JPH02163195A - 有機膜、磁気記録媒体、磁気ヘッドおよび磁気記録再生方法 - Google Patents
有機膜、磁気記録媒体、磁気ヘッドおよび磁気記録再生方法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
〈産業上の利用分野〉
本発明は、潤滑作用および保護作用を有する有機膜と、
この有機膜を有する磁気記録媒体および磁気ヘッドと、
これらを用いる磁気記録再生方法とに関する。 〈従来の技術〉 計算機等に用いられる磁気ディスク駆動装置には、剛性
基板上に磁性層を設層したハードタイプの磁気ディスク
と浮上型磁気ヘッドとが用いられている。 このような磁気ディスク駆動装置においては、従来、塗
布型の磁気ディスクが用いられていたが、磁気ディスク
の大容量化に伴い、磁気特性、記録密度等の点で有利な
ことから、スパッタ法等の気相成膜法等により設層され
る連続薄膜型の磁性層を有する薄膜型磁気ディスクが用
いられるようになっている。 薄膜型磁気ディスクとしては、Al1系のディスク状金
属板にN1−P下地層をめっきにより設層するか、ある
いはこの金属板表面を酸化してアルマイトを形成したも
のを基板とし、この基板上にCr層、Co−Ni等の金
属磁性層、さらにC等の保護潤滑膜をスパッタ法により
順次設層して構成されるものが一般的である。 しかし、Go−Ni等の金属磁性層は耐食性が低く、さ
らに硬度が低く、信頼性に問題が生じる。 これに対し
、特開昭62−43819号公報に記載されているよう
な酸化鉄を主成分とする磁性薄膜は化学的に安定なため
腐食の心配がな(、また、充分な硬度を有している。 一方、浮上型磁気ヘッドは浮力を発生するスライダを有
する磁気ヘッドであり、コアがスライダと一体化された
コンポジットタイプのもの、あるいはコアがスライダを
兼ねるモノリシックタイプのものが通常用いられる。 さらに、これらの他、高密度記録が可能であることから
、いわゆる薄膜型の浮上型磁気ヘッドが注目されている
。 薄膜型の浮上型磁気ヘッドは、基体上に磁極層、ギ
ャップ層、コイル層などを気相成膜法等により形成した
ものである。 このような薄膜型の浮上型磁気ヘッドで
は、基体がスライダとしてはたらく。 これらの浮上型磁気ヘッドにおいて、スライダは、各種
フェライト、AA x Os −T i C1Z r
O*、SiC,AAN等の各種セラミックスから構成さ
れる。 浮上型磁気ヘッドを用いる磁気ディスク装置では、コン
タクト・スタート・ストップ(CSS)時に浮上型磁気
ヘッドの浮揚面(スライダの磁気ディスク側表面)と磁
気ディスクが接触する。 このとき、磁気ディスクおよ
び浮上型磁気ヘッドにキズの発生、破損などが生じたり
、あるいは磁気ディスクへの浮上型磁気ヘッドの吸着が
生じ易い。 このため、磁気ディスクあるいは磁気ヘッ
ド表面に種々の保護膜あるいは潤滑膜を設ける提案がな
されている。 特に、酸化鉄はCo−Ni等の金属に比べ硬度が高いた
め、特開昭62−43819号公報に記載されているよ
うな酸化鉄磁性層を有する磁気ディスクでは、例え磁気
ディスク表面に潤滑膜あるいは保護膜を設けてあっても
C8Sの繰り返しによりヘッド浮揚面がキズつき易(、
また、ヘッドとディスクの間の摩擦が増大し易い。 こ
のため、このような組み合わせにおいては、潤滑膜ある
いは保護膜構成材料の選択には注意を要する。 また、酸化鉄磁性層を有する磁気ディスクとMn−Zn
フェライト製基体を有する浮上型ヘッドとを組み合わせ
て用いる場合、Mn−Znフェライトの硬度が酸化鉄の
硬度よりも低いため、このような問題は一層顕著となる
。 さらに、酸化鉄磁性層を有する薄膜型磁気ディスクに対
し、M n −Z nフェライトより硬度の高いAnz
0s−Tic、ZrO2、SiC,AβNなどの基体
を有する浮上型磁気ヘッドを用いる場合、上記のような
問題はある程度解消するが、このような磁気ディスクお
よび浮上型磁気ヘッドの組み合わせにおいては、磁性層
およびスライダのいずれもが高い硬度を有するため、よ
り高い潤滑および保護効果が必要となる。 特に、高
密度記録を行なうために薄膜型の浮上型磁気ヘッドを用
いる場合、上記問題はより顕著となる。 すなわち、薄膜型の浮上型磁気ヘッドを用いる磁気ディ
スク駆動装置では、高密度記録を行なうために磁気ディ
スクと磁気ヘッドとの間隔(フライングハイド)を極め
て小さく設定できるので、磁気ディスクの振動あるいは
駆動装置外部からの衝撃などにより磁気ディスクと浮上
型磁気ヘッドとの接触事故が生じたり、また、フライン
グバイトが小さい場合、C8S時に磁気ヘッドおよび磁
気ディスクが受ける被害がより大きくなるからである。 特に、特開昭62−43819号公報に記載されている
ような酸化鉄を主成分とする磁性薄膜を有する磁気ディ
スクは、表面が鏡面化されたガラス基板を使用しており
、磁性層の表面粗さが非常に小さなものとなっている。 このため、好適な保護膜を選定しないと磁気ディスク
と磁気ヘッドとの間の摩擦が大きくなり、C8S等の際
に磁気ヘッドがスティックスリップしたり、吸着したり
するという問題を生じる。 このため、このような組み
合わせにおいても、潤滑膜あるいは保護膜構成材料の選
択には注意を要する。 上記したような酸化鉄を主成分とする磁性薄膜を有する
磁気ディスクと、硬度の高いA A 203− T i
C、Z r 02 、 S i C1AρN等の基体
を有する薄膜型の浮上型磁気ヘッドとの組み合わせに特
に好適な保護潤滑膜に関して、本発明者らは昭和63年
12月14日付の特許願(1)において提案を行なって
いる。 これに記載されている保護潤滑膜は、パーフルオロアル
キレンを有するポリエーテルおよび/またはその誘導体
を含有するものである。 〈発明が解決しようとする課題〉 しかし、ハードタイプの磁気ディスク装置における磁気
ディスクおよび磁気ヘッドの保護および潤滑に対する要
求は厳しく、さらに性能の優れた保護潤滑膜が望まれて
いる。 本発明はこのような事情からなされたものであり、C8
S時に磁気記録媒体と磁気ヘッドとの間の摩擦が小さく
、かつ、その変動が少なく、磁気記録媒体への磁気ヘッ
ドの吸着が発生しにく(、磁気ヘッドおよび磁気記録媒
体にキズあるいは破損が生じにくい磁気記録媒体および
磁気ヘッドと、これらを用いる磁気記録再生方法と、主
として磁気記録媒体の保護潤滑膜あるいは磁気ヘッドの
保護潤滑膜として用いられてこのような効果を実現する
潤滑効果および保護効果が高い有機膜とを提供すること
を目的とする。 く課題を解決するための手段〉 このような目的は、下記(1)〜(15)の本発明によ
り達成される。 (1)パーフルオロアルキレンを有するポリエーテルお
よび/またはその誘導体と、融点が30℃以上である両
親媒性化合物とを含有することを特徴とする有機膜。 (2)前記両親媒性化合物が、下記式で表わされる化合
物を含む上記(1)に記載の有機膜。 式 %式% (ただし、Xは内部にエーテル結合(−0−)および/
またはエステル結合(−COO−または−〇〇〇−)を
1または2以上有してもよいアルキレン基であって、そ
の総炭素数をmとしたときn十m≧9である。 また、
Zは親水性基を表わす。) (3)前記式においてm≧8かつm≧nである上記(2
)に記載の有機膜。 (4)前記両親媒性化合物が、脂肪酸、エステルおよび
アルコールの1種以上を含む上記(1)ないしく3)の
いずれかに記載の有機膜。 (5)剛性基板上に磁性層を有し、この磁性層上に上記
(1)ないしく4)のいずれかに記載の有機膜を保護潤
滑膜として有することを特徴とする磁気記録媒体。 (6)前記磁性層が酸化鉄を主成分とする連続薄膜型の
磁性層である上記(5)に記載の磁気記録媒体。 (7)前記剛性基板がガラスから構成される上記(5)
または(6)に記載の磁気記録媒体。 (8)上記(1)ないしく4)のいずれかに記載の有機
膜を、少なくともフロント面に有することを特徴とする
磁気ヘッド。 (9)浮上型磁気ヘッドである上記(8)に記載の磁気
ヘッド。 (10)少な(とも浮揚面がビッカース硬度1000以
上のセラミックス材料から構成されている上記(9)に
記載の磁気ヘッド。 (11)前記セラミックス材料がA 42 a Oa−
TiCを主成分とするセラミックス、ZrOzを主成分
とするセラミックス、SiCを主成分とするセラミック
スまたはA42Nを主成分とするセラミックスである上
記(9)または(10)に記載の磁気ヘッド。 (12)前記セラミックス材料がAfi 、 O。 −TiCを主成分とするセラミックス、SiCを主成分
とするセラミックスまたはA42Nを主成分とするセラ
ミックスである上記(9)ないしく11)のいずれかに
記載の磁気ヘッド。 (13)前記セラミックス材料がAj2 、 O。 −TiCを主成分とするセラミックスである上記(9)
ないしく12)のいずれかに記載の磁気ヘッド。 (14)薄膜型の浮上型磁気ヘッドである上記(9)な
いしく13)のいずれかに記載の磁気ヘッド。 (15)上記(5)ないしく7)のいずれかに記載の磁
気記録媒体に上記(9)ないしく14)のいずれかに記
載の磁気ヘッドにより記録および再生を行なう方法であ
って、前記磁性層表面と前記浮上型磁気ヘッドの浮揚面
との距離が0.1μm以下であることを特 される化
合物を含有することにより、磁気記録徴とする磁気記録
再生方法。 媒体への磁気ヘッドの
吸着が防止される。 〈作用〉 〈具体的構成〉 本発明の有機膜は、パーフルオロアルキレンを有するポ
リエーテルおよび/またはその誘導体と、融点が30℃
以上である両親媒性化合物とを含有する。 パーフルオロアルキレンを有するポリエーテルおよび/
またはその誘導体は潤滑効果および保護効果が高く、さ
らに、これに加えて、融点が30℃以上である両親媒性
化合物を含有させることにより有機膜の成膜を均一に行
なうことができる。 従って、有機膜を磁気記録媒体あるいは磁気ヘッドに適
用した場合、耐久走行後の摩擦変動が少なくなり、また
、耐久走行中のスティックスリップ現象の発生がない。 さらに、両親媒性化合物として上記式で表わ以下、本発
明の具体的構成を詳細に説明する。 本発明の有機膜は、パーフルオロアルキレンを有するポ
リエーテルおよび/またはその誘導体を含有する。 本発明において、パーフルオロアルキレンを有するポリ
エーテルおよび/またはその誘導体に特に制限はないが
、下記式(■)、で表わされるものが好ましい。 式(I) At −B1 (−Lfl −0÷t、f2−B2−A
2上記式(I)において、A1およびA2は、−F、−
Hl−COoZ、−COORまたは置換もしくは非置換
の1価の芳香族基を表わす。 ただし、Zは−Hまたは
1価のカチオンを、Rはアルキル基を表わす。 A1 とA2とは、同一であっても異なっていてもよい
。 Zで表わされる1価のカチオンとしては、Na4.K”
、LL”、NH4”などが挙げられるが、ZとしてはH
が好ましい。 Rとしては、−CH3、−C2H5などが挙げられる。 芳香族基の置換基としては、アルキル基、アルコキシ基
等である。 B1およびB2は、−CH、O− −CH−OCH*−または−CF 、0−−CONH−
あるいは単なる結合手を表わす。 B1 と82とは、同一であっても異なっていてもよい
。 LflおよびLL2は、パーフルオロアルキレン基を表
わす。 Lfiおよびt、f2としては、−CF2−CF2
CF2 −1−CF (CF3 )−CF (CF
3 )CF2−などが挙げられる。 Lfl とLL2とは、同一であっても異なっていでも
よい。 pは正の整数を表わし、好ましくは1〜]、 OOlよ
り好ましくは2〜80程度である。 pが2以上の場合、各t、f2は同一であっても異なっ
ていてもよい。 また、この場合、−fl−Lfj−0
+はブロック縮合体であってもよくランダム縮合体であ
ってもよい。 なお、A1およびA2のいずれにもZやRが存在する場
合、それらは互いに同一であっても異なっていてもよい
。 上記式(I)で表わされる化合物のうち、好ましいもの
を以下に示す。 HOCI(、−CFI−KC,F、−0±−モCF、−
0+F、−C1(、−0Hn m (I−2) CH,0CO−CFI−0−f−C2F4−0−)−(
−CFI−〇 )−CF2−COOCHIn
m (I−3) HooC−CFI−0モC2F4−0)−(−CF2−
0−)−CF2−COOHn m (I−41 CFx−0(−CF (CFJ CFz−0++CFz
−0ザF3(I−51 F(−CF(CF、)CF、−0−)−CF(CF3)
COOHn (I−61 F−(−CF (CF、)CF、−0+−CF2CF、
−COOHn (I−7) F(−C,F、−0+−CF、−CF3(I−8) これらの化合物において、nは1〜50であることが好
ましく、n+mは2〜100程度であることが好ましい
。 上記各式で表わされる化合物は、分子量100〜200
00程度、動粘度10〜5000cST (20℃)程
度であるが、特に、分子量1000〜10000、動粘
度10〜4000cST (20℃)であることが好ま
しい。 上記各式で表わされる化合物のうち、さらに好ましいも
のは、式(I−1)、(I−2)、(I−3) (
I−5) 、 (I−6)(I−8)で表わされる化合
物であり、特に好ましいものは、(I−1)、(I−2
)(I−3)、(I−8)で表わされる化合物である。 なお、本発明では、上記式(I)で表わされる化合物の
うち、あるいはこれらに加え、欧州特許公開01656
49号公報、同0165650号公報、米国特許第32
74239号明細書、同第4267238号明細書、同
第4268556号明細書、特公昭60−10368号
公報に記載されているようなパーフルオロアルキレンを
有するポリエーテルおよび/またはその誘導体も、好ま
しく用いることができる。 これらの化合物は公知の方法に従い合成すればよいが、
市販のものを用いることもできる。 具体的に、商品名を挙げると、 デュポン社製KRYTOX、モンテフルオス社製Fom
blinなどがある。 本発明において、上記式(I)で表わされる化合物は、
有機膜中に2種以上含有されていてもよい。 パーフルオロアルキレンを有するポリエーテルおよび/
またはその誘導体に加えて有機膜に含有される両親媒性
化合物は、融点が30℃以上、好ましくは39℃以上、
より好ましくは50℃以上のものである。 このような両親媒性化合物としては、下記式(II)で
表わされる化合物、脂肪酸、アルコールおよびエステル
から選択される1種以上を用いることが好ましく、特に
、下記式(II)で表わされる化合物と、脂肪酸、アル
コールおよびエステルから選択される1種以上の化合物
とを併用することが好ましい。 式(II) CnF、、、、−X−Z 上記式(II)において、Xは内部にエーテル結合(−
0−)および/またはエステル結合(−COO−または
−〇C0−)を1または2以上有してもよいアルキレン
基であって、その総炭素数をmとしたとき、n+m≧9
、特に10、好ましくは12、より好ましくは16であ
ればよく、n、mの下限は1であればよい。 上記式(II)についてさらに詳述すると、m≧8かつ
m≧nであることが好ましい。 この場合mの上限に特に制限はないが、通常、36以下
、特に24以下であることが好ましい。 またm=8であるが、好ましくはm=10、またはm=
12、より好ましくはm=16である。 また、有機膜はラングミュア・プロジェット(以下、L
Bと略称する)法により成膜されることが好ましいが、
m=nとするのはm < nとすると安定なLB膜が得
られにくいからである。 前記式(II)において、nは1〜14の整数であるこ
とが好ましく、より好ましくは1〜10、さらに好まし
くは4〜10の整数であることが好ましい。 nが1以
上であると潤滑効果が高く、また、LB膜の耐久性が向
上する。 nが15以上であると、LB膜化が困難とな
り累積膜が得られにくい。 なお、n+mは11〜50であることが好ましい。 前記式(II)において、Zは親水性基を表わす。 本発明において好適に用いられる親水性基としては、−
COOHl Sow Hl−OH1−5o 4H1−P
O4H1等、あるいはこれらのアルカリ金属塩、アンモ
ニウム塩等であり、これらのうち特に−COOHあるい
はその塩が、酸化鉄を主成分とする磁性層への吸着性の
良さの点で好ましい。 このような化合物の好適な具体例としては、C4F s
(CHz)+。C00H C4F * (CH2) 16COOHC4F −(C
H2)24COOH CaFl、(CH−)+0COOH C,F、、(CH,)、□C00H C8Fl? (CH2) +aCOOHC8F1.(C
H2) 1scOOH Ca F + −(CHx ) *□C00HC,F、
、(CH,i、C00H C1゜F、、 (CHi ) 、。C00HCIOF!
1(CH2)16C00H C1゜F−1(CHa) 、−COOHC8゜Fa+(
CH−)z−COOH C、F、、(CH,)、COO(CH,)、 C00
HC−F l、(CH−) −0(CHg) −C
OOH等が挙げられる。 また、下記の化合物も好適に用いることができる。 C,F、、(CH2)、C00H1 C4F、(CH,) 1lCOOH1C,F、、(C
H,) 40 (CH2)4C00H1C,F、、(
CH2)、4COOH1 C,F、、(CH,) 4COOH1C4F、(CH
,)、□C0OH なお、上記化合物の金属塩、あるいは、上記化合物に対
応するスルホン酸、リン酸およびスルホン酸塩、リン酸
塩等も同様に好適に用いることができる。 このような化合物は公知の方法に従い合成すればよく、
また市販のものを用いてもよい。 また、本発明においては、前記式(II)で示される化
合物であってm、n、X、Z等が異なる化合物を二種以
上用いてもよい。 なお本発明において前記式(II)で示される化合物で
n≦m≦2.5nであるものの有機膜中での含有量が2
owt%以上である場合、LB膜形成に際して、後述す
る累積後に乾燥を必要としない。 このため、このよう
な化合物を用いる場合、さらに生産性が向上する。 脂肪酸としては1価ないし多価の飽和脂肪酸、持に1価
の直鎖飽和脂肪酸が挙げられる。 このような化合物の好適な具体例としては、CH,(C
H2)、。(1:oOH2 CH、(CH2)、2COOH1 CH3(CH,)、4COOH1 CHI (cHw)16cOOH1 CH−(CH2) 、aC:0OH1 CH−(CHz ) −0COOH1 CH= (CH2) 2□C0OH 等が挙げられる。 なお、これらの具体例として上記に挙げた化合物の金属
塩、あるいは、上記化合物に対応するスルホン酸、リン
酸およびスルホン酸塩、リン酸塩等も同様に好適に用い
ることができる。 また、これらの他、天然脂肪酸としては、1.2−ヒド
ロキシステアリン酸やラノリン脂肪酸等や、各種合成脂
肪酸、脂肪酸誘導体等も使用可能である。 アルコールとしては、1価の飽和アルコールが好適であ
る。 例えば、直鎖飽和1価アルコールの好適な具体的例とし
ては、 CHs (CH* ) 3m0H1 CH! (CHa ) 、5OH1 CHs (CH*) l?0H1 CHs (CH* )+−0H1 CHs (CH−) −+OH 等が挙げられる。 これらの他、1価ないし多価の天然アルコール、合成ア
ルコール等も好適に使用できる。 エステルとしては、1価ないし多価の飽和脂肪酸と、1
価ないし多価の飽和アルコールとのエステルが好適であ
る。 好適な具体的例としては、 CH,(CH,)、、C00CH,、 CHs (CHm )+6COOCHs、CH−(CH
z) 16COOCHs、CH、(CH、)、、C00
CHa、 CH−(CHa)a−COOCHs、 CH−(CHa) 、−COOC28a、CH、(CH
、)、4COOC2H。 等が挙げられる。 上記した各化合物の有機膜中での好ましい含有量比を以
下に示す。 パーフルオロアルキレンを有するポリエーテルおよび/
またはその誘導体二両親媒性化合物=9:1〜1:9で
あることが好ましく、特に7:3〜3ニアであることが
好ましい。 これらの化合物の総含有11よ、有機膜全体の50〜l
oowt%程度であることが好ましい。 本発明において有機膜の厚さに特に制限はな(、有機膜
の用途によって適当な膜厚を選択すればよい。 例えば
、磁気記録媒体の磁性層上に設ける保護潤滑膜あるいは
磁気ヘッドフロント面に設ける保護潤滑膜として有機膜
を用いる場合、成膜方法および使用化合物によっても異
なるが、4〜300人程度であることが好ましい。 4
人未満では十分な本発明の効果が得られず特に耐久性が
劣り、300人を超えると吸着が発生し、磁気ヘッドの
クラッシュを起こす場合がある。 なお、より好ましい
膜厚は4〜100人であり、さらに好ましい膜厚は4〜
80人である。 有機膜の形成方法に特に制限はなく、ラングミュア・プ
ロジェット(LB)法、塗布法等から適当に選択すれば
よい。 例えば、LB法を用いる場合、被着体基板(例えば、磁
気記録媒体、浮上型磁気ヘッド等)を水相中に浸漬し、
次いで上記化合物を含有する展開溶液を所定量水相に均
一に落とし、単分子膜を展開する。 次に、表面圧が所定の張力となるまで気液界面を圧縮し
た後、一定圧を保つように界面を圧縮しなから被着体基
板を所定の速度で水相中からほぼ垂直に上昇させて、被
着体基板上に単分子膜を移し取る。 次いで、付着した
水を必要に応じ乾燥させる。 さらに、必要に応じ、同
じ操作を繰り返すことによって累積膜を得る。 累積数は1〜20程度であることが好ましい。 なお、展開溶液の溶媒としては、一般にフロン、クロロ
ホルム等のハロゲン系溶媒等が用いられる。 有機膜の形成を塗布法により行なう場合、磁気記録媒体
に対してはスピンコード、ディッピング、スプレーコー
ト等を用いればよ(、浮上型磁気ヘッドに対してはディ
ッピング等を用いればよい。 本発明の磁気記録媒体は、剛性基板上に磁性層を有する
。 磁性層に特に制限はなく、公知の塗布型磁性層、連続薄
膜型磁性層のいずれに対しても本発明は効果を発揮する
が、特に、酸化鉄を主成分とする連続薄膜型の磁性層に
対し、本発明は高い効果を示す。 以下、酸化鉄を主成分とする連続薄膜型の磁性層を有す
る磁気記録媒体について説明する。 剛性基板の材質に特に制限はないが、下地層などを設層
する必要がなく製造工程が簡素になること、また、研磨
が容易で表面粗さの制御が簡単であることから、本発明
ではガラスを用いることが好ましい。 ガラスとしては、強化ガラスを用いることが好ましい。 このようなガラスとしては、特開昭62−43819
号公報に記載されているような表面強化ガラスが挙げら
れる。 剛性基板の表面粗さ(R+wax)は、100Å以下で
あることが好ましい、 このような表面粗さは、例えば
、特開昭62−43819号公報に記載されているよう
なメカノケミカルポリッシングなどにより得ることがで
きる。 なお、Rwaxは50Å以下であることがさら
に好ましい、 連続薄膜型の磁性層はこの基板上に直接
設層されるため、磁性層の表面粗さは基板の表面粗さと
ほぼ等しくなる。 基板の表面粗さを上記範囲内とすれ
ば、磁性層表面と浮上型磁気ヘッドの浮揚面との距離を
0.1am以下に保って記録および再生を行なうことが
でき、高密度記録が可能となる。 ガラス基板の材質に特に制限はなく、ホウケイ酸ガラス
、アルミノケイ酸ガラス、石英ガラス、チタンケイ酸ガ
ラス等のガラスから適当に選択することができる。 た
だし、特開昭62−43819号公報に記載されている
ようなメカノケミカルポリッシングにより表面平滑化を
行なう場合、結晶質を含まないガラスを用いることが好
ましい。 これは、メカノケミカルポリッシングにより
結晶粒界が比較的早く研磨されてしまい、上記のような
Rmaxが達成できないからである。 剛性基板の形状および寸法に特に制限はないが、通常、
ディスク状とされ、厚さは0.5〜5mm程度、直径は
25〜300mm程度である。 剛性基板上には、酸化鉄を主成分とする磁性薄膜が成膜
され、磁性層とされる。 磁性層の1厚は、生産性、磁気特性等を考慮して、50
0〜3000人程度とすることが好ましい。 磁性層の成膜は公知の気相成膜法等により行なえばよい
が、スパッタ法、特に反応性スパッタ法を用いることが
好ましい。 なお、磁性層中には、成膜雰囲気中に含まれるAr等が
含有されていてもよい。 このようにして得られる磁性層の表面粗さは、剛性基板
の表面粗さとほぼ等しいものである。 なお、このようにして設層される磁性層は、特開昭62
−43819号公報に記載されている。 気相成膜法の他、本発明では、蒸着法、めっき法により
酸化鉄を主成分とする薄膜を形成する方法、あるいは薄
膜形成後に熱処理を施す方法等によって磁性層を設層し
てもよい。 このような磁性層上に、前述した有機膜が保護潤滑膜と
して形成される。 なお、磁性M上に保護潤滑膜を成膜した後。 保護潤滑膜上を研磨してもよい。 本発明の有機膜は、酸化鉄を主成分とするこのような連
続薄膜型の磁気記録媒体の他、C0−Ni等の金属気相
成長膜磁性層や金属めっき膜磁性層を有する連続薄膜型
の磁気記録媒体、あるいは酸化鉄を用いた公知の塗布型
磁気記録媒体などの保護潤滑膜としても好適である。 次に、本発明の磁気ヘッドについて説明する。 本発明の磁気ヘッドは、そのフロント面(浮揚面)に前
述した有機膜を有する。 本発明の磁気ヘッドは、ハードタイプの磁気記録媒体と
組み合わされて使用される浮上型磁気ヘッドに適用され
た場合、高い効果を発揮する。 本発明は、公知のコンポジット型の浮上型磁気ヘッド、
モノリシック型の浮上型磁気ヘッド等に適用された場合
でも高い効果を発揮するが、特に、薄膜型の浮上型磁気
ヘッドに適用された場合に、極めて高い効果を示す。 以下、薄膜型の浮上型磁気ヘッドについて説明する。 第1図に、本発明の磁気ヘッドの好適実施例である薄膜
型の浮上型磁気ヘッドを示す。 第1図に示される浮上型磁気ヘッド1は、基体2上に、
絶縁層31、下部磁極層41、ギャップ層5、絶縁層3
3、コイル層6、絶縁層35、上部磁極層45および保
護層7を順次有する。 本発明では、このような浮上型磁気ヘッドlの少なくと
もフロント面、すなわち浮揚面に、前述した有機膜を保
護潤滑膜11として有する。 コイル層6の材質には特に制限はなく、通常用いられる
Al2、Cu等の金属を用いればよい。 コイルの巻回パターンや巻回密度についても制限はな(
、公知のものを適宜選択使用すればよい。 例えば巻回
パターンについては図示のスパイラル型の他、積層型、
ジグザグ型等いずれであってもよい。 また、コイル層6の形成にはスパッタ法等の各種気相被
着法を用いればよい。 基体2はM n −Z nフェライト等の公知の材料か
ら構成される。 本発明の磁気ヘッドを、酸化鉄を主成分とする連続薄膜
型の磁性層を有する磁気記録媒体に対して用いろ場合、
基体2は、ビッカース硬度1000以上のセラミックス
材料から構成されることが好ましい。 このように構成
することにより、本発明の磁気ヘッドの効果はさらに顕
著となる。 ビッカース硬度1000以上のセラミックス材料として
は、Al210i−TiCを主成分とするセラミックス
、ZrOzを主成分とするセラミックス、SiCを主成
分とするセラミックスまたはAβNが好適である。 ま
た、これらには、添加物としてMg、Y、ZrOx、T
i Ox等が含有されていてもよい。 これらのうち、本発明に特に好適なものは、Al20
s −T i Cを主成分とするセラミックス、SiC
を主成分とするセラミックスまたはA42Nを主成分と
するセラミックスであり、これらのうち最も好適なもの
は、酸化鉄を主成分とする薄膜磁性層の硬度との関係が
最適であることから、Aρa Oa −T i Cを主
成分とするセラミックスである。 下部および上部磁極層41.45の材料としては、従来
公知のものはいずれも使用可能であり、例えばパーマロ
イ、センダスト、CO系非晶質磁性合金等を用いること
ができる。 磁極は通常、図示のように下部磁極fi41および上部
磁極層45として設けられ、下部磁極層41および上部
磁極!1145の間にはギャップM5が形成される。 ギャップM5は、A Q 20 s、SiO□等公知の
材料であってよい。 これら磁極層41.45およびギャップ層5のパターン
、膜厚等は公知のいずれのものであってもよい。 さらに、図示例ではコイル層6はいわゆるスパイラル型
としてスパイラル状に上部および下部磁極層41.45
間に配設されており、コイル層6と上部および下部磁極
層41.45間には絶縁M33.35が設層されている
。 また下部磁極層41と基体2間には絶縁層31が設層さ
れている。 絶縁層の材料としては従来公知のものはいずれも使用可
能であり、例えば、薄膜作製をスパッタ法により行なう
ときには、5iOa、ガラス、A1.O,等を用いるこ
とができる。 また、上部磁極45上には保護層7が設層されている。 保護層の材料としては従来公知のものはいずれも使用
可能であり、例えばAfi、O,等を用いることができ
る。 また、これらに各種樹脂コート層等を積層しても
よい。 このような薄膜型の浮上型磁気ヘッドの製造工程は、通
常、薄膜作成とパターン形成とから構成される。 上記各層を構成する薄膜の作成には、上記したように、
従来公知の技術である気相被着法、例えば真空蒸着法、
スパッタ法、あるいはメツキ法等を用いればよい。 浮上型磁気ヘッドの各層のパターン形成は、従来公知の
技術である選択エツチングあるいは選択デポジションに
より行なうことができる。 エツチングとしてはウェットエツチングやドライエツチ
ングを用いることができる。 また、保護潤滑膜11は、前述したLB法、塗布法等に
より成膜すればよい。 このような浮上型磁気l\ラッド、アーム等の従来公知
のアセンブリーと組み合わせて使用される。 〈実施例〉 以下、本発明を実施例によって具体的に説明する。 [実施例1] く磁気ヘッドの形成) スパッタ法によりAfi x Os −T i C基体
上に薄膜を形成し、ドライエツチングによってパターン
を形成した後、スライダ構造として磁気ヘッドを得た。 なお、Aβtos−TiC基体のビッカース硬度は2
200であった。 く磁気ヘッドへの保護潤滑膜形成〉 上記磁気ヘッドに保護潤滑膜を形成するに際しては、以
下の通りとした。 ドライエツチングによるパターン形成後に、少な(とも
浮揚面(フロント面)に保護潤滑膜を成膜した。 保護潤滑膜を構成する化合物およびそれらの量比(モル
比)ならびに保護潤滑膜の成膜方法および膜厚を、表1
に示す。 なお、保護潤滑膜をLB法により成膜した場
合は、LB膜の累積数を併記した。 また、膜厚の測定
は、ESCAにより行なった。 表1に示される化合物は前記した化合物および下記に示
す化合物から選択したものであり、表1にはその番号を
示した。 また、前記式(I)で表わされる化合物につ
いては、平均分子量を併記した。 なお、前記式(I)
で表わされる化合物は、動粘度10〜4000cST(
20℃)のものを用いた。
この有機膜を有する磁気記録媒体および磁気ヘッドと、
これらを用いる磁気記録再生方法とに関する。 〈従来の技術〉 計算機等に用いられる磁気ディスク駆動装置には、剛性
基板上に磁性層を設層したハードタイプの磁気ディスク
と浮上型磁気ヘッドとが用いられている。 このような磁気ディスク駆動装置においては、従来、塗
布型の磁気ディスクが用いられていたが、磁気ディスク
の大容量化に伴い、磁気特性、記録密度等の点で有利な
ことから、スパッタ法等の気相成膜法等により設層され
る連続薄膜型の磁性層を有する薄膜型磁気ディスクが用
いられるようになっている。 薄膜型磁気ディスクとしては、Al1系のディスク状金
属板にN1−P下地層をめっきにより設層するか、ある
いはこの金属板表面を酸化してアルマイトを形成したも
のを基板とし、この基板上にCr層、Co−Ni等の金
属磁性層、さらにC等の保護潤滑膜をスパッタ法により
順次設層して構成されるものが一般的である。 しかし、Go−Ni等の金属磁性層は耐食性が低く、さ
らに硬度が低く、信頼性に問題が生じる。 これに対し
、特開昭62−43819号公報に記載されているよう
な酸化鉄を主成分とする磁性薄膜は化学的に安定なため
腐食の心配がな(、また、充分な硬度を有している。 一方、浮上型磁気ヘッドは浮力を発生するスライダを有
する磁気ヘッドであり、コアがスライダと一体化された
コンポジットタイプのもの、あるいはコアがスライダを
兼ねるモノリシックタイプのものが通常用いられる。 さらに、これらの他、高密度記録が可能であることから
、いわゆる薄膜型の浮上型磁気ヘッドが注目されている
。 薄膜型の浮上型磁気ヘッドは、基体上に磁極層、ギ
ャップ層、コイル層などを気相成膜法等により形成した
ものである。 このような薄膜型の浮上型磁気ヘッドで
は、基体がスライダとしてはたらく。 これらの浮上型磁気ヘッドにおいて、スライダは、各種
フェライト、AA x Os −T i C1Z r
O*、SiC,AAN等の各種セラミックスから構成さ
れる。 浮上型磁気ヘッドを用いる磁気ディスク装置では、コン
タクト・スタート・ストップ(CSS)時に浮上型磁気
ヘッドの浮揚面(スライダの磁気ディスク側表面)と磁
気ディスクが接触する。 このとき、磁気ディスクおよ
び浮上型磁気ヘッドにキズの発生、破損などが生じたり
、あるいは磁気ディスクへの浮上型磁気ヘッドの吸着が
生じ易い。 このため、磁気ディスクあるいは磁気ヘッ
ド表面に種々の保護膜あるいは潤滑膜を設ける提案がな
されている。 特に、酸化鉄はCo−Ni等の金属に比べ硬度が高いた
め、特開昭62−43819号公報に記載されているよ
うな酸化鉄磁性層を有する磁気ディスクでは、例え磁気
ディスク表面に潤滑膜あるいは保護膜を設けてあっても
C8Sの繰り返しによりヘッド浮揚面がキズつき易(、
また、ヘッドとディスクの間の摩擦が増大し易い。 こ
のため、このような組み合わせにおいては、潤滑膜ある
いは保護膜構成材料の選択には注意を要する。 また、酸化鉄磁性層を有する磁気ディスクとMn−Zn
フェライト製基体を有する浮上型ヘッドとを組み合わせ
て用いる場合、Mn−Znフェライトの硬度が酸化鉄の
硬度よりも低いため、このような問題は一層顕著となる
。 さらに、酸化鉄磁性層を有する薄膜型磁気ディスクに対
し、M n −Z nフェライトより硬度の高いAnz
0s−Tic、ZrO2、SiC,AβNなどの基体
を有する浮上型磁気ヘッドを用いる場合、上記のような
問題はある程度解消するが、このような磁気ディスクお
よび浮上型磁気ヘッドの組み合わせにおいては、磁性層
およびスライダのいずれもが高い硬度を有するため、よ
り高い潤滑および保護効果が必要となる。 特に、高
密度記録を行なうために薄膜型の浮上型磁気ヘッドを用
いる場合、上記問題はより顕著となる。 すなわち、薄膜型の浮上型磁気ヘッドを用いる磁気ディ
スク駆動装置では、高密度記録を行なうために磁気ディ
スクと磁気ヘッドとの間隔(フライングハイド)を極め
て小さく設定できるので、磁気ディスクの振動あるいは
駆動装置外部からの衝撃などにより磁気ディスクと浮上
型磁気ヘッドとの接触事故が生じたり、また、フライン
グバイトが小さい場合、C8S時に磁気ヘッドおよび磁
気ディスクが受ける被害がより大きくなるからである。 特に、特開昭62−43819号公報に記載されている
ような酸化鉄を主成分とする磁性薄膜を有する磁気ディ
スクは、表面が鏡面化されたガラス基板を使用しており
、磁性層の表面粗さが非常に小さなものとなっている。 このため、好適な保護膜を選定しないと磁気ディスク
と磁気ヘッドとの間の摩擦が大きくなり、C8S等の際
に磁気ヘッドがスティックスリップしたり、吸着したり
するという問題を生じる。 このため、このような組み
合わせにおいても、潤滑膜あるいは保護膜構成材料の選
択には注意を要する。 上記したような酸化鉄を主成分とする磁性薄膜を有する
磁気ディスクと、硬度の高いA A 203− T i
C、Z r 02 、 S i C1AρN等の基体
を有する薄膜型の浮上型磁気ヘッドとの組み合わせに特
に好適な保護潤滑膜に関して、本発明者らは昭和63年
12月14日付の特許願(1)において提案を行なって
いる。 これに記載されている保護潤滑膜は、パーフルオロアル
キレンを有するポリエーテルおよび/またはその誘導体
を含有するものである。 〈発明が解決しようとする課題〉 しかし、ハードタイプの磁気ディスク装置における磁気
ディスクおよび磁気ヘッドの保護および潤滑に対する要
求は厳しく、さらに性能の優れた保護潤滑膜が望まれて
いる。 本発明はこのような事情からなされたものであり、C8
S時に磁気記録媒体と磁気ヘッドとの間の摩擦が小さく
、かつ、その変動が少なく、磁気記録媒体への磁気ヘッ
ドの吸着が発生しにく(、磁気ヘッドおよび磁気記録媒
体にキズあるいは破損が生じにくい磁気記録媒体および
磁気ヘッドと、これらを用いる磁気記録再生方法と、主
として磁気記録媒体の保護潤滑膜あるいは磁気ヘッドの
保護潤滑膜として用いられてこのような効果を実現する
潤滑効果および保護効果が高い有機膜とを提供すること
を目的とする。 く課題を解決するための手段〉 このような目的は、下記(1)〜(15)の本発明によ
り達成される。 (1)パーフルオロアルキレンを有するポリエーテルお
よび/またはその誘導体と、融点が30℃以上である両
親媒性化合物とを含有することを特徴とする有機膜。 (2)前記両親媒性化合物が、下記式で表わされる化合
物を含む上記(1)に記載の有機膜。 式 %式% (ただし、Xは内部にエーテル結合(−0−)および/
またはエステル結合(−COO−または−〇〇〇−)を
1または2以上有してもよいアルキレン基であって、そ
の総炭素数をmとしたときn十m≧9である。 また、
Zは親水性基を表わす。) (3)前記式においてm≧8かつm≧nである上記(2
)に記載の有機膜。 (4)前記両親媒性化合物が、脂肪酸、エステルおよび
アルコールの1種以上を含む上記(1)ないしく3)の
いずれかに記載の有機膜。 (5)剛性基板上に磁性層を有し、この磁性層上に上記
(1)ないしく4)のいずれかに記載の有機膜を保護潤
滑膜として有することを特徴とする磁気記録媒体。 (6)前記磁性層が酸化鉄を主成分とする連続薄膜型の
磁性層である上記(5)に記載の磁気記録媒体。 (7)前記剛性基板がガラスから構成される上記(5)
または(6)に記載の磁気記録媒体。 (8)上記(1)ないしく4)のいずれかに記載の有機
膜を、少なくともフロント面に有することを特徴とする
磁気ヘッド。 (9)浮上型磁気ヘッドである上記(8)に記載の磁気
ヘッド。 (10)少な(とも浮揚面がビッカース硬度1000以
上のセラミックス材料から構成されている上記(9)に
記載の磁気ヘッド。 (11)前記セラミックス材料がA 42 a Oa−
TiCを主成分とするセラミックス、ZrOzを主成分
とするセラミックス、SiCを主成分とするセラミック
スまたはA42Nを主成分とするセラミックスである上
記(9)または(10)に記載の磁気ヘッド。 (12)前記セラミックス材料がAfi 、 O。 −TiCを主成分とするセラミックス、SiCを主成分
とするセラミックスまたはA42Nを主成分とするセラ
ミックスである上記(9)ないしく11)のいずれかに
記載の磁気ヘッド。 (13)前記セラミックス材料がAj2 、 O。 −TiCを主成分とするセラミックスである上記(9)
ないしく12)のいずれかに記載の磁気ヘッド。 (14)薄膜型の浮上型磁気ヘッドである上記(9)な
いしく13)のいずれかに記載の磁気ヘッド。 (15)上記(5)ないしく7)のいずれかに記載の磁
気記録媒体に上記(9)ないしく14)のいずれかに記
載の磁気ヘッドにより記録および再生を行なう方法であ
って、前記磁性層表面と前記浮上型磁気ヘッドの浮揚面
との距離が0.1μm以下であることを特 される化
合物を含有することにより、磁気記録徴とする磁気記録
再生方法。 媒体への磁気ヘッドの
吸着が防止される。 〈作用〉 〈具体的構成〉 本発明の有機膜は、パーフルオロアルキレンを有するポ
リエーテルおよび/またはその誘導体と、融点が30℃
以上である両親媒性化合物とを含有する。 パーフルオロアルキレンを有するポリエーテルおよび/
またはその誘導体は潤滑効果および保護効果が高く、さ
らに、これに加えて、融点が30℃以上である両親媒性
化合物を含有させることにより有機膜の成膜を均一に行
なうことができる。 従って、有機膜を磁気記録媒体あるいは磁気ヘッドに適
用した場合、耐久走行後の摩擦変動が少なくなり、また
、耐久走行中のスティックスリップ現象の発生がない。 さらに、両親媒性化合物として上記式で表わ以下、本発
明の具体的構成を詳細に説明する。 本発明の有機膜は、パーフルオロアルキレンを有するポ
リエーテルおよび/またはその誘導体を含有する。 本発明において、パーフルオロアルキレンを有するポリ
エーテルおよび/またはその誘導体に特に制限はないが
、下記式(■)、で表わされるものが好ましい。 式(I) At −B1 (−Lfl −0÷t、f2−B2−A
2上記式(I)において、A1およびA2は、−F、−
Hl−COoZ、−COORまたは置換もしくは非置換
の1価の芳香族基を表わす。 ただし、Zは−Hまたは
1価のカチオンを、Rはアルキル基を表わす。 A1 とA2とは、同一であっても異なっていてもよい
。 Zで表わされる1価のカチオンとしては、Na4.K”
、LL”、NH4”などが挙げられるが、ZとしてはH
が好ましい。 Rとしては、−CH3、−C2H5などが挙げられる。 芳香族基の置換基としては、アルキル基、アルコキシ基
等である。 B1およびB2は、−CH、O− −CH−OCH*−または−CF 、0−−CONH−
あるいは単なる結合手を表わす。 B1 と82とは、同一であっても異なっていてもよい
。 LflおよびLL2は、パーフルオロアルキレン基を表
わす。 Lfiおよびt、f2としては、−CF2−CF2
CF2 −1−CF (CF3 )−CF (CF
3 )CF2−などが挙げられる。 Lfl とLL2とは、同一であっても異なっていでも
よい。 pは正の整数を表わし、好ましくは1〜]、 OOlよ
り好ましくは2〜80程度である。 pが2以上の場合、各t、f2は同一であっても異なっ
ていてもよい。 また、この場合、−fl−Lfj−0
+はブロック縮合体であってもよくランダム縮合体であ
ってもよい。 なお、A1およびA2のいずれにもZやRが存在する場
合、それらは互いに同一であっても異なっていてもよい
。 上記式(I)で表わされる化合物のうち、好ましいもの
を以下に示す。 HOCI(、−CFI−KC,F、−0±−モCF、−
0+F、−C1(、−0Hn m (I−2) CH,0CO−CFI−0−f−C2F4−0−)−(
−CFI−〇 )−CF2−COOCHIn
m (I−3) HooC−CFI−0モC2F4−0)−(−CF2−
0−)−CF2−COOHn m (I−41 CFx−0(−CF (CFJ CFz−0++CFz
−0ザF3(I−51 F(−CF(CF、)CF、−0−)−CF(CF3)
COOHn (I−61 F−(−CF (CF、)CF、−0+−CF2CF、
−COOHn (I−7) F(−C,F、−0+−CF、−CF3(I−8) これらの化合物において、nは1〜50であることが好
ましく、n+mは2〜100程度であることが好ましい
。 上記各式で表わされる化合物は、分子量100〜200
00程度、動粘度10〜5000cST (20℃)程
度であるが、特に、分子量1000〜10000、動粘
度10〜4000cST (20℃)であることが好ま
しい。 上記各式で表わされる化合物のうち、さらに好ましいも
のは、式(I−1)、(I−2)、(I−3) (
I−5) 、 (I−6)(I−8)で表わされる化合
物であり、特に好ましいものは、(I−1)、(I−2
)(I−3)、(I−8)で表わされる化合物である。 なお、本発明では、上記式(I)で表わされる化合物の
うち、あるいはこれらに加え、欧州特許公開01656
49号公報、同0165650号公報、米国特許第32
74239号明細書、同第4267238号明細書、同
第4268556号明細書、特公昭60−10368号
公報に記載されているようなパーフルオロアルキレンを
有するポリエーテルおよび/またはその誘導体も、好ま
しく用いることができる。 これらの化合物は公知の方法に従い合成すればよいが、
市販のものを用いることもできる。 具体的に、商品名を挙げると、 デュポン社製KRYTOX、モンテフルオス社製Fom
blinなどがある。 本発明において、上記式(I)で表わされる化合物は、
有機膜中に2種以上含有されていてもよい。 パーフルオロアルキレンを有するポリエーテルおよび/
またはその誘導体に加えて有機膜に含有される両親媒性
化合物は、融点が30℃以上、好ましくは39℃以上、
より好ましくは50℃以上のものである。 このような両親媒性化合物としては、下記式(II)で
表わされる化合物、脂肪酸、アルコールおよびエステル
から選択される1種以上を用いることが好ましく、特に
、下記式(II)で表わされる化合物と、脂肪酸、アル
コールおよびエステルから選択される1種以上の化合物
とを併用することが好ましい。 式(II) CnF、、、、−X−Z 上記式(II)において、Xは内部にエーテル結合(−
0−)および/またはエステル結合(−COO−または
−〇C0−)を1または2以上有してもよいアルキレン
基であって、その総炭素数をmとしたとき、n+m≧9
、特に10、好ましくは12、より好ましくは16であ
ればよく、n、mの下限は1であればよい。 上記式(II)についてさらに詳述すると、m≧8かつ
m≧nであることが好ましい。 この場合mの上限に特に制限はないが、通常、36以下
、特に24以下であることが好ましい。 またm=8であるが、好ましくはm=10、またはm=
12、より好ましくはm=16である。 また、有機膜はラングミュア・プロジェット(以下、L
Bと略称する)法により成膜されることが好ましいが、
m=nとするのはm < nとすると安定なLB膜が得
られにくいからである。 前記式(II)において、nは1〜14の整数であるこ
とが好ましく、より好ましくは1〜10、さらに好まし
くは4〜10の整数であることが好ましい。 nが1以
上であると潤滑効果が高く、また、LB膜の耐久性が向
上する。 nが15以上であると、LB膜化が困難とな
り累積膜が得られにくい。 なお、n+mは11〜50であることが好ましい。 前記式(II)において、Zは親水性基を表わす。 本発明において好適に用いられる親水性基としては、−
COOHl Sow Hl−OH1−5o 4H1−P
O4H1等、あるいはこれらのアルカリ金属塩、アンモ
ニウム塩等であり、これらのうち特に−COOHあるい
はその塩が、酸化鉄を主成分とする磁性層への吸着性の
良さの点で好ましい。 このような化合物の好適な具体例としては、C4F s
(CHz)+。C00H C4F * (CH2) 16COOHC4F −(C
H2)24COOH CaFl、(CH−)+0COOH C,F、、(CH,)、□C00H C8Fl? (CH2) +aCOOHC8F1.(C
H2) 1scOOH Ca F + −(CHx ) *□C00HC,F、
、(CH,i、C00H C1゜F、、 (CHi ) 、。C00HCIOF!
1(CH2)16C00H C1゜F−1(CHa) 、−COOHC8゜Fa+(
CH−)z−COOH C、F、、(CH,)、COO(CH,)、 C00
HC−F l、(CH−) −0(CHg) −C
OOH等が挙げられる。 また、下記の化合物も好適に用いることができる。 C,F、、(CH2)、C00H1 C4F、(CH,) 1lCOOH1C,F、、(C
H,) 40 (CH2)4C00H1C,F、、(
CH2)、4COOH1 C,F、、(CH,) 4COOH1C4F、(CH
,)、□C0OH なお、上記化合物の金属塩、あるいは、上記化合物に対
応するスルホン酸、リン酸およびスルホン酸塩、リン酸
塩等も同様に好適に用いることができる。 このような化合物は公知の方法に従い合成すればよく、
また市販のものを用いてもよい。 また、本発明においては、前記式(II)で示される化
合物であってm、n、X、Z等が異なる化合物を二種以
上用いてもよい。 なお本発明において前記式(II)で示される化合物で
n≦m≦2.5nであるものの有機膜中での含有量が2
owt%以上である場合、LB膜形成に際して、後述す
る累積後に乾燥を必要としない。 このため、このよう
な化合物を用いる場合、さらに生産性が向上する。 脂肪酸としては1価ないし多価の飽和脂肪酸、持に1価
の直鎖飽和脂肪酸が挙げられる。 このような化合物の好適な具体例としては、CH,(C
H2)、。(1:oOH2 CH、(CH2)、2COOH1 CH3(CH,)、4COOH1 CHI (cHw)16cOOH1 CH−(CH2) 、aC:0OH1 CH−(CHz ) −0COOH1 CH= (CH2) 2□C0OH 等が挙げられる。 なお、これらの具体例として上記に挙げた化合物の金属
塩、あるいは、上記化合物に対応するスルホン酸、リン
酸およびスルホン酸塩、リン酸塩等も同様に好適に用い
ることができる。 また、これらの他、天然脂肪酸としては、1.2−ヒド
ロキシステアリン酸やラノリン脂肪酸等や、各種合成脂
肪酸、脂肪酸誘導体等も使用可能である。 アルコールとしては、1価の飽和アルコールが好適であ
る。 例えば、直鎖飽和1価アルコールの好適な具体的例とし
ては、 CHs (CH* ) 3m0H1 CH! (CHa ) 、5OH1 CHs (CH*) l?0H1 CHs (CH* )+−0H1 CHs (CH−) −+OH 等が挙げられる。 これらの他、1価ないし多価の天然アルコール、合成ア
ルコール等も好適に使用できる。 エステルとしては、1価ないし多価の飽和脂肪酸と、1
価ないし多価の飽和アルコールとのエステルが好適であ
る。 好適な具体的例としては、 CH,(CH,)、、C00CH,、 CHs (CHm )+6COOCHs、CH−(CH
z) 16COOCHs、CH、(CH、)、、C00
CHa、 CH−(CHa)a−COOCHs、 CH−(CHa) 、−COOC28a、CH、(CH
、)、4COOC2H。 等が挙げられる。 上記した各化合物の有機膜中での好ましい含有量比を以
下に示す。 パーフルオロアルキレンを有するポリエーテルおよび/
またはその誘導体二両親媒性化合物=9:1〜1:9で
あることが好ましく、特に7:3〜3ニアであることが
好ましい。 これらの化合物の総含有11よ、有機膜全体の50〜l
oowt%程度であることが好ましい。 本発明において有機膜の厚さに特に制限はな(、有機膜
の用途によって適当な膜厚を選択すればよい。 例えば
、磁気記録媒体の磁性層上に設ける保護潤滑膜あるいは
磁気ヘッドフロント面に設ける保護潤滑膜として有機膜
を用いる場合、成膜方法および使用化合物によっても異
なるが、4〜300人程度であることが好ましい。 4
人未満では十分な本発明の効果が得られず特に耐久性が
劣り、300人を超えると吸着が発生し、磁気ヘッドの
クラッシュを起こす場合がある。 なお、より好ましい
膜厚は4〜100人であり、さらに好ましい膜厚は4〜
80人である。 有機膜の形成方法に特に制限はなく、ラングミュア・プ
ロジェット(LB)法、塗布法等から適当に選択すれば
よい。 例えば、LB法を用いる場合、被着体基板(例えば、磁
気記録媒体、浮上型磁気ヘッド等)を水相中に浸漬し、
次いで上記化合物を含有する展開溶液を所定量水相に均
一に落とし、単分子膜を展開する。 次に、表面圧が所定の張力となるまで気液界面を圧縮し
た後、一定圧を保つように界面を圧縮しなから被着体基
板を所定の速度で水相中からほぼ垂直に上昇させて、被
着体基板上に単分子膜を移し取る。 次いで、付着した
水を必要に応じ乾燥させる。 さらに、必要に応じ、同
じ操作を繰り返すことによって累積膜を得る。 累積数は1〜20程度であることが好ましい。 なお、展開溶液の溶媒としては、一般にフロン、クロロ
ホルム等のハロゲン系溶媒等が用いられる。 有機膜の形成を塗布法により行なう場合、磁気記録媒体
に対してはスピンコード、ディッピング、スプレーコー
ト等を用いればよ(、浮上型磁気ヘッドに対してはディ
ッピング等を用いればよい。 本発明の磁気記録媒体は、剛性基板上に磁性層を有する
。 磁性層に特に制限はなく、公知の塗布型磁性層、連続薄
膜型磁性層のいずれに対しても本発明は効果を発揮する
が、特に、酸化鉄を主成分とする連続薄膜型の磁性層に
対し、本発明は高い効果を示す。 以下、酸化鉄を主成分とする連続薄膜型の磁性層を有す
る磁気記録媒体について説明する。 剛性基板の材質に特に制限はないが、下地層などを設層
する必要がなく製造工程が簡素になること、また、研磨
が容易で表面粗さの制御が簡単であることから、本発明
ではガラスを用いることが好ましい。 ガラスとしては、強化ガラスを用いることが好ましい。 このようなガラスとしては、特開昭62−43819
号公報に記載されているような表面強化ガラスが挙げら
れる。 剛性基板の表面粗さ(R+wax)は、100Å以下で
あることが好ましい、 このような表面粗さは、例えば
、特開昭62−43819号公報に記載されているよう
なメカノケミカルポリッシングなどにより得ることがで
きる。 なお、Rwaxは50Å以下であることがさら
に好ましい、 連続薄膜型の磁性層はこの基板上に直接
設層されるため、磁性層の表面粗さは基板の表面粗さと
ほぼ等しくなる。 基板の表面粗さを上記範囲内とすれ
ば、磁性層表面と浮上型磁気ヘッドの浮揚面との距離を
0.1am以下に保って記録および再生を行なうことが
でき、高密度記録が可能となる。 ガラス基板の材質に特に制限はなく、ホウケイ酸ガラス
、アルミノケイ酸ガラス、石英ガラス、チタンケイ酸ガ
ラス等のガラスから適当に選択することができる。 た
だし、特開昭62−43819号公報に記載されている
ようなメカノケミカルポリッシングにより表面平滑化を
行なう場合、結晶質を含まないガラスを用いることが好
ましい。 これは、メカノケミカルポリッシングにより
結晶粒界が比較的早く研磨されてしまい、上記のような
Rmaxが達成できないからである。 剛性基板の形状および寸法に特に制限はないが、通常、
ディスク状とされ、厚さは0.5〜5mm程度、直径は
25〜300mm程度である。 剛性基板上には、酸化鉄を主成分とする磁性薄膜が成膜
され、磁性層とされる。 磁性層の1厚は、生産性、磁気特性等を考慮して、50
0〜3000人程度とすることが好ましい。 磁性層の成膜は公知の気相成膜法等により行なえばよい
が、スパッタ法、特に反応性スパッタ法を用いることが
好ましい。 なお、磁性層中には、成膜雰囲気中に含まれるAr等が
含有されていてもよい。 このようにして得られる磁性層の表面粗さは、剛性基板
の表面粗さとほぼ等しいものである。 なお、このようにして設層される磁性層は、特開昭62
−43819号公報に記載されている。 気相成膜法の他、本発明では、蒸着法、めっき法により
酸化鉄を主成分とする薄膜を形成する方法、あるいは薄
膜形成後に熱処理を施す方法等によって磁性層を設層し
てもよい。 このような磁性層上に、前述した有機膜が保護潤滑膜と
して形成される。 なお、磁性M上に保護潤滑膜を成膜した後。 保護潤滑膜上を研磨してもよい。 本発明の有機膜は、酸化鉄を主成分とするこのような連
続薄膜型の磁気記録媒体の他、C0−Ni等の金属気相
成長膜磁性層や金属めっき膜磁性層を有する連続薄膜型
の磁気記録媒体、あるいは酸化鉄を用いた公知の塗布型
磁気記録媒体などの保護潤滑膜としても好適である。 次に、本発明の磁気ヘッドについて説明する。 本発明の磁気ヘッドは、そのフロント面(浮揚面)に前
述した有機膜を有する。 本発明の磁気ヘッドは、ハードタイプの磁気記録媒体と
組み合わされて使用される浮上型磁気ヘッドに適用され
た場合、高い効果を発揮する。 本発明は、公知のコンポジット型の浮上型磁気ヘッド、
モノリシック型の浮上型磁気ヘッド等に適用された場合
でも高い効果を発揮するが、特に、薄膜型の浮上型磁気
ヘッドに適用された場合に、極めて高い効果を示す。 以下、薄膜型の浮上型磁気ヘッドについて説明する。 第1図に、本発明の磁気ヘッドの好適実施例である薄膜
型の浮上型磁気ヘッドを示す。 第1図に示される浮上型磁気ヘッド1は、基体2上に、
絶縁層31、下部磁極層41、ギャップ層5、絶縁層3
3、コイル層6、絶縁層35、上部磁極層45および保
護層7を順次有する。 本発明では、このような浮上型磁気ヘッドlの少なくと
もフロント面、すなわち浮揚面に、前述した有機膜を保
護潤滑膜11として有する。 コイル層6の材質には特に制限はなく、通常用いられる
Al2、Cu等の金属を用いればよい。 コイルの巻回パターンや巻回密度についても制限はな(
、公知のものを適宜選択使用すればよい。 例えば巻回
パターンについては図示のスパイラル型の他、積層型、
ジグザグ型等いずれであってもよい。 また、コイル層6の形成にはスパッタ法等の各種気相被
着法を用いればよい。 基体2はM n −Z nフェライト等の公知の材料か
ら構成される。 本発明の磁気ヘッドを、酸化鉄を主成分とする連続薄膜
型の磁性層を有する磁気記録媒体に対して用いろ場合、
基体2は、ビッカース硬度1000以上のセラミックス
材料から構成されることが好ましい。 このように構成
することにより、本発明の磁気ヘッドの効果はさらに顕
著となる。 ビッカース硬度1000以上のセラミックス材料として
は、Al210i−TiCを主成分とするセラミックス
、ZrOzを主成分とするセラミックス、SiCを主成
分とするセラミックスまたはAβNが好適である。 ま
た、これらには、添加物としてMg、Y、ZrOx、T
i Ox等が含有されていてもよい。 これらのうち、本発明に特に好適なものは、Al20
s −T i Cを主成分とするセラミックス、SiC
を主成分とするセラミックスまたはA42Nを主成分と
するセラミックスであり、これらのうち最も好適なもの
は、酸化鉄を主成分とする薄膜磁性層の硬度との関係が
最適であることから、Aρa Oa −T i Cを主
成分とするセラミックスである。 下部および上部磁極層41.45の材料としては、従来
公知のものはいずれも使用可能であり、例えばパーマロ
イ、センダスト、CO系非晶質磁性合金等を用いること
ができる。 磁極は通常、図示のように下部磁極fi41および上部
磁極層45として設けられ、下部磁極層41および上部
磁極!1145の間にはギャップM5が形成される。 ギャップM5は、A Q 20 s、SiO□等公知の
材料であってよい。 これら磁極層41.45およびギャップ層5のパターン
、膜厚等は公知のいずれのものであってもよい。 さらに、図示例ではコイル層6はいわゆるスパイラル型
としてスパイラル状に上部および下部磁極層41.45
間に配設されており、コイル層6と上部および下部磁極
層41.45間には絶縁M33.35が設層されている
。 また下部磁極層41と基体2間には絶縁層31が設層さ
れている。 絶縁層の材料としては従来公知のものはいずれも使用可
能であり、例えば、薄膜作製をスパッタ法により行なう
ときには、5iOa、ガラス、A1.O,等を用いるこ
とができる。 また、上部磁極45上には保護層7が設層されている。 保護層の材料としては従来公知のものはいずれも使用
可能であり、例えばAfi、O,等を用いることができ
る。 また、これらに各種樹脂コート層等を積層しても
よい。 このような薄膜型の浮上型磁気ヘッドの製造工程は、通
常、薄膜作成とパターン形成とから構成される。 上記各層を構成する薄膜の作成には、上記したように、
従来公知の技術である気相被着法、例えば真空蒸着法、
スパッタ法、あるいはメツキ法等を用いればよい。 浮上型磁気ヘッドの各層のパターン形成は、従来公知の
技術である選択エツチングあるいは選択デポジションに
より行なうことができる。 エツチングとしてはウェットエツチングやドライエツチ
ングを用いることができる。 また、保護潤滑膜11は、前述したLB法、塗布法等に
より成膜すればよい。 このような浮上型磁気l\ラッド、アーム等の従来公知
のアセンブリーと組み合わせて使用される。 〈実施例〉 以下、本発明を実施例によって具体的に説明する。 [実施例1] く磁気ヘッドの形成) スパッタ法によりAfi x Os −T i C基体
上に薄膜を形成し、ドライエツチングによってパターン
を形成した後、スライダ構造として磁気ヘッドを得た。 なお、Aβtos−TiC基体のビッカース硬度は2
200であった。 く磁気ヘッドへの保護潤滑膜形成〉 上記磁気ヘッドに保護潤滑膜を形成するに際しては、以
下の通りとした。 ドライエツチングによるパターン形成後に、少な(とも
浮揚面(フロント面)に保護潤滑膜を成膜した。 保護潤滑膜を構成する化合物およびそれらの量比(モル
比)ならびに保護潤滑膜の成膜方法および膜厚を、表1
に示す。 なお、保護潤滑膜をLB法により成膜した場
合は、LB膜の累積数を併記した。 また、膜厚の測定
は、ESCAにより行なった。 表1に示される化合物は前記した化合物および下記に示
す化合物から選択したものであり、表1にはその番号を
示した。 また、前記式(I)で表わされる化合物につ
いては、平均分子量を併記した。 なお、前記式(I)
で表わされる化合物は、動粘度10〜4000cST(
20℃)のものを用いた。
(II−1)
C、F、、(CH2)、、C00H
(、n −2)
C,F、(CH2)、。C00H
(n−3)
C,F、、(CH,)、。C00H
(II −4)
C,FI7 (CH,) 16cOOH(iI −5
) C,F、? (CH,)、、C00H (III−1) CH3(CH,)、。C00H (III −2) CHs (CH2) +aCOOH(III−3) CH,(CH2) 14cOOH (III −4) CHs (CH2) 16cOOH(IV−1) CH,(CH2)2.C00CH3 (IV−2) CH3(CH−) 、aCOOC2H−(V−1) CH,(CH,) 、、08 表1に示す保護潤滑膜成膜方法の詳細は、下記の通りで
ある。 (LB法) 表1に示す化合物の10−4モル/Cフロン溶液を調製
し、展開溶液とした。 まず、水相中に被処理基板(磁気ヘッ ド)を浸漬した後、展開溶液を水相表面に均一に落し、
単分子膜を展開した。 次に、表面圧が所定圧となるまで界面を圧縮し、被処理
基板を一定の速度でほぼ垂直に上昇させて被処理基板上
に単分子膜を移し取り、さらに被処理基板の下降および
上昇を繰り返して単分子膜を累積し、保護潤滑膜とした
。 (塗布法) 表1に示す化合物のフロン溶液を塗布溶液とした。 濃
度は、ディッピングの場合0.1wt%とじ、スピンコ
ードの場合0.5wt%とした。 このようにして作製された磁気ヘッドをアームと組合わ
せて、空気ベアリング型の浮上型磁気ヘッドを作製した
。 く磁気ディスクの形成〉 外径130mm、内径40mm、厚さ1.9mmのアル
ミノケイ酸ガラス板に化学強化処理を施した。 化学強
化処理は、450℃の溶融硝酸カリウムに10時間浸漬
することにより行なった。 次いで、このガラス板表面をメカノケミカルポリッシン
グにより平滑化し、磁気ディスク基板とした。 メカノ
ケミカルポリッシングには、コロイダルシリカを含む研
磨液を用いた。 磁気ディスク基板の表面粗さ(Rma
x)は90人であった。 次いで、Feをターゲットとし、A r : 02=5
0 : 50の10−”Torrの雰囲気中において反
応性スパックを行ない、2000人のα−Fezes膜
を成膜した。 次に、水素気流中で360℃にて2時間
還元処理を行なってF a x O4膜とした後、空気
中で310℃にて1時間酸化を行ない、γ−Fe2eg
の磁性層とした。 この磁性層のRmaxは100人で
あった。 〈磁気ディスクへの保護潤滑膜形成〉 上記磁気ディスクの磁性層上に保護潤滑膜を成膜した磁
気ディスクを作製した。 保護潤滑膜を構成する化合物ならびに保護潤滑膜の成膜
方法および膜厚を、表1に示す。 表1に示す成膜方法は、上記磁気ヘッドの場合と同様で
ある。 以上のようにして得られた浮上型磁気ヘッドおよび磁気
ディスクの保護潤滑膜の成膜の均一性を、100倍の光
学顕微鏡により観察した。 結果を表1に示す。 なお、表1に示す評価は、 ○:良好 △:やや良好 ×:不均一 である。 次に、浮上型磁気ヘッドと磁気ディスクとを表1に示す
ように組み合わせて、浮上型磁気ヘッドと磁気ディスク
間の初期および耐久走行後の摩擦を測定した。 耐久走
行は20°C160%RHの条件下で、1100rpに
て30分間接触走行させることにより行ない、摩擦はl
rpm回転時の動摩擦係数で表わした。 結果を、表1に示す。 [比較例1] 前記式(I)で表わされる化合物のみを含有する保護潤
滑膜を形成した浮上型磁気ヘッドおよび磁気ディスクを
、実施例1と同様にして作製した。 これらについて、実施例1と同様な測定を行なった。 結果を表1に示す。 なお、表1に示す組み合わせでは、浮上型磁気ヘッドの
磁気ディスクへの吸着はみられなかった。 [実施例2] 実施例1で作製したビッカース硬度2200のAA 、
O、−T i C基体を有する浮上型磁気ヘッドおよ
びγ−F e 203磁性層を有する磁気ディスクを用
い、フライングハイド0. 1LLm以下で3600r
pmにて5分間高速摺動試験を行なった。 高速摺動試験後の磁気ディスク表面および浮上型磁気ヘ
ッド浮揚面のキズを、100倍の光学顕微鏡を用いて観
察した。 結果を表2に示す。 [実施例3] ディスク状のAβ板上にN1−P下地層をめっきにより
設層し、この下地層上にCr層、Co−Cr磁性層、C
からなる保護膜および上記実施例1で用いた保護潤滑膜
を順次成膜してハードタイプの磁気ディスクを作製した
。 また、実施例1で用いたビッカース硬度2200のAβ
xo* Tic基体に換え、ビッカース硬度700の
Mn−Znフェライト製基体を用い、この上に実施例1
で用いた保護潤滑膜を成膜して薄膜型の浮上型磁気ヘッ
ドを作製した。 このようにして得られた磁気ディスクおよび浮上型磁気
ヘッドを組み合わせ、実施例2と同様な観察を行なった
。 また、この磁気ディスクおよび浮上型磁気ヘッドを
、それぞれ実施例2に記載の浮上型磁気ヘッドおよび磁
気ディスクと組み合わせ、同様な観察を行なった。 結果を表2に示す。 表 2 2 AL Os −Tic 無 Co−
Cr 有3 M n −Z nフェライ
ト 有 Y −F e t O3無4Mn−Znフェ
ライト 有 Co−Cr 有なお、これらの組
み合わせの他、ビッカース硬度2200以上のAj2N
15基体および同様な硬度を有するSiC製基体を有す
る浮上型磁気ヘッドを用いて上記と同様な高速摺動試験
を行なったところ、キズの発生は認められなかった。
さらに、ビッカース硬度130oのZrOz製基体を有
する浮上型磁気ヘッドを用いて同様な測定を行なったと
ころ、磁気ヘッド浮揚面にわずかにキズの発生が認めら
れたが、実用上は問題とならない程度であった。 [実施例4] 実施例1で作製した浮上型磁気ヘッドおよび磁気ディス
クを用いてC8S試験を行なったところ、摩擦変動、吸
着などに関して極めて良好な結果が得られた。 以上の実施例の結果から、本発明の効果が明らかである
。 〈発明の効果〉 本発明によれば、磁気記録媒体および磁気ヘッド間の摩
擦が小さく、かつ、その変動が小さく、また、磁気記録
媒体への磁気ヘッドの吸着が発生しにくい。 このため
、C8S時あるいは磁気ヘッドと磁気記録媒体との接触
時にも双方にキズが発生しにくくなる。 また、本発明を、酸化鉄を主成分とする磁性層を有する
連続薄膜型の磁気記録媒体と、ビッカース硬度1000
以上のセラミックス材料から構成される基体を有する薄
膜型の浮上型磁気ヘッドに適用し、これらを組合わせて
用いた場合、上記効果は特に優れたものとなる。 また、本発明で使用するパーフルオロアルキレンを有す
るポリエーテルおよび/またはその誘導体を含有する保
護潤滑膜は、酸化鉄を主成分とする磁性層への接着性が
高く、保護潤滑膜の効果の持続性が高い。
) C,F、? (CH,)、、C00H (III−1) CH3(CH,)、。C00H (III −2) CHs (CH2) +aCOOH(III−3) CH,(CH2) 14cOOH (III −4) CHs (CH2) 16cOOH(IV−1) CH,(CH2)2.C00CH3 (IV−2) CH3(CH−) 、aCOOC2H−(V−1) CH,(CH,) 、、08 表1に示す保護潤滑膜成膜方法の詳細は、下記の通りで
ある。 (LB法) 表1に示す化合物の10−4モル/Cフロン溶液を調製
し、展開溶液とした。 まず、水相中に被処理基板(磁気ヘッ ド)を浸漬した後、展開溶液を水相表面に均一に落し、
単分子膜を展開した。 次に、表面圧が所定圧となるまで界面を圧縮し、被処理
基板を一定の速度でほぼ垂直に上昇させて被処理基板上
に単分子膜を移し取り、さらに被処理基板の下降および
上昇を繰り返して単分子膜を累積し、保護潤滑膜とした
。 (塗布法) 表1に示す化合物のフロン溶液を塗布溶液とした。 濃
度は、ディッピングの場合0.1wt%とじ、スピンコ
ードの場合0.5wt%とした。 このようにして作製された磁気ヘッドをアームと組合わ
せて、空気ベアリング型の浮上型磁気ヘッドを作製した
。 く磁気ディスクの形成〉 外径130mm、内径40mm、厚さ1.9mmのアル
ミノケイ酸ガラス板に化学強化処理を施した。 化学強
化処理は、450℃の溶融硝酸カリウムに10時間浸漬
することにより行なった。 次いで、このガラス板表面をメカノケミカルポリッシン
グにより平滑化し、磁気ディスク基板とした。 メカノ
ケミカルポリッシングには、コロイダルシリカを含む研
磨液を用いた。 磁気ディスク基板の表面粗さ(Rma
x)は90人であった。 次いで、Feをターゲットとし、A r : 02=5
0 : 50の10−”Torrの雰囲気中において反
応性スパックを行ない、2000人のα−Fezes膜
を成膜した。 次に、水素気流中で360℃にて2時間
還元処理を行なってF a x O4膜とした後、空気
中で310℃にて1時間酸化を行ない、γ−Fe2eg
の磁性層とした。 この磁性層のRmaxは100人で
あった。 〈磁気ディスクへの保護潤滑膜形成〉 上記磁気ディスクの磁性層上に保護潤滑膜を成膜した磁
気ディスクを作製した。 保護潤滑膜を構成する化合物ならびに保護潤滑膜の成膜
方法および膜厚を、表1に示す。 表1に示す成膜方法は、上記磁気ヘッドの場合と同様で
ある。 以上のようにして得られた浮上型磁気ヘッドおよび磁気
ディスクの保護潤滑膜の成膜の均一性を、100倍の光
学顕微鏡により観察した。 結果を表1に示す。 なお、表1に示す評価は、 ○:良好 △:やや良好 ×:不均一 である。 次に、浮上型磁気ヘッドと磁気ディスクとを表1に示す
ように組み合わせて、浮上型磁気ヘッドと磁気ディスク
間の初期および耐久走行後の摩擦を測定した。 耐久走
行は20°C160%RHの条件下で、1100rpに
て30分間接触走行させることにより行ない、摩擦はl
rpm回転時の動摩擦係数で表わした。 結果を、表1に示す。 [比較例1] 前記式(I)で表わされる化合物のみを含有する保護潤
滑膜を形成した浮上型磁気ヘッドおよび磁気ディスクを
、実施例1と同様にして作製した。 これらについて、実施例1と同様な測定を行なった。 結果を表1に示す。 なお、表1に示す組み合わせでは、浮上型磁気ヘッドの
磁気ディスクへの吸着はみられなかった。 [実施例2] 実施例1で作製したビッカース硬度2200のAA 、
O、−T i C基体を有する浮上型磁気ヘッドおよ
びγ−F e 203磁性層を有する磁気ディスクを用
い、フライングハイド0. 1LLm以下で3600r
pmにて5分間高速摺動試験を行なった。 高速摺動試験後の磁気ディスク表面および浮上型磁気ヘ
ッド浮揚面のキズを、100倍の光学顕微鏡を用いて観
察した。 結果を表2に示す。 [実施例3] ディスク状のAβ板上にN1−P下地層をめっきにより
設層し、この下地層上にCr層、Co−Cr磁性層、C
からなる保護膜および上記実施例1で用いた保護潤滑膜
を順次成膜してハードタイプの磁気ディスクを作製した
。 また、実施例1で用いたビッカース硬度2200のAβ
xo* Tic基体に換え、ビッカース硬度700の
Mn−Znフェライト製基体を用い、この上に実施例1
で用いた保護潤滑膜を成膜して薄膜型の浮上型磁気ヘッ
ドを作製した。 このようにして得られた磁気ディスクおよび浮上型磁気
ヘッドを組み合わせ、実施例2と同様な観察を行なった
。 また、この磁気ディスクおよび浮上型磁気ヘッドを
、それぞれ実施例2に記載の浮上型磁気ヘッドおよび磁
気ディスクと組み合わせ、同様な観察を行なった。 結果を表2に示す。 表 2 2 AL Os −Tic 無 Co−
Cr 有3 M n −Z nフェライ
ト 有 Y −F e t O3無4Mn−Znフェ
ライト 有 Co−Cr 有なお、これらの組
み合わせの他、ビッカース硬度2200以上のAj2N
15基体および同様な硬度を有するSiC製基体を有す
る浮上型磁気ヘッドを用いて上記と同様な高速摺動試験
を行なったところ、キズの発生は認められなかった。
さらに、ビッカース硬度130oのZrOz製基体を有
する浮上型磁気ヘッドを用いて同様な測定を行なったと
ころ、磁気ヘッド浮揚面にわずかにキズの発生が認めら
れたが、実用上は問題とならない程度であった。 [実施例4] 実施例1で作製した浮上型磁気ヘッドおよび磁気ディス
クを用いてC8S試験を行なったところ、摩擦変動、吸
着などに関して極めて良好な結果が得られた。 以上の実施例の結果から、本発明の効果が明らかである
。 〈発明の効果〉 本発明によれば、磁気記録媒体および磁気ヘッド間の摩
擦が小さく、かつ、その変動が小さく、また、磁気記録
媒体への磁気ヘッドの吸着が発生しにくい。 このため
、C8S時あるいは磁気ヘッドと磁気記録媒体との接触
時にも双方にキズが発生しにくくなる。 また、本発明を、酸化鉄を主成分とする磁性層を有する
連続薄膜型の磁気記録媒体と、ビッカース硬度1000
以上のセラミックス材料から構成される基体を有する薄
膜型の浮上型磁気ヘッドに適用し、これらを組合わせて
用いた場合、上記効果は特に優れたものとなる。 また、本発明で使用するパーフルオロアルキレンを有す
るポリエーテルおよび/またはその誘導体を含有する保
護潤滑膜は、酸化鉄を主成分とする磁性層への接着性が
高く、保護潤滑膜の効果の持続性が高い。
第1図は、本発明の磁気ヘッドの好適実施例である薄膜
型の浮上型磁気ヘッドを示す部分断面図である。 F I G、1 符号の説明 1・・・浮上型磁気ヘッド 2・・・基体 31.33.35・・・絶縁層 41・・・下部磁極層 45・・・上部磁極層 5・・・ギャップ層 6・・・コイル層 7・・・保護層 11・・・保護潤滑膜
型の浮上型磁気ヘッドを示す部分断面図である。 F I G、1 符号の説明 1・・・浮上型磁気ヘッド 2・・・基体 31.33.35・・・絶縁層 41・・・下部磁極層 45・・・上部磁極層 5・・・ギャップ層 6・・・コイル層 7・・・保護層 11・・・保護潤滑膜
Claims (15)
- (1)パーフルオロアルキレンを有するポリエーテルお
よび/またはその誘導体と、融点が30℃以上である両
親媒性化合物とを含有することを特徴とする有機膜。 - (2)前記両親媒性化合物が、下記式で表わされる化合
物を含む請求項1に記載の有機膜。 式 C_nF_2_n_+_1−X−Z (ただし、Xは内部にエーテル結合(−O−)および/
またはエステル結合(−COO−または−OCO−)を
1または2以上有してもよいアルキレン基であって、そ
の総炭素数をmとしたときn+m≧9である。また、Z
は親水性基を表わす。) - (3)前記式においてm≧8かつm≧nである請求項2
に記載の有機膜。 - (4)前記両親媒性化合物が、脂肪酸、エステルおよび
アルコールの1種以上を含む請求項1ないし3のいずれ
かに記載の有機膜。 - (5)剛性基板上に磁性層を有し、この磁性層上に請求
項1ないし4のいずれかに記載の有機膜を保護潤滑膜と
して有することを特徴とする磁気記録媒体。 - (6)前記磁性層が酸化鉄を主成分とする連続薄膜型の
磁性層である請求項5に記載の磁気記録媒体。 - (7)前記剛性基板がガラスから構成される請求項5ま
たは6に記載の磁気記録媒体。 - (8)請求項1ないし4のいずれかに記載の有機膜を、
少なくともフロント面に有することを特徴とする磁気ヘ
ッド。 - (9)浮上型磁気ヘッドである請求項8に記載の磁気ヘ
ッド。 - (10)少なくとも浮揚面がビッカース硬度1000以
上のセラミックス材料から構成されている請求項9に記
載の磁気ヘッド。 - (11)前記セラミックス材料がAl_2O_3−Ti
Cを主成分とするセラミックス、ZrO_2を主成分と
するセラミックス、SiCを主成分とするセラミックス
またはAlNを主成分とするセラミックスである請求項
9または10に記載の磁気ヘッド。 - (12)前記セラミックス材料がAl_2O_3−Ti
Cを主成分とするセラミックス、SiCを主成分とする
セラミックスまたはAlNを主成分とするセラミックス
である請求項9ないし11のいずれかに記載の磁気ヘッ
ド。 - (13)前記セラミックス材料がAl_2O_3−Ti
Cを主成分とするセラミックスである請求項9ないし1
2のいずれかに記載の磁気ヘッド。 - (14)薄膜型の浮上型磁気ヘッドである請求項9ない
し13のいずれかに記載の磁気ヘッド。 - (15)請求項5ないし7のいずれかに記載の磁気記録
媒体に請求項9ないし14のいずれかに記載の磁気ヘッ
ドにより記録および再生を行なう方法であって、 前記磁性層表面と前記浮上型磁気ヘッドの浮揚面との距
離が0.1μm以下であることを特徴とする磁気記録再
生方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31792388A JPH02163195A (ja) | 1988-12-16 | 1988-12-16 | 有機膜、磁気記録媒体、磁気ヘッドおよび磁気記録再生方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31792388A JPH02163195A (ja) | 1988-12-16 | 1988-12-16 | 有機膜、磁気記録媒体、磁気ヘッドおよび磁気記録再生方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02163195A true JPH02163195A (ja) | 1990-06-22 |
Family
ID=18093546
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP31792388A Pending JPH02163195A (ja) | 1988-12-16 | 1988-12-16 | 有機膜、磁気記録媒体、磁気ヘッドおよび磁気記録再生方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02163195A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03153645A (ja) * | 1989-11-01 | 1991-07-01 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 薄膜ディスクの潤滑方法 |
JPH04168621A (ja) * | 1990-10-31 | 1992-06-16 | Hitachi Ltd | 潤滑組成物およびそれを用いた電子部品 |
-
1988
- 1988-12-16 JP JP31792388A patent/JPH02163195A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03153645A (ja) * | 1989-11-01 | 1991-07-01 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 薄膜ディスクの潤滑方法 |
JPH04168621A (ja) * | 1990-10-31 | 1992-06-16 | Hitachi Ltd | 潤滑組成物およびそれを用いた電子部品 |
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