JPH04196471A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH04196471A JPH04196471A JP32808190A JP32808190A JPH04196471A JP H04196471 A JPH04196471 A JP H04196471A JP 32808190 A JP32808190 A JP 32808190A JP 32808190 A JP32808190 A JP 32808190A JP H04196471 A JPH04196471 A JP H04196471A
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- thermal resistance
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- Pending
Links
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Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、半導体封止用パッケージに係り、特に放熱性
の向上に好適な、半導体組立材料に関する。
の向上に好適な、半導体組立材料に関する。
［発明の概要］
半導体封止用プラスチックパッケージ使用されるリード
フレームのタブ吊りリード部（金属）をパッケージの外
部に大きく残し、パッケージの熱抵抗を小さくし、熱に
よるデバイス特性の変動を抑え、同時にデバイスの長寿
命化４を図るものである。
フレームのタブ吊りリード部（金属）をパッケージの外
部に大きく残し、パッケージの熱抵抗を小さくし、熱に
よるデバイス特性の変動を抑え、同時にデバイスの長寿
命化４を図るものである。
［従来の技術］
従来この種のパッケージの、タブ吊りリードは、樹脂封
止復、不要物としてモールド材と外気の界面で切断され
、パッケージの外部に突圧しない構造となっていた。
止復、不要物としてモールド材と外気の界面で切断され
、パッケージの外部に突圧しない構造となっていた。
［発明が解決しようとする課題］
しかし、前述の従来技術では、パッケージからの放熱が
パッケージの封止樹脂からの放熱で律速されるため、熱
伝導性が金属や、セラミック等に比べ劣るエポキシ樹脂
等を用いた従来構造のパッケージでは、熱抵抗がかなり
高くなり、パワーＩＣ等の高消費電力用のパッケージと
しては不適であった。
パッケージの封止樹脂からの放熱で律速されるため、熱
伝導性が金属や、セラミック等に比べ劣るエポキシ樹脂
等を用いた従来構造のパッケージでは、熱抵抗がかなり
高くなり、パワーＩＣ等の高消費電力用のパッケージと
しては不適であった。
熱抵抗を低減させるための方策としては種々の方法が提
案されており、一部実現もされているがそのほとんどの
ものが材料、パッケージ構造を大きく変更することを必
要とする。例えば従来多く用いられている４２合金から
熱伝導性に優れる銅系合金のフレーム材を用いること、
またパッケージにヒートシンク等を用いる事などがその
例として挙げられる。しかし、そのほとんどは、コスト
アップや、品質、信頼性上のリスクを持った形でしか実
現されていない。
案されており、一部実現もされているがそのほとんどの
ものが材料、パッケージ構造を大きく変更することを必
要とする。例えば従来多く用いられている４２合金から
熱伝導性に優れる銅系合金のフレーム材を用いること、
またパッケージにヒートシンク等を用いる事などがその
例として挙げられる。しかし、そのほとんどは、コスト
アップや、品質、信頼性上のリスクを持った形でしか実
現されていない。
［課題を解決するための手段〕
そこで、本発明では、従来のパッケージ構造から大きな
変更を伴う事なく前述した不具合を解消するため、リー
ドフレーム設計において多少の変更をすることと、タイ
バーカット、フォーミング金型に多少の変更を施すだけ
で可能とした。具体的にはリードフレーム設計、製造段
階で、ヒートシンクになりうる形状をタイバー外側部分
に形成し、樹脂封止後、それを切断し、実装上妨げにな
らない部分に曲げることを特徴とするものである。
変更を伴う事なく前述した不具合を解消するため、リー
ドフレーム設計において多少の変更をすることと、タイ
バーカット、フォーミング金型に多少の変更を施すだけ
で可能とした。具体的にはリードフレーム設計、製造段
階で、ヒートシンクになりうる形状をタイバー外側部分
に形成し、樹脂封止後、それを切断し、実装上妨げにな
らない部分に曲げることを特徴とするものである。
［作用］
本発明は半導体素子と直接接着されるダイパッドから途
切れる事なく直接的に熱を放散させることができる。そ
のため、熱抵抗の高いエポキシ樹脂を介しての熱放散効
率より効率がアップする。
切れる事なく直接的に熱を放散させることができる。そ
のため、熱抵抗の高いエポキシ樹脂を介しての熱放散効
率より効率がアップする。
［実施例］
以下、本発明について実施例に基づき説明する。
第１図は、工Ｃパッケージを上からみた図であって、１
はリードフレーム、２はタブ吊りリード、３はエポキシ
樹脂、４は電気的接続用の外部端子である。なお、エポ
キシ樹脂で全体封止されているため、１．２はパッケー
ジ完成品の外部からは見えないが、実施例の説明の便宜
上透視した形で表現している。第２図は、断面構造を示
すものであり、５はＩＣ素子、６は本発明によるヒート
シンクである。
はリードフレーム、２はタブ吊りリード、３はエポキシ
樹脂、４は電気的接続用の外部端子である。なお、エポ
キシ樹脂で全体封止されているため、１．２はパッケー
ジ完成品の外部からは見えないが、実施例の説明の便宜
上透視した形で表現している。第２図は、断面構造を示
すものであり、５はＩＣ素子、６は本発明によるヒート
シンクである。
次に、本発明の半導体パッケージの製造方法について述
べる。
べる。
先づ、タブ吊りリード先端に、例えば１０ｍｍΦ程度の
面積を持つ板状の部分をエツチングまたは、プレスで、
リードフレーム形成時に同時に形成する。このフレーム
を用いて、通常のＩＣのトランスファーモールドと同様
の方法で第１図のようなパッケージを形成する。その後
必要に応じ、本発明によるヒートシンク部の曲げを行う
。事実実例ではタブ吊りリード先端（こもうける放熱板
として１０ｍｍΦの面積を持つ部分を形成したが、これ
は、１０ｍｍΦに限らず５ｍｍ角でも、３角形でも多角
形でもかまわない。すなわちタブ吊りリードから直接的
に外部に放熱する機構であり、かつ、放熱するのに十分
な表面積を有していればよいのである。
面積を持つ板状の部分をエツチングまたは、プレスで、
リードフレーム形成時に同時に形成する。このフレーム
を用いて、通常のＩＣのトランスファーモールドと同様
の方法で第１図のようなパッケージを形成する。その後
必要に応じ、本発明によるヒートシンク部の曲げを行う
。事実実例ではタブ吊りリード先端（こもうける放熱板
として１０ｍｍΦの面積を持つ部分を形成したが、これ
は、１０ｍｍΦに限らず５ｍｍ角でも、３角形でも多角
形でもかまわない。すなわちタブ吊りリードから直接的
に外部に放熱する機構であり、かつ、放熱するのに十分
な表面積を有していればよいのである。
［発明の効果］
本発明によれば、能動素子から発生する熱を熱伝導性の
良い金属で受け、それをタブ吊りリードを介して直接的
に外気に逃がすことが出来るため非常に効率的である。
良い金属で受け、それをタブ吊りリードを介して直接的
に外気に逃がすことが出来るため非常に効率的である。
また、従来の製造装置を使用でき、大きなパッケージ構
造の変更を伴う事なく効率的に、熱抵抗の低減を図るこ
とができる。
造の変更を伴う事なく効率的に、熱抵抗の低減を図るこ
とができる。
また基本的なパッケージ構造が変わっていないことから
品質、信頼性にも副作用的に不具合をきたすことがなく
、熱抵抗の改善が図れるのである。
品質、信頼性にも副作用的に不具合をきたすことがなく
、熱抵抗の改善が図れるのである。
能動素子からの熱をリードフレームに効率よく伝えるた
めには素子をリードフレームに接着する際の材料を吟味
し選択すれば良い。
めには素子をリードフレームに接着する際の材料を吟味
し選択すれば良い。
第１図は本発明による半導体パッケージを真上から見た
図である。 第２図は本発明による半導体パッケージの断面構造を示
す図である。 第３図は従来の半導体パッケージの主要部の断面構造図
である。 １ ・・・ リードフレーム ２ ・・・ タブ吊りリード ３ ・・・ エポキシ樹脂 ４ ・・・ リード端子 ５ ・・・ ＩＣ素子 ６ ・・・ ヒートシンク 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社
図である。 第２図は本発明による半導体パッケージの断面構造を示
す図である。 第３図は従来の半導体パッケージの主要部の断面構造図
である。 １ ・・・ リードフレーム ２ ・・・ タブ吊りリード ３ ・・・ エポキシ樹脂 ４ ・・・ リード端子 ５ ・・・ ＩＣ素子 ６ ・・・ ヒートシンク 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社
Claims (1)
- 半導体用の樹脂封止型パッケージに使われるリードフ
レーム材に於いて、パッケージの放熱性を高める事を目
的として、タブ吊りリード（タイバー）の先端をパッケ
ージの外部に大きく形成する事を特徴とする半導体装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32808190A JPH04196471A (ja) | 1990-11-28 | 1990-11-28 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32808190A JPH04196471A (ja) | 1990-11-28 | 1990-11-28 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04196471A true JPH04196471A (ja) | 1992-07-16 |
Family
ID=18206303
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32808190A Pending JPH04196471A (ja) | 1990-11-28 | 1990-11-28 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04196471A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5394607A (en) * | 1993-05-20 | 1995-03-07 | Texas Instruments Incorporated | Method of providing low cost heat sink |
| JPH0897346A (ja) * | 1994-09-28 | 1996-04-12 | Nec Corp | 半導体装置 |
| KR19990035569A (ko) * | 1997-10-31 | 1999-05-15 | 윤종용 | 패키지 |
-
1990
- 1990-11-28 JP JP32808190A patent/JPH04196471A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5394607A (en) * | 1993-05-20 | 1995-03-07 | Texas Instruments Incorporated | Method of providing low cost heat sink |
| JPH0897346A (ja) * | 1994-09-28 | 1996-04-12 | Nec Corp | 半導体装置 |
| KR19990035569A (ko) * | 1997-10-31 | 1999-05-15 | 윤종용 | 패키지 |
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