JPS62130598A

JPS62130598A - 多層配線基板

Info

Publication number: JPS62130598A
Application number: JP26968785A
Authority: JP
Inventors: 誠有沢; 西本　豊司
Original assignee: Toppan Printing Co Ltd
Current assignee: Toppan Inc
Priority date: 1985-11-30
Filing date: 1985-11-30
Publication date: 1987-06-12
Also published as: JPH0418479B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】（産業上の利用分野）この発明は、少なくとも２層の配線Ｊ９を形成した多層
配線基板に関する。

（従来技術）この種の多層配線基板１例えば２層の配線基板は、一般
に絶縁基板上に、成膜、パターンニングにより第１配線
層を形成し、次いで塗布、パターンニングにより絶縁層
を形成し、しかる後成膜、パターンニングにより第２配
線層を形成し、最後に保護膜を塗布、パターンニングに
より形成して、製造されている。従来、第１配線層、絶
縁層、第２配線層の材質としては、Ｃｒ−ＴＩＬ２０５
−　Ｃｒの組合せのもの及びＩＴＯ（インジウム−スズ
酸化物）−ポリイミド−ＩＴＯの組合せのものがある。

いずれも第１配線層と第２配線層を同じ材質としている
ために、パターンニングに使用するエツチング液が同じ
ものとなる。

このため、第２配線層をパターンニンダする際。

第１配線層の露出部分を予じめマスクしてエツチング液
に侵されないようにする必要がある。

この結果、製造工程が煩雑となる。とくに３層以上の配
線層を形成する場合、この傾向が顕著となる。またＣｒ
　−Ｔａ２０２−　Ｃｒの組合せの多層配線基板は、絶
縁層及び第２配線層がいずれも不透明であるため、第１
配線層のノ々ターンニング時に設けたアライメントマー
クを第２配線層の７９タ一ンニング時に見ることが困難
である。このため、第２配線層の製膜時にアライメント
マークのある部分へマスクを設けるとか、あるいは別途
アライメントマークを設けてパターンニングをするなど
しなければならない。この結果各パターン間の誤差が大
きくなるため、高密度化の障害となっていた。

（解決しようとする技術的課題）この発明の目的とするところは、第２配線層の・ぐター
ンユング時に第１配線層がエツチングされることがなく
、その製造工程を簡素化できる多層配線基板を提供する
ことにある。

更にこの発明の目的は、第２配線層のパターンニングに
第１配線層のパターンニングに使用したアライメントマ
ークに’ｌｉｆ効に使用して高密度化が可能な多層配線
基板を提供することにある。

（技術的課題を解決する手段）この発明は、絶縁基板上に第１配線層と、同第１配線層
上の所定個所に開口したスルーホールを有する絶縁層と
、第２配線層とを順次形成した多層配線基板において、
絶縁層及び第２配線層が透明材で形成され、かつ第２配
線１者が第１配線層とは異なる材料からなることを特徴
とする多層配線基板である。

第１配線層の材質は特に限定されないが、例えばクロム
が挙げられる。絶縁層の材質は透明な絶縁材であればよ
く例えばポリイミドが挙げられる。第２配線層の材質は
透明材でかつ第１配線層とは異なる材質であればよく、
例えばＩＴＯが挙げられる。

（発明の作用、効果）第１配線層と第２配線層との材質が異なるため、第２配
線層のエツチング液として第１配線層を侵すことのない
ものを使用することができる。このため第１配線層の露
出部分（絶縁層で被覆されていない個所）をマスクしな
くとも、第２配線層の・々ターンニングを行うことがで
き、製造工程が簡素化される。

またＩＰ２縁層及び第２配線層が透明であるため、第２
配線層のパターニング時に、第１１ｉ１１［のアライメ
ントマークが見やすく、作業能率が向上するとともにパ
ターンニングの精度が向上し、高密変化を図ることがで
きる。

また第１配線層にＣｒ％第２配線層にＩＴＯを使用した
場合、Ｃｒ　／　ＩＴＯ間で干渉色が生じている。

従って第２配線層のパターニングの際、エツチングが終
了した時点で干渉色が消えるため、エツチング終点の確
認を容易におこなえる。また第３配線層以上をＩＴＯで
形成する場合、Ｉ’ｌ”Ｏからなる第２配線層上にポリ
イミドからなる絶縁層を塗布、ノソターンニング後キー
アしてから行なう。このため第２配線層が変質してＩＴ
Ｏのエツチング液（希塩酸）ではエツチングされなくな
る。この結果、３層以上を・リーンニングする際にも、
露出している下層をマスクする必要がなくなり、製造工
程が著しく向上する。

（実施例）第１図乃至第４図を参照してこの発明の一実施例につき
説明する。

第１図は多層配線基板の断面図である。この配線基板は
、ガラス製絶縁基板１上に厚さ０．２μｍのクロム製第
１配線層２、厚さ４μｍの、４９　ＩＪイミド製絶縁層
３、厚さ０．３μｍのＩＴＯｍ第２配線層４及び厚さ０
．２μｍのアクリル系樹脂であるＦＶＲ（富士薬品株式
会社製商品名）保護層５を順次形成しており、前記第２
配線層４は、絶縁層３に形成したスルーホール６を介し
て、第１配線層２と接続している。

この多層配線基板は、次のようにして製造される。

（１）　　まず第２図に示すように、絶縁基板Ｉ上に、
まずクロムを成膜後・セターンニングして第１配線層２
金形成した。成膜は、アルゴンがス雰囲気中で直流電源
によるスノやツタリングを行うことによりおこなった。

またパターンニングはフォトリソにより以下の条件で行
なった。

レ　ジス　ト　：材料Ａ２１３５０（米国シラプレー社
製。

商品名）回転数　２００Ｏｒ、ｐ、ｍ。

時間　３０秒プレベーク：９０℃、３０分ポストベーク：　１３０℃、３０分エツチング：セリウム−過塩素酸系、２分剥　　　離：
　ＫＯＨ水溶液（ＩＩ）　　次に第３図に示すように、Ｉリイミドをａ
布ｇセミキュアし、更にパターンニングしてスルーホー
ル６を有する絶縁層３を形成した。その条件を以下に示
す。

塗　　　布：東し製Ｓ　７１０　、１５０ｏｒｐｍ、３
０秒セミキュア：１５０℃、６０分れない。）レジスト剥離（ただしこのときの剥離液に、（１）と相違し、酢酸Ｎブチルとイソプロピルアルコールの混合液である。）キュア　　：３００℃、３０分ＧＯ）　　次いで第４図に示すように、ＩＴＯを成膜し
た後／’Ｐターンニングして第２配線層４を形成した。

その製造条件を以下に示す。

エツチング液；２チＨＣ１剥＊α；（夏）と相違しＮＭＤ３　（東京応化工業株式
会社製、商品名）とした。

□□□そして保護膜塗料を塗布後・ンターンニングして
保護膜５を形成する。その条件を以下に示す。

ノｆターンニング　：ブレペーク；　９０℃、３０分露光：タマラック社翌１５〜２０秒現　　像：　ＦＶＲ現像液、　ＦＶＲリンス継トペーク
：　　１５０℃、３０分この製造過程において、　　ＩＴＯをエツチングした際
に第１配線層のクロムはエツチング液に侵されなかった
。またクロムノ！ターンニングに用いたアライメントマ
ーク７を絶縁層３及び第２配線層４の形成時にはっきり
と見ることができ。

これを利用して精度よくパターンニングできた。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例を示す多層配線基板の断面図
、第２図乃至第４図は同多層配線基板の製造工程を順に
示す平面図である。１・・・絶縁基板、２・・・第１配線層、３・・・絶縁
層、４・・・第２配線層、５・・・保護層、６・・・ス
ルーホール、７・・・アライメントマーク。

Claims

【特許請求の範囲】

（１）絶縁基板上に第１配線層と、同第１配線層上の所
定個所に開口したスルーホールを有する絶縁層と、第２
配線層とを順次形成した多層配線基板において、絶縁層
及び第２配線層が透明材で形成され、かつ第２配線層が
第１配線層とは異なる材料からなることを特徴とする多
層配線基板。
（２）第１配線層がクロム、第２配線層がＩＴＯ（イン
ジウム−スズ酸化物）である特許請求の範囲第１項記載
の多層配線基板。