JPH04120772A - 圧接型半導体装置 - Google Patents
圧接型半導体装置Info
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- JPH04120772A JPH04120772A JP24142590A JP24142590A JPH04120772A JP H04120772 A JPH04120772 A JP H04120772A JP 24142590 A JP24142590 A JP 24142590A JP 24142590 A JP24142590 A JP 24142590A JP H04120772 A JPH04120772 A JP H04120772A
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- 238000003466 welding Methods 0.000 claims 1
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、ゲートターンオフサイリスク、サイリスク
又はトランジスタ等の半導体基体と熱補償板とが圧接さ
れた構造を有する半導体装置に関するものである。
又はトランジスタ等の半導体基体と熱補償板とが圧接さ
れた構造を有する半導体装置に関するものである。
第２図は従来の圧接型半導体装置を示す断面図である０
図において、（１）はゲートターンオフサイリスタ２サ
イリスタ等を構成する半導体基体、（２）はこの半導体
基体（１）の周縁部に固着され、接着性を有するシリコ
ンゴム等の絶縁物で、全周の数個所に固着されている。
図において、（１）はゲートターンオフサイリスタ２サ
イリスタ等を構成する半導体基体、（２）はこの半導体
基体（１）の周縁部に固着され、接着性を有するシリコ
ンゴム等の絶縁物で、全周の数個所に固着されている。
（３）は上記半導体基体ｆｉ＋の上面に押圧された円盤
状のカソードモリブデン板、（４）はこのカソードモリ
ブデン板（３）と対向し、上記半導体基体（１１の下面
に押圧された円盤状のモリブデン円板、（５）は上記半
導体基体（１１の中央上面に押圧されたＬ字状のゲート
リード、（６）は上記半導体基体ｆｉｌの中央上部に配
され、上記ゲートリード（５）の下端部を保持するゲー
ト支持棒、（７）はこのゲート支持棒の上面を押圧する
コイルばね、（８）は円筒状のセラミック材から成り、
上記半導体基体＋１１、カソードモリブデン板（３）、
及びモリブデン円板（４）等が内部に収納され、外装を
形成するセラミックシール、（９）はこのセラミックシ
ール（８）の上部に固着され、中央内部に上記コイルば
ね（７）、ゲート支持棒（２）が収納された陰極銅ブロ
フク、α〔は上記セラミックシール（８）の下部に固着
され、上記モリブデン円板（４）を押圧する陽極銅ブロ
ックである。尚絶縁物（２）は内部に接着剤を包含して
おり、接着面に押圧することによって、接着剤がしみ出
て接着されるものである。
状のカソードモリブデン板、（４）はこのカソードモリ
ブデン板（３）と対向し、上記半導体基体（１１の下面
に押圧された円盤状のモリブデン円板、（５）は上記半
導体基体（１１の中央上面に押圧されたＬ字状のゲート
リード、（６）は上記半導体基体ｆｉｌの中央上部に配
され、上記ゲートリード（５）の下端部を保持するゲー
ト支持棒、（７）はこのゲート支持棒の上面を押圧する
コイルばね、（８）は円筒状のセラミック材から成り、
上記半導体基体＋１１、カソードモリブデン板（３）、
及びモリブデン円板（４）等が内部に収納され、外装を
形成するセラミックシール、（９）はこのセラミックシ
ール（８）の上部に固着され、中央内部に上記コイルば
ね（７）、ゲート支持棒（２）が収納された陰極銅ブロ
フク、α〔は上記セラミックシール（８）の下部に固着
され、上記モリブデン円板（４）を押圧する陽極銅ブロ
ックである。尚絶縁物（２）は内部に接着剤を包含して
おり、接着面に押圧することによって、接着剤がしみ出
て接着されるものである。
次に、従来技術の作用について説明する。まず第２図に
おいて半導体基体（１１をタングステン又はモリブデン
等の熱補償板に圧接する構造では、セラミンクシール（
８）の内周部分（８ａ）で半導体基体（１）外周部分（
ｌａ）の位置決めを行なっていた。このため、半導体基
体（１）はコイルばね（７）にて加圧しない時は、セラ
ミックシール（８）の内周部分（８ａ）と半導体基体＋
１１の外周部分（１ａ）とのギャップの範囲内で移動す
ることができる。
おいて半導体基体（１１をタングステン又はモリブデン
等の熱補償板に圧接する構造では、セラミンクシール（
８）の内周部分（８ａ）で半導体基体（１）外周部分（
ｌａ）の位置決めを行なっていた。このため、半導体基
体（１）はコイルばね（７）にて加圧しない時は、セラ
ミックシール（８）の内周部分（８ａ）と半導体基体＋
１１の外周部分（１ａ）とのギャップの範囲内で移動す
ることができる。
従って、組立時、あるいは加圧時に何らかの外部からの
衝撃が加わった場合には、半導体基体＋１１の外周部分
（１ａ）を破損し、電気的特性が低下する。
衝撃が加わった場合には、半導体基体＋１１の外周部分
（１ａ）を破損し、電気的特性が低下する。
従来の圧接型半導体装置は、以上の様に構成されている
ので、セラミックシール（８）の内周部分（８ａ）と半
導体基体＋１１の外周部分（１ａ）との間にギャップが
あるため、組立時、あるいは加圧時に何らかの外的衝撃
が加わった場合、半導体基体（１）の外周部（１ａ）が
破損し、電気的特性が低下する等の問題点があった。
ので、セラミックシール（８）の内周部分（８ａ）と半
導体基体＋１１の外周部分（１ａ）との間にギャップが
あるため、組立時、あるいは加圧時に何らかの外的衝撃
が加わった場合、半導体基体（１）の外周部（１ａ）が
破損し、電気的特性が低下する等の問題点があった。
この発明は上記の様な問題点を解消するためになされた
もので、組立時あるいは加圧時に、外的衝撃を受けても
半導体基体の破損を防止できると共に、電気的特性の低
下を防止できる圧接型半導体装置を得ることを目的とす
る。
もので、組立時あるいは加圧時に、外的衝撃を受けても
半導体基体の破損を防止できると共に、電気的特性の低
下を防止できる圧接型半導体装置を得ることを目的とす
る。
Ｃ問題点を解決するための手段〕
この発明に係る圧接型半導体装置は、半導体基体よりも
、多少外径の大きい熱補償板の半導体基体と接触する側
の周縁部に段差を設け、この段差部に、接着性を有する
シリコンゴムの一側を固着すると共に、他側を半導体基
体の周縁部に固着し、熱補償板の外周端面を外層の内周
面にて位置決めしたものである。
、多少外径の大きい熱補償板の半導体基体と接触する側
の周縁部に段差を設け、この段差部に、接着性を有する
シリコンゴムの一側を固着すると共に、他側を半導体基
体の周縁部に固着し、熱補償板の外周端面を外層の内周
面にて位置決めしたものである。
この発明における圧接型半導体装置は、半導体基体より
も、多少外径の大きい熱補償板の半導体基体と接触する
側の周縁部に段差が設けられ、この段差部に接着性を有
するシリコンゴムの一側が、又その他側が半導体基体の
周縁部に固着されると共に、熱補償板の外周端面が外装
の内周面に位置決めされる。
も、多少外径の大きい熱補償板の半導体基体と接触する
側の周縁部に段差が設けられ、この段差部に接着性を有
するシリコンゴムの一側が、又その他側が半導体基体の
周縁部に固着されると共に、熱補償板の外周端面が外装
の内周面に位置決めされる。
以下、この発明の一実施例を第１図について説明する。
図において、（１）ないしく３）及び（５）ないしα功
は従来の構成と略同様に付、説明を省略する。次に、ａ
υは半導体基体（１）に接触する側の周縁部に段差（ｌ
ｌａ）が設けられたモリブデン円板、側は上記段差部（
ｌｌａ）に−側が固着されると共に、他側が半導体基体
ｉｌ＋の周縁部に固着された接着性を有するシリコンゴ
ム等のゴム材で、全周の数個所に設けられている。ここ
で、上記モリブデン円板０υの外径は半導体基体（１）
の外径よりも２〜４籠程度大きく形成されており、ゴム
材（ロ）により一体となった半導体基体（１１とモリブ
デン円板αυがセラミックシール（８）の内部に収納さ
れる。収納後、陰８１ｗ４ブロック（９）及び陽極銅ブ
ロック００がセラミックシール（８）の側面に夫々溶接
される。又、モリブデン円板αυの周縁部に段差（ｌｌ
ａ）が設けであるのは、半導体基体（１）を接着性を持
ったゴム材（社）にてモリブデン円板（＋１１に固着し
た後、接着剤がしみ出て接触面（Ｉｌｂ）に流れ込むの
を防止するためである。
は従来の構成と略同様に付、説明を省略する。次に、ａ
υは半導体基体（１）に接触する側の周縁部に段差（ｌ
ｌａ）が設けられたモリブデン円板、側は上記段差部（
ｌｌａ）に−側が固着されると共に、他側が半導体基体
ｉｌ＋の周縁部に固着された接着性を有するシリコンゴ
ム等のゴム材で、全周の数個所に設けられている。ここ
で、上記モリブデン円板０υの外径は半導体基体（１）
の外径よりも２〜４籠程度大きく形成されており、ゴム
材（ロ）により一体となった半導体基体（１１とモリブ
デン円板αυがセラミックシール（８）の内部に収納さ
れる。収納後、陰８１ｗ４ブロック（９）及び陽極銅ブ
ロック００がセラミックシール（８）の側面に夫々溶接
される。又、モリブデン円板αυの周縁部に段差（ｌｌ
ａ）が設けであるのは、半導体基体（１）を接着性を持
ったゴム材（社）にてモリブデン円板（＋１１に固着し
た後、接着剤がしみ出て接触面（Ｉｌｂ）に流れ込むの
を防止するためである。
尚、ゴム材叩は内部に接着材を包含しており、接着面に
押圧することによって接着剤がしみ出て接着されるもの
である。
押圧することによって接着剤がしみ出て接着されるもの
である。
尚、上記実施例では、圧接型ＧＴＯサイリスクについて
説明をしたが、半導体基板と熱補償板とを圧接する構造
の他の半導体装置についても同様の効果を奏する。
説明をしたが、半導体基板と熱補償板とを圧接する構造
の他の半導体装置についても同様の効果を奏する。
この発明によれば、半導体基体よりも、多少外径の大き
い熱補償板の半導体基体と接触する側の周縁部に段差を
設け、この段差部に複数のシリコンゴムの一側を固着す
ると共に、他側を半導体基体に固着する様に構成したの
で、外部からの衝撃があっても熱補償板が吸収して半導
体基体に外傷が及ばず、電気的特性の低下を防止できる
効果がある。
い熱補償板の半導体基体と接触する側の周縁部に段差を
設け、この段差部に複数のシリコンゴムの一側を固着す
ると共に、他側を半導体基体に固着する様に構成したの
で、外部からの衝撃があっても熱補償板が吸収して半導
体基体に外傷が及ばず、電気的特性の低下を防止できる
効果がある。
第１図はこの発明の一実施例を説明するための断面図、
第２図は従来例を説明するための断面図である。図にお
いて、（１１は半導体基体、（２）は絶縁板、（３）は
カソードモリブデン板、（８）はセラミックシール（外
装）、ａυはモリブデン円板、（ｌｌａ） は段差部、
鰺はゴム材である。 尚、各図中同一符号は相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 第１図 １・半導イ本基体 ２紀ま恥甥 ３ ウソートｒリフ“テ゛ンＡノ（ ５ウ′−トリ一ド ｔ ゲ丹支椅坪 ７ コイル１ゴね ざ ゼラミヅクシール（外装） デ １極夕同ブロツク ｔｏ 陽極伺ゾロ、り ＩＩ 七すフ゛デン円ｔ（ １１α ｊｔＪｔ卵 ｌｚｏ コ゛１ム、才才
第２図は従来例を説明するための断面図である。図にお
いて、（１１は半導体基体、（２）は絶縁板、（３）は
カソードモリブデン板、（８）はセラミックシール（外
装）、ａυはモリブデン円板、（ｌｌａ） は段差部、
鰺はゴム材である。 尚、各図中同一符号は相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 第１図 １・半導イ本基体 ２紀ま恥甥 ３ ウソートｒリフ“テ゛ンＡノ（ ５ウ′−トリ一ド ｔ ゲ丹支椅坪 ７ コイル１ゴね ざ ゼラミヅクシール（外装） デ １極夕同ブロツク ｔｏ 陽極伺ゾロ、り ＩＩ 七すフ゛デン円ｔ（ １１α ｊｔＪｔ卵 ｌｚｏ コ゛１ム、才才
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 半導体基体と、この半導体基体の少なくとも一方の面
に接触され、その熱膨張係数が上記半導体基体に近い熱
補償板と、上記半導体基体及び上記熱補償板とを封入し
うる外装とを備え、上記半導体基体と上記熱補償板との
圧接により電気的接触を得る圧接型半導体装置において
、 上記補償板の外径が上記半導体基体の外径よりも大きく
、且つ上記半導体基体に接する側の上記補償板の周縁部
に段差が設けられ、この段差部に接着性を持つゴム材の
一側が固着されると共に、他側が上記半導体基体の周縁
部に固着され、上記熱補償板の外周端面が上記外装の内
周面にて位置決めされていることを特徴とする圧接型半
導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2241425A JP2501657B2 (ja) | 1990-09-11 | 1990-09-11 | 圧接型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2241425A JP2501657B2 (ja) | 1990-09-11 | 1990-09-11 | 圧接型半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04120772A true JPH04120772A (ja) | 1992-04-21 |
| JP2501657B2 JP2501657B2 (ja) | 1996-05-29 |
Family
ID=17074111
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2241425A Expired - Fee Related JP2501657B2 (ja) | 1990-09-11 | 1990-09-11 | 圧接型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2501657B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102012206407A1 (de) * | 2012-04-18 | 2013-10-24 | Infineon Technologies Ag | Druckkontaktanordnung und verfahren zur herstellung einer druckkontaktanordnung |
Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50152664A (ja) * | 1974-05-27 | 1975-12-08 | ||
| JPS5391576A (en) * | 1977-01-24 | 1978-08-11 | Toshiba Corp | Semiconductor device |
| JPS60207340A (ja) * | 1984-03-31 | 1985-10-18 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
| JPS60227419A (ja) * | 1984-04-26 | 1985-11-12 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
| JPS61119363U (ja) * | 1985-01-11 | 1986-07-28 | ||
| JPS6312860U (ja) * | 1986-07-10 | 1988-01-27 | ||
| JPS6347977A (ja) * | 1986-08-18 | 1988-02-29 | Mitsubishi Electric Corp | ゲ−トタ−ンオフサイリスタ装置 |
| JPH02151069A (ja) * | 1988-12-02 | 1990-06-11 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
| JPH02159739A (ja) * | 1988-12-14 | 1990-06-19 | Hitachi Ltd | 加圧接触型半導体装置 |
-
1990
- 1990-09-11 JP JP2241425A patent/JP2501657B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JPH02159739A (ja) * | 1988-12-14 | 1990-06-19 | Hitachi Ltd | 加圧接触型半導体装置 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102012206407A1 (de) * | 2012-04-18 | 2013-10-24 | Infineon Technologies Ag | Druckkontaktanordnung und verfahren zur herstellung einer druckkontaktanordnung |
| US8933569B2 (en) | 2012-04-18 | 2015-01-13 | Infineon Technologies Ag | Pressure contact arrangement and method for producing a pressure contact arrangement |
| DE102012206407B4 (de) * | 2012-04-18 | 2017-05-04 | Infineon Technologies Ag | Druckkontaktanordnung und verfahren zur herstellung und zum betrieb einer druckkontaktanordnung |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2501657B2 (ja) | 1996-05-29 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |