JPH04134857U - 表面実装型半導体装置 - Google Patents

表面実装型半導体装置

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JPH04134857U
JPH04134857U JP4267891U JP4267891U JPH04134857U JP H04134857 U JPH04134857 U JP H04134857U JP 4267891 U JP4267891 U JP 4267891U JP 4267891 U JP4267891 U JP 4267891U JP H04134857 U JPH04134857 U JP H04134857U
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JP
Japan
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lead
semiconductor device
chip
board
chip mounting
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Application number
JP4267891U
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English (en)
Inventor
章夫 大塚
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日本電気株式会社
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

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  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【構成】チップ搭載リード１が樹脂部４の外部のリード
２よりも大きく設計されており、この部分が基板実装さ
れた際に従来のリードよりも広い部分で基板と接する様
にした。 【効果】消費電力を大きく取れる。

Description

【考案の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本考案は表面実装型半導体装置に関し、特にディスクリートデバイスを搭載し ている小型パッケージのリードフレームの形状に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来の表面実装型ディスクリートデバイスの代表的パッケージであるミニモー ルドパッケージ（ＳＣ−５９：ＥＩＡＪ）を図３に示す。樹脂部４の外部に出て いるリードフレーム基板のうちリード２の横幅部分は、３端子とも全て同寸法と なっており、リードフレーム基板側の設計の標準化がしやすい様になっていた。
【０００３】
【考案が解決しようとする課題】
しかし、近年の軽薄短小の装置設計度の思考により、半導体装置の小型化品、 特に表面実装型半導体装置を多く取り込む様になり、半導体装置の小型化の使用 が急激に増えてきた。
【０００４】 その一方、小型化に伴い半導体装置自体の電力定格が低くなるのでセットの熱 設計が厳しくなり、逆に小型化品の電力定格を少しでも高める様な要求が出初め ている。
【０００５】 また、半導体装置の小型化品により大電流用途の半導体チップを搭載する様な 傾向もあり、電力定格の高い半導体装置の開発が課題となってきた。それらの要 求に対して、従来のリードフレームでは電力定格が十分とれないという問題があ った。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本考案の表面実装型半導体装置は、リードフレームのチップ搭載部にディスク リートの半導体チップを樹脂封止した表面実装型半導体装置において、前記チッ プ搭載部から前記樹脂封止外部に露出するチップ搭載リードが、前記リードフレ ームの他のリードに比べ最も広い幅を有して構成されている。
【０００７】
【実施例】
図１に本考案の実施例の上面図およびＡ−Ｂ線断面図を示す。図３の従来のミ ニモールド型パッケージと比較し、チップ搭載リード１が樹脂部４の外部のリー ド２よりも大きく設計されており、この部分が基板実装された際に従来のリード よりも広い部分で基板と接する様にしたものである。基板に実装された時のミニ モールドパッケージの構造を図に説明する。
【０００８】 普通、半導体チップ３で消費された電力によりチップ自体が発熱してゆくが、 その熱の逃げる量はパッケージ自体の容量と、パッケージから外へ伝わる伝わり やすさで決定される。本実施例では実装基板に実装されるため、基板へ逃げる熱 の量を少しでも大きくしてやることにより電力定格を向上させることが可能であ る。
【０００９】 本考案ではチップ搭載リード１と実装基板との接続面積を大きく取ることによ り、もともとリードの材質であるＦｅ，Ｃｕ系の金属は熱伝導率がきわめて高い ため、チップで発熱した熱を効率良く基板へ逃がし、電力定格を向上させる。
【００１０】 図２には、２端子タイプの表面実装型半導体装置の上面図およびＣ−Ｄ線断面 図である。これもチップを搭載しているリード１ａの樹脂部４ａの外部が、他方 のリード２ａより幅広く設計されている。従来のミニモールドタイプ（リード幅 ０．４ｍｍ）をセラミック基板（１０ｍｍ×７．５ｍｍ×０．７ｍｍ）に実装し た場合、電力損失として約４００ｍＷであったものが、今回考案したチップ搭載 リードを広げリード幅を１．０ｍｍとし他は従来と同一としたものでは、電力損 失が約６００ｍＷまで上った。ここでは、ガルウィングタイプのリード形状につ いて述べたが、コーリードタイプでも同様である。
【００１１】
【考案の効果】
以上説明した様にチップ搭載リードが樹脂外部で面積を大きくし、基板に実装 された際に基板との接続面積が広くなる。従ってチップで発熱した熱がチップ搭 載リードを通し基板へ逃げやすくなっており、従来の半導体装置と比較し熱抵抗 が小さくなり半導体装置の消費電力を大きく取れる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本考案の第１の実施例の上面図およびＡ−Ｂ線
断面図である。
【図２】本考案の第２の実施例の上面図およびＣ−Ｄ線
断面図である。
【図３】従来の表面実装型半導体装置の一例の上面図お
よびＥ−Ｆ線断面図である。
【符号の説明】
１ チップ搭載リード ２ リード ３ 半導体チップ ４ 樹脂

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項１】 リードフレームのチップ搭載部にディス
    クリートの半導体チップを樹脂封止した表面実装型半導
    体装置において、前記チップ搭載部から前記樹脂封止外
    部に露出するチップ搭載リードが、前記リードフレーム
    の他のリードに比べ最も広い幅を有することを特徴とす
    る表面実装型半導体装置。
JP4267891U 1991-06-07 1991-06-07 表面実装型半導体装置 Pending JPH04134857U (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001031704A1 (fr) * 1999-10-28 2001-05-03 Rohm Co., Ltd. Dispositif a semi-conducteurs
WO2023100731A1 (ja) * 2021-12-01 2023-06-08 ローム株式会社 半導体装置

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