JP3324317B2

JP3324317B2 - 逆導通型半導体スイッチング装置

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Publication number: JP3324317B2
Application number: JP01221095A
Authority: JP
Inventors: 満花倉; 敬一小森
Original assignee: Meidensha Corp
Current assignee: Meidensha Corp
Priority date: 1995-01-30
Filing date: 1995-01-30
Publication date: 2002-09-17
Anticipated expiration: 2017-09-17
Also published as: JPH08204170A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は逆導通型ゲートターンオ
フサイリスタ等の逆導通型半導体スイッチング装置に関
する。

【０００２】

【従来の技術】ゲートターンオフサイリスタ（以下ＧＴ
Ｏと称する）は、自己消弧素子として広く電力変換装置
等に使用されている。この応用としては、電圧形インバ
ータのように逆並列にダイオードを接続して使用する場
合が多い。これら装置の小形化・低コスト化の為に、Ｇ
ＴＯとこの逆並列ダイオードが一体となった逆導通型Ｇ
ＴＯが開発されている。

【０００３】図１２に逆導通型ＧＴＯの断面構造の一例
を示す。ＧＴＯ部１とダイオード部２とが分離部３で分
離されて同一ウエハ上で逆並列の層構成に形成される。
ＧＴＯ部１はＰエミッタ層Ｐ_EとＮベース層Ｎ_BとＰベー
ス層Ｐ_Bと分割Ｎエミッタ層Ｎ_Eの４層３接合から、ダイ
オード部２はＮ⁺，Ｎ_B ^-のＮ層とＰ_B，Ｐ⁺のＰ層との１
接合から形成されていて、アノード電極４が共通で、カ
ソード電極５Ｇと５Ｄは導体接続されていて、ゲート電
極６は配線接続されている。７はパッシベーションゴム
等の表面保護剤である。ちなみにアノード電極４は熱緩
衝板を合金することにより形成されている。この構造の
逆導通型ＧＴＯは、回路図では図１３に示すようにＧＴ
Ｏ：ＴＨとダイオードＤが逆並列接続されＧＴＯ：ＴＨ
のゲートと共通のカソードＫ間が分離部３の分離抵抗Ｒ
で短絡される。この分離部３の分離抵抗ＲはＰベース層
Ｐ_Bに溝を掘り込むことで該層Ｐ_Bのシート抵抗として形
成される。

【０００４】逆導通ＧＴＯのターンオフ動作は、ゲート
ＧとカソードＫ間に逆電圧を印加することで行われる
が、このとき分離抵抗Ｒが十分に大きくないとゲート・
カソード間で大きな電流が流れてしまう。このため、分
離抵抗Ｒはその電流Ｉ_RによってＩ² _R・Ｒ電力損失によ
り発熱を起こし、この発熱が素子劣化や破壊を招いた
り、ＧＴＯ部のしゃ断能力を低下させてしまう。

【０００５】また、ゲート回路電源にはオン・オフ動作
に寄与しない分離抵抗Ｒに流すむだな電流分も供給でき
る容量を必要とする。

【０００６】一方、ダイオード部２に負荷電流が流れる
状態でＧＴＯ部１に順方向に電圧が印加されるとき、例
えば逆導通型ＧＴＯを電圧形インバータのスイッチ素子
として使用するとき、ダイオード部２にそれまで蓄積さ
れたキャリアが分離抵抗Ｒを通してＧＴＯ部１へ流れ込
み、このキャリアの流れがゲート電流として作用するこ
とでＧＴＯ部１を誤点弧させることがある。

【０００７】以上のような問題点から、分離抵抗Ｒは抵
抗値を高くすることが望まれるが、このためには分離部
３の溝幅を広くするか、又は溝を深くすることが考えら
れるが、前者は素子の面積利用率を低下させるし、後者
は溝を深くしすぎるとＧＴＯ部１のオフ耐圧及びダイオ
ード部２の逆耐圧を下げる問題が残る。この問題を解決
する為に実願昭６３−９２７９２号（実開平２−１５７
４８号）でベベル構造による分離方法が提案されてい
る。この方法は、図１４に示すように、ＧＴＯ部１とダ
イオード部２との境界に夫々ベベル構造になる溝を掘り
込み、この溝に表面保護材９を充填した分離部３によ
り、ＧＴＯ部１とダイオード部２の完全な分離を得るこ
とができる。

【０００８】さらにこの方法を、Ｓｉ半導体部分のアノ
ード領域に電極として熱緩衝板をロー付けしないいわゆ
るアロイフリーＧＴＯに適用したものが、特願平２−１
９４３２４（特開平４−７９３７４号）で示されてい
る。この方法を図１５に示し、説明する。Ｐエミッタ層
Ｐ_E，アノードショート層Ｎ⁺，Ｎベース層Ｎ_B ^-，Ｐベー
ス層Ｐ_B，Ｎエミッタ一層Ｎ_EからなるＧＴＯの半導体部
分にアルミニウム蒸着等によりアノード電極４_G，カソ
ード電極５_G，ゲート電極６が形成され、ベベルにより
切り出された後、絶縁支持台１１および１２を用いてパ
ッシベーションゴムでベベル面を保護してＧＴＯ部１が
形成されている。一方、Ｎ⁺層，Ｎ^-層，Ｐ層，Ｐ⁺層か
らなるダイオードの半導体部分にアルミニウム蒸着等に
よりアノード電極４_G，カソード電極５_Dが形成され、ベ
ベルにより切り出された後、絶縁支持台１０を用いてパ
ッシベーションゴムでベベル面を保護してダイオード部
２が形成されている。この方法ではＧＴＯ部とダイオー
ド部を完全に分離して構成したことから、一枚のウエハ
にＧＴＯ部とダイオード部を同時に作る必要がないとい
う利点がある。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】図１５の構造の問題点
は、分離部の幅が前述のものに比べて広くとる必要があ
るため、素子の有効動作面積が小さいということであ
る。この理由は一つは、分離部でＧＴＯ部とダイオード
部をそれぞれ独立に端部処理するためにかさばってしま
うということである。さらに加えて、加工時の精度のた
めに、ＧＴＯ部とダイオード部を圧接した際に絶縁支持
台１０および１１がお互いに不均一な応力を発生するよ
うな接触をすることを防ぐために、絶縁支持台１０およ
び１１の間に間隙を設ける必要があるからである。

【００１０】本発明は上述の問題点に鑑みてなされたも
ので、その目的は分離部の幅を狭くして素子の有効動作
面積を大きくした逆導通型半導体スイッチング素子を提
供することである。

【００１１】

【課題を解決するための手段と作用】上記目的を達成す
るために、本発明の逆導通型半導体スイッチング素子
は、素子平形ケースの中央部と周辺部にゲートターンオ
フサイリスタ部からなる半導体素子とダイオード部から
なる半導体素子を逆並列に配置し、これらのゲートター
ンオフサイリスタ部とダイオード部の各主電極は熱緩衝
板の合金によって形成されない構造であり、かつ前記ゲ
ートターンオフサイリスタ部とダイオード部は分離手段
によって機械的に分離された逆導通型半導体スイッチン
グ装置であって、前記分離手段を、前記素子平型ケース
内で、前記ゲートターンオフサイリスタ部とダイオード
部の各主電極の圧接される面が同一平面にならないよう
に、前記各主電極に圧接される圧接ポストの高さを異な
るように段差部を付けて構成したことを特徴とする。

【００１２】また、それぞれの素子の端部に前記表面保
護材を介して接着される絶縁支持台の主電極側の側面
と、主電極に圧接される側面が圧接される圧接ポストの
側面とを接触させて位置決め手段を形成したことを特徴
とする。

【００１３】

【実施例】以下に本発明の実施例を図１〜図１１を参照
しながら説明する。

【００１４】図１は本発明の実施例による逆導通型半導
体スイッチング装置の正断面図、図２は要部拡大図を示
すもので、同図において１Ａは中空円板状のゲートター
ンオフサイリスタ部（ＧＴＯ部）、２Ａはゲートターン
オフサイリスタ部１Ａの中空部の下部に位置するダイオ
ード部である。１２ａ，１２ｂはゲートターンオフサイ
リスタ部１Ａの両面に配置された中空円板状の熱緩衝板
であって、それぞれシリコンとほぼ熱膨張係数が等しい
材料からなる。１２ｃ，１２ｄはダイオード部２Ａの両
面に位置する円板状の熱緩衝板であって、それぞれシリ
コンとほぼ熱膨張係数が等しい材料からなる。１３はＧ
ＴＯ部１Ａのカソード電極とダイオード部２Ａのアノー
ド電極に加圧接触させられる一方の主電極である銅ポス
ト（圧接ポスト）、１４はＧＴＯ部１Ａのアノード電極
とダイオード部２Ａのカソード電極に加圧圧接される他
方の電極である銅ポスト（圧接ポスト）である。

【００１５】また、図１において１５はＧＴＯ部１Ａを
支持する絶縁支持台、１６はダイオード部２Ａを支持す
る絶縁支持台、１７はアルミニウム等の導電性材質から
なり、ゲート電極に圧接されるゲートポスト、１８はパ
ッシベーションゴム、１９はゲートポスト１７に圧接ま
たは溶接され、シール部２５を通して外部接続されるリ
ード線、２０は皿ばね、２１はセラミック等の材質から
なる絶縁筒体である。２２は鉄・ニッケル合金等の材質
からなる中空円板状金属板で、銅ポスト１３と溶接また
はろう付けされているとともに素子組立時に中空円板状
の金属板２３に溶接またはろう付けされる。２４は同じ
く中空状金属板で、鉄・ニッケル合金等の材質からな
り、絶縁筒体２４および銅ポスト１４と溶接またはろう
付けされている。

【００１６】図１の逆導通型スイッチング半導体装置に
よれば、銅ポスト１３および１４に段差をつけることに
より、ＧＴＯ部とダイオード部が異なる平面で圧接され
るようにしてある。このようにすることにより、図から
も明らかなようにＧＴＯ部とダイオード部の端面部がオ
ーバーラップしても同一平面にないので不都合は生じな
い。これにより従来の図１５のような構造において必要
とされた非能動素子領域である分離部の幅を半減するこ
とができる。図１は内周部にダイオード部を配し外周部
にＧＴＯ部を配した例で、ＧＴＯの外部電極に接続され
るゲートポストはＧＴＯ部の外周側に圧接されている。
このゲート構造と本発明とは直接の関連はないので、ゲ
ートポストを内周側に配置したり、内周部にＧＴＯ部を
配置して本発明を適用することはもちろん容易に可能で
ある。この趣旨により本発明のポイントとなる部分のみ
を拡大した図が図２である。

【００１７】すなわち、図２に示すように、銅ポスト１
３には段差を付けた円環状溝１３ａが設けられ、銅ポス
ト１４に同じく段差を付けた円環状溝１４ａが設けられ
ている。これらの円環状溝１３ａと１４ａで形成される
スペース内に、ＧＴＯ部１Ａを支持する絶縁支持台１５
と、ダイオード部２Ａを支持する絶縁支持台１６が段差
を持って配設されている。

【００１８】絶縁支持台１５は、筒状部１５ａと、中空
円板状の底部１５ｂからなり、底部１５ｂの内周端部に
は突起部１５ｃが立設されている。また、絶縁支持台１
６も筒状部１６ａと、中空円板状の底部１６ｂからな
り、底部１６ｂの内周端部には突起部１６ｃが立設され
ている。図２に示すように、シリコンウエハからなるＧ
ＴＯ部１Ａおよびダイオード部２Ａの銅ポスト１４にた
いする位置決めは絶縁支持台１６が銅ポスト１４に接す
ることにより行われている。また、絶縁支持台には突起
が設けられていてパッシベーションゴム１８が圧接部に
流出するのを防いでいる。絶縁支持台の材質は、絶縁性
に優れて使用温度での不純物の発生が無く、かつ安価な
耐熱性高分子材料であるポリフェニレンサルファイト
（略称ＰＰＳ）が適している。

【００１９】図３〜図１１は本発明の種々なその他の実
施例を示すもので、以下、その他の実施例については、
要部拡大図で説明する。

【００２０】（その他の実施例１）：図３に示すよう
に、絶縁支持台１５の筒状部１５ａの厚みを大きくし
て、絶縁支持台１５が銅ポスト１３にも接することによ
り銅ポスト１３の位置決めがされている。これにより、
銅ポスト１３と１４が精密に位置だしされるため半導体
ペレット１Ａ，２Ａに均一な圧接力がかかる。

【００２１】（その他の実施例２）：図４に示す。銅ポ
スト１３と１４との間には数１０００Ｖもの電圧が発生
する。例えば図３では、図中に示した放電パルス２６に
より銅ポスト１３と１４との間で放電してしまうことが
ある。そこで、図４の例では絶縁支持台１５の一部例え
ば底部１５ｂに、放電パルスを横切るように延長部２７
を設け、この延長部２７により放電を発生しないように
したものである。

【００２２】（その他の実施例３）：図５に示すよう
に、ＧＴＯ部１Ａおよびダイオード部２Ａは、それぞれ
別々のウエハから切り出して、ウエハーの端部がどうし
がオーバーラップするようにしたもので、つまりダイオ
ード部２Ａの外周径よりＧＴＯ部１Ａの内周径のほうが
より小さいようにしたものである。これによりさらに分
離部の幅を減少させることができ、素子の圧接（有効）
面積をより大きく取ることができる。

【００２３】（その他の実施例４）：図６に示すよう
に、銅ポスト１３と１４に径方向に向う凹部２８，２９
を設けたものである。すなわち、銅ポスト１３および１
４に凹みを設けることで、分離部と圧接部の一部をオー
バーラップさせることにより、圧接部の面積をより大き
くとることができるようにしたものである。ただ、この
構造をとると素子の組立が幾何学的に難しいので、図の
例では銅ポストはそれぞれ破線の部分で分離できるよう
にしてある。

【００２４】（その他の実施例５）：図７と図８に示す
ように、絶縁支持台をもちいずに、ウエハ端部にトラン
スファーモールド３１，３２を成形して行う公知の方法
を本発明に実施したものである。各半導体部は図７や図
８のようにトランスファーモールド部の内周または外周
部を銅ポストに接することにより位置だしすることがで
きる。特に図８は、本発明のように段差のある銅ポスト
でのみ有効な位置きめ法である。

【００２５】（その他の実施例６）：図９に示すよう
に、絶縁支持台をもちいずに、ウエハ端部をウエハより
一回り大きい熱緩衝板１２ｂ，１２ｄにパッシベーショ
ンゴムで接着する公知の方法を本発明に実施したもので
ある。各半導体部の位置きめは、本発明の段差のある銅
ポストを利用して、熱緩衝板１２ｂ，１２ｄを異なる半
導体部に圧接される銅ポスト壁に接するようにすること
で行うことができる。

【００２６】（その他の実施例７）：図１０に示すよう
に、ウエハ端部をウエハより一回り大きい熱緩衝板１２
ｂ，１２ｄにパッシベーションゴム１８で接着する公知
の方法を本発明に実施したものである。各半導体部の位
置きめは、各半導体部を接着する熱緩衝板に、図のよう
に銅ポスト２の壁に接するように突起部３３，３４を設
けることによって行うこともできる。

【００２７】（その他の実施例８）：図１１に示すよう
に、ウエハ端部にはいわゆるガードリング（フィールド
リング）部３５，３６を設けて高耐圧素子化したもので
ある。特に、ドーナツ状の半導体部の内周側の端面にも
ガードリング部を形成して耐圧を出すようにした。ま
た、各半導体部の位置決めは、半導体部の端部を異なる
半導体部に圧接される銅ポスト壁に接するようにするこ
とで行うことができる。

【００２８】以上の各実施例に鑑みて要約すると以下の
ようになる。

【００２９】（１）素子の中央部と周辺部にゲートター
ンオフサイリスタ部とダイオード部を逆並列に配置した
逆導通型半導体スイッチング素子であって、ゲートター
ンオフサイリスタとダイオード部の主電極は熱緩衝板の
合金によって形成されないいわゆるアロイフリー構造で
あり、かつゲートターンオフサイリスタ部とダイオード
部とは完全に分離されていて、それぞれの素子部（ゲー
トターンオフサイリスタ部とダイオード部）のウエハ端
面は表面電界を緩和するようにいわゆるベベル加工がさ
れており、ベベル加工部は絶縁支持台によりパッシベー
ションゴムで保護されている構造の逆導通ゲートターン
オフサイリスタにおいて、図１に示すように、素子平形
ケース内で、ゲートターンオフサイリスタ部とダイオー
ド部が圧接される面が同一平面にならないように、主電
極に圧接される電極ポストの高さをそれぞれの素子部で
異なるようにして段差をつけた構造。

【００３０】（２）上記（１）において、前記段差は少
なくとも、素子の端部および端部に形成された絶縁支持
台とパッシベーションゴムがゲートターンオフサイリス
タ部とダイオード部どうしで接触しないように設けるこ
と。

【００３１】（３）上記（１）〜（２）において、それ
ぞれの素子の端部にパッシベーションゴムを介して接着
される絶縁支持台の主電極側の側面と、主電極に圧接さ
れる電極ポストの側面が接することにより、ゲートター
ンオフサイリスタ部とダイオード部が、一方の主電極面
に圧接される電極ポストに対して位置決めされること。

【００３２】（４）上記（１）〜（３）において、前記
絶縁支持台の素子に接着する面に突起または溝を設ける
ことにより、パッシベーションゴムが主電極圧接面に流
出することを防止するようにすること。

【００３３】（５）上記（１）〜（４）において、前記
絶縁支持台の材質はポリ・フェニレン・サルファイト
（ＰＰＳ）を９０％以上含有する耐熱性高分子材料から
なること。

【００３４】（６）上記（１）〜（５）において、第３
図に示すように、一方の半導体素子に接着される絶縁支
持台の半導体素子に最も遠い側面が、他方の半導体素子
に圧接される電極ポスト壁に接するようにすることで他
方の主電極に圧接される電極ポストも同時に位置決めす
る。

【００３５】（７）上記（１）〜（６）において、図４
に示すように、電極ポストに段差をつけたために生じる
カソード電極ポストとアノード電極ポストが対面する部
分を前記絶縁支持台の一部をのばして塞ぐようにしたこ
と。

【００３６】（８）上記（１）〜（７）において、図５
に示すように、ゲートターンオフサイリスタ部とダイオ
ード部は別々のウエハから切り出し、内周部の半導体シ
リコン部の外径が外周ドーナツ状部の内径より大きくか
つ外周ドーナツ状部の圧接内径より小さくなるようにし
た構造。

【００３７】（９）上記（８）において、図６に示すよ
うに、電極ポストの壁面に凹みをもたせることにより、
内周部の半導体シリコン部の外径をさらに外周ドーナツ
状部の圧接部内径より大きくなるようにした構造。

【００３８】（１０）上記（９）において、電極ポスト
の壁面の凹みは電極ポスト部のうち圧接部のみ別部品で
構成し、半導体部を凹みに組立たのち、圧接部別部品を
電極ポスト部に一体化させる。

【００３９】（１１）上記（１）において、図７に示す
ように、ベベル端部はトランファーモールド成形で保護
されていて、かつトランスファーモールドの半導体部主
電極側の側面と、主電極に圧接される電極ポストの側面
が接することにより、ゲートターンオフサイリスタ部と
ダイオード部が、一方の主電極面に圧接される電極ポス
トに対して位置決めされること。

【００４０】（１２）上記（１１）において、図８に示
すように、一方の半導体素子に形成されるトランスファ
ーモールドの半導体素子に最も遠い側面が、他方の半導
体素子に圧接される電極ポスト壁に接するようにするこ
とで主電極に圧接される電極ポストに対して半導体素子
を位置決めする。

【００４１】（１３）上記（１）において、図９に示す
ように、ベベル端部はウエハより一回り大きい熱緩衝板
にパッシベーションゴムで接着されており、かつこの熱
緩衝板の外周側面または内周側面が他方の半導体素子に
圧接される電極ポスト壁に接するようにすることで主電
極に圧接される電極ポストに対して半導体素子を位置決
めする。

【００４２】（１４）上記（１３）において、図１０に
示すように、主電極に圧接される電極ポストの側面に接
するように前記熱緩衝板に突起を設けることにより主電
極に圧接される電極ポストに対して半導体素子を位置決
めする。

【００４３】（１５）上記（１）において、図１１に示
すように、ウエハー端面の一部または全部にはベベル加
工のかわりに、ガードリング（フィールドリング）構造
が設けられている構造。

【００４４】（１６）上記（１５）において、図１１に
示すように、半導体端部の外周側面または内周側面が他
方の半導体素子に圧接される電極ポスト壁に接するよう
にすることで主電極に圧接される電極ポストに対して半
導体素子を位置決めする。

【００４５】

【発明の効果】本発明は上述の如くであって、アロイフ
リー構造を採用した逆導通型半導体スイッチング装置に
おいて、以下のような効果が得られる。

【００４６】（ａ）ＧＴＯ部とダイオード部の分離部の
幅を従来の半分以下に減らすことができる。特にウエハ
ー端部をオーバーラップさせた場合はより狭い幅に減ら
すことができる。分離部は素子として非能動領域である
ので、狭くなった分だけ他の能動領域を増やすことがで
きるので、結果的に同じ素子径でより高性能の逆導通Ｇ
ＴＯを作製することができる。

【００４７】（ｂ）ＧＴＯ部とダイオード部を別々のウ
エハーから切り出すことができるので、各々で最適の設
計で作製したものどうしを組み合わせることができるの
で、高性能の逆導通ＧＴＯを作製することができる。

【００４８】（ｃ）ＧＴＯ部とダイオード部を別々のウ
エハーから切り出すことができるので、歩溜まりが向上
して安価な逆導通ＧＴＯが作製できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例による逆導通型半導体スイッチ
ング装置の断面模式図。

【図２】図１の逆導通型半導体スイッチング装置の要部
拡大図。

【図３】本発明のその他の実施例による逆導通型半導体
スイッチング装置の要部拡大図。

【図４】本発明のその他の実施例による逆導通型半導体
スイッチング装置の要部拡大図。

【図５】本発明のその他の実施例による逆導通型半導体
スイッチング装置の要部拡大図。

【図６】本発明のその他の実施例による逆導通型半導体
スイッチング装置の要部拡大図。

【図７】本発明のその他の実施例による逆導通型半導体
スイッチング装置の要部拡大図。

【図８】本発明のその他の実施例による逆導通型半導体
スイッチング装置の要部拡大図。

【図９】本発明のその他の実施例による逆導通型半導体
スイッチング装置の要部拡大図。

【図１０】本発明のその他の実施例による逆導通型半導
体スイッチング装置の要部拡大図。

【図１１】本発明のその他の実施例による逆導通型半導
体スイッチング装置の要部拡大図。

【図１２】従来の逆導通型スイッチング半導体装置の断
面構造図。

【図１３】逆導通型ゲートターンオフサイリスタの回路
図。

【図１４】従来の逆導通型スイッチング半導体装置の断
面構造図。

【図１５】従来の逆導通型スイッチング半導体装置の断
面構造図。

【符号の説明】

１Ａ…ＧＴＯ部２Ａ…ダイオード部１２ａ〜１２ｄ…熱緩衝板１３，１４…銅ポスト（圧接ポスト）１５，１６…絶縁支持台１７…ゲートポスト１８…パッシベーションゴム１９…ゲートリード２０…皿ばね２１…絶縁筒２７…延長部２８，２９…凹部３１，３２…トランスファーモールド３３，３４…突起部３５，３６…ガードリング形成部

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】素子平形ケースの中央部と周辺部にゲー
トターンオフサイリスタ部からなる半導体素子とダイオ
ード部からなる半導体素子を逆並列に配置し、これらの
ゲートターンオフサイリスタ部とダイオード部の各主電
極は熱緩衝板の合金によって形成されない構造であり、
かつ前記ゲートターンオフサイリスタ部とダイオード部
は分離手段によって機械的に分離された逆導通型半導体
スイッチング装置であって、前記分離手段を、前記素子平型ケース内で、前記ゲート
ターンオフサイリスタ部とダイオード部の各主電極の圧
接される面が同一平面にならないように、前記各主電極
に圧接される圧接ポストの高さを異なるように段差部を
付けて構成したことを特徴とする、逆導通型半導体スイ
ッチング装置。
【請求項２】請求項１の逆導通型半導体スイッチング
装置において、前記段差を、少なくとも、前記ゲートタ
ーンオフサイリスタ部からなる半導体素子とダイオード
部半導体素子の各端部および該端部に設けられた絶縁支
持台と表面保護材が接触しないように設けたことを特徴
とする逆導通型半導体スイッチング装置。
【請求項３】請求項２の逆導通型半導体スイッチング
装置において、それぞれの素子の端部に前記表面保護材
を介して接着される絶縁支持台の主電極側の側面と、主
電極に圧接される側面が圧接される圧接ポストの側面と
を接触させて位置決め手段を形成したことを特徴とする
逆導通型半導体スイッチング装置。
【請求項４】請求項２又は３の逆導通型半導体スイッ
チング装置において、前記絶縁支持台の前記素子と接着
する面に突起部を設けて構成したことを特徴とする逆導
通型半導体スイッチング装置。
【請求項５】請求項２，３又は４の逆導通型半導体ス
イッチング装置において、前記絶縁支持台の材質はポリ
・フェニレン・サルファイトであることを特徴とする逆
導通型半導体スイッチング装置。
【請求項６】請求項２，３，４又は５の逆導通型半導
体スイッチング装置において、前記位置決め手段が、一
方の半導体素子に接着される絶縁支持台の半導体素子か
ら最も遠い側面が、他方の半導体素子に圧接される圧接
ポスト壁に接触させて他方の主電極も同時に位置決めす
るように構成したことを特徴とする逆導通型半導体スイ
ッチング装置。
【請求項７】請求項２，３，４，５又は６の逆導通型
半導体スイッチング装置において、前記絶縁支持台に、
その底部から他方の半導体素子を支持する絶縁支持台の
筒体部に沿って伸びる延長部を設けて構成したことを特
徴とする逆導通型半導体スイッチング装置。
【請求項８】請求項１，２，３，４，５，６又は７の
逆導通型半導体スイッチング装置において、ゲートター
ンオフサイリスタ部とダイオード部は別々のウエハから
切り出して成り、内周部の半導体素子の外径が、外周部
の半導体素子の内径よりも大にして、かつ外周部円環状
の圧接部内径よりも小さくなるように構成したことを特
徴とする逆導通型半導体スイッチング装置。
【請求項９】請求項８の逆導通型半導体スイッチング
装置において、分離手段を、対向配置された各圧接ポス
トに径方向の凹部を設けたことを特徴とする逆導通型半
導体スイッチング装置。
【請求項１０】請求項１の逆導通型半導体スイッチン
グ装置において、各半導体素子の端部にトランスファモ
ールドを成形し、かつトランスファモールドの前記半導
体素子の主電極側の側面と、主電極に圧接される圧接ポ
ストに接触させて構成したことを特徴とする逆導通型半
導体スイッチング装置。
【請求項１１】請求項１の逆導通型半導体スイッチン
グ装置において、一方の半導体素子に形成されるトラン
スファモールドの半導体素子に最も遠い側面が、他方の
半導体素子に圧接される電極ポスト壁に接するようにす
ることで主電極に圧接される電極ポストに対して半導体
素子を位置決めすることを特徴とする逆導通型半導体ス
イッチング装置。
【請求項１２】請求項１の逆導通型半導体スイッチン
グ装置において、半導体素子のベベル端部はウエハより
一回り大きい熱緩衝板にパッシベーションゴムで接着さ
れており、かつこの熱緩衝板の外周側面または内周側面
が他方の半導体素子に圧接される電極ポスト壁に接する
ようにすることで主電極に圧接される電極ポストに対し
て半導体素子を位置決めすることを特徴とする逆導通型
半導体スイッチング装置。
【請求項１３】請求項１の逆導通型半導体スイッチン
グ装置において、主電極に圧接される電極ポストの側面
に接するように前記熱緩衝板に突起を設けることにより
主電極に圧接される電極ポストに対して半導体素子を位
置決めするように構成したことを特徴とする逆導通型半
導体スイッチング装置。
【請求項１４】請求項１の逆導通型半導体スイッチン
グ装置において、ウエハが側面の一部または全部にはベ
ベル加工のかわりに、ガードリング（フィールドリン
グ）構造が設けられていることを特徴とする逆導通型半
導体スイッチング装置。
【請求項１５】請求項１４の逆導通型半導体スイッチ
ング装置において、半導体素子端部の外周側面または内
周側面が他方の半導体素子に圧接される電極ポスト壁に
接するようにすることで主電極に圧接される電極ポスト
に対して半導体素子を位置決めするようにして構成した
ことを特徴とする逆導通型半導体スイッチング装置。