JPH09135019A - 静電誘導サイリスタ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 中間ゲート構造を採用した場合に分割される
カソード電極用熱緩衝板を一体化して位置決めを容易と
する。 【解決手段】 スリット状のカソード領域が素子表面に
多段の同心円に放射状に配され、カソード電極及びアソ
ード電極が熱緩衝板を介して圧接される圧接型パッケー
ジで、素子のカソード部の中心部と外周部の中間部にリ
ング状のゲート集電電極を設けた中間ゲート構造の静電
誘導サイリスタにおいて、リング状のゲート集電電極に
圧接されるリング状のゲートポスト９ｃの一部に切欠部
ｓを設け、リング状のゲート集電電極の内周側カソード
電極に圧接される熱緩衝板８ａと外周側カソード電極に
圧接される熱緩衝板８ｂとを前記切欠部ｓに対応する位
置の接続部ｊで一体化する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は静電誘導サイリスタ
（または電界制御サイリスタ）の構造に関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】自己消弧形の半導体デバイスは電力変換
の容易さから種々の応用機器に使用されているが、電気
エネルギーの高効率利用のためには、高速動作が可能で
かつ低損失なデバイスの開発が強く望まれている。静電
誘導サイリスタ（以下ＳＩＴｈと略す）は高電圧，大電
流領域で高速動作可能な次世代の電力用半導体デバイス
として注目されており、電力分野への適用面から現在ゲ
ートターンオフサイリスタ（ＧＴＯ）で達成されている
ピーク繰り返しオフ電圧４５００Ｖ，繰り返し可制御オ
ン電流３０００Ａクラス以上のデバイスの出現が望まれ
るようになってきた。

【０００３】図１２（ａ）は、ＳＩＴｈの要部の断面構
造を示すもので、このＳＩＴｈはＰ層６（アノード
層）、Ｎ^-層５（ベース層）、Ｎ層３（カソード層）お
よびＰ層４（ゲート層）によって構成されている。

【０００４】ＳＩＴｈはＮ^-型の基板５の一方の主面に
Ｐ型のアノード層６を形成し、その反対側の主面にＰ型
のゲート層４およびＮ型のカソード層３を交互に配置し
た構造のデバイスである。ＳＩＴｈは単位エレメントを
複数個並列に動作させることにより電流容量を増やすこ
とが可能なデバイスである。

【０００５】図１２（ｂ）は、ＳＩＴｈのカソードスリ
ット付近の拡大平面図である。カソードスリットの配置
は、小容量素子では平行配置が、大容量素子では熱抵抗
の低減と高信頼性が要求されるため圧接型パッケージを
採用せざるを得ないため、圧接型パッケージに適した放
射状配置が採用されている。図１３は放射状配置の一例
を示したものである。本発明では、大容量素子が対象で
あるので、以下の説明は放射状配置を例に説明する。以
下で、図１３（ｂ）のように、素子平面の拡大図を示す
場合は、カソードスリット部は詳細は省略し、線分で示
す。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】ＳＩＴｈは変換効率が
他の電力用半導体素子に比べて高い。それで、高圧大容
量のＳＩＴｈが実現できれば、エネルギー応用分野での
進歩が期待できる。

【０００７】ＳＩＴｈは数千から数十万個のスリット状
のカソード領域からなり、この各々のいわゆる単位ＳＩ
Ｔｈが並列に動作することにより大電流をオン・オフで
きる素子である。それで、ＳＩＴｈの最大可制御電流
（ターンオフ電流）を向上させるには、素子面積を広く
して単位ＳＩＴｈの数を増やしてやれば良い。

【０００８】しかしながら、単位ＳＩＴｈの数が増えれ
ば増えるほど、均一な並列動作は困難になってくる。均
一な並列動作ができなければ、電流は局部に集中するこ
とになるので最大可制御電流の向上は期待できない。そ
れで並列動作をおこさせるための制御電極であるゲート
電極の構造がきわめて重要になる。中でも、素子表面の
ゲート電極に外部電極を接続する方法、いわゆるゲート
リードの接続方法が重要である。もちろん、素子表面に
形成されるゲートリード電極の構造も重要であるが、薄
膜電極のためその抵抗は比較的大きいので、無視できる
程度に低い抵抗のゲートリードからの距離の関係が最終
的に並列動作に大きく寄与してしまう。

【０００９】図１４〜１５に代表的な種々のゲート構造
を示す。図１４は素子の中心部にゲートリード接続部を
設けたいわゆるセンタゲート構造である。同図におい
て、２５はシリコンウエハ、２６はスリット状に形成さ
れたカソード電極、２７はゲート電極で、その中の外部
電極に接続される集電電極部のみを示す。８はカソード
電極に圧接される金属からなる熱緩衝板、９ａは集電電
極部２７に圧接される導電材料からなるセンタゲートポ
スト、１０はゲートポスト９ａを囲む絶縁物、１１はゲ
ートポスト９ａを押圧するさらばねである。なお図中、
１２はゲートリード線１３を通すための銅ポスト（主電
極導体）１４に設けられた切り欠き溝、１５はセラミッ
ク等からなる絶縁筒体、１６はシール部、１７〜２０は
ドーナツ状金属板、２１は銅ポスト（主電極導体）、２
２は金属材料からなる緩衝板、２３はアノード電極、２
４はシリコーンゴム等からなる絶縁物を示す。

【００１０】センタゲート構造は最も簡便で安価な構造
であるため、中小容量の素子のほとんどに適用されてい
る。しかしながら、大口径の大容量素子には単位スリッ
トの大部分が配置されている素子外周部付近の実質的な
引き出し抵抗が大きくなりすぎてしまうために適してい
ない。

【００１１】図１５は素子の外周部にリング状のゲート
リード接続部を設けたいわゆる外周ゲート構造である。
単位スリットの大部分が配置されている素子外周部付近
にゲートリード接続部が設けられるため、センタゲート
構造よりは素子の均一性は改善されている。しかしなが
ら、配置されているスリット数は少ないものの素子中心
部付近の引き出し抵抗がセンタゲート構造と同様に、大
口径素子では大きくなりすぎてしまう。図１６は素子の
中心部と外周部の中間部にリング状のゲートリード接続
部を設けたいわゆる中間ゲート構造である。この構造で
は、最も引き出し抵抗が大きい領域が素子中心部付近お
よび外周部付近になるが、その最大抵抗値は、センタゲ
ート構造および外周ゲート構造と比べた場合、半分以下
に改善されている。それでこのゲート構造は、大口径の
大容量素子に適したゲート構造となっている。しかしな
がら、この構造はゲート引き出し抵抗は均一になるもの
の、図１６（ｂ）のようにカソード領域がロとロ’に分
割されてしまう。つまり、図１７に示すように、カソー
ド電極用熱緩衝板８はリング状ゲートポスト（ゲートポ
ストリング）９ｃによって、内周側８ａおよび外周側８
ｂの２部品に分割されてしまう。このため、次のような
不都合が生じる。

【００１２】（１）部品８ａおよび８ｂそれぞれに位置
だしと位置決めをお行わねばならない。

【００１３】（２）部品８ａおよび８ｂの厚みを厳密に
等しくする必要がある。

【００１４】上記（１）では、８ｂのドーナツ板に関し
ては従来同様に外周部の不活性領域を利用して比較的簡
単に位置決めできる。しかし、８ａに関しては、利用で
きる不活性領域がほとんどないため、活性領域を位置決
めのために使用しなければならず素子特性を損なってし
まう。

【００１５】上記（２）では、従来は１枚の板であった
ので面内での厚みの均一性は容易に実現できた。しか
し、別々に作製した部品の厚みを均一にするのはきわめ
て困難であった。８ａと８ｂの厚みが不均一になるとカ
ソード電極の圧接も不均一となり、素子特性の著しい劣
化を招く。本発明は、従来のこのような問題点に鑑みて
なされたものであり、その目的とするところは、中間ゲ
ート構造を採用した場合でも、カソード電極用熱緩衝板
が分割されない大容量に適した静電誘導サイリスタを提
供することにある。

【００１６】

【課題を解決するための手段】本発明の静電誘導サイリ
スタは、Ｎ型半導体基板の一方の主面に複数のスリット
状のＮ型カソード領域を、他方の主面にＰ型アノード領
域をそれぞれ備え、前記カソード領域とアノード領域と
の間に電流経路となるＮ型高比抵抗領域を備え、電流の
オン，オフの制御を行うためのＰ型ゲート領域を備え、
前記複数のスリット状のＮ型カソード領域は素子表面に
多段の同心円に放射状に配されて各々にカソード金属電
極が形成され、前記アノード領域にはアノード金属電極
が形成され、前記ゲート領域には外部端子に接続するた
めの集電電極が形成され、それぞれの電極は圧接により
外部端子に圧接され、かつ前記カソード電極および前記
アノード電極は熱ストレス緩和のために熱緩衝板を介し
て圧接される圧接型バッケージ構造で素子のカソード部
の中心部と外周部の中間部にリング状のゲート集電電極
を設けた中間ゲート構造の静電誘導サイリスタにおい
て、前記リング状のゲート集電電極に圧接されるリング
状のゲートポストの一部は切り欠かれており、かつ前記
リング状のゲート集電電極の内周側のカソード電極に圧
接される熱緩衝板と外周側のカソード電極に圧接される
熱緩衝板とは前記ゲートポストの切り欠き部に対応する
位置で接続されて一体化されてなるものである。

【００１７】カソード熱緩衝板の接続部直下の部分の半
導体基板にはカソード領域およびカソード電極を形成す
るとよい。

【００１８】カソード熱緩衝板の接続部にも外部端子で
あるカソードポストが圧接される構造とするとよい。

【００１９】ゲートポストには切欠部の代わりに、前記
カソード熱緩衝板の接続部に接触しない程度の溝を形成
するとよい。

【００２０】ゲートポストに溝を複数形成し、２つのカ
ソード熱緩衝板が接続される接続部を前記溝に対応する
複数個所に設けるとよい。

【００２１】複数のリング状のゲート集電電極およびゲ
ートポストを設け、それらにより分割されるカソード熱
緩衝板を同様に設けられた接続部で一体化するとよい。

【００２２】この場合、ゲートポストに形成した溝は他
のゲートポストに形成した溝と放射位置において同一方
向とならないようにするとよい。

【００２３】また、複数のゲートポストは、接続部で一
体化し、かつゲートポスト接続部に対応するカソード熱
緩衝板に割り欠き部を設けてもよい。

【００２４】

【発明の実施の形態】本発明は、静電誘導サイリスタ
（ＳＩＴｈ）の大容量素子に適した中間ゲート構造のも
のにおいて、ゲートポストリングの一部に切り欠きを成
形することで、ゲートポストリングの内周側のカソード
電極用熱緩衝板と外周側のカソード電極用熱緩衝板とを
切り欠き部で繋ぐことにより分割を防ぐようにしたもの
である。

【００２５】実施の形態１ 図１にＳＩＴｈの中間ゲートポストリング（リング状ゲ
ートポスト）９ｃ及び一体化したカソード電極用熱緩衝
板８ａｂを示す。中間ゲートポストリング９ｃのリング
の一部に切欠部ｓが設けられ、カソード電極用熱緩衝板
８ａｂは内，外周側の熱緩衝板８ａ，８ｂを接続部ｊで
接続した形状の一枚の部品で構成されている。

【００２６】ここで、圧接時にゲート・カソードが短絡
しないように切欠部ｓと接続部ｊの位置が合っているこ
とは言うまでもない。カソード電極用熱緩衝板８ａｂの
作製は例えば、一枚の板から打ち抜き法により図のよう
な形に打ち抜き、その後両面を研磨して均一な厚みに仕
上げることで実現できる。カソード電極用熱緩衝板の位
置だしと位置決めは熱緩衝板８ａ，８ｂが分離されてい
ないので従来どおり外周部のみで可能である。また、分
離されていないので厚みも均一である。

【００２７】接続部ｊの部分の直下の半導体部にカソー
ド電極を形成すれば、カソード有効面積を増加させるこ
ともできる。ただし、この場合は銅ポスト１４（図１
６）が接続部ｊにも圧接されるようになっていなくては
ならない。

【００２８】実施の形態２ 図２にＳＩＴｈの中間ゲートポストリング９ｃ及び一体
化したカソード電極用熱緩衝板８ａｂを示す。図１の中
間ゲートポストリング９ｃのように切欠部ｓを設けた場
合、ゲートポストリングにねじれ変形が起きてゲート圧
接が不均になる恐れがある。

【００２９】この実施の形態２は、図１の切欠部ｓによ
ってゲートポストリング９ｃが切断されないように浅い
溝ｄに置き換えたものである。溝ｄの深さは図１と同様
に構成されたカソード電極用熱緩衝板８の接続部ｊとゲ
ートポストリングが接触しない程度あれば良い。（厳密
にはゲート・カソード間にかけられるバイアスにより放
電しない程度の距離が更に必要である。） 実施の形態３ 図３にＳＩＴｈの中間ゲートポストリング９ｃ及び一体
化したカソード電極用熱緩衝板８ａｂを示す。図１のカ
ソード電極用熱緩衝板８ａｂは接続部ｊに素子組み立て
中に発生する応力で変形する恐れがある。実施の形態２
はこの変形を防止するため接続部ｊを２箇所設けると共
に、カソードポストリング９ｃの溝ｄを２箇所の接続部
ｊに対応させて２箇所形成する。図は接続部ｊを２箇所
設けた例であるが、それ以上の数の接続部を設けること
ができる。その場合、カソードポストリング９ｃの溝ｄ
も各接続部ｊに対応して設ける。

【００３０】実施の形態４ 図４に複数中間ゲート構造のＳＩＴｈを、図５にその中
間ポストリング９ｃ，９ｄ及び一体化したカソード電極
用熱緩衝板８ａｂｃを示す。なお、図４中従来図１４に
示したものと同一構成部分には同一符号を付してある。

【００３１】複数中間ゲート構造の場合、図５に示すよ
うに、中間ゲートポストリング９ｃ，９ｄに複数の浅い
溝ｄ又は切欠部を形成する。これにより熱緩衝板８ａ，
８ｂ，８ｃを複数の接続部ｊ１，ｊ２で接続した形に一
体化したカソード電極用熱緩衝板８ａｂｃとすることが
できる。この場合、ゲートポストリング９ｃ，９ｄの複
数の浅い溝ｄ又は切欠部は複数の接続部ｊ１，ｊ２に対
応して設ける。

【００３２】実施の形態５ 図６にＳＩＴｈの中間ゲートポストリング９ｃ，９ｄ及
び一体化しカソード電極用熱緩衝板８ａｂｃを示す。中
間ゲートポストリング９ｃ及び９ｄはそれぞれに設けた
溝ｄが互いに重ならないように互いにずらすと共に、カ
ソード電極用熱緩衝板８ａｂｃの連結部ｊ１，ｊ２をゲ
ートポストポストリング９ｃ，９ｄの溝ｄに対応する位
置に設ける。溝ｄを設けた部分の直下の半導体部分は外
部ゲート電極に接続されないので、その部分付近は他の
同心円部分と比較して局部的にゲート引き出し抵抗が大
きくなる。それで、複数の中間ゲートポストリングの溝
の位置を互いにずらすことによって、局部的なゲート引
き出し抵抗増大の効果を分散緩和することができる。

【００３３】実施の形態６ 図７にＳＩＴｈの一体化した中間ゲートポストリング９
ｃｄ及びカソード電極用熱緩衝板８ａｂｃを示す。中間
ゲートポストリング９ｃｄはゲートポストリング９ｃ，
９ｄが接続部ｈで接続された一体化構造とし、カソード
電極用熱緩衝板８ａｂｃは熱緩衝板８ａ，８ｂ，８ｃが
複数の接続部ｊ１，ｊ２で接続されると共に板８ｂに割
り欠き部ｇを設けた一体化構造としたものである。

【００３４】この構造により中間ゲートポストリング９
ｃ，９ｄを一体化することができる。熱緩衝板の割り欠
き部ｇはゲートポストリング接続部ｋの下部に溝を設け
ておけば必ずしも必要ではない。

【００３５】実施の形態７ 図８に集電電極部、ゲート部形成領域等を示す。中間ゲ
ート構造のＳＩＴｈにおいて、一体化したカソード電極
用熱緩衝板を用いた場合、中間ゲートポストリングに施
した溝又は切り欠きにより、図８に示すように、ゲート
ポストリング部形成領域ロ，ロ′にゲート引き出し抵抗
が増大する部分ニが生ずるので、この部分ニにカソード
領域を設けないようにした。

【００３６】これにより素子のターンオフ時における上
記部分ニへの電流集中を防ぐことができる。この部分ニ
に、カソード電極用熱緩衝板と接触子ないようにしてゲ
ート層及びゲート電極を設ければ、更に素子の特性の改
善が期待できる。

【００３７】実施の形態８ 図９に中間ゲート構造とセンタゲート構造を組み合わせ
た構造のＳＩＴｈを、図１０にそのセンタゲートポスト
９ａ、中間ゲートポストリング９ｃ及び一体化構造のカ
ソード電極用熱緩衝板８ａｂを示す。この場合、熱緩衝
板８ａｂの中心にセンタゲートポスト９ａ用の孔ｈを設
け、その他は、図１の場合と同様に構成する。

【００３８】実施の形態９ 図１１に中間ゲート構造と外周ゲート構造を組み合わせ
た構造のＳＩＴｈを示す。この場合、熱緩衝板８ａｂ及
び中間ゲートポストリング９ｃは図１の場合と同様に構
成し、熱緩衝板８ａｂの外側に外周ゲートポストリング
９ｂを同心的に配置する。

【００３９】以上、本発明の実施の形態を示したが、こ
れらの例は同様の圧接電極構造をもつ他の電力用半導体
素子、例えば、ゲートターンオフサイリスタやＩＧＢＴ
（絶縁ゲート形バイポーラトランジスタ）にも適用でき
る。

【００４０】

【発明の効果】本発明は、上述のとおり構成されている
ので、以下の効果を奏する。

【００４１】（１）大容量素子に適した中間ゲート構造
を採用した場合でもカソード電極用熱緩衝板が分割され
ていないので、中間ゲートより内周側の熱緩衝板の位置
だしと位置決めを行う必要がない。

【００４２】（２）中間ゲートの内周側と内側のカソー
ド電極用熱緩衝板の厚みが容易に厳密に等しくすること
ができる。

【００４３】（３）以上により、より大容量の静電誘導
サイリスタが実現できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施の形態１を示す要部分解斜視図。

【図２】実施の形態２を示す要部分解斜視図。

【図３】実施の形態３を示す要部分解斜視図。

【図４】実施の形態４にかかる複数中間ゲート構造のＳ
ＩＴｈを示す側断面図。

【図５】実施の形態４を示す要部分解斜視図。

【図６】実施の形態５を示す要部分解斜視図。

【図７】実施の形態６を示す要部分解斜視図。

【図８】実施の形態７にかかるカソード領域の説明図。

【図９】実施の形態８にかかる中間ゲート構造とセンタ
ゲート構造の組み合わせ構造のＳＩＴｈを示す側断面
図。

【図１０】実施の形態８を示す要部分解斜視図。

【図１１】実施の形態９にかかる中間ゲート構造と外周
ゲートの組み合わせ構造のＳＩＴｈを示す側断面図。

【図１２】要部断面図及び平面図。

【図１３】カソードスリット配置図。

【図１４】センターゲート構造説明図。

【図１５】外周ゲート構造説明図。

【図１６】中間ゲート構造説明図。

【図１７】従来例にかかるゲートポート及び熱緩衝板の
構造説明図。

【符号の説明】

１…カソード金属電極 ２…ゲート金属電極 ３…カソード層 ４…ゲート層 ５…半導体基板であるペース層 ６…アノード層 ７…アノード金属電極 ８…シリコンと熱膨張係数がほぼ等しい金属材料からな
るカソード電極に圧接される熱緩衝板 ９…アルミニゥムや銀等の導電性材質からなり、ゲート
集電電極に圧接されるゲートポスト １０…絶縁物 １１…さらバネ １２…ゲートリード線を通すために銅ポストに設けられ
た切り欠き溝。 １３…ゲートポストに溶接またはろう付けされたゲート
リード線 １４…カソード電極に加圧接触させられる他方の主電極
導電体である銅ポスト。 １５…セラミック等の材質からなる絶縁筒体 １６…コバール等の材質からなるシール部 １７〜２０…鉄・ニッケル合金等の材質からなるドーナ
ツ状金属板 ２１…アノード電極に加圧接触させられる一方の主電極
導電体である銅ポスト。 ２２…シリコンと熱膨張係数がほぼ等しい金属材料から
なる円板のアノード電極に圧接される緩衝板。 ２３…アルミニゥム蒸着層またはスパッタ層からなり、
シリコンウエハの一方の主面に形成されたアノード電
極。 ２４…高耐電圧をもたせるための半導体基体の端面を保
護するシリコンゴム等からなる絶縁物。 ２５…静電誘導サイリスタ構造を有する半導体基体であ
るシリコンウエハ。 ２６…アルミニゥム蒸着層またはスパッタ層からなり、
シリコンウエハの他方の主面に多数のスリット状に形成
された他方の主電極であるカソード電極。 ２７…アルミニゥム蒸着層またはスパッタ層からなり、
スリット状に形成された主電極を取り囲むように形成さ
れているゲート電極の特に外部電極に接続される集電電
極部。 ｄ…浅い溝 ｇ…割り欠き部 ｈ…孔 ｊ…接続部 ｓ…切欠部 イ…外部電極が接続されるゲート電極の集電電極部。 ロ…各々のカソード部を取り囲むようにゲート部が形成
されているゲート部形成領域。 ハ…半導体基体に耐電圧を持たせるために設けられた端
面処理部。 ニ…ゲート電極部

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 Ｎ型半導体基板の一方の主面に複数のス
   リット状のＮ型カソード領域を、他方の主面にＰ型アノ
   ード領域をそれぞれ備え、前記カソード領域とアノード
   領域との間に電流経路となるＮ型高比抵抗領域を備え、
   電流のオン，オフの制御を行うためのＰ型ゲート領域を
   備え、前記複数のスリット状のＮ型カソード領域は素子
   表面に多段の同心円に放射状に配されて各々にカソード
   金属電極が形成され、前記アノード領域にはアノード金
   属電極が形成され、前記ゲート領域には外部端子に接続
   するための集電電極が形成され、それぞれの電極は圧接
   により外部端子に圧接され、かつ前記カソード電極およ
   び前記アノード電極は熱ストレス緩和のために熱緩衝板
   を介して圧接される圧接型バッケージ構造で素子のカソ
   ード部の中心部と外周部の中間部にリング状のゲート集
   電電極を設けた中間ゲート構造の静電誘導サイリスタに
   おいて、 前記リング状のゲート集電電極に圧接されるリング状の
   ゲートポストの一部は切り欠かれており、かつ前記リン
   グ状のゲート集電電極の内周側のカソード電極に圧接さ
   れる熱緩衝板と外周側のカソード電極に圧接される熱緩
   衝板とは前記ゲートポストの切欠部に対応する位置で接
   続されて一体化されていることを特徴とする静電誘導サ
   イリスタ。
2. 【請求項２】 請求項１において、前記カソード熱緩衝
   板の接続部直下の部分の半導体基板にカソード領域およ
   びカソード電極が形成されていることを特徴とする静電
   誘導サイリスタ。
3. 【請求項３】 請求項２において、前記カソード熱緩衝
   板の接続部にも外部端子であるカソードポストが圧接さ
   れることを特徴とする静電誘導サイリスタ。
4. 【請求項４】 請求項１において、ゲートポストに切欠
   部の代わりに、前記カソード熱緩衝板の接続部に接触し
   ない程度の溝を形成されていることを特徴とする静電誘
   導サイリスタ。
5. 【請求項５】 請求項４において、溝は複数形成されて
   おり、それらの溝に対応する複数ケ所に設けられた接続
   部で前記２つのカソード熱緩衝板が接続されていること
   を特徴とする静電誘導サイリスタ。
6. 【請求項６】 請求項１ないし５のいずれか１つにおい
   て、複数のリング状のゲート集電電極およびゲートポス
   トを具備し、それらにより分割されるカソード熱緩衝板
   が同様に設けられた接続部により一体化されることを特
   徴とする静電誘導サイリスタ。
7. 【請求項７】 請求項６において、ゲートポストに形成
   された溝は他のゲートポストに形成された溝と放射位置
   において同一方向とならないようにしたことを特徴とす
   る静電誘導サイリスタ。
8. 【請求項８】 請求項６又は７において、、複数のゲー
   トポストは接続部で一体化され、かつゲートポスト接続
   部に対応するカソード熱緩衝板に割り欠き部が設けられ
   ていることを特徴とする静電誘導サイリスタ。