製絶縁基板１上に厚さ0.2μｍの
クロム製第１配線層２、厚さ4μｍのポリイミド
製絶縁層３、厚さ0.3μｍのITO製第２配線層４及
び厚さ0.2μｍのアクリル系樹脂であるEVR（富士
薬品株式会社製商品名）保護層５を順次形成して
おり、前記第２配線層４は、絶縁層３に形成した
スルーホール６を介して、第１配線層２と接続し
ている。
この多層配線基板は、次のようにして製造され
る。
る。
() まず第２図に示すように、絶縁基板１上
に、まずクロムを成膜後パターンニングして第
１配線層２を形成した。成膜は、アルゴンガス
雰囲気中で直流電源によるスパツタリングを行
うことによりおこなつた。またパターンニング
はフオトリソにより以下の条件で行なつた。
に、まずクロムを成膜後パターンニングして第
１配線層２を形成した。成膜は、アルゴンガス
雰囲気中で直流電源によるスパツタリングを行
うことによりおこなつた。またパターンニング
はフオトリソにより以下の条件で行なつた。
レジスト：材料Az1350（米国シツプレー社製、
商品名） 回転数 2000r.p.m 時間 30秒 プレベーク：90℃、30分 露光：タマラツク社製アライナ（６ｍＷ／cm2）、
10秒 現像：ヘキスト社製312MIF：水＝１：１、30
秒 ポストベーク：130℃、30分 エツチング：セリウム−過塩素酸系、２分 剥離：KOH水溶液 () 次に第３図に示すように、ポリイミドを塗
布後セミキユアし、更にパターンニングしてス
ルーホール６を有する絶縁層３を形成した。そ
の条件を以下に示す。
商品名） 回転数 2000r.p.m 時間 30秒 プレベーク：90℃、30分 露光：タマラツク社製アライナ（６ｍＷ／cm2）、
10秒 現像：ヘキスト社製312MIF：水＝１：１、30
秒 ポストベーク：130℃、30分 エツチング：セリウム−過塩素酸系、２分 剥離：KOH水溶液 () 次に第３図に示すように、ポリイミドを塗
布後セミキユアし、更にパターンニングしてス
ルーホール６を有する絶縁層３を形成した。そ
の条件を以下に示す。
塗布：東レ製Sp710、1500rpm、30秒
セミキユア：150℃、60分
パターニング：（）の方法によりレジストを
塗布、塗布後の現像時にポリイミドのエツチ
ング（ただし本例では（）のようにポスト
ベークは行なわれない。）レジスト剥離（た
だしこのときの剥離液は、（）と相違し、
酢酸Ｎブチルとイソプロピルアルコールの混
合液である。） キユア：300℃、30分 () 次いで第４図に示すように、ITOを成膜し
た後パターンニングして第２配線層４を形成し
た。その製造条件を以下に示す。
塗布、塗布後の現像時にポリイミドのエツチ
ング（ただし本例では（）のようにポスト
ベークは行なわれない。）レジスト剥離（た
だしこのときの剥離液は、（）と相違し、
酢酸Ｎブチルとイソプロピルアルコールの混
合液である。） キユア：300℃、30分 () 次いで第４図に示すように、ITOを成膜し
た後パターンニングして第２配線層４を形成し
た。その製造条件を以下に示す。
成膜：Ar＋O2ガス雰囲気、室温中でRFスパツ
タリングにより成膜 パターンニング：（）と同様の方法でパター
ンニング、エツチング液；２％HCl剥離液；
（）と相違し、NMD3（東京応化工業株式
会社製、商品名）とした。
タリングにより成膜 パターンニング：（）と同様の方法でパター
ンニング、エツチング液；２％HCl剥離液；
（）と相違し、NMD3（東京応化工業株式
会社製、商品名）とした。
() そして保護膜塗料を塗布後パターンニング
して保護膜５を形成する。その条件を以下に示
す。
して保護膜５を形成する。その条件を以下に示
す。
塗布：武田薬品工業製FVR、200rpm、30秒
パターンニング：
プレベーク；90℃、30分
露光；タマラツク社製15〜20秒
現像；FVR現像液、FVRリンス
ポストベーク；150℃、30分
この製造過程において、ITOをエツチングした
際に第１配線層のクロムはエツチング液に侵され
なかつた。またクロムパターンニングに用いたア
ライメントマーク７を絶縁層３及び第２配線層４
の形成時にはつきりと見ることができ、これを利
用して精度よくパターンニングできた。
際に第１配線層のクロムはエツチング液に侵され
なかつた。またクロムパターンニングに用いたア
ライメントマーク７を絶縁層３及び第２配線層４
の形成時にはつきりと見ることができ、これを利
用して精度よくパターンニングできた。
第１図は本発明の一実施例を示す多層配線基板
の断面図、第２図乃至第４図は同多層配線基板の
製造工程を順に示す平面図である。 １……絶縁基板、２……第１配線層、３……絶
縁層、４……第２配線層、５……保護層、６……
スルーホール、７……アライメントマーク。
の断面図、第２図乃至第４図は同多層配線基板の
製造工程を順に示す平面図である。 １……絶縁基板、２……第１配線層、３……絶
縁層、４……第２配線層、５……保護層、６……
スルーホール、７……アライメントマーク。
Claims (1)
- １ 絶縁基板上に第１配線層と、同第１配線層上
の所定個所に開口したスルーホールを有する絶縁
層と、第２配線層とを順次形成した多層配線基板
において、絶縁層が透明材、第１配線層がクロ
ム、第２配線層がインジウム−スズ酸化物でそれ
ぞれ形成されていることを特徴とする多層配線基
板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26968785A JPS62130598A (ja) | 1985-11-30 | 1985-11-30 | 多層配線基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26968785A JPS62130598A (ja) | 1985-11-30 | 1985-11-30 | 多層配線基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62130598A JPS62130598A (ja) | 1987-06-12 |
| JPH0418479B2 true JPH0418479B2 (ja) | 1992-03-27 |
Family
ID=17475788
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26968785A Granted JPS62130598A (ja) | 1985-11-30 | 1985-11-30 | 多層配線基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62130598A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5815959A (ja) * | 1981-07-21 | 1983-01-29 | Ube Ind Ltd | Ｏ−アミノメチルフエニル酢酸ラクタムの製造方法 |
| JPS60136398A (ja) * | 1983-12-26 | 1985-07-19 | 株式会社日立製作所 | 多層配線基板 |
-
1985
- 1985-11-30 JP JP26968785A patent/JPS62130598A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5815959A (ja) * | 1981-07-21 | 1983-01-29 | Ube Ind Ltd | Ｏ−アミノメチルフエニル酢酸ラクタムの製造方法 |
| JPS60136398A (ja) * | 1983-12-26 | 1985-07-19 | 株式会社日立製作所 | 多層配線基板 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62130598A (ja) | 1987-06-12 |
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