JPS62194617A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS62194617A JPS62194617A JP3700086A JP3700086A JPS62194617A JP S62194617 A JPS62194617 A JP S62194617A JP 3700086 A JP3700086 A JP 3700086A JP 3700086 A JP3700086 A JP 3700086A JP S62194617 A JPS62194617 A JP S62194617A
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Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造方法に関する。
〔従来の技術〕゛
従来、半導体装置の埋込みコンタクト領域は第２図に示
す様に形成されていた。
す様に形成されていた。
すなわち、Ｐ型シリコン基板１１の表面の一部にＮ型不
純物拡散層１４を形成し、熱酸化又はＣＶＤ法による酸
化膜１２をＰ型シリコン基板１１の全面に成長後、フォ
トリソグラフィ一工程によりコンタクト穴をＮ型不純物
拡散層１４上の酸化膜１２の一部に設け、次に多結晶シ
リコンを全面に成長する。次に多結晶シリコンの抵抗を
下げるためにリン（Ｐ）をエネルギー５０〜１５０ｋｅ
Ｖ、注入量５Ｘ１０”〜］、Ｘ１．Ｏ′６個、／ ｃｍ
２で全面にイオン注入した後、８００〜１０００℃の
電気炉による熱処理により多結晶シリコン中のリンをＰ
型シリコン基板１１中に拡散して埋込みコンタクト領域
１８を形成する。続いて一７オトリソグラフイーエ程に
てパターニングし、多結晶シリコンからなる配線電極２
０を形成する。
純物拡散層１４を形成し、熱酸化又はＣＶＤ法による酸
化膜１２をＰ型シリコン基板１１の全面に成長後、フォ
トリソグラフィ一工程によりコンタクト穴をＮ型不純物
拡散層１４上の酸化膜１２の一部に設け、次に多結晶シ
リコンを全面に成長する。次に多結晶シリコンの抵抗を
下げるためにリン（Ｐ）をエネルギー５０〜１５０ｋｅ
Ｖ、注入量５Ｘ１０”〜］、Ｘ１．Ｏ′６個、／ ｃｍ
２で全面にイオン注入した後、８００〜１０００℃の
電気炉による熱処理により多結晶シリコン中のリンをＰ
型シリコン基板１１中に拡散して埋込みコンタクト領域
１８を形成する。続いて一７オトリソグラフイーエ程に
てパターニングし、多結晶シリコンからなる配線電極２
０を形成する。
上述した従来の半導体装置の埋込みコンタクト領域の形
成法では、コンタクト穴を通してシリコン基板に接して
いる配線電極が多結晶シリコンで形成されている為、キ
ャリア移動度が単結晶シリコンのそれと比べ遅く、コン
タク１〜穴の面積が少ないとコ〉′タクト抵抗が増大す
る。従ってコンタクト穴の面積を大きくする必要がある
為、半導体素子を高集積化できないという問題点がある
。
成法では、コンタクト穴を通してシリコン基板に接して
いる配線電極が多結晶シリコンで形成されている為、キ
ャリア移動度が単結晶シリコンのそれと比べ遅く、コン
タク１〜穴の面積が少ないとコ〉′タクト抵抗が増大す
る。従ってコンタクト穴の面積を大きくする必要がある
為、半導体素子を高集積化できないという問題点がある
。
本発明の目的は、集積度の向上した半導体装置の製造方
法を提供することにある。
法を提供することにある。
ｒ問題点を解決するための手段〕
本発明の半導体装置の製造方法は、−導電型のシリコン
′基板上に第１の酸化膜を設けたのち、この第１の酸化
膜に拡ｊ次穴を説け、逆導電型不純物を導入して逆導電
型の拡散層を形成する工程と、前記第１の酸化膜を除去
したのち全面に第２の酸化膜を設け、前記拡散層上の第
２の酸化膜にコンタク１〜穴を形成する工程と、前記コ
ンタクト穴を含む全面に逆導電型不純物を導入した多結
晶シリコン膜を形成する工程と、熱処理により前記多結
晶シリコン膜中に含まれる不純物を前記シリコン基板中
に拡散し埋込みコンタクト領域を形成すると同時に、前
記シリコン基板表面を結晶成長の種として前記多結晶シ
リコン膜を単結晶シリコン膜に変換する工程と、前記単
結晶シリコン膜をパターニングし配線電極を形成する工
程とを含んで構成される。
′基板上に第１の酸化膜を設けたのち、この第１の酸化
膜に拡ｊ次穴を説け、逆導電型不純物を導入して逆導電
型の拡散層を形成する工程と、前記第１の酸化膜を除去
したのち全面に第２の酸化膜を設け、前記拡散層上の第
２の酸化膜にコンタク１〜穴を形成する工程と、前記コ
ンタクト穴を含む全面に逆導電型不純物を導入した多結
晶シリコン膜を形成する工程と、熱処理により前記多結
晶シリコン膜中に含まれる不純物を前記シリコン基板中
に拡散し埋込みコンタクト領域を形成すると同時に、前
記シリコン基板表面を結晶成長の種として前記多結晶シ
リコン膜を単結晶シリコン膜に変換する工程と、前記単
結晶シリコン膜をパターニングし配線電極を形成する工
程とを含んで構成される。
次に、本発明の実施例について図面を参照し一ζ説明す
る。
る。
第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明の一実施例を説明する為
の工程順に示した半導体チップの断面図である。
の工程順に示した半導体チップの断面図である。
まず第１図（ａ＞に示すように、Ｐ型シリコン基板１１
上に熱酸化又はＣＶＤ法により第１の酸化膜１２を３０
００〜５０００人の厚さに成長した後、フォトリソグラ
フィ一工程により第１の酸ｆヒ膜１２の一部に拡散穴１
゛７を開け、イオン注入法により、４０〜８Ｑ ｋｅＶ
のエネルギーで注入量Ｉ Ｘ １０” 〜１ ×１０”
個／ ｃｔｍ ２のヒ素を打ち込み、Ｎ型不純物拡散層
１４を形成する。
上に熱酸化又はＣＶＤ法により第１の酸化膜１２を３０
００〜５０００人の厚さに成長した後、フォトリソグラ
フィ一工程により第１の酸ｆヒ膜１２の一部に拡散穴１
゛７を開け、イオン注入法により、４０〜８Ｑ ｋｅＶ
のエネルギーで注入量Ｉ Ｘ １０” 〜１ ×１０”
個／ ｃｔｍ ２のヒ素を打ち込み、Ｎ型不純物拡散層
１４を形成する。
次に、第１図（ｂ）に示すように、第１の酸化ｖ、１２
をフッ酸（ＨＦ）により除去し、再び第２の酸化膜１５
を１０００〜２０００人の厚さに成長した後、フォＩ・
リソグラフィ一工程でＮ型不純物拡散層１４上にコ〉′
タタト穴】３を形成する。
をフッ酸（ＨＦ）により除去し、再び第２の酸化膜１５
を１０００〜２０００人の厚さに成長した後、フォＩ・
リソグラフィ一工程でＮ型不純物拡散層１４上にコ〉′
タタト穴】３を形成する。
続いて全面に多結晶シリコン１６を３０００〜５ （’
） ００人の厚さに成長させた後、注入量１×１０′５
〜２Ｘ１０１６個／ｃ１１２のリン・をエネルギー５０
〜１５０ｋｅＶでイオン注入する４、次に、第１図（ｃ
＞に示ずようにランプアニール炉にて１１５０℃、２０
秒程度の高温短時間熱処理を施し、多結晶シリコ〉１６
中にイオン注入されたリンの電気的活性化を行う。この
際リンはＰ型シリコン基板１１中に拡散し埋込みコンタ
クト領域１８を形成する。同様に、多結晶シリコン１６
は、コンタクト穴１３を通して接しているＰ型シリコン
基板１１の面が結晶成長の種（シード）として作用する
為、このＰ型シリコン基板１１と接している界面より再
結晶化が進み、一部が単結晶シリコン１９となる。
） ００人の厚さに成長させた後、注入量１×１０′５
〜２Ｘ１０１６個／ｃ１１２のリン・をエネルギー５０
〜１５０ｋｅＶでイオン注入する４、次に、第１図（ｃ
＞に示ずようにランプアニール炉にて１１５０℃、２０
秒程度の高温短時間熱処理を施し、多結晶シリコ〉１６
中にイオン注入されたリンの電気的活性化を行う。この
際リンはＰ型シリコン基板１１中に拡散し埋込みコンタ
クト領域１８を形成する。同様に、多結晶シリコン１６
は、コンタクト穴１３を通して接しているＰ型シリコン
基板１１の面が結晶成長の種（シード）として作用する
為、このＰ型シリコン基板１１と接している界面より再
結晶化が進み、一部が単結晶シリコン１９となる。
次に第１図（ｄ）に示すように、フォトリソグラフィ一
工程にて単結晶シリコン１９及び多結晶シリコン１６を
パターニングして埋込みコンタクト用配線電極２０を形
成する。
工程にて単結晶シリコン１９及び多結晶シリコン１６を
パターニングして埋込みコンタクト用配線電極２０を形
成する。
このようにして製造された半導体装置においては、配線
電極２０がシリコン基板表面をｇ晶成長の種とした単結
晶シリコンから形成されている為、そのコンタクト抵抗
は極めて低いものとなる。
電極２０がシリコン基板表面をｇ晶成長の種とした単結
晶シリコンから形成されている為、そのコンタクト抵抗
は極めて低いものとなる。
尚、上記実施例においてはＰ型シリコン基板を用いた場
きについて説明したが、Ｎ型シリコン基板を用いてもよ
いことは勿論である。また、高温短時間の熱処理にラン
プアニール法を用いたが、他の方法例えば電子ビームア
ニール、し・−ザアニール、グラファイトストリップア
ニールなど埋込みコンタクトの配線電極に用いる多結晶
シリコンをは結晶シリコンに変換できる方法ならいずれ
の方法でもよい。
きについて説明したが、Ｎ型シリコン基板を用いてもよ
いことは勿論である。また、高温短時間の熱処理にラン
プアニール法を用いたが、他の方法例えば電子ビームア
ニール、し・−ザアニール、グラファイトストリップア
ニールなど埋込みコンタクトの配線電極に用いる多結晶
シリコンをは結晶シリコンに変換できる方法ならいずれ
の方法でもよい。
１′発明の効果〕
以上詳細に説明したように本発明は、配線電極を単結晶
シリコンで形成し、コンタクト抵抗の低い配線電極を形
成することにより集積度の向上した半導体装置が得られ
る効果がある。
シリコンで形成し、コンタクト抵抗の低い配線電極を形
成することにより集積度の向上した半導体装置が得られ
る効果がある。
第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明の一実施例を説明する為
の工程順に示した半導体チップの断面図、第２図は従来
の半導体装置の断面図である６１１・・・Ｐ型シリコン
基板、１２・・・酸化膜、１３・・・コンタクト穴、１
４・・・Ｎ型不純物拡散層、１５−・・酸化膜、】６・
・・多結晶シリコン、１７・・・拡散穴、】８・・・埋
込みコンタクト領域、１９・・・単結晶シリコン、２０
・・・配線電極。
の工程順に示した半導体チップの断面図、第２図は従来
の半導体装置の断面図である６１１・・・Ｐ型シリコン
基板、１２・・・酸化膜、１３・・・コンタクト穴、１
４・・・Ｎ型不純物拡散層、１５−・・酸化膜、】６・
・・多結晶シリコン、１７・・・拡散穴、】８・・・埋
込みコンタクト領域、１９・・・単結晶シリコン、２０
・・・配線電極。
Claims (1)
- 一導電型のシリコン基板上に第１の酸化膜を設けたのち
、該第１の酸化膜に拡散穴を設け、逆導電型不純物を導
入して逆導電型の拡散層を形成する工程と、前記第１の
酸化膜を除去したのち全面に第２の酸化膜を設け、前記
拡散層上の第２の酸化膜にコンタクト穴を形成する工程
と、前記コンタクト穴を含む全面に逆導電型不純物を導
入した多結晶シリコン膜を形成する工程と、熱処理によ
り前記多結晶シリコン膜中に含まれる不純物を前記シリ
コン基板中に拡散し埋込みコンタクト領域を形成すると
同時に、前記シリコン基板表面を結晶成長の種として前
記多結晶シリコン膜を単結晶シリコン膜に変換する工程
と、前記単結晶シリコン膜をパターニングし配線電極を
形成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3700086A JPS62194617A (ja) | 1986-02-20 | 1986-02-20 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3700086A JPS62194617A (ja) | 1986-02-20 | 1986-02-20 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62194617A true JPS62194617A (ja) | 1987-08-27 |
Family
ID=12485452
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3700086A Pending JPS62194617A (ja) | 1986-02-20 | 1986-02-20 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62194617A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5360756A (en) * | 1993-01-20 | 1994-11-01 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing a semiconductor device having a monocrystal silicon layer |
-
1986
- 1986-02-20 JP JP3700086A patent/JPS62194617A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5360756A (en) * | 1993-01-20 | 1994-11-01 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing a semiconductor device having a monocrystal silicon layer |
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