JPH0397764A - 磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は磁気記録媒体に係り、特に，耐久性に優れた磁
気記録媒体に関する。

〔従来の技術〕

磁気ディスクは、大容量の情報記憶再生装置用に多くの
分野に適用されている。デジタル信号記録装置としての
フロッピーディスク、及び、ハードテイスクなどである
。これら磁気ディスクは、いずれも記録容量の増大が期
待されていると同時に、長時間の動作に耐え得る信頼性
が要求されている。

磁気ディスクはヘッドとの摺動という動作を行いながら
情報の書き込み，読み出しが行なわれている。特殊な場
合に磁気ディスクとヘッドは摺動せず、一定の非常に狭
い間隔を保ちながら情報の書き込み、読み出しが行なわ
れる様に工夫されている装置もある。この場合にも一定
の確率でヘッドと磁気ディスクの接触摺動が行われてい
ることは認められている。

記憶容量の増大は，ヘッドとディスク間の間隔が狭くな
り接触摺動する確率が高くなる等，必然的に摺動条件を
苛酷にする方向にあり、１・１久性の向上は不可欠の要
素である。現状では十分な耐久性のある磁気ディスクは
得られていない。

現在、耐久性を向上させるために行われている技術は、
潤滑剤の助けを借りて摺動時の摩擦，摩耗を低減させる
手法である。

旧来から行われている方法は、磁気ディスクの磁気記録
媒体層中にオレイン酸，ステアリン酸等の長鎖脂肪Ｗ１
誘導体からなる潤滑剤を含浸させる方法がとれている。

この方法は、磁性粉をバインダに混合して塗布するタイ
プの磁気記録媒体に多く用いられているが、厳しい摺動
条件では潤滑効果は余り期待出来ず、そのため、長時間
の潤滑性を期待することは難しい。

改良された方法は、潤滑性のより優れたフッ素系潤滑剤
（デュポン社：クライトツクスｌ４３，モンテフルオス
（Ｍｏｎｔｅｆｌｕｏｓ）社：ホンブリンＹ）を磁気デ
ィスク表面に塗布する方法（米国特許３４９０９４６．
　３７７８３０８）がある。

ところが、磁気記録媒体表面に塗布したりする方法では
，初期には非常に有効であるが長期間使用すると，ディ
スクは高速回転で運転されているため、潤滑剤はディス
ク表面から次第に脱落し、潤滑効果が減少してしまうと
いう欠点がある。

一方、潤滑剤の早期脱落防止に着目して、磁気記録媒体
の表面への吸着性を高めたフッ素系界面活性剤の冷布と
いう手法が提案されている。（特開昭５９−１１６９３
１号，同５８−４１４３１号，同５８−２９１４７号，
同５７−１５４６１９号，同５７　−　４４２２６号）
。ここで３つフッ素系界面活性剤は特開昭５８　−　２
９１４７号公報で述べられている下記の一般式で表され
る化合物である： Ｃ．Ｆ２ｎ＋Ｉ　　Ｘ （式中、ｎ　＝　４　〜１　３、Ｘは極性基で−Ｓ　Ｏ
　ｚ　Ｍ　ｅ（ＭｅはＫ又はＮ　ａ　）　Ｈ−Ｓ　Ｏ　
ｚ　Ｆ　）　　Ｃ　Ｏ　Ｏ　Ｎ　ＦＩ４　１−　Ｃ　０
　０　Ｈ　，　−　Ｓ　Ｏ　ｓ　Ｈ　，−○Ｈ）一方、
潤滑剤の早期脱落防止に着目して，′８１気記録媒体表
面へフッ素系潤滑剤を固定する手法として米国特許第４
１２０９９５号明細書、特開昭５４−３６１７１号，同
５９　−　２０３２３９号，同６０　−　３８７３０号
，同５９−１７２１５９号，同６１−　３９９１９号各
公報で提案されている。これは下記一般式で表される化
合物である：Ｃ＋＋Ｆ２ｎ”１−　Ｓ　ｉ　Ｘ３ （式中，ｎ＝４〜１３、又はハロゲン，ニトリル及び、
アルコキシグループ） 又は，特開昭６０　−　１０９０２８号，同６０−１０
１７１．７号，同６０−　２４６０２０号各公報で提案
されているリン酸系がある。これは下記一般式で表され
る化合物：Ｒ　ｆ　−　Ｐ　（０）−（Ｏ　Ｒ）ｍ（式
中、Ｒｆはパーフルオロアルキル基、ＲはＣ　Ｚ　Ｈ　
２７：＋　１でｍは２．３．ｚはＯ〜３）であり，ディ
スク表面の金属膜、あるいは，酸化膜表面に反応して固
着するタイプの潤滑剤である。

〔発明が解決しようとする課題〕

前記一般式で表されるフッ素系表面活性剤を磁気ディス
クの磁気記録媒体表面に塗布する方法では、フッ素系界
面活性剤は強固に表面に固定されないため，ｍ動時に摺
動ｍｊより飛散してし，まい、磁低ディスクの耐久性は
充分に向上されず、記憶装置の耐久性も向１二されない
。

米国特許第４１２０９９５シ｝明細書，特開昭５４　−
　３６１７１号，同５９　−　２０３２３９号，同６０
　−　３８７３０号，同５９−１７２１５９号，同６１
−　３９９１９号各公報に記載の方法は、潤滑剤を磁気
記録媒体表面に化学反応で固定してしまうため、摺動面
から脱離しにくく、かなりの耐久性の向−ヒが期待され
るが、反応が困難な上、均貿な反応膜が得にくい欠点が
あり、実際の製造ラインでは適用が非常に困難である。

また、フツ素鎖の鎖長が小さすぎて潤滑効果があまり良
好でなく、磁気記録媒体の耐久性は充分に向上しない。

このように、従来のフッ素系界面活性剤、及び，フッ素
系潤滑剤では磁気ディスクの耐久性はあまり向上せず、
また、潤滑剤を化学的に表面に結合させる方法は実用性
に乏しい。

本発明の目的は、これら従来技術の問題点ヲ解決した磁
気記録媒体を提供することにある。

〔発明が解決しようとする課題〕

本発明は，摺動耐久性に優れた磁気ディスク用保護膜を
構築する方法に関し、この保護膜をイご頼性の高いもの
にするため、フッ素系潤滑剤を保護膜表面に強固に固定
する方法を確立したものである。そのため、シアナミド
基を含有する含フッ素化合物を，シナアミド基を含有す
るバインダとー・緒に或膜することが特徴であり、この
ことによって、磁気記録媒体の信頼性が高くするこヒに
ある。

〔課題を解決するための手段〕

本発明を概説すれば、本発明は磁気記録媒体に関する発
明であって、非磁性基材の表面に磁性体を含む薄膜が形
成された磁気３Ｉ！録媒体において、（ａ）　　下記一
般式 Ａ−（ＮＲＣＮ）ｍ Ｃ式中、Ａは少なくとも一個の芳香族環をもつ有機基、
Ｒは水素，ベンゼンスルホニル基、ベンゼンカルボニル
基２ベンジル基，ｍは２以」二の整数）で示される芳香
族シアナミド化合物，及び、Ｆ記一般式 Ｂ　−　（Ｎ　Ｈｘ）ｎ （式中、Ｂは少なくとも一個の芳香族環をもつ右機基，
ｎは２以上の整数）で示される芳香族アミン化合物とを
予備反応させて得られるプレポリマと、 （ｂ）　　エポキシ系化合物，マレイミド系化合物，ア
リル化合物，ビニル化合物，カルボン酸化合物，無水酸
化物，ポリブタジエン系化合物，フェノール系化合物か
ら選ばれる少なくとキノ一種の化合物と、 （ｅ）　　シアナミド基を含ｆｉする含フッ素化合物と
をＪｆｊすることを特徴とする。

？発明は、前記目的を達戊するために、磁気記録媒体と
ヘッドの摺動耐久性向上に右効な戊分を長期にわたって
磁気記録媒体内に保持し得る方法を検討した結果，到達
したものである。

磁気記禄媒体の■動耐久性を高めるには冷擦係数を小さ
く、摩耗速度を小さくし得る潤滑剤を表面に介在させる
必要があり、従来技術で提案されてきた反応型のフッ素
系潤滑剤は、その有効な手段と考えられてきた．しかし
、摺動耐久性が不十分であることと、固定方法が非常に
難しい。そこで、本発明では、芳香族シアナミト基を芳
香族アミン化合物で予備反応させて得られるプレポリマ
（ａ）と，エポキシ系化合物，マレイミド系化合物，ア
リル化合物，ビニル化合物，カルボン酸化合物，無水酸
化物，ポリブタジエン系化合物，フェノール系化合物か
ら選ばれる少なくとも一神の化合物とシアナミド基を持
つ含フッ素化合物（ｃ）の混合物燃料で成膜し、この際
、末硬化の塗膜中で発生するフッ素系潤滑剤のミクロ分
Ｍを利用し２、塗膜表面に選択的に潤滑剤を析出させ２
その後、加熱硬化し、潤滑剤を塗膜表面にしっかりと固
定する方法を考えたものである。

本発明で言う含フッ素化合物の例として、その代表とし
てのパーフルオ口化ポリオキシアルキル基の例は，下記
一般式 Ｆ（ＣａＦｅ−０　−）Ｘ−Ｃ２Ｆ４一　又はＦ（Ｃｓ
Ｆｓ−〇−）κ−（ＣＦ２０）Ｙ（ＣＦ２ｈ一又は（（
ＣＺＦ４　０）ｖ−（ＣＦｚ○）ｚ−ＣＦｚ）−（式中
、Ｘ＋　ｙ＋Ｚは１以上の整数，望ましくは，Ｘは５以
上、ｙは１０〜２５、２は１０〜５６）で示されるもの
を挙げることができ、デュポン社，または、モンテフロ
ス社で製造しているクライトツクス１５７ＦＳ．及び、
ホンプリンＺシリーズ等がある． また、本発明で言うシアナミド基を含有する含フッ素系
化合物の例には、下式一般式 ＲｆＲｌ−ＮＨＣＮ 又は ｛Ｒｆ｝−｛Ｒｘ−ＮＨＣＮ｝ｚ （式中、Ｒｆはバーフロ口ポリオキシアルキル基，Ｒｌ
はアルキレン基、又は一個の芳香族基をもつ有機基，ｍ
は２以上の整数）で、詳しくは、下式一般式 Ｒ　ｆ　　Ｒ　ａ　−　Ｒ　２　−　Ｎ　Ｈ　Ｃ　Ｎ又
は 又は Ｃ式中，Ｒｆはパーフロ口ポリオキシアルキル基、Ｒ２
は炭素数１以上のアルキレン基、Ｒ３は、−Ｏ　　＋　
　ＣＹＨ２Ｙ＋１，−ＣＯＮＨ−，−ｃｏｏ−で繰返し
ごとに違っていても良い。Ｘは１以上の整数、Ｙはｌ〜
５） で表される化合物である． シアナミド基を含有する含フッ素系化合物の具体的な例
は、 Ｒ　ｆ　−　Ｃ　Ｏ　Ｎ　Ｈ　−　Ｃ　ｚ　Ｈ　４　−
　Ｎ　Ｈ　Ｃ　Ｎ（式中、Ｒｆはパーフロ口ポリオキシ
アルキル基、）である。これらは、加熱することにより
単独で式（Ｉｌに示したイソメラミン環、又は，式［ｎ
］に示したメラミン環等を作り成膜する。

（式中Ｒ１は炭素数１以上のアルキレン基，又は芳香族
基をもつ有機基） 含フッ素系化合物が硬化剤としてマレイミド系化合物を
用いた場合の反応で、バインダ中のイソメラミ環と反応
固定された場合のモデルを示す。

（式中Ｒ１は炭素数１以上のアルキレン基、又は芳香族
基をもつ有機基） また，シアナミド基，および，イソメラミン環で構成さ
れている含フッ素系化合物は、バインダの硬化剤として
使用するエポキシ系化合物，マレイミド系化合物，アリ
ル化合物，ビニル化合物，カルボン酸化合物，無水酸化
物，ポリブタジエン系化合物，フェノール系化合物等の
化合物（ｂ）と反応し、シアナミド基をもっている含フ
ッ素系化合物は単独で硬化反応、又は．バインダ中の硬
化剤を介してバインダにしっかりと結合し反応する．こ
れらの反応は複合して発生する．式Ｃｍ）にはシアナミ
ド基をもっている含フッ素系化合物（ｅ）と、シアナミ
ド基含有樹脂と芳香族アミン化合物とを予備加熱させて
得られる式（ＩＶ）の構造のプレポリマ（ａ）と、 硬化剤である各種官能基を持つ化合物（ｂ）からなる塗
料を作或し、塗膜を作或すると，含フッ素化合物は塗膜
表面に選択的に露出配向する。これを加熱すると、シア
ナミド基を持つ含フッ素系化合物（ｃ）はイソメラミン
環、又はメラミン環等を作り、さらに硬化剤である各種
官能基を持つ化合物（ｂ）と反応し．高分子量化して固
化する．更に、シアナミド基含有樹脂と芳香族アミン化
合物とを予備加熱させて得られる上記構造のプレポリマ
（ａ）は、さらに加熱することによって式〔Ｖ〕，式［
ＶＩ］の構造を持つ硬化物を生成する。

すなわち、耐熱性骨格であるインメラミン環及びメラミ
ン環を有する硬化物となる。

上記の例は、ジシアナミド化合物及びジアミン化合物を
用いた場合を示すものである。また、硬化剤である各種
官能基を持つ化合物（ｂ）は式〔Ｖ〕，式（ＶＩＩの構
造の硬化物を生或する。この塗膜の硬化反応と同時に潤
滑剤の表面固定反応が進行し、塗膜表面は選択的に潤滑
剤であるパーフルオロボリオキシアルキル基で強固に覆
われるため優れた潤滑効果が充分にかつ長時間持続して
発揮され、塗膜の耐久性は充分に向上させる。

本発明で言う芳香族シアナミド化合物としては，例えば
，ｍ−フ二二レンジシアナミド、Ｐ−フエニレンジシア
ミナド、４，４′−ジシアナミドジフエニルメタン、２
，２′−ビス（４−シアナミドフエニル）プロパン、４
．４′−ジシアナミドフエニノレオキサイド、４，４′
−ジシアナミドジフエニルスノレフオン、ビス（４−シ
アナミドフェニル）フオスキンオキシド、ビス（４−ジ
シアナミドフエニル）フェニルボスフィンオキシド、ビ
ス（４−シアナミドフエニル）メチルアミン、］，５−
ジシアナミドナフタレン、ｍ−キシレンジシアナミド、
１，１−ビス（ｐ−シアナミドフエニル）フラン、ｐ−
キシレンジシアナミド、ヘキサメチレンジシアナミド．
６．６’　−ジシアナミド−２．２′−ジピリジル、４
，４′−ジシアナミドベンゾフエノン．４．４’　−ジ
シアナミドアゾベンゼン，ビス（４−シアナミドフエニ
ル）フエニルメタン、１，１−ビス（４−シアナミドフ
エニル）シクロヘキサン、１．１−ビス（４−シアナミ
ド−３−メチルフエニル）−１．３．４−オキサジアゾ
ール、４，４′−ビス（ｐ−シアナミドフエニル）　’
−　２　１　２’−ジチアゾール、ｍ−ビス（４−ｐ−
シアナミドフエニル−２−チアゾール）ベンゼン、４，
４′−ジシアナミドベンズアニリド、４．４′−ジシア
ナミドフエニルベンゾ工−ト、２．２′−ビス［４−　
（４−シアナミドフエノキシ）フエニルコプロパン、２
，２′−ビス［３−メチル−４−（４−シアナミドフエ
ノキシ）フエニルコプロパン、２．２−　［３−エチル
−ｌ−　（４−シアナミドフエノキシ）フエニル］プロ
パン、２，２−ビス［３−プロビル−４（４−シアナミ
ドフエノキシ）フエニノレ〕プロパン、２．２−　［３
−エチル−４−（４−シアナミドフエノキシ）フエニル
コプロパン、２．２−ビス［３−イソプロピルー＝１−
（４−シアナミドフエノキシ）フエニル］プロパン、ビ
ス［４−（４一シアナミドフエノキシ）フエニル］メタ
ンなどの少なくとも一種類が用いられる。

本発明で前記芳香族アミン化合物としては、例えば、ア
ニリン、ｍ−フエニレンジアミン、ｐフエニレンジアミ
ン、４，４′−ジアミノジフエニルメタン．２．２’−
ビス（４−アミノフエニル）プ口パン、ベンジジン、４
，４′−ジアミノフエニルオキシド、４．４′−ジアミ
ノフエニルスルフオン、ビスー（４−アミノフエニル）
メチルホスフインオキシド．ビス（４−アミノフエニル
）フエニルホスフインオキシド、ビス（４−アミノフエ
ニル）メチルアミン、１，５−ジアミノナフタレン、ｍ
−キシレンジアミン．１．１−ビス（ｐ−アミノフエニ
ル）フラン，ｐ−キシレンジアミン，ヘキサメチレンジ
アミン．６．６’ジアミノ−２，２′−ジビリジル、４
，４′−ジアミノベンゾヘノン、４，４′−ジアミノア
ゾベンゼン、ビス（４−アミノフエニル）フェニルメタ
ン、】，１−ビス（４−アミノフェニル）シク口ヘキサ
ン、１，｛−ビス（４−アミノー３−メチルフエニル）
シクロヘキサン、２，５−ビス（ｍ−アミノフエニル）
−１．３．４−オキサジアゾール，２，５−ビス（ｐ−
アミノフエニル）−１．，３．４−オキサジアゾール、
２．５−ビス（ｍ−アミノフエニル）チアゾロ（４．５
−ｄ）チアゾール、５，５′−ジ（ｍ−アミノフェニル
）−　（２．２’　）ビス（１，３．４−オキサジアゾ
ール）ｍ４．４’　−ジアミノフエニルエーテル、４，
４′−ビス（ｐ−アミノフェニル）−２．２’一ジアゾ
ール、ｍ−ビス（４−ｐ−アミノフエニルー２−チアゾ
リル）ベンゼン、４，４′−ジアミノベンズアニリド、
４．４′−ジアミノフエニルベンゾエート、Ｎ，Ｎ’−
ビス（４−アミノベンジル）一ｐ−フエニレンジアミン
．４．４’メチレンビス（２−ジクロロアニリン）、ペ
ンゾグアナミン、メチルグアナミン、１，２．４−トリ
アミノベンゼン、１，３．５−トリアミノベンゼン、２
，４．，６−トリアミノｌ−ルエン．２，．４−，６−
トリアミノー１，３．５−トリメチルベンゼン、２，４
，４．’−トリアミノジフエニルエーテル、２，４．４
’　−トリアミノジフエニルメタン、２，４．４’　一
トリアミノジフエニルスルフオン、２，４．４’　一ト
リアミノベンゾフエノン、３，５．３’　，５’　−テ
トラアミノベンゾフェノン、１，２，４．５−テ！・ラ
アミノベンゼンなどの少なくとも一種類が用いられる。

本発明で用いる多官能エポキシ系樹脂及び、フェノール
系樹脂は、特に限定されたものでなく、例えばエポキシ
系樹脂としては、ビスフェノールＡのジグリシジルエー
テル、ブタジエンジエポキサイド、３．４−エポキシシ
ク口ヘキシルメチル−　（３．４−エポキシ）シクロヘ
キサン力ルポキシレート、ビニルシクロヘキセンジオキ
シド、Ｎ，Ｎ−ｍ−フエニレンビス（４，５−エポキシ
−１，２−シクロヘキサンジカルボキシイミド等の二官
能エポキシ化合物、Ｎ，Ｎ−ビスグリシジルーｐ一アミ
ノフェノールのグリシジルエーテル、ポリアリルグリシ
ジルエーテル．１，３．５−トリ（１，２−エポキシエ
チル）ベンゼン、フェノールノボラツクのポリグリシジ
ルエーテル、トリメチロールプロパンの１へりグリシジ
ルエーテル等の三官能以上のエポキシ化合物の硬化物が
用いられる。

マレイミド系化合物としては、例えば、Ｎ　，　Ｎ　’
一メチレンビスマレイミド、Ｎ，Ｎ’　一エチレンビス
マレイミド、Ｎ，Ｎ’　−ヘキサメチレンビスマレイミ
ド、Ｎ．Ｎ’　−トリメチレンビスマレイミド，Ｎ，Ｎ
’　−ｍ−フエニレンビスマレイミド、Ｎ，Ｎ’−ｐ−
フエニレンビスマレイミド、Ｎ，Ｎ’−４．４’　−ジ
フエニルメタンビスマレイミド、Ｎ，Ｎ’−４．４’　
−ジフエニルエーテルビスマレイミド，Ｎ，Ｎ’−メチ
レンビス（３−クロＤ−ｐ−フエニレン）ビスマレイミ
ド、Ｎ，Ｎ’−４．４’　−ジフエニルサルフオンビス
マレイミド，Ｎ，Ｎ’−４．４’　−ジシクロヘキシル
メタンビスマレイミド、Ｎ，Ｎ’　一α，α’　−４．
４’ージメチレンシクロヘキサンビスマレイミド、Ｎ，
Ｎ’−ｍ−キシレンビスマレイミド、Ｎ，Ｎ’４．４′
−ジフエニルシク口ヘキサンビスマレイミド等が挙げら
れる６ アリル化合物としては、トリアリルトリメリテート、ジ
アリルテレフタレート、ジアリルイソフタレート、ジア
リルオルソフタレート，トリアリノレイソシアヌレート
、Ｐ＋　Ｐ’　−ジアリロキシ力ルポニルジフエニルエ
ーテル、メチルアクリレート、エチルアクリレート、イ
ソブチルアクリレート、イソプロビルアクリレート、ト
リメチロールプロパントリアクリレート、２−エチルへ
キシルアクリレート，メチルメタクリレート、エチルメ
タクリレート、ｎ−プロビルメタクリレート、］・リス
（アクリロイルオキシエチル）イソシアヌレート、トリ
ス（メタクリ口イルオキシエチル）インシアヌレート、
等が用いられる、 ビニル化合物としては，例えば、スチレン，α−メチル
スチレン，ビニルトルエン，ビニルベンゼン，Ｎ−ビニ
ルピロリドン、カルボン酸としては，例えば、マレイン
酸，イタコン酸、イソフタル酸，テレフタル酸，テトラ
ヒドロフタル酸，ヘキサヒドロフタル酸，フマル酸，ア
ジビン酸等，無水フタル酸，然水マレイン酸，無水フタ
ル酸，テ１〜ラヒドロ無水フタル酸，ヘキサヒド口無水
フタル酸，シクロペンラテトラカルボン酸二無水物等。

ポリブタジエン系化合物としては、ブタジエンホモポリ
マー、α，ω−ポリブタジエングリコール、α，ω−ポ
リブタジエンジカルボン酸等。

フェノール系化合物としては、フエノリツクノボラツク
樹脂，フエノリツクレゾール樹脂，クレゾールノボラツ
ク樹脂，グレゾールレゾール樹脂，ボリーｐ−ビニルフ
ェノール樹脂、等が用いられる。

以ｒ，実施例で本研究の効果を詳しく述べるが、本浴明
はこれら実施例に限定されない。

［実施例　１〜５〕 ２００ｒｎｆｆの脱水管を取付けた還流器付き三口フラ
スコに、無水硫酸マグネシウムで充分脱水した千式クラ
イットクス１５７ＦＳ（デュポン社製品）　２　２　ｇ
（０．０　１．モル）（式中ｎは平均１４） と、無水硫酸マグネシウムで充分に脱水したＳＯＣＱｚ
　１００ｍＮを封入し攪拌しておき、６０℃１時間反応
させる。その後ビリジンを１ｇ滴下し、さらに１０分間
反応を続ける。反応終了後フラスコに残留しているＳ　
Ｏ　Ｃ　０．　２を蒸留で除去し，クライトツクス１５
７ＦＳの酸塩化物を作製する。次に、無水硫酸マグネシ
ウムで充分に脱水したトリクロ口トリフロロエタン〕−
００ｇとＭＥ　Ｋ　５　０　ｇを三口フラスコに入れ．
４．４’ジシアナミドジフエニールエーテル（ＤＤＥ）
３０．０３　モル添加する。さらに、トリエチルアミン
２ｇを添加し３０分攪拌すると、含フッ素化合物〔■〕
２０ｇを得る。

（式中ｎは平均１４） 一方．２００ｍＱの四ツロフラスコにジムロートコンデ
ンサ，温度計，滴下ロートを装備した。

フラスコにＢｒＣＮ２２ｇ（０．１０４モル）、トリク
ロロトリフロロエタン５０ｇとジメチルアセトアミド２
’ｌｍＱ髪入れ、攪拌してＢｒＣＮを溶解する．さらに
アセトン２７ｍＱとビリジン１０ｇを加え混合する。次
に外部から氷水にて冷却し反応液温を室温以下に保ち，
この中にジメチルアセｈアミド５５ｍＱとトリクロロト
リフロロエタン５０ｍ１ｌＩの混合液に含フッ素化合物
〔■）２０ｇ（０．００８モル）を溶かし、この液を約
一時間かけて四ツ目フラスコに滴下した。滴下終了後３
〜７℃で２時間攪拌した。この反応液を濾紙を用い濾過
し、不溶物を分離除去した。次に、水洗を行い精製し、
シアナミド基を有する含フッ素化合物〔■〕１０ｇを得
た。

〔■〕

（式中ｎは平均１４） 次に、第ｌ表に示す芳香族ジシアナミド化合物と芳香族
アミン化合物とをメチルセロソルブに溶解し（固形分と
して３０％）７０℃で６０分間加熱して予備反応させて
プレポリマ化し、シアナミド基を有する含フッ素化合物
〔■〕を加え目的の溶液［ＩＸ）を得た。ただし、実施
例３と５は予備反応後ペンゾイルパーオキサイドを１重
量部添加した。

次に、５インチのアルミ合金ディスク表面に下地処理で
あるＮｉ−Ｐのメッキ膜を成膜後、Ｃｒのスパツタ層を
０．５μｍ或膜し、次にＧｏ−Ｎｉ、カーボンの順にそ
れぞれ５０ｎｍのスバッタ膜を作成する．このディスク
上に溶液（ＩＫ）を乾燥膜厚で３０ｎｍに成るように塗
布し、Ｎ２ガス雰囲気中２３０℃で１時間熱硬化し磁気
ディスクを完成させた． こうして得られた磁気ディスクの耐久性を球面摺動試験
機で評価した．すなわちサファイヤ球面（３０Ｒ）摺動
子に荷重ｉｏｇを加え，周速１０ｍ／ｓ、雰囲気温度２
５℃の条件でディスクを回転させ、磁性膜が破損するま
での総回転数で評価した。

［比較例］ ５インチのアルミ合金ディスク表面に下地処環であるＮ
ｉ−Ｐのメッキ膜を成膜後、Ｃｒのスバツタ層を０．５
μｍ成膜し、次に、Ｃ　ｏ　−　Ｎ　ｉ　，カーボンの
順にそれぞれ５　０　ｎ．　ｍのスパッタ膜を作成する
。このディスク上にフッ素系の塗布型潤滑剤である米国
特許第３４９０９４６号に記載のクライトツクス１４３
ＡＣを５ｎｍの厚さに成膜した磁気ディスクを完成させ
た。こうして得られた磁気ディスクの耐久性を球面摺動
試験機で評価した。

その結果、第ｌ表に示すように、本発明の磁気ディスク
は塗布型潤滑剤を用いた比較例と比べて磁性塗膜が破損
するまでの総回転数は大きく優れていた． ［実施例　６〜９］ ２００ｍｕの脱水管を取付けた還流器付き三口フラスコ
に、無水硫酸マグネシウムで充分脱水した下式クライッ
トクス１５７ＦＳ　（デュポン社製品）２２ｇ　（０．
０１モル） （式中ｎは平均１４） と、無水ａ酸マグネシウムで充分に脱水したＳＯＣＱｚ
　１００ｍＱを封入し攪拌しておき、６０℃１時間反応
させる。その後ピリジンを１ｇ滴下し、さらに１０分間
反応を続ける。反応終了後フラスコに残留しているＳ　
Ｏ　Ｃ　Ｑ　ｚ等を蒸留で除去し、クライトツクス１５
７ＦＳの酸塩化物を製作する。次に、無水硫酸マグネシ
ウムで充分に脱水したトリクロ口トリブ口口エタン１０
０ｇとＭＥＫ５０Ｇを三口フラスコに入れ、第２表のジ
アミンを０．０　３　　モル添加する。

さらに、トリエチルアミン２ｇを添加し３０分攪拌する
と、第３表に示す含フ素化合物２０ｇを得る。

トコンデンサ，温度計，滴下ロートを装備した。

フラスコにＢｒＣＮ２２ｇ（０．１０４モル）、トリク
ロ口トリフ口口エタン５０ｇとジメチルアセトアミド２
７ｍＱを入れ、攪拌してＢｒＣＮを溶解する。さらにア
セトン２７ｍＱとピリジン１０ｇを加え混合する。次に
外部から氷水にて冷却し反応液温を室温以下に保ち、こ
の中にジメチルアセトアミド５　５　ｍ．　Ｑに第３表
に示す含フッ素化合物２　０　ｇ（０．Ｏ　ｏ　ｓモル
）を溶かした液を約＝一時間かけて滴下した。滴下終了
後３〜７℃で２時間攪拌した。この反応液を濾紙を用い
濾過し５，不溶物を分離除去した。次に、水洗を行い精
製し、第４表に示すシアナミド基を有する含フッ素化合
物１０ｇを得た。

ＣＦ　３　　　　　　　　ＣＦｓ 一方、 （式中ｎは平均１４） ２００ｒｎＱの四ツ目フラスコにジムローＲｆ●：　Ｆ
（ＣＦ−ＣＦ２０）Ｉｌ−ＣＦ−１ ＣＦｓ　　　　　　　　ＣＦδ （式中ｎは平均１４） 次に、４，４′−ジシアナミドジフエニルメタンＯＲ量
部６５）と４，４′−ジアミノジフエニルメタン（重量
部１５）とをメチルセロソルブに溶解し（固形分として
３０％）７０℃で６０分間加熱して予備反応させてプレ
ポリマ化し，これにエポキシＤＥＮ−４３８と第４表に
示すシアナミド基を有する含フッ素化合物を加え目的の
熱硬化性組或物（Ｘ）を得た。

次に，５インチのアルミ合金ディスク表面に下地処裡で
あるＮｉ−Ｐのメッキ膜を成膜後、Ｃｒのスパツタ層を
０．５μｍ　ｈｌ膜し、次にＣｏＮｉ、カーボンの順に
それぞれ５０ｎｍのスバッタ膜を作成する。このディス
ク上に溶液〔Ｍ〕を乾燥膜厚で３０ｎｍに成るように塗
布し．Ｎ２ガス雰囲気中２３０℃で１時間熱硬化し磁気
ディスクを完威させた。

こうして得られた磁気ディスクの耐久性を球而摺動試験
機で評価した。すなわちサファイヤ球面（３０Ｒ）摺動
子に荷重Ｌｏｇを加え、周速１０ｍ／ｓ．雰囲気温度２
５℃の条件でディスクを回転させ，磁性膜が破担するま
での総同転数で評価した。

その結果、第５表に７１；すように、本発明の磁気ディ
スクは塗市型潤滑剤を用いた比較例と比八磁性塗膜が破
損するまでの総回転数は大きく、優れていた。

［実施例　］．．　０　］ ２００ｍＱの脱水管を取付けた還流器付き三目フラスコ
に，無水硫酸マグネシウムで充分脱水した下式１フォン
ブリンＺ−ＤＩＡＣ　（モンテフ口スシャ社製品）２２
ｇ（０．０１モル） ＨＯＯＣ｛（ＣｚＦ４０）ｘ　　（ＣＦ２０）ｙ　　Ｃ
Ｆｚ）ＣＯＯＨ（式中、Ｘは甲均１０、Ｙは平均１４）
と、無水硫酸マグネシウムで充分に脱水したＳ　Ｏ　Ｃ
　ｆ！　２　１　０　０　ｍ　Ｑを封入し攪拌しておき
、ＩＩ；　Ｏ　″Ｃ　］時間反応させる。その後ピリジ
ンを１ｇ滴ドし、さらに１０分間反ｙ１ε：を続ｌづる
。反応終了後フラスコに残留しているＳ　Ｏ　（’．’
　Ｑ　２等を蒸留で除去し、クライ１・ツクス１５７Ｆ
Ｓの酸塩化物を作製する。次に、無水硫酸マグネシウム
で充分に脱水したトリクロロトリフＯロエタン１００ｇ
．ｈＭ　Ｅ　Ｋ　５　０　ｇを二１−１フラスコに入れ
、４．４′ジシアナミドジフエニールエーテル（ＤＤＥ
）を０．０　２　モル添加する。さらに、トリエチルア
ミン３ｇを添加し３０分攪拌すると、含フッ素化合物〔
刈〕２２ｇを得る６ （式中Ｘは平均１０、Ｙは平均１４） 一方、２００ｍＱの四ツ目フラスコにジムロートコンデ
ンサ，温度計，滴下ロートを装伺した。

フラスコにＢ　ｒＣＮ４４　ｇ（０．２モル）　，　　
ｌ−　１．１夕ロロトリフ口口エタン５０ｇとジメチル
アセトアミド４０ｍ（１！を入れ、攪拌してＢｒＣＮを
溶解する。さらにアセトン４０ｍＱとピリジン］−　０
κを力０え混合する。次に外部から氷水にて冷却し反応
液温を室温以下に保ち，この中にジメチルアセトアミド
５５ｍＱとトリクロ口トリフロロエタン５０ｍＱの混合
液に含フッ素化合物［ＸＩＩ］２２ｇ（０．０　０　８
モル）を溶かし、この液を約−時間かけて四口フうスコ
に滴下した。滴下終了後３〜７℃で２時間攪拌した。こ
の反応液を濾紙を用い濾過し、不溶物を分離除去した。

次に、水洗を行い精製し２、シアナミド基を右する含フ
ッ素化合物［ＸＩ！’．Ｉ〕１　０　ｇを得た。

（式中Ｘは平均１０．Ｙは平均１４） 次に、４．４’　−ジシアナミドジフエニルメタン（重
量部６５）と４．４′−ジアミノジフエニルメタン（重
琥部１５）とをメチルセロソルブに溶解し（固形分とし
て３０％）７０’Ｃで６０分間加熱して予備反応させて
プレポリマ化し、これにエポキシＤＥＮ−４３８とシア
ナミド基を有する含フッ素化合物〔■〕を加え目的の溶
液（ｘｒｖ）を得た。

次に、５インチのアルミ合金ディスク表面に下地処理で
あるＮｉ−Ｐのメッキ膜を成膜後、Ｃｒのスパツタ層を
Ｏ　−　５μｍｌ戊膜し、次にＧｏ一Ｎｉｐカーボンの
順にそれぞれ５０ｎｍのスパッタ膜を作或する。このデ
ィスク上に溶液（　Ｘ■）を乾燥膜厘で３０ｎｍに成る
ように塗布し、Ｎ２ガス雰囲気中２３０℃で１時間熱硬
化し磁気ディスクを完威させた。

こうして得られた磁気ディスクの耐久性を球面摺動試験
機で評価した。すなわちサファイヤ球面（３　０　Ｒ）
摺動子に荷重１　０　ｇを加え，周速１０ｍ／ｓ．雰囲
気温度２５℃の条件でディスクを回転させ、磁性膜が破
損するまでの総回転数で評価した。その結果を第６表に
示す。

発明の磁気ディスクは塗布型潤滑剤を用いた比較例と比
べ磁性塗膜が破損するまでの総回転数は大きく優れてい
た。

〔発明の効果〕

本実施例で明らかなように、本発明の磁気記辣媒体は従
来の塗布型潤滑剤を用いた場合と比較して摺動耐久性が
非常に優れている。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、非磁性基材の表面に磁性体を含む薄膜が形成されて
   なる磁気記録媒体において、前記薄膜の表面が （ａ）下記一般式 Ａ−（ＮＲＣＮ）＿ｍ （式中、Ａは少なくとも一個の芳香族環を有する有機基
   、Ｒは水素、ベンゼンスルホニル基、ベンゼンカルボニ
   ル基、ベンジル基、ｍは２以上の整数）で示される芳香
   族シアナミド化合物、及び、下記一般式 Ｂ−（ＮＨ＿２）＿ｎ （式中、Ｂは少なくとも一個の芳香族環を有する有機基
   、ｎは２以上の整数）で示される芳香族アミン化合物と
   を予備反応させて得られるプレポリマと、及び、 （ｂ）エポキシ系化合物、マレイミド系化合物、アリル
   化合物、ビニル化合物、カルボン酸化合物、無水酸化物
   、ポリブタジエン系化合物、フェノール系化合物から選
   ばれる少なくとも一種の化合物と、及び、 （ｃ）シアナミド基を含有する含フッ素化合物、を含有
   することを特徴とする磁気記録媒体。 ２、請求項１に記載のシアナミド基を含有する含フッ素
   化合物が、下記一般式 Ｒｆ−Ｒ＿１−ＮＨＣＮ 又は ｛Ｒｆ｝−｛Ｒ＿１−ＮＨＣＮ｝＿２ （式中、Ｒｆはパーフロロポリオキシアルキレン基、Ｒ
   ＿１は少なくとも一個の芳香族基を有する有機基、ｍは
   ２以上の整数）で表される化合物である請求項１に記載
   の磁気記録媒体。 ３、請求項１に記載のシアナミド基を含有する含フッ素
   化合物が、下記一般式 Ｒｆ−Ｒ＿３−Ｒ＿２−ＮＨＣＮ 又は ▲数式、化学式、表等があります▼ 又は ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ｒｆは一価又は二価のパーフロロポリオキシア
   ルキル基、Ｒ＿２は炭素数１以上のアルキレン基、Ｒ＿
   ３は、−Ｏ−，−Ｃ＿ＹＨ＿２＿Ｙ＿＋＿１，−ＣＯＮ
   Ｈ−，−ＣＯＯ−、でくり返し毎に違つていても良い。 Ｘは１以上の整数、Ｙは１〜５）で表される化合物であ
   る請求項１に記載の磁気記録媒体。