JPH07326733A - ゲートターンオフサイリスタ - Google Patents
ゲートターンオフサイリスタInfo
- Publication number
- JPH07326733A JPH07326733A JP12086094A JP12086094A JPH07326733A JP H07326733 A JPH07326733 A JP H07326733A JP 12086094 A JP12086094 A JP 12086094A JP 12086094 A JP12086094 A JP 12086094A JP H07326733 A JPH07326733 A JP H07326733A
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- JP
- Japan
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- cathode
- contact
- electrode plate
- gate
- plate
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】ゲートターンオフサイリスタのカソード電極板
を半導体基板にバネで固定することによって、運搬時の
振動にによるカソード電極板と半導体基板との擦れを防
止し、カソード電極からのＡｌ微粉の発生を防ぎ、この
微粉によるゲート・カソード間の短絡やケース内の放電
を防止する。 【構成】半導体基板１０の一方の主面にゲート電極板
７、カソード電極板８が接触し、他方の主面にアノード
電極板９が接触し、該アノード電極板９はアノード接触
板３に、ゲート電極板７は絶縁板５とゲート部バネ４を
介してカソード接触板２に、それぞれ接触し、さらにカ
ソード電極板８はカソード接触板２と対向するように配
置され、カソード接触板２とアノード接触板３は可とう
性のある金属１６を介してセラミックケース１に固着し
ており、該カソード電極板８の周縁部とカソード接触板
２の間にカソード部バネ１２を設けてカソード電極板８
を半導体基板１０に固定する。
を半導体基板にバネで固定することによって、運搬時の
振動にによるカソード電極板と半導体基板との擦れを防
止し、カソード電極からのＡｌ微粉の発生を防ぎ、この
微粉によるゲート・カソード間の短絡やケース内の放電
を防止する。 【構成】半導体基板１０の一方の主面にゲート電極板
７、カソード電極板８が接触し、他方の主面にアノード
電極板９が接触し、該アノード電極板９はアノード接触
板３に、ゲート電極板７は絶縁板５とゲート部バネ４を
介してカソード接触板２に、それぞれ接触し、さらにカ
ソード電極板８はカソード接触板２と対向するように配
置され、カソード接触板２とアノード接触板３は可とう
性のある金属１６を介してセラミックケース１に固着し
ており、該カソード電極板８の周縁部とカソード接触板
２の間にカソード部バネ１２を設けてカソード電極板８
を半導体基板１０に固定する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明はカソード電極板と半導
体基板とをバネで固定する構造を有するゲートターンオ
フサイリスタ（ＧＴＯ）に関する。
体基板とをバネで固定する構造を有するゲートターンオ
フサイリスタ（ＧＴＯ）に関する。
【０００２】
【従来の技術】図２に従来の加圧接触構造のＧＴＯの断
面図を示す。半導体基板１０の一方の主面にゲート電極
板７、カソード電極板８が接触し、他方の主面にアノー
ド電極板９が接触し、アノード電極板９はアノード接触
板３に、ゲート電極板７は絶縁板５とゲート部バネ４を
介してカソード接触板２に、それぞれ接触し、さらにカ
ソード電極板８はカソード接触板２と対向するように配
置され、カソード接触板２とアノード接触板３は可とう
性の金属１６を介してセラミックの支持円筒（セラミッ
クケース）１に固着している。カソード電極板８、カソ
ード接触板２とゲート電極板７を絶縁するために、絶縁
筒（フッ素樹脂リング）６が設けられ、半導体基板１０
の周縁部には耐圧を確保するための表面保護膜（シリコ
ーンゴム等）１１が被着されている。カソード電極板８
の材質はモリブデン（Ｍｏ）などである。このＧＴＯに
おいて、カソード接触板２とアノード接触板３を外部か
ら挟み込むように１トンないし５トンの加圧力を加え、
カソード電極板８、半導体基板１０を固定している。半
導体基板１０の中央部はゲート部バネ４で１．３ｋｇ／
ｍｍ2 程度に加圧されている。図３は半導体基板のカソ
ード側を拡大した断面図を示し、シリコン１５の表面は
凹凸の形状で凸部にカソード電極１３、凹部にゲート電
極１４が設けられている。また、カソード電極１３には
カソード電極板８が接触している。凸部の幅は１５０μ
ｍ程度、凹凸の段差は２０μｍ程度、カソード電極１３
の厚さは１０μｍ程度である。また、各電極の材質はア
ルミニュウム（Ａｌ）である。
面図を示す。半導体基板１０の一方の主面にゲート電極
板７、カソード電極板８が接触し、他方の主面にアノー
ド電極板９が接触し、アノード電極板９はアノード接触
板３に、ゲート電極板７は絶縁板５とゲート部バネ４を
介してカソード接触板２に、それぞれ接触し、さらにカ
ソード電極板８はカソード接触板２と対向するように配
置され、カソード接触板２とアノード接触板３は可とう
性の金属１６を介してセラミックの支持円筒（セラミッ
クケース）１に固着している。カソード電極板８、カソ
ード接触板２とゲート電極板７を絶縁するために、絶縁
筒（フッ素樹脂リング）６が設けられ、半導体基板１０
の周縁部には耐圧を確保するための表面保護膜（シリコ
ーンゴム等）１１が被着されている。カソード電極板８
の材質はモリブデン（Ｍｏ）などである。このＧＴＯに
おいて、カソード接触板２とアノード接触板３を外部か
ら挟み込むように１トンないし５トンの加圧力を加え、
カソード電極板８、半導体基板１０を固定している。半
導体基板１０の中央部はゲート部バネ４で１．３ｋｇ／
ｍｍ2 程度に加圧されている。図３は半導体基板のカソ
ード側を拡大した断面図を示し、シリコン１５の表面は
凹凸の形状で凸部にカソード電極１３、凹部にゲート電
極１４が設けられている。また、カソード電極１３には
カソード電極板８が接触している。凸部の幅は１５０μ
ｍ程度、凹凸の段差は２０μｍ程度、カソード電極１３
の厚さは１０μｍ程度である。また、各電極の材質はア
ルミニュウム（Ａｌ）である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】このＧＴＯを運搬する
場合は外部からの加圧はなく無加圧状態となり、ゲート
部バネ４の力でカソード接触板２が持ち上げられ、カソ
ード接触板２、半導体基板１０とカソード電極板８との
間に０．２ｍｍ程度の間隙ができ、運搬時の振動でカソ
ード電極板８が動き、半導体基板１０に形成された柔ら
かいＡｌの１５０μｍ幅に細分化されたカソード電極１
３を固いＭｏのカソード電極板８が擦る。そのため、擦
れによりできたＡｌの微粉が凹部のゲート電極１４に入
り込みカソード電極板８との間を短絡させたり、ケース
内に付着し放電を引き起こすなどの原因になり信頼性を
低下させる。
場合は外部からの加圧はなく無加圧状態となり、ゲート
部バネ４の力でカソード接触板２が持ち上げられ、カソ
ード接触板２、半導体基板１０とカソード電極板８との
間に０．２ｍｍ程度の間隙ができ、運搬時の振動でカソ
ード電極板８が動き、半導体基板１０に形成された柔ら
かいＡｌの１５０μｍ幅に細分化されたカソード電極１
３を固いＭｏのカソード電極板８が擦る。そのため、擦
れによりできたＡｌの微粉が凹部のゲート電極１４に入
り込みカソード電極板８との間を短絡させたり、ケース
内に付着し放電を引き起こすなどの原因になり信頼性を
低下させる。
【０００４】この発明の目的は無加圧状態でも、カソー
ド電極板８と半導体基板１０を固定し、Ａｌの微粉の発
生を防止して高信頼性のＧＴＯを提供することにある。
ド電極板８と半導体基板１０を固定し、Ａｌの微粉の発
生を防止して高信頼性のＧＴＯを提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】半導体基板の一方の主面
にゲート電極板およびカソード電極板が接触し、他方の
主面にアノード電極板が接触し、該アノード電極板はア
ノード接触板に、ゲート電極板は絶縁板とゲート部バネ
を介してカソード接触板に、それぞれ接触し、さらにカ
ソード電極板はカソード接触板と対向するように配置さ
れ、カソード接触板とアノード接触板は可とう性の金属
を介してセラミックの支持円筒に固着しているゲートタ
ーンオフサイリスタにおいて、カソード電極板とカソー
ド接触板の間にカソード部バネを設けてカソード電極板
と半導体基板とを固定する。該カソード部バネの圧接力
をゲート部バネより大きくし、また、該カソード部バネ
がカソード電極板の周縁部に位置することが有効であ
る。さらに、カソード部バネは高さを取らず加圧力が大
きく取れる皿バネが有効である。
にゲート電極板およびカソード電極板が接触し、他方の
主面にアノード電極板が接触し、該アノード電極板はア
ノード接触板に、ゲート電極板は絶縁板とゲート部バネ
を介してカソード接触板に、それぞれ接触し、さらにカ
ソード電極板はカソード接触板と対向するように配置さ
れ、カソード接触板とアノード接触板は可とう性の金属
を介してセラミックの支持円筒に固着しているゲートタ
ーンオフサイリスタにおいて、カソード電極板とカソー
ド接触板の間にカソード部バネを設けてカソード電極板
と半導体基板とを固定する。該カソード部バネの圧接力
をゲート部バネより大きくし、また、該カソード部バネ
がカソード電極板の周縁部に位置することが有効であ
る。さらに、カソード部バネは高さを取らず加圧力が大
きく取れる皿バネが有効である。
【０００６】
【作用】カソード電極板とカソード接触板の間にカソー
ド部バネを設けてカソード電極板と半導体基板とを固定
することによって、運搬時の振動によるカソード電極板
と半導体基板との擦れを防止し、半導体基板上のカソー
ド電極からのＡｌの微粉の発生を防ぐ。
ド部バネを設けてカソード電極板と半導体基板とを固定
することによって、運搬時の振動によるカソード電極板
と半導体基板との擦れを防止し、半導体基板上のカソー
ド電極からのＡｌの微粉の発生を防ぐ。
【０００７】
【実施例】図１はこの発明の一実施例で、ＧＴＯの構造
断面図を示し、図２と共通の部分には同一の符号が付さ
れている。半導体基板１０の、一方の主面にゲート電極
板７、カソード電極板８が接触し、他方の主面にアノー
ド電極板９が接触し、該アノード電極板９はアノード接
触板３に、ゲート電極板７は絶縁板５とゲート部バネ４
を介してカソード接触板２に、それぞれ接触し、さらに
カソード電極板８はカソード接触板２と対向するように
配置され、カソード接触板２とアノード接触板３は可と
う性の金属（例えばコバール）１６を介してセラミック
の支持円筒（セラミックケース）１に固着している。カ
ソード電極板８、カソード接触板２とゲート電極板７を
絶縁するために、絶縁筒（フッ素樹脂リング）６が設け
られ、半導体基板１０の周縁部には耐圧を確保するため
の表面保護膜（シリコーンゴム等）１１が被着されてい
る。カソード電極板８の周縁部とカソード接触板２の間
にカソード部バネ１２を設けてカソード電極板８と半導
体基板１０とを固定する。該カソード部バネは高さを取
らず加圧力の大きい皿バネが有効である。その皿バネを
用いた場合は、図１に示すようにカソード接触板２の周
縁部を、皿バネの高さより浅く除去し、この部分に皿バ
ネを設置しカソード電極板８と半導体基板１０をこの皿
バネで固定する。尚、皿バネ以外にリング状で波形をし
た板バネを用いてもよい。各電極板と各接触板の材質に
ついては、ゲート電極板７はアルミニュウム（Ａｌ）又
は銅（Ｃｕ）、カソード電極板８およびアノード電極板
９は半導体基板１０と熱膨張係数が近いモリブデン（Ｍ
ｏ）又はタングステン（Ｗ）、カソード接触板２とアノ
ード接触板３は銅（Ｃｕ）である。ＧＴＯの使用時には
カソード接触板２とアノード接触板３を外部から挟み込
むように１トンないし５トンの加圧力を加え、カソード
電極板８と半導体基板１０を固定している。中心部のゲ
ート電極はゲート部バネ４で１．３ｋｇ／ｍｍ2 程度に
加圧される。ＧＴＯの運搬時には外部からの加圧力はな
いが、カソード部バネ１２によりカソード電極板８と半
導体基板１０は固定され、振動による擦れを防いで、カ
ソード電極１３からのＡｌの微粉の発生を防止する。
尚、カソード部バネ１２の加圧力がゲート部バネ４の加
圧力より大きと、カソード電極板８と半導体基板１０の
固定が一層確実に行われる。
断面図を示し、図２と共通の部分には同一の符号が付さ
れている。半導体基板１０の、一方の主面にゲート電極
板７、カソード電極板８が接触し、他方の主面にアノー
ド電極板９が接触し、該アノード電極板９はアノード接
触板３に、ゲート電極板７は絶縁板５とゲート部バネ４
を介してカソード接触板２に、それぞれ接触し、さらに
カソード電極板８はカソード接触板２と対向するように
配置され、カソード接触板２とアノード接触板３は可と
う性の金属（例えばコバール）１６を介してセラミック
の支持円筒（セラミックケース）１に固着している。カ
ソード電極板８、カソード接触板２とゲート電極板７を
絶縁するために、絶縁筒（フッ素樹脂リング）６が設け
られ、半導体基板１０の周縁部には耐圧を確保するため
の表面保護膜（シリコーンゴム等）１１が被着されてい
る。カソード電極板８の周縁部とカソード接触板２の間
にカソード部バネ１２を設けてカソード電極板８と半導
体基板１０とを固定する。該カソード部バネは高さを取
らず加圧力の大きい皿バネが有効である。その皿バネを
用いた場合は、図１に示すようにカソード接触板２の周
縁部を、皿バネの高さより浅く除去し、この部分に皿バ
ネを設置しカソード電極板８と半導体基板１０をこの皿
バネで固定する。尚、皿バネ以外にリング状で波形をし
た板バネを用いてもよい。各電極板と各接触板の材質に
ついては、ゲート電極板７はアルミニュウム（Ａｌ）又
は銅（Ｃｕ）、カソード電極板８およびアノード電極板
９は半導体基板１０と熱膨張係数が近いモリブデン（Ｍ
ｏ）又はタングステン（Ｗ）、カソード接触板２とアノ
ード接触板３は銅（Ｃｕ）である。ＧＴＯの使用時には
カソード接触板２とアノード接触板３を外部から挟み込
むように１トンないし５トンの加圧力を加え、カソード
電極板８と半導体基板１０を固定している。中心部のゲ
ート電極はゲート部バネ４で１．３ｋｇ／ｍｍ2 程度に
加圧される。ＧＴＯの運搬時には外部からの加圧力はな
いが、カソード部バネ１２によりカソード電極板８と半
導体基板１０は固定され、振動による擦れを防いで、カ
ソード電極１３からのＡｌの微粉の発生を防止する。
尚、カソード部バネ１２の加圧力がゲート部バネ４の加
圧力より大きと、カソード電極板８と半導体基板１０の
固定が一層確実に行われる。
【０００８】
【発明の効果】この発明によれば、ＧＴＯのカソード電
極板とカソード接触板の間にカソード部バネを設けてカ
ソード電極板と半導体基板とを固定することによって、
運搬時の振動によるカソード電極板と半導体基板との擦
れを防止し、半導体基板上のカソード電極からのＡｌの
微粉の発生を防ぎ、この微粉によるＧＴＯのゲート・カ
ソード間の短絡やケース内の放電を防止することがで
き、高信頼性のＧＴＯを得ることができる。
極板とカソード接触板の間にカソード部バネを設けてカ
ソード電極板と半導体基板とを固定することによって、
運搬時の振動によるカソード電極板と半導体基板との擦
れを防止し、半導体基板上のカソード電極からのＡｌの
微粉の発生を防ぎ、この微粉によるＧＴＯのゲート・カ
ソード間の短絡やケース内の放電を防止することがで
き、高信頼性のＧＴＯを得ることができる。
【図１】この発明の一実施例であるＧＴＯの構造断面
図。
図。
【図２】従来のＧＴＯの構造断面図。
【図３】半導体基板のカソード側を拡大した断面図。
１ セラミックの支持円筒（セラミックケース） ２ カソード接触板 ３ アノード接触板 ４ ゲート部バネ ５ 絶縁板 ６ 絶縁筒（フッ素樹脂リング） ７ ゲート電極板 ８ カソード電極板 ９ アノード電極板 １０ 半導体基板 １１ 表面保護膜 １２ カソード部バネ １３ カソード電極 １４ ゲート電極 １５ シリコン １６ 可とう性の金属（例えばコバール）
Claims (4)
- 【請求項１】半導体基板の一方の主面にゲート電極板お
よびカソード電極板が接触し、他方の主面にアノード電
極板が接触し、該アノード電極板はアノード接触板に、
ゲート電極板は絶縁板とゲート部バネを介してカソード
接触板に、それぞれ接触し、さらにカソード電極板はカ
ソード接触板と対向するように配置され、カソード接触
板とアノード接触板は可とう性の金属を介してセラミッ
クの支持円筒に固着しているゲートターンオフサイリス
タにおいて、カソード電極板とカソード接触板の間にカ
ソード部バネを設けてカソード電極板を半導体基板に固
定することを特徴とするゲートターンオフサイリスタ。 - 【請求項２】カソード部バネの圧接力がゲート部バネよ
り大きいことを特徴とする請求項１記載のゲートターン
オフサイリスタ。 - 【請求項３】カソード部バネがカソード電極板の周縁部
に位置することを特徴とする請求項１記載のゲートター
ンオフサイリスタ。 - 【請求項４】カソード部バネが皿バネであることを特徴
とする請求項１記載のゲートターンオフサイリスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12086094A JPH07326733A (ja) | 1994-06-02 | 1994-06-02 | ゲートターンオフサイリスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12086094A JPH07326733A (ja) | 1994-06-02 | 1994-06-02 | ゲートターンオフサイリスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07326733A true JPH07326733A (ja) | 1995-12-12 |
Family
ID=14796747
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12086094A Pending JPH07326733A (ja) | 1994-06-02 | 1994-06-02 | ゲートターンオフサイリスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07326733A (ja) |
-
1994
- 1994-06-02 JP JP12086094A patent/JPH07326733A/ja active Pending
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