JPH04129215A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH04129215A JPH04129215A JP25055890A JP25055890A JPH04129215A JP H04129215 A JPH04129215 A JP H04129215A JP 25055890 A JP25055890 A JP 25055890A JP 25055890 A JP25055890 A JP 25055890A JP H04129215 A JPH04129215 A JP H04129215A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造方法に関する。
従来の半導体装置の製造方法は、まず、第３図（−ａ）
に示すように、Ｐ型シリコン基板１の表面を酸化して酸
化シリコン膜２を形成し、酸化シリコン膜２の上に窒化
シリコン膜９を堆積する。
に示すように、Ｐ型シリコン基板１の表面を酸化して酸
化シリコン膜２を形成し、酸化シリコン膜２の上に窒化
シリコン膜９を堆積する。
次に、第３図（ｂ）に示すように、ホトリソグラフィー
技術とドライエッチ技術により窒化シリコン膜９をパタ
ーニングし、窒化シリコン膜９をマスクとしてリンイオ
ン４をイオン注入し、Ｎ型拡散層５を形成する。
技術とドライエッチ技術により窒化シリコン膜９をパタ
ーニングし、窒化シリコン膜９をマスクとしてリンイオ
ン４をイオン注入し、Ｎ型拡散層５を形成する。
次に、第３図（Ｃ）に示すように、窒化シリコン膜９を
マスクとしてシリコン基板１を９００〜９８０℃の酸化
性雰囲気中で選択酸化し、厚い酸化シリコン膜１０を形
成する。
マスクとしてシリコン基板１を９００〜９８０℃の酸化
性雰囲気中で選択酸化し、厚い酸化シリコン膜１０を形
成する。
次に、第３図（ｄ）に示すように、窒化シリコン膜９を
エツチングして除去し、酸化シリコン膜１０をマスクと
してホウ素イオンをイオン注入し、Ｐ＋型拡散層８を形
成する。
エツチングして除去し、酸化シリコン膜１０をマスクと
してホウ素イオンをイオン注入し、Ｐ＋型拡散層８を形
成する。
この従来の半導体装置の製造方法では、第１の不純物拡
散層をイオン注入技術により形成してからこの領域の半
導体基板表面を高温で長時間酸化するため、第１の不純
物拡散層の不純物プロファイルが変動し、特に浅い接合
が作りにくく、また、結晶欠陥も発生し易いという問題
点があった。
散層をイオン注入技術により形成してからこの領域の半
導体基板表面を高温で長時間酸化するため、第１の不純
物拡散層の不純物プロファイルが変動し、特に浅い接合
が作りにくく、また、結晶欠陥も発生し易いという問題
点があった。
本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板上にホト
レジスト膜を選択的に設ける工程と、前記ホトレジスト
膜をマスクとして不純物をイオン注入し前記半導体基板
に第１の不純物拡散層を設ける工程と、前記ホトレジス
ト膜をマスクとして前記半導体基板上に酸化膜を選択的
に液相成長させる工程と、前記ホトレジスト膜を剥離し
た後に前記酸化膜をマスクとして不純物をイオン注入し
前記第１の不純物拡散層以外の領域の半導体基板に第２
の不純物拡散層を設ける工程とを含んで構成される。
レジスト膜を選択的に設ける工程と、前記ホトレジスト
膜をマスクとして不純物をイオン注入し前記半導体基板
に第１の不純物拡散層を設ける工程と、前記ホトレジス
ト膜をマスクとして前記半導体基板上に酸化膜を選択的
に液相成長させる工程と、前記ホトレジスト膜を剥離し
た後に前記酸化膜をマスクとして不純物をイオン注入し
前記第１の不純物拡散層以外の領域の半導体基板に第２
の不純物拡散層を設ける工程とを含んで構成される。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明の第１の実施例を説明す
るための工程順に示した半導体チップの断面図である。
るための工程順に示した半導体チップの断面図である。
まず、第１図（ａ）に示すように、Ｐ型シリコン基板１
の表面を熱酸化して酸化シリコン膜２を形成する。
の表面を熱酸化して酸化シリコン膜２を形成する。
次に、第１図（ｂ）に示すように、酸化シリコン膜２の
上にホトレジスト膜３を塗布してパターニングし、ホト
レジスト膜３をマスクとしてリンイオン４をイオン注入
しＮ型拡散層５を形成する。
上にホトレジスト膜３を塗布してパターニングし、ホト
レジスト膜３をマスクとしてリンイオン４をイオン注入
しＮ型拡散層５を形成する。
次に、第１図（Ｃ）に示すように、ホトレジスト膜３を
マスクとして二酸化シリコンを過飽和に含んだ弗化水素
酸溶液中で、酸化シリコン膜２の表面に酸化シリコン膜
６を選択的に液相成長させる。
マスクとして二酸化シリコンを過飽和に含んだ弗化水素
酸溶液中で、酸化シリコン膜２の表面に酸化シリコン膜
６を選択的に液相成長させる。
次に、第１図（ｄ）に示すように、ホトレジスト膜３を
剥離した後、酸化シリコン膜６をマスクとしてホウ素イ
オン７をイオン注入し、Ｐ１型拡散層８を形成する。
剥離した後、酸化シリコン膜６をマスクとしてホウ素イ
オン７をイオン注入し、Ｐ１型拡散層８を形成する。
第２図（ａ）〜（ｄ）は本発明の第２の実施例を説明す
るための工程順に示した半導体チップの断面図である。
るための工程順に示した半導体チップの断面図である。
第２図（ａ）に示すように、Ｐ型シリコン基板ｌの表面
を酸化してＰ型シリコン基板１の上に酸化シリコン膜２
を形成する。
を酸化してＰ型シリコン基板１の上に酸化シリコン膜２
を形成する。
次に、第２＠（ｂ）に示すように酸化シリコンＭ２の上
にホトレジスト膜３を塗布してパターニングする０次に
、ホトレジスト膜３をマスクとしてホウ素イオン７をイ
オン注入し、Ｐ１型拡散層８を形成する。
にホトレジスト膜３を塗布してパターニングする０次に
、ホトレジスト膜３をマスクとしてホウ素イオン７をイ
オン注入し、Ｐ１型拡散層８を形成する。
次に、第２図（Ｃ）に示すように、ホトレジスト膜３を
マスクとして二酸化シリコンを過飽和に含んだ弗化水素
酸溶液中で、酸化シリコンＭ２の表面に酸化シリコン膜
６を選択的に液相成長させる。
マスクとして二酸化シリコンを過飽和に含んだ弗化水素
酸溶液中で、酸化シリコンＭ２の表面に酸化シリコン膜
６を選択的に液相成長させる。
次に、第２図（ｄ）に示すように、ホトレジスト膜３を
剥離した後、酸化シリコン膜６をマスクとしてリンイオ
ンをイオン注入し、Ｎ型拡散層５を形成する。
剥離した後、酸化シリコン膜６をマスクとしてリンイオ
ンをイオン注入し、Ｎ型拡散層５を形成する。
以上説明したように本発明は、拡散層の形状をホトレジ
ストと液相成長酸化膜によって自己整合に行なえるので
、プロセスを低温化できかつ基板を酸化しないため、不
純物プロファイルの変動も全くなく、また結晶欠陥も発
生しにくいという効果を有する。
ストと液相成長酸化膜によって自己整合に行なえるので
、プロセスを低温化できかつ基板を酸化しないため、不
純物プロファイルの変動も全くなく、また結晶欠陥も発
生しにくいという効果を有する。
第１図（ａ） 〜（ｄ）及び第２図（ａ）〜（ｄ）は本
発明の第１及び第２の実施例を説明するための工程順に
示した半導体チップの断面図、第３図（ａ）〜（ｄ）は
従来の半導体装置の製造方法を説明するための工程順に
示した半導体チップの断面図である。 １・・・Ｐ型シリコン基板、２・・・酸化シリコン膜、
３・・・ホトレジスト膜、４・・・リンイオン、５・・
・Ｎ型拡散層、６・・・酸化シリコン膜、７・・・ホウ
素イオン、 ８・・・Ｐ“ 型拡散層、 ９・・・窒化シリコン膜、 ０・・・酸化シリコン膜。
発明の第１及び第２の実施例を説明するための工程順に
示した半導体チップの断面図、第３図（ａ）〜（ｄ）は
従来の半導体装置の製造方法を説明するための工程順に
示した半導体チップの断面図である。 １・・・Ｐ型シリコン基板、２・・・酸化シリコン膜、
３・・・ホトレジスト膜、４・・・リンイオン、５・・
・Ｎ型拡散層、６・・・酸化シリコン膜、７・・・ホウ
素イオン、 ８・・・Ｐ“ 型拡散層、 ９・・・窒化シリコン膜、 ０・・・酸化シリコン膜。
Claims (1)
- 半導体基板上にホトレジスト膜を選択的に設ける工程と
、前記ホトレジスト膜をマスクとして不純物をイオン注
入し前記半導体基板に第１の不純物拡散層を設ける工程
と、前記ホトレジスト膜をマスクとして前記半導体基板
上に酸化膜を選択的に液相成長させる工程と、前記ホト
レジスト膜を剥離した後に前記酸化膜をマスクとして不
純物をイオン注入し前記第１の不純物拡散層以外の領域
の半導体基板に第２の不純物拡散層を設ける工程とを含
むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25055890A JPH04129215A (ja) | 1990-09-20 | 1990-09-20 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25055890A JPH04129215A (ja) | 1990-09-20 | 1990-09-20 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04129215A true JPH04129215A (ja) | 1992-04-30 |
Family
ID=17209693
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25055890A Pending JPH04129215A (ja) | 1990-09-20 | 1990-09-20 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04129215A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103594375A (zh) * | 2013-10-22 | 2014-02-19 | 溧阳市东大技术转移中心有限公司 | 一种mos器件的掺杂方法 |
| CN103617948A (zh) * | 2013-10-22 | 2014-03-05 | 溧阳市东大技术转移中心有限公司 | 一种mos器件的掺杂方法 |
-
1990
- 1990-09-20 JP JP25055890A patent/JPH04129215A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103594375A (zh) * | 2013-10-22 | 2014-02-19 | 溧阳市东大技术转移中心有限公司 | 一种mos器件的掺杂方法 |
| CN103617948A (zh) * | 2013-10-22 | 2014-03-05 | 溧阳市东大技术转移中心有限公司 | 一种mos器件的掺杂方法 |
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