JPH04168621A - 潤滑組成物およびそれを用いた電子部品 - Google Patents
潤滑組成物およびそれを用いた電子部品Info
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- JPH04168621A JPH04168621A JP29485790A JP29485790A JPH04168621A JP H04168621 A JPH04168621 A JP H04168621A JP 29485790 A JP29485790 A JP 29485790A JP 29485790 A JP29485790 A JP 29485790A JP H04168621 A JPH04168621 A JP H04168621A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野コ
本発明は、高被覆率で低摩擦係数であり、撥水。
撥油性を備えたフッ素系化合物の潤滑組成物、およびそ
れを用いた電子部品に関する。
れを用いた電子部品に関する。
[従来の技術]
磁気記録媒体は、大容量の情報記憶再生装置の情報記録
に用いられている。これら磁気記録媒体は、いずれも記
録容量の増大が期待されると同時に、長時間の使用に耐
え得る信頼性が要求される。
に用いられている。これら磁気記録媒体は、いずれも記
録容量の増大が期待されると同時に、長時間の使用に耐
え得る信頼性が要求される。
高記録密度を必要とする磁気記録媒体には薄膜磁性媒体
型が適用されている。特に、高記録密度とデータの高速
取り込みを必要とする磁気ディスク装置では、記憶容量
の増大により、ヘッドとディスクとの間隔がますます狭
くなり、それに伴ってヘッドとディスクの接触摺動の確
率が高(なり、耐摺動性の向上が望まれている。
型が適用されている。特に、高記録密度とデータの高速
取り込みを必要とする磁気ディスク装置では、記憶容量
の増大により、ヘッドとディスクとの間隔がますます狭
くなり、それに伴ってヘッドとディスクの接触摺動の確
率が高(なり、耐摺動性の向上が望まれている。
また、磁気テープなどの磁気記録媒体においても耐摺動
性の向」−が必要なのは云うまでもない。
性の向」−が必要なのは云うまでもない。
このため、磁気記録媒体の最外表面に設けられる潤滑層
は過酷な摺動条件に耐え得る性能が要求される。さらに
、潤滑層は磁性層の酸化や腐食を防止する効果も要求さ
れ、該表面を緻密に被覆することができるものが望まれ
る。
は過酷な摺動条件に耐え得る性能が要求される。さらに
、潤滑層は磁性層の酸化や腐食を防止する効果も要求さ
れ、該表面を緻密に被覆することができるものが望まれ
る。
こうした磁気記録媒体の潤滑層にはフッ素系化合物が用
いられている。フッ素系化合物は、その低表面エネルギ
ーから低摩擦性や撥水性、撥油性であると云う特性を有
する。該フッ素系化合物によって構成される潤滑層は、
吸着性の高いフッ素系化合物を塗布し、化学的に固定す
る方法が提案されている(米国特許第4,120,99
5号明細書、特開昭51−36171号、同59−20
3239号、同60−38730号、同59−1721
59号、同61−39919号、同60−]09028
号、同60−101717号、同60−101715号
、同60−242518号、同6C1−202533号
、同60−246020号、同61−104318号、
同62−42316号同63−225918号、同63
〜220420号公報)。
いられている。フッ素系化合物は、その低表面エネルギ
ーから低摩擦性や撥水性、撥油性であると云う特性を有
する。該フッ素系化合物によって構成される潤滑層は、
吸着性の高いフッ素系化合物を塗布し、化学的に固定す
る方法が提案されている(米国特許第4,120,99
5号明細書、特開昭51−36171号、同59−20
3239号、同60−38730号、同59−1721
59号、同61−39919号、同60−]09028
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、同60−246020号、同61−104318号、
同62−42316号同63−225918号、同63
〜220420号公報)。
フッ素系化合物の被覆層を形成する手法としては、単分
子膜を形成し得るラングミュア−プロジェット法が知ら
れている。また、大量塗布には浸漬塗布法が適している
が、高い表面被覆率を得るためには高濃度の溶液を必要
とする。
子膜を形成し得るラングミュア−プロジェット法が知ら
れている。また、大量塗布には浸漬塗布法が適している
が、高い表面被覆率を得るためには高濃度の溶液を必要
とする。
[発明が解決しようとする課題]
こうした、磁気記録媒体などにおいて、フッ素系化合物
の潤滑層に要求される耐摺動性と防食性とを両立させる
ためには、該化合物を緻密に被覆する必要がある。
の潤滑層に要求される耐摺動性と防食性とを両立させる
ためには、該化合物を緻密に被覆する必要がある。
高分子量のフッ素系化合物を用いれば、少量でも該化合
物のフッ索鎖が表面を緻密に被覆し、その表面エネルギ
ーを低下して、低摩擦性、撥水性、撥油性を付与するこ
とができると考えられるが、本発明者らの検討によれば
、低濃度溶液では摩擦特性が満足できても十分緻密に表
面を被覆することができないし、また、高濃度溶液では
フッ素系化合物の凝集によって均一な被覆が得難いこと
が分かった。
物のフッ索鎖が表面を緻密に被覆し、その表面エネルギ
ーを低下して、低摩擦性、撥水性、撥油性を付与するこ
とができると考えられるが、本発明者らの検討によれば
、低濃度溶液では摩擦特性が満足できても十分緻密に表
面を被覆することができないし、また、高濃度溶液では
フッ素系化合物の凝集によって均一な被覆が得難いこと
が分かった。
一方、分子量の小さなフッ素系化合物は、高濃度溶液で
も均一な被覆層が得られ、低濃度溶液でも比較的よい被
覆を形成できる傾向があるが、十分な低摩擦特性のもの
が得られないと云う問題があるこよが分かった。
も均一な被覆層が得られ、低濃度溶液でも比較的よい被
覆を形成できる傾向があるが、十分な低摩擦特性のもの
が得られないと云う問題があるこよが分かった。
上記の課題を解決するためには高分子量のフッ素系化合
物の特性と、低分子量のフッ素系化合物の特性を合わせ
持つ潤滑層の形成が必要である。
物の特性と、低分子量のフッ素系化合物の特性を合わせ
持つ潤滑層の形成が必要である。
本発明の目的は、比較的低濃度でも高い表面被覆率を示
し、良好な摩擦特性、撥水性、撥油性を有する潤滑層を
形成できる潤滑組成物を提供することにある。
し、良好な摩擦特性、撥水性、撥油性を有する潤滑層を
形成できる潤滑組成物を提供することにある。
また、本発明の他の目的は、上記潤滑組成物を用いて緻
密な潤滑層を設けた電子部品を提供することにある。
密な潤滑層を設けた電子部品を提供することにある。
[B題を解決するための手段]
前記目的を解決する本発明の要旨は、平均分子量の差が
500以上ある平均分子量の異なる2種以上のフッ素系
化合物を含むことを特徴とする潤滑組成物およびそれを
用いた電子部品にある。
500以上ある平均分子量の異なる2種以上のフッ素系
化合物を含むことを特徴とする潤滑組成物およびそれを
用いた電子部品にある。
本発明の前記フッ素系化合物とは、例えば、F CCF
(CF 、) CF 20 )m C2F 、−
F (Cs F s O) m (CF 10 )
n (CF 2) p−−(CF20)m−(C2
F、0)n−(C,F2O)、−CF2−等のパーフロ
ロポリオキシアルキル基またはパーフロロポリオキシア
ルキレン基と、炭化水素基を結合したものである。こう
した化合物としては、Rf−COOH Rf−CONH−C,H6−81(OC2H8)。
(CF 、) CF 20 )m C2F 、−
F (Cs F s O) m (CF 10 )
n (CF 2) p−−(CF20)m−(C2
F、0)n−(C,F2O)、−CF2−等のパーフロ
ロポリオキシアルキル基またはパーフロロポリオキシア
ルキレン基と、炭化水素基を結合したものである。こう
した化合物としては、Rf−COOH Rf−CONH−C,H6−81(OC2H8)。
Rf C0NHcgHL S 1(OC2H−)3
Rf −CONH−C,H4−C,H,−3i (OC
,H5)。
Rf −CONH−C,H4−C,H,−3i (OC
,H5)。
Rf CH2OS+(OC+Hi)3Rf −CON
H−C,H6−6i −(OCR,)。
H−C,H6−6i −(OCR,)。
Rf −CONH−C,H6−8i −(OC2H,)
2Rf Coo S i (OCTI3)+Rf−
COOC2H,−8i (OCH,)。
2Rf Coo S i (OCTI3)+Rf−
COOC2H,−8i (OCH,)。
(C2H,0)3S i−C,H6−NHCO−Rf−
−CONH−C,H6−8i (OC2H,)!(C2
11,O)、S 1−O−CH2−Rf−CH20S
j (QC:zHs:h (CHs O)3 S i 00 CRf
−COO8l(OCH3)s (CH30)i−3j−C,H6−NHCO−Rf−−
CONH−C,H6−8i −(OCH,)。
−CONH−C,H6−8i (OC2H,)!(C2
11,O)、S 1−O−CH2−Rf−CH20S
j (QC:zHs:h (CHs O)3 S i 00 CRf
−COO8l(OCH3)s (CH30)i−3j−C,H6−NHCO−Rf−−
CONH−C,H6−8i −(OCH,)。
(C,H,O)、−81−C3He−NHCO−Rf−
−CONH−C,H6−8i −(OC2H,)。
−CONH−C,H6−8i −(OC2H,)。
(CHsO)xsl OCORf−
−COO−81(OCH=)2
(CH,O)!S i−C,H40CO−Rf−−CO
OC2H4−81(OCH3)2等がある。
OC2H4−81(OCH3)2等がある。
前記において高分子量のフッ素系化合物と低分子量のフ
ッ素系化合物は、その分子量差が500以上あるものを
2種以上混合して用いることにより本発明の目的を達成
することができる。
ッ素系化合物は、その分子量差が500以上あるものを
2種以上混合して用いることにより本発明の目的を達成
することができる。
これにより、高分子量のフッ素系化合物単独では実現で
きなかった高表面被覆率と、低分子量のフッ素系化合物
単独で実現でなかった低摩擦係数を両立した潤滑組成物
および該潤滑層を設けた磁気記録媒体等の電子部品を提
供することができる。
きなかった高表面被覆率と、低分子量のフッ素系化合物
単独で実現でなかった低摩擦係数を両立した潤滑組成物
および該潤滑層を設けた磁気記録媒体等の電子部品を提
供することができる。
[作用コ
高分子量のフッ素系化合物と低分子量のフッ素系化合物
を混合させたことにより、両者の特性を両立した潤滑層
が得られるのは、第1図の模式図に示すように高分子量
のフッ素系化合物の分子と低分子量のフッ素系化合物の
分子とが混在し、潤滑表面に固定され、相乗効果を生ず
るためと推定される。
を混合させたことにより、両者の特性を両立した潤滑層
が得られるのは、第1図の模式図に示すように高分子量
のフッ素系化合物の分子と低分子量のフッ素系化合物の
分子とが混在し、潤滑表面に固定され、相乗効果を生ず
るためと推定される。
[実施例コ
以下、本発明を実施例により詳述する。
なお、本実施例において用いたフッ素系化合物と、それ
を用いた潤滑組成物の配合比を第1表に示す。
を用いた潤滑組成物の配合比を第1表に示す。
〔実施例 1〜5〕
エポキシ樹脂(シェル石油化学社製、商品名・EP−1
004>4.4g、硬化剤としてフェノール系樹脂であ
るマルカリンカーM[丸首石油化学(株)製]3.0g
、硬化促進剤としてトリエチルアンモニウムカルボール
塩〔北興化学(株)製。
004>4.4g、硬化剤としてフェノール系樹脂であ
るマルカリンカーM[丸首石油化学(株)製]3.0g
、硬化促進剤としてトリエチルアンモニウムカルボール
塩〔北興化学(株)製。
商品名:TEA−K]0.04gをメチルエチルケトン
1350gをn−ブチルセロソルブアセテート150g
の混合溶剤に溶解し、溶液[I]を作成した。
1350gをn−ブチルセロソルブアセテート150g
の混合溶剤に溶解し、溶液[I]を作成した。
次に、 5.25インチのA1合金ディスク表面にN1
−P層を設け、その上にCr層、更にその上にN1−G
oの磁性層を50nm厚さに蒸着し、カーボンスパッタ
層を設けた該ディスク面に前記溶液[I]を浸漬塗布し
、膜厚10〜30nmの被膜を形成した。次いで、80
℃で30分子備加熱後、230℃、1時間加熱して硬化
させた。
−P層を設け、その上にCr層、更にその上にN1−G
oの磁性層を50nm厚さに蒸着し、カーボンスパッタ
層を設けた該ディスク面に前記溶液[I]を浸漬塗布し
、膜厚10〜30nmの被膜を形成した。次いで、80
℃で30分子備加熱後、230℃、1時間加熱して硬化
させた。
次に上北基板に、第1表のNo、1〜5をトリクロロト
リフロロエタン(商品名フロンソルベント5−3)に溶
解した溶液を浸漬塗布した後、120℃で10分加熱し
て基板1〜5を得た。
リフロロエタン(商品名フロンソルベント5−3)に溶
解した溶液を浸漬塗布した後、120℃で10分加熱し
て基板1〜5を得た。
こうして得られた基板1〜5上のフッ素系化合物の表面
被覆率を評価した。なお、表面被覆率はPTFE (ポ
リテトラフルオロエチレン)を100%とした時の水の
接触角から測定したちので次式により求めた。
被覆率を評価した。なお、表面被覆率はPTFE (ポ
リテトラフルオロエチレン)を100%とした時の水の
接触角から測定したちので次式により求めた。
H−”[(c o sθ、−cosθ3)/(cosθ
2−CO2O3)〕×100 但し、 H:表面被覆率 θ3.改質した表面の接触角 θ3:基板の接触角 θ、: PTFEの接触角 さらに、基板1〜5の耐摺動性と摩擦特性をビンオンデ
ィスクタイプの摩擦試験機によって測定した。測定は上
部静止摺動子としてR30の球面を有する透明サファイ
ヤ〔(株)京セラ製〕を用い、滑り速度20m/s、垂
直荷重20g、雰囲気温度25℃、相対湿度50%RH
以下の条件で連続摺動した場合のディスクがクラッシュ
するまでの摺動回数と平均摩擦係数を求めた。
2−CO2O3)〕×100 但し、 H:表面被覆率 θ3.改質した表面の接触角 θ3:基板の接触角 θ、: PTFEの接触角 さらに、基板1〜5の耐摺動性と摩擦特性をビンオンデ
ィスクタイプの摩擦試験機によって測定した。測定は上
部静止摺動子としてR30の球面を有する透明サファイ
ヤ〔(株)京セラ製〕を用い、滑り速度20m/s、垂
直荷重20g、雰囲気温度25℃、相対湿度50%RH
以下の条件で連続摺動した場合のディスクがクラッシュ
するまでの摺動回数と平均摩擦係数を求めた。
これらの結果を第2表に示す。
第 2 表
〔実施例 6〕
5.25インチのA2合金ディスクの表面にγ−Fez
es (Pf 1zer社製:商品名MO2228)1
50重量部、エポキシ樹脂45重量部、フェノール樹脂
35重量部およびビニル樹脂20重量部をシクロへキサ
ノン400篤量部を加え、ボールミルにより充分に混練
した塗料をスピンコードにより塗布し、230℃で約3
時間硬化処理し、塗布媒体を作成した。
es (Pf 1zer社製:商品名MO2228)1
50重量部、エポキシ樹脂45重量部、フェノール樹脂
35重量部およびビニル樹脂20重量部をシクロへキサ
ノン400篤量部を加え、ボールミルにより充分に混練
した塗料をスピンコードにより塗布し、230℃で約3
時間硬化処理し、塗布媒体を作成した。
次に、上記の塗布媒体に第1表N016をトリクロロト
リフロロエタンに溶解した溶液を浸漬塗布した後、12
0℃で10分加熱して塗布媒体6を得た。
リフロロエタンに溶解した溶液を浸漬塗布した後、12
0℃で10分加熱して塗布媒体6を得た。
該塗布媒体6の表面のフッ素系化合物の表面被覆率と耐
摺動性、摩擦特性を前記実施例1と同様に測定した。こ
れらの結果を第2表に示す。
摺動性、摩擦特性を前記実施例1と同様に測定した。こ
れらの結果を第2表に示す。
〔実施例 7〕
酸化亜鉛粉末(平均粒径0.5μm)(高純度化学研究
社製)70重量%と40℃の粘度が110mm2/sの
鉱油(コスモ石油社製)30重量%を混合してサーマル
コンパウンド[mlを得た。
社製)70重量%と40℃の粘度が110mm2/sの
鉱油(コスモ石油社製)30重量%を混合してサーマル
コンパウンド[mlを得た。
一方、第1表N007をトリクロロトリフロロエタンに
溶解した溶液を、第3図に示す半導体装モジュール冷却
構造体の中間熱伝導ブロック3と熱伝導ブロック2との
接触摺動面に刷毛塗りした後、120℃で10分加熱し
て半導体装モジュール冷却構造体を作成した。
溶解した溶液を、第3図に示す半導体装モジュール冷却
構造体の中間熱伝導ブロック3と熱伝導ブロック2との
接触摺動面に刷毛塗りした後、120℃で10分加熱し
て半導体装モジュール冷却構造体を作成した。
該半導体装モジュールの半導体チップ2に次に、上記の
塗布媒体に第1表N086をトリクロロトリフロロエタ
ンに溶解した溶液を浸漬塗布した後、120℃で10分
加熱して塗布媒体6を得た。
塗布媒体に第1表N086をトリクロロトリフロロエタ
ンに溶解した溶液を浸漬塗布した後、120℃で10分
加熱して塗布媒体6を得た。
該塗布媒体6の表面のフッ素系化合物の表面被覆率と耐
摺動性、摩擦特性を前記実施例1と同様に測定した。
摺動性、摩擦特性を前記実施例1と同様に測定した。
これらの結果を第2表に示す。
〔実施例 7〕
酸化亜鉛粉末(平均粒径0.5μm)(高純度化学研究
社製)70重量%と40℃の粘度が110mm2/sの
鉱油(コスモ石油社製)30重量%を混合してサーマル
コンパウンド[mlを得た。
社製)70重量%と40℃の粘度が110mm2/sの
鉱油(コスモ石油社製)30重量%を混合してサーマル
コンパウンド[mlを得た。
一方、第1表No、7をトリクロロトリフロロエタンに
溶解した溶液を、第3図に示す半導体装モジュール冷却
構造体の中間熱伝導ブロック3と熱伝導ブロック2との
接触摺動面に刷毛塗りした後、120℃で10分加熱し
て先導体実装モジュール冷却構造体を作成した。
溶解した溶液を、第3図に示す半導体装モジュール冷却
構造体の中間熱伝導ブロック3と熱伝導ブロック2との
接触摺動面に刷毛塗りした後、120℃で10分加熱し
て先導体実装モジュール冷却構造体を作成した。
該半導体装モジュールの半導体チップ2に5000回の
通電試験を行い、熱変形によって摺動する熱伝導用中間
ブロック3と熱伝導ブロック6との接触面での摩耗粉の
発生状況を観察した。
通電試験を行い、熱変形によって摺動する熱伝導用中間
ブロック3と熱伝導ブロック6との接触面での摩耗粉の
発生状況を観察した。
その結果、該接触部には摩耗粉等は認められず良好な摩
擦特性が得られることが分かった。
擦特性が得られることが分かった。
〔比較例 1〜2〕
実施例1で用いたエポキシ樹脂とフェノール樹脂からな
る樹脂膜を塗布硬化させたディスクに、第1表のNo、
8.No、9のフッ素系化合物をl・リクロロトリフロ
ロエタンに溶解させた溶液を浸漬塗布した後、120℃
で10分加熱してディスクを得た。
る樹脂膜を塗布硬化させたディスクに、第1表のNo、
8.No、9のフッ素系化合物をl・リクロロトリフロ
ロエタンに溶解させた溶液を浸漬塗布した後、120℃
で10分加熱してディスクを得た。
該ディスク面上のフッ素系化合物の表面被覆率と耐摺動
性、摩擦特性を実施例1と同様の方法で評価した。
性、摩擦特性を実施例1と同様の方法で評価した。
結果を第2表に示す。
〔比較例 3〕
実施例6で用いたγ−Fe2esを分散させた塗布媒体
に第1表のNo、10のトリクロロトリフロロエタン溶
液を浸漬塗布した後、120℃で10分加熱して塗布媒
体を得た。
に第1表のNo、10のトリクロロトリフロロエタン溶
液を浸漬塗布した後、120℃で10分加熱して塗布媒
体を得た。
該塗布媒体上のフッ素系化合物No、10の表面被覆率
と耐摺動性、摩擦特性を実施例1と同様の方法で評価し
た。
と耐摺動性、摩擦特性を実施例1と同様の方法で評価し
た。
結果を第2表に示す。
第2表の結果から明らかなように、比較例1〜3の高分
子量のフッ素系化合物単独の場合は耐摺動性、摩擦特性
は良好であるが表面被覆率が小さく、逆に低分子量のフ
ッ素系化合物単独の場合は表面被覆率は高いが耐摺動性
、摩擦特性が劣る。
子量のフッ素系化合物単独の場合は耐摺動性、摩擦特性
は良好であるが表面被覆率が小さく、逆に低分子量のフ
ッ素系化合物単独の場合は表面被覆率は高いが耐摺動性
、摩擦特性が劣る。
一方、実施例1〜6では表面被覆率が高(、耐摺動性が
優れ、平均摩擦係数も小さく優れた摩擦特性を有してい
る。
優れ、平均摩擦係数も小さく優れた摩擦特性を有してい
る。
第2表の実施例1〜6および比較例1〜3の結果をまと
めて示すと第2図の様になる。
めて示すと第2図の様になる。
第2図から明らかなように、高分子量のフッ素系化合物
に低分子量のフッ素系化合物ら混合させることにより、
摩擦係数が小さく、7かつ、高表面被覆率を有する潤滑
層が形成され、両者のそれぞれの特長を備えた潤滑層を
得ることができる。
に低分子量のフッ素系化合物ら混合させることにより、
摩擦係数が小さく、7かつ、高表面被覆率を有する潤滑
層が形成され、両者のそれぞれの特長を備えた潤滑層を
得ることができる。
〔比較例 4〕
実施例7で用いた半導体装モジコール冷却構造体を用い
、第1表のNo、11フッ素系化合物のトリクロロトリ
フロロエタン溶液を、半導体装モジュール冷却構造体の
熱伝導用中間ブロック3と熱伝導ブロック2の接触面に
刷毛塗りした後、120℃で10分加熱して該冷却構造
体を得た。
、第1表のNo、11フッ素系化合物のトリクロロトリ
フロロエタン溶液を、半導体装モジュール冷却構造体の
熱伝導用中間ブロック3と熱伝導ブロック2の接触面に
刷毛塗りした後、120℃で10分加熱して該冷却構造
体を得た。
該半導体装モジュール冷却構造体を実施例7と同様に半
導体チップに5000回の通電試験を行い、前記摺動部
の摩耗粉等の発生状況を調べた。
導体チップに5000回の通電試験を行い、前記摺動部
の摩耗粉等の発生状況を調べた。
その結果、摩耗粉が多量に認められた。
[5!明の効果コ
本発明の分子量の異なるフッ素系化合物を混合した潤滑
組成物によって形成された潤滑層は、高い表面被覆率と
良好な摩擦特性を得ることができるので、これを用いる
ことにより、長寿命の電子部品を得ることができる。
組成物によって形成された潤滑層は、高い表面被覆率と
良好な摩擦特性を得ることができるので、これを用いる
ことにより、長寿命の電子部品を得ることができる。
また、該フッ素系化合物は撥水性、撥油性があり、こう
した電子部品の汚損を防止する効果があ
した電子部品の汚損を防止する効果があ
第1図は本発明の表面改質剤の固着状況を示す模式図、
第2図は本発明の表面改質剤の配合比と表面被覆率およ
び摩擦係数との関係を示すグラフ第3図は半導体装モジ
ュール冷却構造体の模式断面図である。 l・・・基板、2・・高分子量のフッ素系化合物分子、
3・・低分子量のフッ素系化合物分子、11・・基板、
12・半導体チップ、13・・・熱伝導用中間ブロック
、14・・接続はんだポール、15・・ばね、16・・
伝熱ブロック、17・・冷却水ユニット、18・ピン、
19・・潤滑層。 第1図 第2図 低分子量フッ素系化合物の混合率(重量%)第3図 18・・・ピン、19・・・潤滑層
第2図は本発明の表面改質剤の配合比と表面被覆率およ
び摩擦係数との関係を示すグラフ第3図は半導体装モジ
ュール冷却構造体の模式断面図である。 l・・・基板、2・・高分子量のフッ素系化合物分子、
3・・低分子量のフッ素系化合物分子、11・・基板、
12・半導体チップ、13・・・熱伝導用中間ブロック
、14・・接続はんだポール、15・・ばね、16・・
伝熱ブロック、17・・冷却水ユニット、18・ピン、
19・・潤滑層。 第1図 第2図 低分子量フッ素系化合物の混合率(重量%)第3図 18・・・ピン、19・・・潤滑層
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、平均分子量の差が500以上ある平均分子量の異な
る2種以上のフッ素系化合物を含むことを特徴とする潤
滑組成物。 2、平均分子量の差が500以上ある平均分子量の異な
る2種以上のフッ素系化合物を含み、該フッ素系化合物
中の高分子量のフッ素系化合物が20〜80重量%に対
し低分子量のフッ素系化合物が80〜20重量%である
ことを特徴とする潤滑組成物。 3、前記フッ素系化合物がRf−Rで表され、Rfはパ
ーフロロポリオキシアルキル基またはパーフロロポリオ
キシアルキレン基、Rが−COOH基、アルコキシシラ
ン基または下式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中R_1は2価のアルキレン基、アリール基、R_
2、R_3、R_4は、−CH_3、−C_2H_5、
−OH、−OCH_3、−OC_2H_5を示し、これ
らは同じでも異なっていてもよい。)で表されるフッ素
系化合物であることを特徴とする請求項1または請求項
2記載の潤滑組成物。 4、非磁性基材上に磁性層、該磁性層上に形成された潤
滑層を有する磁気記録媒体において、前記潤滑層が平均
分子量の差が500以上ある平均分子量の異なる2種以
上のフッ素系化合物を含む潤滑層で構成されていること
を特徴とする磁気記録媒体。 5、非磁性基材上に磁性層、該磁性層上に形成された潤
滑層を有する磁気記録媒体において、前記潤滑層が平均
分子量の差が500以上ある平均分子量の異なる2種以
上のフッ素系化合物を含み、該フッ素系化合物中の高分
子量のフッ素系化合物が20〜80重量%に対し低分子
量のフッ素系化合物が80〜20重量%である潤滑層で
構成されていることを特徴とする磁気記録媒体。 6、半導体素子を搭載した基板と、該半導体素子の冷却
手段を有する伝熱ブロックと、前記半導体素子と前記伝
熱ブロックとの間に在って摺動可能に設けられた熱伝導
用中間ブロックを備えた半導体実装モジュールにおいて
、 前記熱伝導用中間ブロック摺動面に平均分子量の差が5
00以上ある平均分子量の異なる2種以上のフッ素系化
合物を含む潤滑層が形成されていることを特徴とする半
導体実装モジュール。 7、半導体素子を搭載した基板と、該半導体素子の冷却
手段を有する伝熱ブロックと、前記半導体素子と前記伝
熱ブロックとの間に在って摺動可能に設けられた熱伝導
用中間ブロックを備えた半導体実装モジュールにおいて
、 前記熱伝導用中間ブロック摺動面に平均分子量の差が5
00以上ある平均分子量の異なる2種以上のフッ素系化
合物を含み、該フッ素系化合物中の高分子量のフッ素系
化合物が20〜80重量%に対し低分子量のフッ素系化
合物が80〜20重量%である潤滑層形成されているこ
とを特徴とする半導体実装モジュール。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29485790A JPH04168621A (ja) | 1990-10-31 | 1990-10-31 | 潤滑組成物およびそれを用いた電子部品 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29485790A JPH04168621A (ja) | 1990-10-31 | 1990-10-31 | 潤滑組成物およびそれを用いた電子部品 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04168621A true JPH04168621A (ja) | 1992-06-16 |
Family
ID=17813153
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP29485790A Pending JPH04168621A (ja) | 1990-10-31 | 1990-10-31 | 潤滑組成物およびそれを用いた電子部品 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04168621A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6700735B2 (en) * | 2001-07-27 | 2004-03-02 | International Business Machines Corporation | Disk drive lubricant reservoir systems and lubricants used therein |
WO2010038773A1 (ja) * | 2008-09-30 | 2010-04-08 | Hoya株式会社 | 磁気ディスク及びその製造方法 |
WO2019188973A1 (ja) * | 2018-03-30 | 2019-10-03 | Jnc株式会社 | 組成物、放熱部材、電子機器、および組成物の製造方法 |
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---|---|---|---|---|
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JPH02163195A (ja) * | 1988-12-16 | 1990-06-22 | Tdk Corp | 有機膜、磁気記録媒体、磁気ヘッドおよび磁気記録再生方法 |
JPH03130918A (ja) * | 1989-07-11 | 1991-06-04 | Fuji Photo Film Co Ltd | 磁気記録媒体 |
-
1990
- 1990-10-31 JP JP29485790A patent/JPH04168621A/ja active Pending
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US9177586B2 (en) | 2008-09-30 | 2015-11-03 | WD Media (Singapore), LLC | Magnetic disk and manufacturing method thereof |
US9984715B2 (en) | 2008-09-30 | 2018-05-29 | WD Media, LLC | Magnetic disk and manufacturing method thereof |
WO2019188973A1 (ja) * | 2018-03-30 | 2019-10-03 | Jnc株式会社 | 組成物、放熱部材、電子機器、および組成物の製造方法 |
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