JPH01112516A - 磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は磁気記録媒体に係わり、特に耐火性に優れた磁
気記録媒体に関する。

〔従来の技術〕

磁気ディスクは、大容量の情報記憶再生装置用に多くの
分野に適用されている。デジタル信号記録装置としての
７ｃｒツピーデイスク及びハードディスクなどでるる。

これら磁気ディスクは、いずれも記録容量の増大が期待
されていると同時に、長時間の動作に耐え得る信頼性が
請求されている。

磁気ディスクはヘッドとの摺動という動作を行いながら
情報の−ＩＦき込み、読み出しが行われている。特殊な
場合に磁気ディスクとヘッドは摺動せず、−足の非常に
狭い間隔を保ちながら情報の書き込み、読み出しが行わ
れる様に工夫されている！ｔもある。この場合にも一足
の確率でヘッドと磁気ディスクの接触摺動が行われてい
ることは認められている。

記憶容量の増大は、ヘッドとディスク間の間隔が狭くな
り接触摺動する確率が高くなる等、必然的に摺動条件を
苛酷にする方向にめシ、耐久性の同上は不可欠の要素で
ある。現状では十分な耐久性のめる磁気ディスクは得ら
れていない。

現在、耐久性を向上させる次めに行われている技術は、
潤滑剤の助けを借りて摺動時の摩擦、摩耗を低減させる
手法でろる。

旧来から行われている方法は、磁気ディスクの磁気記録
媒体層中にオレイン酸、ステアリン酸等の長鎖脂肪酸誘
導体からなる潤滑剤を含浸させる方法がとられている。

当該方法は、ａ注粉をバインダーに混合し塗布するタイ
プの磁気記録媒体において多く用いられているが、厳し
い摺動条件では潤滑効果は余り期待出来ず、その次め長
時間の潤滑性を期待することは難しい。

改良され九方法としては、潤滑性のより優れ次フッ素系
潤滑剤〔デュポン社：クライトツクス１４３、モンテフ
ルオス（Ｍｏｎｔｅｆｘｕｏｓ　）　　社：ホンプリン
　Ｙ〕を磁気ディスク表印に塗布する方法（米国特許第
５４９０９４６号、同第５７７８３０８号ンがある。と
ころが、磁気記録媒体表面に塗布したシする方法では、
初期には非常に有効でめるが長期間使用すると、ディス
クは高速回転で運転されているため、潤滑剤はディスク
表面から次第に脱落し、潤滑効果が減少してしまうとい
う欠点がろる〇 一一方、潤滑剤の早期脱落防止に着目して、磁気記録媒
体表面への吸着性を高め九フッ素系界面活性剤の塗布と
いり手法が提案されている（特開昭５９−１１６９３１
号、同５８−４１４３１号、同５８−２９１４７号、同
５７−１５４６１９号、同５７−ａ４２２６号ン。ここ
で言うフッ素系界面活性剤は特開昭５８−２９１４７号
公報で述べられている下記一般式で表される化合物であ
る＝ＣｎＦ和＋ｔ−Ｘ （式中、ｎ＝４〜１３、ｘｈ極注基で一８Ｏ２Ｍｅ　（
ＭｅｉＫ又ｔ’Ｘ　Ｎａ　）　、　−８０２Ｆ、−ＣＯ
ＯＮＨ４、−ＣＯＯＨ，−８０３Ｈ。

−ＯＨ） 一方、潤滑剤の早期脱落防止に着目して、磁気記録媒体
表面へフッ素系潤滑剤を固定する手法として米国特許第
４１２０９９５号明細書、特開昭５４−３６１７１号、
同５９−２０５２３９号、同６０−３８７５０号、同５
９−１７２１５９号、同６１−５９９１９芳容公報で提
案されている０これは下記一般式で表される化合物であ
る：ＣｎＦｓｎ＋ｔ−８ｉＸｓ （式中、ｎ　＝　４〜１３、Ｘはハロゲン、ニトリル及
びアルコキシグループ） 又は、特開昭６０−１０９０２８号、同６〇−１０１７
１７号、同６０−２４６０２０芳容公報で提案されてい
るリン酸系がめる。これは下記−般式で表される化合物
： Ｒｆ−Ｐ（０）−（ＯＲＪｍ （式中、Ｒｆニハーフルオロアルキルｉ、Ｒｅ’ＩＣＺ
Ｈ２！Ｉ＋１でｍはＯ”−２、Ｚ　ｆｆ、　Ｑ−５）で
あり、ディスク表面の金属膜、るるいは酸化膜表面に反
らして固着するタイプの潤滑剤である。

〔発明が解決しようとする問題点〕

前記一般式で表されるフッ素系表面活性剤を磁気ディス
クの磁気記録媒体表面に塗布する方法では、フッ素系界
面活性剤な強固に表面に固定されない九め、摺動時に摺
動向より飛散してしまい、磁気ディスクの耐久性は充分
に向上されず記憶装置の耐久性も向上されない。米国特
許第４１２０９９５号明細書、特開昭５４−５６１７１
号、同５９−２０５２５９号、同６０−３８７３０号、
同５９−１７２１５９号、同６１−３９９１９芳容公報
に記載の方法は潤滑剤を磁気記録媒体表面に化学反応で
固定してしまう几め、摺動面から脱離しに＜＜、かなり
の耐久性の向上が期待されるが、反応が困難な上、均質
な反応膜が得にくい欠点かめり、実際の製造ラインでは
適用が非常に困難である。ま九、フッ索鎖の鎖長が小さ
すぎて潤滑効果かめ′！シ良好でなく、磁気記録媒体の
耐久性は充分に同上しない。

このように従来のフッ素系界面活性剤及びフッ素系潤滑
剤では磁気ディスクの耐久性はおまり向上せず、また、
潤滑剤を化学的に表面に結合させる方法は実用性に乏し
い。

本発明の目的は、これら従来技術の問題点を解決し友磁
気記録媒体を提供することにある。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明を概説すれば、本発明は磁気記録媒体に関する発
明でろって、非磁性基材の表面に６Ｂ性体を含む薄膜が
形成されてなる磁気記録媒体において、該薄膜表面がフ
ェノール類でマスクされ几イソシアネート基を含有する
含フッ素化合物と、多官能エポキシ化合物で被蝋してな
ることを特徴とする。

本発明は、前記目的を達成する次めに、磁気記録媒体と
ヘッドの摺動耐久性同上に有効な成分を長期にわたって
磁気記録媒体内に保持し得る方法を検討した結果、到達
し友ものである。

磁気記録媒体の摺動耐久性を高めるには摩擦係数を小さ
く、摩耗速度を小さくし得る潤滑剤を表面に介在させる
必要がおり、従来技術で提案されてき次反応型のフッ素
系潤滑剤に、その有効な手　□段と考えられてきたｏし
かし、摺動耐久性が不十分でおることと、固定方法が非
常に難しいことから、本発明では、末端にブロック化し
次イソシアネート基を持つ長鎖のパーフルオロポリオキ
シアルキル基をエポキシ系塗料に混合して成膜し、加熱
硬化するだけで潤滑剤として効果のある長鎖のパーフル
オロポリオキシアルキル基を塗膜表面に固定する方法を
考えたものである。

本発明で言うパーフルオロポリオキシアルキル基の例と
しては、下記一般式： ％式％ （式中、Ｘ、７％Ｍは１以上の整数を示し、ｙは１０〜
２５．２は１０〜５６であるのが好ましい）で示される
ものを挙げることができる。

ま友、本発明で言うイソシアネート基を含有する含フッ
素化合物の例には、下記一般式：％式％ （式中、Ｒｆはパーフルオロポリオキシアルキル基、Ｒ
は−ＣＯＮＨ−１−０ＣＯＮＨ−、又は−ＣＨ，０ＣＯ
ＮＨ−基、Ｒ′は２価又は３価の飽和脂肪族炭化水素基
若しくは芳香族系炭化水素基、ｍは０以上の整数、ｎは
１又は２の数を示す〕で表される化合物がある。

含フッ素化合物の具体的な例は、 Ｒｆ−ＣＯＮＨ−ＣＨ，−Ｃ（ＣＨ３）！−ＣＨ，−Ｃ
Ｈ（ＣＨ３）−ＣＨ２−ＣＨ，−ＮＣＯＲｆ−ＣＯＮＨ
−（ＣＨ，）、−ＣＨ−（ＣＨ２）４−ＮＣ０ＣＨ，−
ＮＧＯ （Ｒｆ　）　−（ＣＯＮＨｅＨｚ　−Ｃ（ＣＨ３）ｘ　
−ＣＨ，−ＣＨ（ＣＨ３）−ＣＨ，−ＣＨ２−ＮＣ０ｊ
。

（Ｒｆ　）−（ＣＯＮＨ−（ＣＨｓ）３−ＣＨ−（ＣＨ
ｘ　）４−ＮＣＯ）２ＣＩ（、−ＮＣ０ Ｒｆ−ＣＨ２０ＣＯＮＨ−ＣＨ冨Ｃ（ＣＨｓ）２−ＣＨ
冨ＣＨ（ＣＨ，）−ＣＨ２ＣＨ，−ＮＣＯＲｆ−ＣＨ２
−ＯＣＯＮＨ−（ＣＨり、−０Ｈ−（ＣＨり、−ＮＣＯ
ＣＨ鵞−ＮＣＯ （式中、Ｒｆｆ″ｘ、上記と同義）であす、これらのイ
ソシアネート基はフェノール又はクレゾール等のフェノ
ール類でマスクされ、加熱して始めて反応するＯ 上記のイソシアネート基をマスクしている含フッ素化合
物と多官能エポキシ化合物と硬化剤好ましくはフェノー
ル樹脂からなる塗料を作成し、塗ａを作成すると、含フ
ッ素化合物は塗膜表面に選択的に露出配向する。これを
加熱すると、イソシアネート基はマスクが外れてエポキ
シと反応しオキサゾリドン環を介してエポキシ化合物と
結合する０ 又は、それ自体で二量体、三童体環を作り、高分子皺化
して固化する。爽に、三官能のイソシアネートの場合で
は、ポリイソシアネート環となり該化合物間で硬化反応
が進行する。一方過剰に存在する多官能エポキシ化合物
はフェノール樹脂と反応し塗膜は同時に硬化反応が進行
する。この状態で塗膜表面は潤滑剤でおるバーフルオロ
ボＩＪ　オキシアルキル基で榎われるため優れた＠滑効
果が充分に〃為つ長時間持続して発揮され、塗膜の耐久
性は充分に同上される。

本発明で用いる多官能エポキシ系樹脂及び、フェノール
系樹脂は、特に限定され友ものでなく、例えばエポキシ
系樹脂としては、ビスフェノールＡのジグリシジルエー
テル、ブタジエンジエボキ−／）’、３．４−エポキシ
シクロへキシルメｆｋ−Ｃ５，４−エポキシ）シクロヘ
キサンカルボキシレート、ビニルシクロヘキセンジオキ
シド、Ｎ、Ｎ−ｍ−フェニレンビス（４，５−エポキシ
−１，２−シクロヘキサンジカルボキシイミド）等の２
官能エポキシ（ｌ物、Ｎ、Ｎ−ビスグリシジル−ｐ−ア
ミノフェノールのグリシジルエーテル、ポリアリルグリ
シジルエーテル、ｔ、ｓ、ｓ−トリ（１，２−エボキシ
エチルノベンゼン、フェノールノボラックのポリグリシ
ジルエーテル、トリメチロールプロパ／のトリグリシジ
ルエーテル等の３官能以上のエポキシ化合物の硬化物が
用いられる。フェノール系樹脂としては、例えば、レゾ
ール型、ノボラックｍｈるいはコスモ石油（株）の製品
の「レジンＭ」などのｐ−ビニルフェノール重合型の樹
脂が挙げられる。

−Ｃ実施例〕 以下、実施例で本発明の効果を詳しく述べるが、本発明
はこれら実施例に限定されない。

実施・例１ ２００ｍｇの脱水管を取付は次還流器付三ロックスコに
、無水硫酸マグネシウムで充分に脱水し友下式りライト
ツクス１５７Ｆ８（デュボ／社製品）２２ｆ（ｃＬ０１
モル） と、無水Ｊａ酸マグネシウムで充分に脱水したトリクロ
ロトリフルオロエタン１００ｆを封入し、かくはんして
おく。

一万、無水硫醒マグネシウムで充分に脱水したベンゼン
にジフェニルメタンジイソシアネート［住友化字工業（
株）：スミネートＭ］２．５ｆ（α０１モル）を溶解し
、更にフェノールを１９５９（α０１モルノ添加し溶液
ＣＩ）を作成する。この溶液（１）を還流器付三ロフラ
スコに、ゆっくりと爾下し、６０℃で５０分間反応させ
、浴液［ｎ）を作成する。

一方、２０００１ｍｔの脱水管を取付は友還流器付三ロ
フラスコ中で、無水硫ばマグネシウムで脱水したシクロ
ヘキサノンａ　ｏ　ｏ　ｔ、メチルエチルケトン２００
ｆ及びデュポン社製　４官能エポキシ樹脂（商品名：　
ＸＤ９０５３）４．Ｏｆ　（ｘボー？シｆｉｔα０２モ
ルンよりなる溶液を作成後、溶液［１１）を４ｆ添加し
１５０℃で１時間反応場せた。その恢コスモ石ｍ　（株
）　１１４品のｐ−ビニルフェノール１合体（商品名：
レジｙＭ）２−４ｒ（（Ｌｏ２−ｔ−ル）と硬化促進剤
として北興化学（株）のオニウム化合物系のトリエチル
アンモニウムカリボール塩（商品名：ＴＥＡ−Ｋ）（Ｌ
Ｏ２Ｆを添加し、溶液〔鳳〕を作成する。

次に、５インチのアルミ合金ディスク表面に下地処理で
ろるＮ１−Ｐのメツキ膜を成膜ａ％ｃｒ％Ｃｏ−Ｎｉ　
、カーボンの順にそれぞれ５０ｎｍのスパッタ膜を作成
する。このディスク上に＃液〔鳳〕を乾燥膜厚で３０ｎ
ｍに成るように塗布し、Ｎ３カス雰囲気中　２５０℃−
１時間熱硬化し磁気ディスクを完成させ次。

こうして得られた磁気ディスクの耐久性を球面摺動試験
機で評価した。すなわちサファイヤ球面（Ｒｈｏ）摺動
子に荷重１０ｔを加え、周速１０ｒＶ′８、雰囲気温度
２５℃、の条件でディスクを回転させ、ａ性膜が破損す
るまでの総回転数で評価し友。

その結果、後記表１に示す様に、本発明の磁気ディスク
は塗布型＠滑剤を用いた比較例と比べ磁性塗膜が破損す
るまでの総回転数は大きく、優れてい友。

実施例２ ２００ｄの脱水管を取付は次還流器付三ロフラスコに、
無水硫酸マグネシウムで充分に脱水しｔ下式クライトッ
クス１５７ＦＳ（デュポン社製品）２２ｆ（１０１モル
） と、無水硫酸マグネシウムで充分に脱水したトリクロロ
トリフルオロエタンｔ　ｏａｔを封入し、かくはんして
おく。

一方、無水硫酸マグネシウムで充分に脱水し九ベンゼン
に１，６−ジイツシアネートーヘキサンｃ住ｘバイエル
ウレタン（株）：スミジュール４４Ｖ）５．１ｆ（ＣＬ
Ｏ１％ル）ｌ溶ＭＬ、、更にニアＣ／−ルを［Ｌ９５ｆ
（（Ｌ（Ｍモル）添加し溶液（ＩＶ）を作成する。この
溶液〔■〕を還流器付三ロフラスコに、ゆっくりと滴下
し、６０℃で３０分間反応させ、＃液（Ｖ）を作成する
。

一方、２０００−の脱水管を取付けた還流器付三ロフラ
スコに、無水硫酸マグネシウムで脱水し次シクロヘキサ
ノン８００ｆ、　　メチルエチルケトン２００Ｆ及びデ
ュポン社製　４官能エポキシ樹脂（商品名：ＸＤ９０５
３）４．Ｏｆ　（１ポキシ当槍α０２そル〕よシなる溶
液を作成後、溶液（Ｖ）を４ｆ添加し１５０℃で１時間
反応させ友。その後コスモ石油（御製品のｐ−ビニルフ
ェノール重合体（商品名：レジｙＭ）２．４ｆ（１１０
２−ｒ−ル）と硬化促進剤として北興化学（株）のオニ
ウム化合物系のトリエチルアンモニウムカリボール塩（
商品名：　ＴＥＡ−Ｋ）１０２Ｆを添７１０　Ｌ、、溶
ｇｌＪＩ）全作成する。

次に、５インチのアルミ合金ディスク表面に下地処理で
ろるＮｉ　−Ｐのメツキ膜を成膜後、Ｃｒ・、Ｃｏ−Ｎ
ｉ　、力’−Ｆｋ’ンの順にそれぞれ５０ｎｍのスパッ
タ膜を作成する。このディスク上に浴液（Ｖｌ）　’に
乾燥膜厚で３０ｎｍに成るように塗布し、Ｎ３カス雰囲
気中　２３０℃−１時間熱硬化し磁気ディスクを完成さ
せｔｏ こうして得られた磁気ディスクの耐久性ｙｋ実施飼１に
示した球面摺動試験機で評価し九〇その結果、表１に示
す様に、本発明の磁気ディスクは塗布型潤滑剤を用い友
比較例と比べ磁性塗膜が破損するまでの総回転数は大き
く、優れてい７′２−０ 実施例３ ２００ｔＩＩｔの脱水管を取付けた還流器付三ロフラス
コに、無水硫酸マグネシウムで充分に脱水した下式ホン
プリン　Ｚ−ＤＩＡＣ（モンテフルオス社製品）　２２
　ｆ　（［Ｌ　０１　モル）ＨＯＯＣ−（（Ｃ，Ｆ２Ｏ
）Ｘ−（ＣＦ、Ｏ）アーＣＦ、　）−ＣＯＯＨ（式中　
Ｘは平均１０、ｙは平均１４）と、無水硫酸マグネシウ
ムで充分に脱水したトリクロロトリフルオロエタン１０
０２を封入し、かくはんしておく。

一方、無水ｊａ改マグネシウムで充分に脱水したベンゼ
ンにジフェニルメタンジイソシアネート〔住友化学工業
（株）：スミネートＭ）５Ｆ（α０２モル）を浴解し、
爽にフェノール′ｌｋ１．９９　（１０２モル）添加し
溶液〔■〕を作成する。この溶液〔■〕を還流器付三ロ
フラスコに、ゆつくジと滴下し、６０℃で５０分間反応
させ、溶液〔橿〕を作成する。

一方、２０００−の脱水管を覗付けた還流器付三ロフラ
スコに、無水硫酸マグネシウムで脱水したシクロヘキサ
ノン８００　ｆ、メチルエチルケトン２００を及びデュ
ポン社製　４官能エポキシ樹１１１（商品名：　ｘｐ９
ｏｓ３）ａｎ　ｔ　（ｘポー？−／ｆｉｌｌ（Ｌ０４モ
ル）よシなる溶液を作成後、溶液〔Ｖ１〕を４を添加し
１５０℃で１時間反応させた。その後コスモ石ｍ（株）
８品のｐ−ビニルフェノール重合体（商品名ニレシフＭ
）　４．８　ｆ　（（ＬＯ４％ル）ト硬化促進剤として
北興化学（株）のオニウム化合物系のトリエチルアンモ
ニウムカリボール塩（商品名：　’Ｉ’ｇＡ−Ｋ　）α
０４９を添加し、浴［（ＩＸ）Ｔｈ作成する。

次に、５インチのアルミ合金ディスク表面に下地処理で
めるＮ１−Ｐのメツキ膜を成膜後、Ｃｒ。

Ｃｏ−Ｎｉ　、カーボンの順にそれぞれ５０ｎｍのスノ
くツタ膜を作成する。このディスク上に浴液（［）を乾
燥膜厚で３０ｎｍＶＣ成るように塗布し、Ｎ雪カス雰囲
気中　２３０−１時間熱硬化し磁気ディスクを完成させ
た。

こうして得られ几磁気ディスクの耐久性を球面摺動試験
機で評価し友。すなわちサファイヤ球面（Ｒ３０）摺動
子に荷重１０ｆを加え、周速１０Ｖ′ｅ、雰囲気温度２
５℃、の条件でディスクを回転させ、ａ性膜が破損する
までの総回転数で評価した。

その結果、表１に示す様に、本発明の磁気ディスクは塗
布型潤滑剤を用い次比較例と比べａｍ塗膜が破損するま
での総回転′Ｈは大きく、優れてい次０ 実施例４ 脱気、脱水しｆｃ５００−の三ロフラスコに１規疋のＬ
ｉＡｔＨ４＃液（ジメチルエーテル浴ｇ）を２５−（α
０２５モルン封入する。一方、クライトツクス１５７Ｆ
Ｓ（Ｌ）５０　ｔ　（（ＬＯ２モル〕をトリクロロトリ
フルオロエタン２００ｆとジメチルエーテル５Ｏｆの混
合溶媒に分散させ、三ロフラスコに滴下し次〇三ロフラ
スコを室温でかくはんし５時間反応させ友後、布塩改で
反応物を洗浄する０この時得られ友下式のクライトツク
ス１５７ＦＳの変成品２５ｔ（１０１モル） を充分に脱水後還流器付きの反応容器に入れる。

反応容器内は乾燥し次窒素カスで置換後、　ＮａＨ（６
０％溶液ンをα５ｔ（（ＬＯ１２モル）、及び脱水し次
トリフルオロトリクロロエタン２０ｍｇを反応容器に入
れ充分にかくはんする。

一方、無水硫酸マグネシウムで充分に脱水し友ベンゼン
にジフェニルメタンジイソシアネート〔住友化学工業（
株）：スミネートＭ）２．５ｆ（ｃＬ０１モル）を溶解
し、更にフェノールを１９５ｔ（１０１モルン添加し溶
液〔Ｘ）を作成する。この溶液〔Ｘ〕を反応容器に、ゆ
っくり滴下し、６０℃で３０分間反反応＃敵〔盟〕を作
成する。

一方、２０００−の脱水管を取付けた還流器付三ロフラ
スコに、無水硫酸マグネシウムで脱水したシクロヘキサ
ノン８００　ｆ、メチルエチルケトン２００を及びデュ
ポン社製　４官能エポキシ樹脂（商品名：ＸＤ９０５３
）４．Ｏｆ（エポキシ当量ＣＬ０２モル）ニジなる＃液
を作成後、溶液〔累〕を４２添加し１５０Ｃで１時間反
応させ友。その後コスモ石油（ａ）　ｍ品のｐ−ビニル
フェノール重合体（商品名ニレシフＭ　）　２．４　ｆ
　（ＣＬ　Ｏ２−ｒ−ル）と硬化促進剤として北興化学
（株）のオニクム化合物系のトリエチルアンモニウムカ
リボール塩（商品名：　ＴＥＡ４　）α０２９を添加し
、溶液〔店〕を作成する。

次に％５インチのアルミ合金ディスク表面に下地処理で
めるＮ１−Ｐのメツキ換金成膜後、Ｃｒ。

ｃｏ−Ｎｉ　、カーボンの順にそれぞれ５０ｎｍのスパ
ッタ膜を作成する。このディスク上に浴液〔■〕を乾燥
膜厚で３０ｎｍｌＣ成るように塗布し％　Ｎ２ガス雰囲
気中　２６０℃−１時間熱硬化し磁気ディスクを完成さ
せた。

こうして得られた磁気ディスクの耐久性を球面摺動試験
機で評価し次。すなわちサファイヤ球面（Ｒ５０）摺動
子に荷１１Ｌｌｏｆを加え、周速１０ｍ７’ｓ。

雰囲気＠度２５℃、の条件でディスクを回転させ、磁性
膜が破損するまでの総回転数で評価し友。

その結果、表１に示す様に、本発明の磁気ディスクに塗
布型潤滑剤を用いた比ｆ９１と比べ８注塗膜が破損する
までの総回転数は大きく、優れてい７ｔ。

比較例１ ５インチのアルミ合金ディスク表面に下地処理でめるＮ
１−Ｐのメツキ膜を成膜後、Ｃｒ、　　Ｃｏ−Ｎｉ、カ
ーボンの順にそれぞれ５０ｎｍのスパッタ膜を作成する
。このディスク上にフッ素系の塗布型潤滑剤である米国
特許第５４９０９４６号明細書記載のタライトツクス１
４３ＡＣを５　ｎｍの厚さに成膜した磁気ディスクを完
成させた。

こうして得られｆｃ磁気ディスクの耐久性ｔ−笑施９１
１で示し几球面摺動試験機で評価した。その結果を表１
に示す。

表　　１ 〔発明の効果〕 本実施例で明らかな様に、本発明の山気記録媒体は従来
の塗布型油滑剤を用い友場合に比べ、摺動耐久性が非常
に優れている。

特許出願人　株式会社　日立製作所

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、非磁性基材の表面に磁性体を含む薄膜が形成されて
   なる磁気記録媒体において、該薄膜表面がフェノール類
   でマスクされたイソシアネート基を含有する含フッ素化
   合物と、多官能エポキシ化合物で被覆してなることを特
   徴とする磁気記録媒体。 ２、該イソシアネート基を含有する含フッ素化合物が、
   下記一般式： Ｒ＿ｆ−Ｒ−（Ｒ′）＿ｍ−（ＮＣＯ）＿ｎ又は〔Ｒ＿
   ｆ〕−〔−Ｒ−（Ｒ′）＿ｍ−（ＮＣＯ）＿ｎ〕＿２ （式中、Ｒ＿ｆはパーフルオロポリオキシアルキル基、
   Ｒは−ＣＯＮＨ−、−ＯＣＯＮＨ−、又は−ＣＨ＿２Ｏ
   ＣＯＮＨ−基、Ｒ′は２価又は３価の飽和脂肪族炭化水
   素基若しくは芳香族系炭化水素基、ｍは０以上の整数、
   ｎは１又は２の数を示す）で表される化合物である特許
   請求の範囲第１項記載の磁気記録媒体。 ３、該パーフルオロポリオキシアルキル基が、下記一般
   式： Ｆ〔ＣＦ（ＣＦ＿３）−ＣＦ＿２−Ｏ−〕＿ｘ−ＣＦ（
   ＣＦ＿３）−又は｛Ｆ〔ＣＦ（ＣＦ＿３）−ＣＦ＿２−
   Ｏ−〕＿ｘ−（ＣＦ＿２Ｏ）＿ｙ−（ＣＦ＿２）＿ｚ−
   ｝−又は−〔（Ｃ＿２Ｆ＿４Ｏ）＿ｙ−（ＣＦ＿２Ｏ）
   ＿ｚ−ＣＦ＿２〕− （式中、ｘ、ｙ、ｚは１以上の整数を示す）で表される
   基である特許請求の範囲第２項記載の磁気記録媒体。