JPS62115852A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS62115852A JPS62115852A JP60254898A JP25489885A JPS62115852A JP S62115852 A JPS62115852 A JP S62115852A JP 60254898 A JP60254898 A JP 60254898A JP 25489885 A JP25489885 A JP 25489885A JP S62115852 A JPS62115852 A JP S62115852A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pellet
- semiconductor device
- lead
- bed
- resin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
- H01L23/49548—Cross section geometry
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の技術分野〕
本発明は、リードフレームを有する樹口旨１寸止型半導
体装置に関するもので、リードフレームの形状を改良し
た放熱板（放熱フィンとも呼（まれる）付シングルイン
ラインパッケージ（３ｉｎｇｌｃ １ｎ−ｌｉｎｅ
Ｐａｃｋａｇｅ、 Ｓ Ｉ Ｐと略記する）型の集積回
路に主として使用される。
体装置に関するもので、リードフレームの形状を改良し
た放熱板（放熱フィンとも呼（まれる）付シングルイン
ラインパッケージ（３ｉｎｇｌｃ １ｎ−ｌｉｎｅ
Ｐａｃｋａｇｅ、 Ｓ Ｉ Ｐと略記する）型の集積回
路に主として使用される。
［発明の技術的背景１
従来の放熱板付ＳＴＰ型の半導体装置の一例１について
、第４図ないし第６図を参照して、以下説明する。 第
４図は、この半４ （Ａ ８首に（重用されるリードフ
レーム１の平面図、第５図１よその×−Ｘ′Ｉ！ｉｌ断
面図である。 また第６図（よ樹ｎ旨」・ｌ ＋ｌｘ後
の半導体装置の断面図である。 ２（ま半導体チ・ンブ
３を装着ザるベッド部で、４（ＪＩｌ１文大へ１反であ
る。
、第４図ないし第６図を参照して、以下説明する。 第
４図は、この半４ （Ａ ８首に（重用されるリードフ
レーム１の平面図、第５図１よその×−Ｘ′Ｉ！ｉｌ断
面図である。 また第６図（よ樹ｎ旨」・ｌ ＋ｌｘ後
の半導体装置の断面図である。 ２（ま半導体チ・ンブ
３を装着ザるベッド部で、４（ＪＩｌ１文大へ１反であ
る。
ベッド部は放熱板の一部を］￥ねて（する。 ７本の
リード部５が設けられ、ベッド部に近いリード部の先端
部分５ａは半導体ペレット主面上のポンディングパッド
電極６と金線等の接続線７を介して接続される。 また
リード部５の他の先端部分（図示なし）は外部に取り出
され外部回路と接続される。 ７本のリード部５は外
囲器の一方の側から一列に並んで取り出され、いわゆる
ＳＩＰ型の構造となっている。 ベッド部２とリード部
５は第５図に見られるように同一平面内に形成されてい
る。 第６図に示すようにベッド部２に半導体ペレット
３を装着し、次に金等の接続線７をボンディングした後
、エボギシ等のモールド樹脂８により樹脂封止する。
以上により樹脂封止型放熱板付ＳＩＰ半導体装置（多く
の場合ＩＣである）が製造される。
リード部５が設けられ、ベッド部に近いリード部の先端
部分５ａは半導体ペレット主面上のポンディングパッド
電極６と金線等の接続線７を介して接続される。 また
リード部５の他の先端部分（図示なし）は外部に取り出
され外部回路と接続される。 ７本のリード部５は外
囲器の一方の側から一列に並んで取り出され、いわゆる
ＳＩＰ型の構造となっている。 ベッド部２とリード部
５は第５図に見られるように同一平面内に形成されてい
る。 第６図に示すようにベッド部２に半導体ペレット
３を装着し、次に金等の接続線７をボンディングした後
、エボギシ等のモールド樹脂８により樹脂封止する。
以上により樹脂封止型放熱板付ＳＩＰ半導体装置（多く
の場合ＩＣである）が製造される。
［背償技術の問題点］
消費電力が大きく、熱放射の激しい電力用半導体装置の
場合、その放熱効率を最大とするため、放熱板を兼ねた
比較的厚めのベッド上にペレットを装着固定する。 又
前述の樹脂封止型半導体装置では、ペレットは熱膨張率
の異なる二種類の材料即ち金属と樹脂によって挾まれる
（薄情となる。
場合、その放熱効率を最大とするため、放熱板を兼ねた
比較的厚めのベッド上にペレットを装着固定する。 又
前述の樹脂封止型半導体装置では、ペレットは熱膨張率
の異なる二種類の材料即ち金属と樹脂によって挾まれる
（薄情となる。
第６図に示すように、ペレット側面３ａは樹脂のみに挾
まれている。
まれている。
成型された半導体装置に、外部から熱を加えたり、また
は内部ペレットからの発熱等により、装置の温度が上昇
すると、金属と樹脂との熱膨張率の差により樹脂内部に
歪みが発生し、その応力は、ペレット３の主として側面
３ａに集中する。 ペレット側から見た場合、ベレッ１
−に直接接ケる樹脂厚が大ぎいのは第４図のｘ−ｘ’
方向であり、この方向のペレット側面へのストレスは最
大であり、ペレットの特性変動或いはペレットクラック
を生ずるおそれがある。
は内部ペレットからの発熱等により、装置の温度が上昇
すると、金属と樹脂との熱膨張率の差により樹脂内部に
歪みが発生し、その応力は、ペレット３の主として側面
３ａに集中する。 ペレット側から見た場合、ベレッ１
−に直接接ケる樹脂厚が大ぎいのは第４図のｘ−ｘ’
方向であり、この方向のペレット側面へのストレスは最
大であり、ペレットの特性変動或いはペレットクラック
を生ずるおそれがある。
［発明の目的コ
本発明は、リードフレームを有する樹脂封止型半導体装
置において、前記モールド樹脂等の熱膨張によるペレッ
ト（主に側面）へのストレスを緩和し、ペレットのクラ
ック等を防止できる半導体装置を胤供することを目的と
する。
置において、前記モールド樹脂等の熱膨張によるペレッ
ト（主に側面）へのストレスを緩和し、ペレットのクラ
ック等を防止できる半導体装置を胤供することを目的と
する。
［発明の概要］
本発明は、リードフレームを具備した樹脂封止型半導体
装置において、ベッド部に近いリード部の先端部分に、
この先端部分からペレットの側面と平行に突出するつい
たて状のストッパーを、形成したリードフレームを、具
備することを特徴とする半導体装置である。 また本発
明は、このストッパーにより、ペレット側面と直接接す
る樹脂の厚みを見かけ上人幅に減らし、熱膨Ｗ＆時の樹
脂からのストレスを低減させるものである。
装置において、ベッド部に近いリード部の先端部分に、
この先端部分からペレットの側面と平行に突出するつい
たて状のストッパーを、形成したリードフレームを、具
備することを特徴とする半導体装置である。 また本発
明は、このストッパーにより、ペレット側面と直接接す
る樹脂の厚みを見かけ上人幅に減らし、熱膨Ｗ＆時の樹
脂からのストレスを低減させるものである。
消費電力の大きい放射板付の半導体装置或いはＳＴＰ型
半導体装置においては、ペレットの受けるスＩ−レスも
大きく、本発明を適用することが好ましい。 またリー
ド部とベッド部とが同一平面に配置された半導体装置の
場合、ペレット側面と直）名擾する樹脂の厚みが大きく
なり、樹脂からのス１−レスち人となり、本発明の適用
が望ましい。
半導体装置においては、ペレットの受けるスＩ−レスも
大きく、本発明を適用することが好ましい。 またリー
ド部とベッド部とが同一平面に配置された半導体装置の
場合、ペレット側面と直）名擾する樹脂の厚みが大きく
なり、樹脂からのス１−レスち人となり、本発明の適用
が望ましい。
この場合、ついたて状のストッパーの高さは、半導体ペ
レットの厚さく側面の高さ）と同程度であることが好ま
しい。
レットの厚さく側面の高さ）と同程度であることが好ま
しい。
［発明の実施例］
以下本発明の実施例として、放熱板付ＳＡＰ型半導体装
置について第１図ないし第３図に基づいて説明する。
第１図はこの半導体装置に使用されるリードフレーム２
１の平面図で、第２図は第１図のＹ−Ｙ’線断面図、第
３図は樹脂封止後の半導体装置の断面図である。 リー
ドフレーム２１は、半導体ペレット２３が装着されるベ
ッド部２２と、このベッド部２２の主面と平行な而に配
置されるリード部２５（この実施例ではベッド部２２の
主面と同一平面にリード部２５は配置される）と、これ
らを連結するリードフレームの枠、タイバー等とから構
成されている。 ベッド部２２に近いリード部２５の先
端部分２５ａに、半導体ペレットの側面２３ ａと平行
に突出づる一ついたて状のス１−ツバ−２９か形成され
ている。 ストッパー２９の高さは、半導体ベレン１へ
の厚さと同程度とすることが好ましい（ただし本発明の
不可欠条件ではない）。 リードフレーム２１はＦｅ−
Ｎｉ系合金又は銅系材料等の薄板からプレス或いはその
他の方法によりつくられるが、ストッパー２９はこのと
きに加工される。 ベッド部２２は、敢然板２４の一部
と同体であって、ペレット内に発生する熱ｍを効率よく
敢然する。
置について第１図ないし第３図に基づいて説明する。
第１図はこの半導体装置に使用されるリードフレーム２
１の平面図で、第２図は第１図のＹ−Ｙ’線断面図、第
３図は樹脂封止後の半導体装置の断面図である。 リー
ドフレーム２１は、半導体ペレット２３が装着されるベ
ッド部２２と、このベッド部２２の主面と平行な而に配
置されるリード部２５（この実施例ではベッド部２２の
主面と同一平面にリード部２５は配置される）と、これ
らを連結するリードフレームの枠、タイバー等とから構
成されている。 ベッド部２２に近いリード部２５の先
端部分２５ａに、半導体ペレットの側面２３ ａと平行
に突出づる一ついたて状のス１−ツバ−２９か形成され
ている。 ストッパー２９の高さは、半導体ベレン１へ
の厚さと同程度とすることが好ましい（ただし本発明の
不可欠条件ではない）。 リードフレーム２１はＦｅ−
Ｎｉ系合金又は銅系材料等の薄板からプレス或いはその
他の方法によりつくられるが、ストッパー２９はこのと
きに加工される。 ベッド部２２は、敢然板２４の一部
と同体であって、ペレット内に発生する熱ｍを効率よく
敢然する。
第３図において半導体ペレット２３はＡｇペースト又は
ハンダペース１−等を介してベッド部２２に固定される
。 半導体ペレット２３とリード部２５どは金線等で結
ばれる。 この実施例ではストッパー２９の頂面を利用
してワイヤボンディングが行われる。 次にエポキシ樹
脂等を使用し、樹脂封止して第３図に示すような半導体
装置が得られる。 ２８はモールド樹脂である。
ハンダペース１−等を介してベッド部２２に固定される
。 半導体ペレット２３とリード部２５どは金線等で結
ばれる。 この実施例ではストッパー２９の頂面を利用
してワイヤボンディングが行われる。 次にエポキシ樹
脂等を使用し、樹脂封止して第３図に示すような半導体
装置が得られる。 ２８はモールド樹脂である。
従来のストッパーを設けないリードフレームでは、ペレ
ット側面２３ａに接する矢印Ｙ線方向の樹脂の厚さは厚
く、熱膨張による歪みも加算されて、大きなス１ヘレス
がペレット側面に加えられるが、上述の本発明の構造で
は、ストッパー２９によってペレットの側面２３ａに接
する樹脂厚が中断され、直接ペレットと接する樹脂の厚
みが、ストッパー２９とペレット側面２３ａに挾まれた
樹脂厚となり、従来に比し大幅に減少される。 そのた
め熱膨張により樹脂からペレットに加えられるストレス
も大幅に軽減される。
ット側面２３ａに接する矢印Ｙ線方向の樹脂の厚さは厚
く、熱膨張による歪みも加算されて、大きなス１ヘレス
がペレット側面に加えられるが、上述の本発明の構造で
は、ストッパー２９によってペレットの側面２３ａに接
する樹脂厚が中断され、直接ペレットと接する樹脂の厚
みが、ストッパー２９とペレット側面２３ａに挾まれた
樹脂厚となり、従来に比し大幅に減少される。 そのた
め熱膨張により樹脂からペレットに加えられるストレス
も大幅に軽減される。
［発明の効果Ｊ
本発明によれば、熱＠５服に対する影響は、リード部に
設けたストッパーにより、ストッパーとペレット間の樹
脂の影響、及び各リード部の間隙の樹脂の影響のみです
む。 特に従来の放熱板を兼ねたベッド部とリード部と
が同一平面に配置され、樹脂ストレスを直接、すべて受
ける構造に比較して、本発明によれば、大幅なストレス
の減少が実現できる。
設けたストッパーにより、ストッパーとペレット間の樹
脂の影響、及び各リード部の間隙の樹脂の影響のみです
む。 特に従来の放熱板を兼ねたベッド部とリード部と
が同一平面に配置され、樹脂ストレスを直接、すべて受
ける構造に比較して、本発明によれば、大幅なストレス
の減少が実現できる。
これによりストレスによる特性変動及びペレットクラッ
ク等を防止し、より信頼度の高い半導体装置を提供する
ことができる。
ク等を防止し、より信頼度の高い半導体装置を提供する
ことができる。
第１図は本発明におけるリードフレームの平面図、第２
図は第１図の￥−Ｙ’線断面図、第３図は本発明の樹脂
封止後の半導体装置の断面図、第４図は従来のリードフ
レームの平面図、第５図は第４図のＸ−Ｘ′線断面図、
第６図は従来の樹脂封止（身の半導体装置の断面図であ
る。 １．２１・・・リードフレーム、 ２．２２・・・
ベッド部、 ３．２３・・・半導体ペレット、 ３ａ。 ２３ａ・・・半導体ベレッ］・の側面、 ４．２４・・
・敢然板、 ５，２５・・・リード部、 ５ａ 、２５
ａ・・・リード部の先端部分、 ２９・・・ストッパー
。 沙 ２１リード７し仏 ２４方焚？：板 ２２−
；、、、ト壱戸第１ 図 第２ 図 第３ 図
図は第１図の￥−Ｙ’線断面図、第３図は本発明の樹脂
封止後の半導体装置の断面図、第４図は従来のリードフ
レームの平面図、第５図は第４図のＸ−Ｘ′線断面図、
第６図は従来の樹脂封止（身の半導体装置の断面図であ
る。 １．２１・・・リードフレーム、 ２．２２・・・
ベッド部、 ３．２３・・・半導体ペレット、 ３ａ。 ２３ａ・・・半導体ベレッ］・の側面、 ４．２４・・
・敢然板、 ５，２５・・・リード部、 ５ａ 、２５
ａ・・・リード部の先端部分、 ２９・・・ストッパー
。 沙 ２１リード７し仏 ２４方焚？：板 ２２−
；、、、ト壱戸第１ 図 第２ 図 第３ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 半導体ペレットが装着されるベッド部と、このベッ
ド部の主面と平行な面に配置されるリード部とを設けた
リードフレームを有する半導体装置において、ベッド部
に近いリード部の先端部分に、この先端部分から前記半
導体ペレットの側面と平行に突出するついたて状のスト
ッパーを形成したリードフレームを具備することを特徴
とする半導体装置。 ２ 半導体装置の外囲器がシングルインラインパッケー
ジ型である特許請求の範囲第１項記載の半導体装置。 ３ ベッド部が放熱板を兼ねる特許請求の範囲第１項又
は第２項記載の半導体装置。 ４ リード部がベッド部の主面と同一平面に配置された
特許請求の範囲第１項ないし第３項のいずれかに記載の
半導体装置。 ５ ついたて状のストッパーの高さが半導体ペレットの
厚さと同程度である特許請求の範囲第４項記載の半導体
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60254898A JPS62115852A (ja) | 1985-11-15 | 1985-11-15 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60254898A JPS62115852A (ja) | 1985-11-15 | 1985-11-15 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62115852A true JPS62115852A (ja) | 1987-05-27 |
Family
ID=17271375
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60254898A Pending JPS62115852A (ja) | 1985-11-15 | 1985-11-15 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62115852A (ja) |
-
1985
- 1985-11-15 JP JP60254898A patent/JPS62115852A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2708320B2 (ja) | マルチチップ型半導体装置及びその製造方法 | |
| US20010045644A1 (en) | Semiconductor package having heat sink at the outer surface | |
| JP2000077435A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH09312375A (ja) | リードフレーム、半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
| JPH0444347A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH08139218A (ja) | 混成集積回路装置およびその製造方法 | |
| JP3427492B2 (ja) | 凸型ヒートシンク付き半導体装置及びその凸型ヒートシンクの製造方法 | |
| JPH0418694B2 (ja) | ||
| US6211563B1 (en) | Semiconductor package with an improved leadframe | |
| JPS62115852A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2000196005A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2001135767A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP2000150763A (ja) | リードフレームおよびリードフレームを用いた半導体装置 | |
| JPH0333068Y2 (ja) | ||
| JP2968704B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0870087A (ja) | リードフレーム | |
| JP4040549B2 (ja) | 半導体装置 | |
| KR0142756B1 (ko) | 칩홀딩 리드 온 칩타입 반도체 패키지 | |
| JPH03265161A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPH0595078A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPH09223767A (ja) | リードフレーム | |
| JPS6060743A (ja) | リ−ドフレ−ム | |
| JPH1126643A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2001007271A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH01128893A (ja) | 半導体ｉｃ装置 |