DE102012206407A1 - Druckkontaktanordnung und verfahren zur herstellung einer druckkontaktanordnung - Google Patents
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Abstract
Die Erfindung betrifft eine Druckkontaktanordnung mit einer Druckkontakteinrichtung (1, 2, 3), sowie einer Anzahl von N ≥ 1 vertikalen ersten Halbleiterchips (4). Die Druckkontakteinrichtung (1, 2, 3) weist ein oberes Kontaktstück (1) und ein unteres Kontaktstück (2) auf. Ein jeder der ersten Halbleiterchips (4) besitzt eine Oberseite (47), eine der Oberseite (47) entgegengesetzte Unterseite (48), sowie eine umlaufend geschlossene Schmalseite (45), die sich an die Oberseite (47) und die Unterseite (48) anschließt und diese miteinander verbindet. Außerdem weist ein jeder der ersten Halbleiterchips (4) eine an der Oberseite (47) angeordnete, obere elektrische Kontaktfläche (41) sowie eine an der Unterseite (48) angeordnete untere elektrische Kontaktfläche (42) auf. Ein jeder der ersten Halbleiterchips (4) ist von einer umlaufend geschlossenen Kleberaupe (6) umgeben und durch diese an der Druckkontakteinrichtung (1, 2, 3) befestigt. Zwischen der Kleberaupe (6) und der Schmalseite (45) besteht dabei jeweils eine umlaufend geschlossene Kontaktfläche, die den betreffenden ersten Halbleiterchip (4) seitlich umgibt.
Description
- Die vorliegende Erfindung betrifft Druckkontaktanordnungen. Derartige Anordnungen werden häufig zur elektrischen Kontaktierung von großflächigen Halbleiterchips verwendet. Hierbei werden ein oder mehrere Halbleiterchips zwischen zwei Kontaktstücke eingespannt und dadurch elektrisch leitend druckkontaktiert. Während des Betriebs können an den Kontaktstücken sehr hohe Potentialdifferenzen, beispielsweise einige 1.000 Volt oder sogar mehr als 10.000 Volt, anliegen. Um aufgrund dieser hohen Potentialdifferenzen potentiell auftretende Spannungsüberschläge zu vermeiden, werden die manche Druckkontaktmodule mit einem inerten Gas gefüllt, was jedoch ein hermetisch gasdichtes Modulgehäuse voraussetzt. Das bedeutet jedoch sowohl für die Herstellung als auch für die Wartung eines solchen Moduls einen nicht unerheblichen Aufwand.
- Anstelle eines inerten Gases kann ein Druckkontaktmodul auch erst nach der Herstellung der elektrischen Druckkontakte mit einer elektrisch isolierenden Vergussmasse vergossen werden. Die hierzu üblicherweise verwendeten kommerziellen Vergussmassen enthalten jedoch meist Silikonöl, was mit dem Nachteil verbunden ist, dass das Öl im Lauf der Zeit zwischen die Kontaktflächen der Druckkontaktverbindung kriecht und dadurch den elektrischen Übergangswiderstand erhöht. Ein weiterer Nachteil resultiert daraus, dass die Halbleiterchips relativ zu den Kontaktstücken sehr präzise positioniert werden müssen. Deshalb werden die Halbleiterchips häufig ein Aussparungen von Positioniereinrichtungen, die bezüglich der Halbleiterchips nur geringen Toleranzen aufweisen dürfen. Das bedeutet, dass zwischen der Positioniereinrichtung und den Halbleiterchips Spalte mit sehr geringer Breite vorliegen, die sich beim Vergießen mit Vergussmasse nicht zuverlässig füllen lassen. Damit aber besteht ein hohes Risiko, dass bei dem vergossenen Modul Spannungsüberschläge auftreten, wodurch das bereits fertig gestellte Modul als Ganzes unbrauchbar wird.
- Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, eine Druckkontaktanordnung sowie ein Verfahren zur Herstellung und zum Betrieb einer Druckkontaktanordnung bereitzustellen, mit der bzw. mit dem sich eines oder mehrere der genannten Probleme vermeiden lassen. Diese Aufgabe wird durch eine Druckkontaktanordnung gemäß Patentanspruch 1, durch ein Verfahren zur Herstellung einer Druckkontaktanordnung gemäß Patentanspruch 14 sowie durch ein Verfahren zum Betrieb einer Druckkontaktanordnung gemäß Patentanspruch 15 gelöst. Ausgestaltungen und Weiterbildungen der Erfindung sind Gegenstand von Unteransprüchen.
- Gemäß einem Aspekt der Erfindung umfasst eine Druckkontaktanordnung eine Druckkontakteinrichtung sowie eine Anzahl von N ≥ 1 vertikalen ersten Halbleiterchips. So kann beispielsweise N = 1 oder N ≥ 2 sein. Die Druckkontakteinrichtung weist ein oberes Kontaktstück und ein unteres Kontaktstück auf. Ein jeder der ersten Halbleiterchips besitzt eine Oberseite, eine der Oberseite entgegengesetzte Unterseite, sowie eine umlaufend geschlossene Schmalseite, die sich an die Oberseite und die Unterseite anschließt und diese miteinander verbindet. Außerdem weist ein jeder der ersten Halbleiterchips eine an der Oberseite angeordnete, obere elektrische Kontaktfläche sowie eine an der Unterseite angeordnete untere elektrische Kontaktfläche auf. Ein jeder der ersten Halbleiterchips ist von einer umlaufend geschlossenen Kleberaupe umgeben und durch diese an der Druckkontakteinrichtung befestigt. Zwischen der Kleberaupe und der Schmalseite besteht dabei jeweils eine ringförmig geschlossene Verbindungsfläche, die den betreffenden ersten Halbleiterchip seitlich umgibt und an der die Kleberaupe stoffschlüssig mit der Schmalseite verbunden ist.
- Eine derartige Druckkontaktanordnung kann auf einfache Weise dadurch hergestellt werden, dass der oder die ersten Halbleiterchips zunächst mittels der jeweiligen umlaufend geschlossenen Kleberaupe an der Druckkontakteinrichtung befestigt werden und erst danach das obere Kontaktstück und das untere Kontaktstück derart gegeneinander gepresst werden, dass zwischen der oberen elektrischen Kontaktfläche eines jeden der ersten Halbleiterchips und dem oberen Kontaktstück eine elektrisch leitende Druckkontaktverbindung hergestellt wird und dass zwischen der unteren elektrischen Kontaktfläche eines jeden der ersten Halbleiterchips und dem unteren Kontaktstück eine elektrisch leitende Druckkontaktverbindung hergestellt wird.
- Durch die Verwendung der umlaufend geschlossenen Kleberaupe(n) werden bei einer Druckkontaktanordnung gemäß der vorliegenden Erfindung Spannungsüberschläge zuverlässig vermieden. Das bedeutet, dass eine Druckkontaktanordnung gemäß der vorliegenden Erfindung nicht oder nicht vollständig vergossen werden muss, dass also der zwischen dem oberen und dem unteren Kontaktstück befindliche Bereich weder mit einem inerten Gas geflutet noch mit einer Vergussmasse vergossen sein muss, und zwar auch dann nicht, wenn zwischen dem oberen und dem unteren Kontaktstück eine hohe Potentialdifferenz von beispielsweise mehr als 1.000 Volt oder mehr als 10.000 Volt anliegt. Vielmehr kann sich in dem Bereich zwischen dem oberen und unteren Kontaktstück ein Luftvolumen befinden.
- Die Erfindung wird nachfolgend anhand von Ausführungsbeispielen unter Bezugnahme auf die beigefügten Figuren erläutert. Es zeigen:
-
1 eine perspektivische Draufsicht auf die Oberseite eines Halbleiterchips; -
2 eine perspektivische Draufsicht auf die Oberseite eines weiteren Halbleiterchips; -
3 eine perspektivische Ansicht der Unterseite eines Halbleiterchips, wie sie die Halbleiterchips gemäß den1 und2 aufweisen können; -
4A eine Schnittansicht durch die Komponenten einer Druckkontaktanordnung, bei der mehrere Halbleiterchips mittels umlaufend geschlossener Kleberaupen in Aussparungen eines Halterahmens geklebt sind; -
4B eine Draufsicht auf den in4A gezeigten und mit Halbleiterchips bestückten Halterahmen; -
4C eine Schnittansicht gemäß4A bei, bei der das obere und untere Kontaktstück zur Ausbildung einer Druckkontaktanordnung gegeneinander gepresst sind; -
5A einen Querschnitt durch die Komponenten einer Druckkontaktanordnung, bei der mehrere Halbleiterchips mittels umlaufend geschlossener Kleberaupen an einem der Kontaktstücke montiert sind; -
5B eine Draufsicht auf das in5A gezeigte, mit Halbleiterchips bestückte Kontaktstück; -
5C eine Schnittansicht gemäß5A bei, bei der das obere und untere Kontaktstück zur Ausbildung einer Druckkontaktanordnung gegeneinander gepresst sind; -
6A einen Querschnitt durch die Komponenten einer Druckkontaktanordnung, bei der mehrere erste Halbleiterchips jeweils mit einer ringförmigen Kleberaupe an einem unteren Kontaktstück sowie mehrere zweite Halbleiterchips jeweils mittels einer umlaufenden Kleberaupe an einem oberen Kontaktstück befestigt sind; -
6B eine Schnittansicht gemäß6A bei, bei der das obere und untere Kontaktstück zur Ausbildung einer Druckkontaktanordnung gegeneinander gepresst sind; -
7 ein Schaltbild zu der in6 gezeigten Druckkontaktanordnung. -
1 zeigt eine perspektivische Ansicht eines ersten Halbleiterchips4 bzw. eines zweiten Halbleiterchips5 , wie sie bei den nachfolgend erläuterten Druckkontaktanordnungen verwendet werden können. In den1 bis3 beziehen sich die Bezugszeichen ohne Klammer auf die ersten Halbleiterchips4 , die Bezugszeichen mit Klammer auf die zweiten Halbleiterchips5 . Im Folgenden wird der Aufbau der ersten und zweiten Halbleiterchips4 ,5 beispielhaft anhand der ersten Halbleiterchips4 erläutert. Die zweiten Halbleiterchips5 können jedoch denselben Aufbau besitzen wie die ersten Halbleiterchips4 . - Der in
1 gezeigte Halbleiterchip4 weist eine Oberseite47 und eine der Oberseite entgegengesetzte Unterseite48 auf. Die Oberseite47 und die Unterseite48 sind durch die flächenmäßig größten Seiten des Halbleiterchips4 gegeben. An der Oberseite47 befindet sich eine obere elektrische Kontaktfläche41 . Der Halbleiterchip4 weist außerdem eine umlaufend geschlossene Schmalseite45 auf, welche die Oberseite47 und die Unterseite48 miteinander verbindet. - Gemäß einer alternativen, in
2 gezeigten Ausgestaltung eines ersten Halbleiterchips4 kann die Oberseite47 zusätzlich zu der oberen elektrischen Kontaktfläche41 noch eine optionale Steuerkontaktfläche43 aufweisen. Bei der Steuerkontaktfläche43 kann es sich beispielsweise um einen Gateanschluss oder um einen Basisanschluss handeln, der zur Steuerung des ersten Halbeiterchips4 dient. - Die Unterseiten
48 der in den1 und2 erläuterten ersten Halbleiterchips4 können, wie in3 gezeigt ist, eine untere elektrische Kontaktfläche42 aufweisen. Im Fall eines ersten Halbleiterchips4 , der gemäß den1 und3 aufgebaut ist, kann es sich bei diesem um eine Diode handeln, bei der die elektrischen Kontaktflächen41 und42 die Anoden- bzw. Kathodenanschlüsse oder die Kathoden- bzw. Anodenanschlüsse darstellen. - Falls der erste Halbleiterchip
4 gemäß den2 und3 ausgestaltet ist und demgemäß einen Steueranschluss43 aufweist, kann es sich bei dem ersten Halbleiterchip4 um ein beliebiges steuerbares vertikales Halbleiterbauelement handeln, z.B. um einen Transistor, insbesondere einen Feldeffekttransistor, einen IGBT, einen MOSFET, einen Sperrschicht-Feldeffekttransistor, oder um einen Thyristor. -
4A zeigt einen Querschnitt durch die Komponenten einer Druckkontaktanordnung unmittelbar vor der Herstellung des Druckkontaktes. Diese Komponenten umfassen eine Druckkontakteinrichtung mit einem oberen Kontaktstück1 und einem unteren Kontaktstück2 . Die Kontaktstücke1 und2 sind elektrisch gut leitend, sie können beispielsweise aus Kupfer, einer Kupferlegierung, Aluminium, einer Aluminiumlegierung, Molybdän oder einer Molybdänlegierung bestehen, oder derartige Metalle oder Legierungen aufweisen. Zwischen dem oberen Kontaktstück1 und dem unteren Kontaktstück2 sind beispielhaft vier erste Halbleiterchips4 angeordnet, welche jeweils eine obere elektrische Kontaktfläche41 und eine untere elektrische Kontaktfläche42 aufweisen. Die ersten Halbleiterchips4 können insbesondere einen Aufbau besitzen, wie er vorangehend unter Bezugnahme auf die1 bis3 erläutert wurde. - Das obere Kontaktstück
1 weist für einen jeden der Halbleiterchips4 einen optionalen, als Vorsprung ausgebildeten Kontaktstempel11 auf, der dazu dient, die obere elektrische Kontaktfläche41 des betreffenden ersten Halbleiterchips4 elektrisch zu kontaktieren.4 zeigt die Druckkontaktanordnung, bevor das obere Kontaktstück1 und das untere Kontaktstück2 zur Herstellung von Druckkontaktverbindungen zwischen dem oberen Kontaktstück1 und den oberen elektrischen Kontaktflächen41 sowie zwischen dem unteren Kontaktstück2 und den unteren elektrischen Kontaktflächen42 gegeneinander gepresst werden. - Um eine exakte Positionierung der ersten Halbleiterchips
4 zu ermöglichen, ist ein optionaler, elektrisch isolierender Halterahmen7 , z.B. aus Kunststoff oder Keramik, vorgesehen, der für jeden der ersten Halbleiterchips4 eine Aussparung71 aufweist, in die der betreffende erste Halbleiterchip4 mittels einer umlaufend geschlossenen Kleberaupe6 eingeklebt ist, so dass diese Aussparung71 durch den ersten Halbleiterchip4 und die Kleberaupe6 vollständig verschlossen ist. Da der Halterahmen7 und die Kleberaupen6 aus einem elektrisch isolierenden Material bestehen, sind die oberen elektrischen Kontaktflächen41 und die unteren elektrischen Kontaktflächen42 elektrisch zuverlässig voneinander entkoppelt, so dass Kriechströme und Spannungsüberschläge vermieden werden. Um Spannungsüberschläge zwischen dem ersten Kontaktstück1 und dem zweiten Kontaktstück2 zu vermeiden, sind zwischen diesen randseitig ein oder mehrere Isolatoren8 vorgesehen.4B zeigt eine Draufsicht auf den mit den ersten Halbleiterchips4 bestückten Halterahmen7 . In dieser Draufsicht ist der ringförmige Verlauf der Kleberaupen6 gut zu erkennen. - Da die Kleberaupen
6 außerdem aus einem elastischen Material bestehen und einen Spalt zwischen dem jeweiligen ersten Halbleiterchip4 und dem Halterahmen7 überbrücken, können die in die jeweilige Aussparung71 eingeklebten ersten Halbleiterchip4 nach oben oder unten ausgelenkt werden und sich dadurch exakt ausrichten, wenn das obere Kontaktstück1 zur Herstellung der Druckkontaktverbindungen in Richtung des unteren Kontaktstücks2 gepresst und der jeweilige erste Halbleiterchip4 dadurch druckkontaktiert wird. -
4C zeigt die in4A dargestellten Komponenten, nachdem das obere Kontaktstück1 und das untere Kontaktstück2 unter Einwirkung einer Kraft F zur Ausbildung einer Druckkontaktanordnung gegeneinander gepresst wurden. - Zur Herstellung der in
4C gezeigten Anordnung können zunächst die Aussparungen71 des Halterahmens7 mit jeweils einem ersten Halbleiterchip4 bestückt werden, indem jeder dieser ersten Halbleiterchips4 mittels einer separaten, umlaufend geschlossenen Kleberaupe6 in die betreffende Aussparung71 eingeklebt und die Aussparung71 dadurch vollständig verschlossen wird. Der Halterahmen7 , die in diesen eingeklebten ersten Halbleiterchips4 sowie die Kleberaupen6 bilden damit einen Verbund, der problemlos vorgefertigt und zwischen dem oberen Kontaktstück1 und dem unteren Kontaktstück2 positioniert werden kann. Nach dem Positionieren müssen lediglich das obere Kontaktstück1 und das untere Kontaktstück2 gegeneinander gepresst werden, so dass sich zwischen dem oberen Kontaktstück1 und den oberen elektrischen Kontaktflächen41 sowie zwischen dem unteren Kontaktstück2 und den unteren elektrischen Kontaktflächen42 elektrische Druckkontaktverbindungen ausbilden. Die zum Gegeneinanderpressen erforderliche Kraft kann z. B. bei der späteren Montage durch einen kaskadierten Spannverbund aufgebracht werden. - Gemäß einer weiteren, in
5A gezeigten Ausgestaltung sind beispielhaft vier erste Halbleiterchips4 jeweils mittels einer umlaufend geschlossenen Kleberaupe6 nebeneinander an das untere Kontaktstück2 geklebt. Zwischen keiner der unteren elektrischen Kontaktflächen42 und dem unteren Kontaktstück2 besteht dabei eine stoffschlüssige, elektrisch leitende Verbindung. - Da ein jeder der Halbleiterchips
4 mittels einer umlaufend ausgebildeten Kleberaupe6 an das untere Kontaktstück2 geklebt ist, werden die oberen elektrischen Kontaktflächen41 elektrisch gegenüber dem unteren Kontaktstück und damit gegenüber den unteren elektrischen Kontaktflächen42 hinreichend entkoppelt, so dass Spannungsüberschläge und Kriechströme zwischen den oberen elektrischen Kontaktflächen41 und den unteren elektrischen Kontaktflächen42 zuverlässig vermieden werden können.5B zeigt eine Draufsicht auf das mit den ersten Halbleiterchips4 vorbestückte untere Kontaktstück2 . - Wie weiterhin in
5C gezeigt ist, können das gemäß5B vorbestückte untere Kontaktstück2 und das obere Kontaktstück1 mittels einer Anpresskraft F gegeneinander gepresst werden, so dass zwischen dem oberen Kontaktstück und einer jeden der oberen elektrischen Kontaktflächen41 sowie zwischen dem unteren Kontaktstück2 und einer jeden der unteren elektrischen Kontaktflächen42 ein elektrisch leitender Druckkontakt ausgebildet wird. - Gemäß einem weiteren, in
6A gezeigten Beispiel können nach dem erfindungsgemäßen Prinzip auch zwei oder mehr Halbleiterchips elektrisch in Reihe geschaltet werden. Bei der Anordnung gemäß6 ist eine Anzahl erster Halbleiterchips4 mit Hilfe von jeweils einer ringförmigen Kleberaupe6 an dem unteren Kontaktstück2 befestigt, wie dies vorangehend unter Bezugnahme auf die5A und5B erläutert wurde. - Auf entsprechende Weise ist eine Anzahl zweiter Halbleiterchips
5 nebeneinander mit Hilfe jeweils einer umlaufend geschlossenen Kleberaupe6 an dem oberen Kontaktstück1 befestigt, so dass die oberen elektrischen Kontaktflächen51 der zweiten Halbleiterchips5 dem oberen Kontaktstück1 zugewandt sind. Demgemäß sind die unteren elektrischen Kontaktflächen52 der zweiten Halbleiterchips5 dem unteren Kontaktstück2 sowie der oberen elektrischen Kontaktfläche41 jeweils eines anderen der ersten Halbleiterchips4 zugewandt. - Zwischen den oberen elektrischen Kontaktflächen der ersten Halbleiterchips
4 und den unteren elektrischen Kontaktflächen52 der zweiten Halbleiterchips5 ist außerdem ein elektrisch leitendes Zwischenstück3 angeordnet, das so ausgebildet ist, dass es mit den oberen elektrischen Kontaktflächen41 der ersten Halbleiterchips4 und mit den unteren elektrischen Kontaktflächen52 der zweiten Halbleiterchips5 elektrisch leitende Druckkontaktverbindungen ausbilden kann, wenn das obere Kontaktstück1 und das untere Kontaktstück2 unter Einwirkung einer Anpresskraft F gegeneinander gepresst werden, was im Ergebnis in6B gezeigt ist. - Im aneinander gepressten Zustand sind die unteren elektrischen Kontaktflächen
42 der ersten Halbleiterchips4 durch das untere Kontaktstück2 und die oberen elektrischen Kontaktflächen51 der zweiten Halbleiterchips5 durch das obere Kontaktstück1 elektrisch leitend miteinander verbunden. Außerdem sind die oberen elektrischen Kontaktflächen41 der ersten Halbleiterchips4 und die unteren Kontaktflächen52 der zweiten Halbleiterchips5 durch das elektrisch leitende Zwischenstück3 elektrisch leitend miteinander verbunden. Auf diese Weise lässt sich beispielsweise eine Halbbrückenschaltung realisieren, wie sie in7 dargestellt ist. Hierbei weist ein jeder der ersten Halbleiterchips4 eine Laststrecke auf, die zwischen der oberen elektrischen Kontaktfläche41 und der unteren elektrischen Kontaktfläche42 ausgebildet ist und die mit Hilfe eines Steueranschlusses43 in den leitenden oder in den sperrenden Zustand versetzt werden kann. Entsprechend weist ein jeder der zweiten Halbleiterchips5 zwischen der oberen elektrischen Kontaktfläche51 und der unteren elektrischen Kontaktfläche52 eine Laststrecke auf, die mit Hilfe eines Steueranschlusses53 in den leitenden oder in den sperrenden Zustand versetzt werden kann. Um die Stromtragfähigkeit zu erhöhen, können bei Bedarf die Laststrecken von zwei oder mehr ersten Halbleiterchips elektrisch parallel geschaltet werden. Entsprechend können auch die Laststrecken von zwei oder mehr zweiten Halbleiterchips5 elektrisch parallel geschaltet werden. - Zur Realisierung der Parallelschaltung von zwei oder mehr ersten Halbleiterchips
4 werden deren obere elektrischen Kontaktflächen41 elektrisch leitend miteinander verbunden, was bei dem Beispiel gemäß den6A und6B mit Hilfe des elektrisch leitenden Zwischenstücks erfolgt. Außerdem werden die zweiten elektrischen Kontaktflächen42 elektrisch leitend miteinander verbunden, was bei dem Beispiel gemäß den6A und6B mit Hilfe des unteren Kontaktstücks2 erfolgt. - Zur Parallelschaltung von zwei oder mehr zweiten Halbleiterchips
5 werden deren erste elektrische Kontaktflächen51 elektrisch leitend miteinander verbunden, was bei dem Ausführungsbeispiel gemäß den6A und6B mit Hilfe des oberen Kontaktstücks1 erfolgt. Außerdem werden die unteren elektrischen Kontaktflächen52 elektrisch leitend miteinander verbunden, was bei dem Ausführungsbeispiel gemäß den6A und6B mit Hilfe des elektrisch leitenden Kontaktstücks3 geschieht. - Grundsätzlich ist es jedoch nicht erforderlich, zwei oder mehr erste Halbleiterchips
4 bzw. zwei oder mehr zweite Halbleiterchips5 jeweils elektrisch parallel zu schalten. So können beispielsweise auch nur genau ein erster Halbleiterchip und ein zweiter Halbleiterchip5 vorgesehen sein. - In jedem Fall sind bei einer derartigen Halbbrückenanordnung, wie sie beispielsweise in einem Umrichter eingesetzt werden kann, die Laststrecken sämtlicher erster Halbleiterchips
4 mit den Laststrecken sämtlicher zweiter Halbleiterchips5 in Reihe geschaltet. Hierzu kann der Halbbrückenschaltung eine Zwischenkreisspannung zugeführt werden, indem das obere Kontaktstück1 an ein erstes Versorgungspotential (DC+) und das untere Kontaktstück2 an ein vom ersten Versorgungspotential verschiedenes zweites Versorgungspotential (DC–) angeschlossen wird. Wenn sich die Laststrecken sämtlicher erster Halbleiterchips4 im Sperrzustand befinden und die Laststrecken von einem, mehreren oder allen zweiten Halbleiterchips5 leiten, liegt am Zwischenstück3 im Wesentlichen das Potential DC+ an. Wenn sich umgekehrt die Laststrecken sämtlicher zweiten Halbleiterchips5 im Sperrzustand befinden und die Laststrecken von einem, mehreren oder allen ersten Halbleiterchips4 leiten, so liegt an dem Zwischenstück3 im Wesentlichen das Versorgungspotential DC– an. Auf diese Weise kann durch geeignetes Umschalten der ersten und zweiten Halbleiterchips4 ,5 zwischen dem sperrenden bzw. leitenden Zustand das Zwischenstück3 abwechselnd mit unterschiedlichen Potentialen DC+ und DC– beaufschlagt werden, so dass an dem Zwischenstück3 ein Wechselpotential PH ~ abgegriffen werden kann. - Mit einer Druckkontaktanordnung gemäß der vorliegenden Erfindung kann der Abstand a (siehe z.B. die
4A ,4C ,5A ,5C ,6A und6B ) zwischen zwei benachbarten der ersten Halbleiterchips4 kleiner als z.B. 15 mm oder sogar kleiner als 10 mm gewählt werden, und zwar selbst dann, wenn die Druckkontaktanordnung bei einer Potentialdifferenz zwischen dem ersten Kontaktstück1 und dem zweiten Kontaktstück2 von mehr als 1000 V oder von mehr als 10000 V betrieben wird. - Durch die Elastizität der verwendeten Kleberaupen
6 können sich die ersten Halbleiterchips4 und die zweiten Halbleiterchips5 auch im bereits verklebten Zustand noch ausrichten, wenn das erste Kontaktstück1 und das zweite Kontaktstück2 zur Ausbildung von elektrischen Druckkontaktverbindungen gegeneinander gepresst werden. Daher kann eine jede der vorangehend erläuterten Kleberaupen6 nach ISO 37 eine Bruchdehnung von wenigstens 5%, von wenigstens 50%, oder von wenigstens 350% aufweisen. - ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
- Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
- Zitierte Nicht-Patentliteratur
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- ISO 37 [0043]
Claims (15)
- Druckkontaktanordnung mit einer Druckkontakteinrichtung (
1 ,2 ,3 ) und einer Anzahl von N ≥ 1 vertikalen ersten Halbleiterchips (4 ), wobei die Druckkontakteinrichtung (1 ,2 ,3 ) – ein oberes Kontaktstück (1 ) aufweist; sowie – ein unteres Kontaktstück (2 ); ein jeder der ersten Halbleiterchips (4 ) – eine Oberseite (47 ) aufweist, eine der Oberseite (47 ) entgegengesetzte Unterseite (48 ), sowie eine umlaufend geschlossene Schmalseite (45 ), die sich an die Oberseite (47 ) und die Unterseite (48 ) anschließt und diese verbindet, – eine an der Oberseite (47 ) angeordnete, obere elektrische Kontaktfläche (41 ) und eine an der Unterseite (48 ) angeordnete, untere elektrische Kontaktfläche (42 ) aufweist; – von einer umlaufend geschlossenen Kleberaupe (6 ) umgeben und durch diese an der Druckkontakteinrichtung (1 ,2 ,3 ) befestigt ist, wobei zwischen der Kleberaupe (6 ) und der Schmalseite (45 ) eine umlaufend geschlossene Verbindungsfläche besteht, die den ersten Halbleiterchip (4 ) seitlich umgibt. - Druckkontaktanordnung nach Anspruch 1, bei der das obere Kontaktstück (
1 ) für einen jeden der ersten Halbleiterchips (4 ) zur Druckkontaktierung von dessen oberer elektrischer Kontaktfläche (41 ) einen Kontaktstempel (11 ) aufweist. - Druckkontaktanordnung nach Anspruch 1 oder 2, bei der ein jeder der ersten Halbleiterchips (
4 ) mittels der ihn umlaufend umgebenden Kleberaupe (6 ) an dem unteren Kontaktstück (2 ) befestigt ist. - Druckkontaktanordnung nach Anspruch 1 oder 2, bei der die Druckkontakteinrichtung (
1 ,2 ,3 ) einen Halterahmen (7 ) umfasst, der für einen jeden der ersten Halbleiterchips (4 ) eine Aussparung (71 ) aufweist, in der der betreffende erste Halbleiterchip (4 ) angeordnet ist, wobei ein jeder der ersten Halbleiterchips (4 ) mittels der ihn umlaufend umgebenden Kleberaupe (6 ) an dem Halterahmen (7 ) befestigt ist. - Druckkontaktanordnung nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei der zwischen keiner der oberen elektrischen Kontaktflächen (
41 ) und dem oberen Kontaktstück (1 ) eine stoffschlüssige, elektrisch leitende Verbindung besteht. - Druckkontaktanordnung nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei der zwischen keiner der unteren elektrischen Kontaktflächen (
42 ) und dem unteren Kontaktstück (2 ) eine stoffschlüssige, elektrisch leitende Verbindung besteht. - Druckkontaktanordnung nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei der der Abstand (a) zwischen zwei benachbarten der ersten Halbleiterchips (
4 ) kleiner ist als 15 mm oder kleiner als 10 mm. - Druckkontaktanordnung nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei der zwischen dem oberen Kontaktstück (
1 ) und keiner der oberen elektrischen Kontaktflächen (41 ) der ersten Halbleiterchips (4 ) eine stoffschlüssige, elektrisch leitende Verbindung besteht; und/oder zwischen dem unteren Kontaktstück (2 ) und keiner der unteren elektrischen Kontaktflächen (52 ) der zweiten Halbleiterchips (5 ) eine stoffschlüssige, elektrisch leitende Verbindung besteht. - Druckkontaktanordnung nach einem der vorangehenden Ansprüche mit einer Anzahl von N vertikalen zweiten Halbleiterchips (
5 ), von denen ein jeder eine Oberseite (57 ) aufweist, sowie eine dieser Oberseite (57 ) entgegengesetzte Unterseite (58 ); eine an der Oberseite (57 ) angeordnete, obere elektrische Kontaktfläche (51 ) und eine an der Unterseite (58 ) angeordnete, untere elektrische Kontaktfläche (52 ) aufweist; und zwischen dem oberen Kontaktstück (1 ) und einem anderen der ersten Halbleiterchips (4 ) derart angeordnet ist, dass die obere elektrische Kontaktfläche (51 ) dieses zweiten Halbleiterchips (5 ) dem oberen Kontaktstück (1 ) und die untere elektrische Kontaktfläche (52 ) dieses zweiten Halbleiterchips (5 ) der oberen elektrischen Kontaktfläche (41 ) des anderen der ersten Halbleiterchips (4 ) zugewandt ist. - Druckkontaktanordnung nach Anspruch 9, bei der die Druckkontakteinrichtung (
1 ,2 ,3 ) ein elektrisch leitendes Zwischenstück (3 ) aufweist, das zwischen den oberen elektrischen Kontaktflächen (41 ) der ersten Halbleiterchips (4 ) und den unteren elektrischen Kontaktflächen (52 ) der zweiten Halbleiterchips (5 ) angeordnet ist; und mit den oberen elektrischen Kontaktflächen (41 ) der ersten Halbleiterchips (4 ) und den unteren elektrischen Kontaktflächen (52 ) der zweiten Halbleiterchips (5 ) elektrisch leitend verbunden ist. - Druckkontaktanordnung nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei der zwischen dem Zwischenstück (
3 ) und keiner der oberen elektrischen Kontaktflächen (41 ) der ersten Halbleiterchips (4 ) eine stoffschlüssige, elektrisch leitende Verbindung besteht; und/oder zwischen dem Zwischenstück (7 ) und keiner der unteren elektrischen Kontaktflächen (52 ) der zweiten Halbleiterchips (5 ) eine stoffschlüssige, elektrisch leitende Verbindung besteht. - Druckkontaktanordnung nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei der ein jeder der ersten Halbleiterchips (
4 ) zwischen dem oberen Kontaktstück (1 ) und dem unteren Kontaktstück (2 ) angeordnet ist, und bei der das obere Kontaktstück (1 ) und das untere Kontaktstück (2 ) gegeneinander gepresst sind, so dass zwischen der oberen elektrischen Kontaktfläche (41 ) eines jeden der ersten Halbleiterchips (4 ) und dem oberen Kontaktstück (1 ) eine elektrisch leitende Druckkontaktverbindung besteht; und zwischen der unteren elektrischen Kontaktfläche (42 ) eines jeden der ersten Halbleiterchips (4 ) und dem unteren Kontaktstück (2 ) eine elektrisch leitende Druckkontaktverbindung besteht. - Druckkontaktanordnung nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei der eine jede ringförmig geschlossene Kleberaupe (
6 ), mit denen einer der ersten Halbleiterchips (4 ) an der Druckkontakteinrichtung (1 ,2 ,3 ) befestigt ist, nach ISO 37 eine Bruchdehnung von wenigstens 5%, von wenigstens 50%, oder von wenigstens 350% aufweist. - Verfahren zur Herstellung einer gemäß einem der vorangehenden Ansprüche ausgebildeten Druckkontaktanordnung, bei dem die ersten Halbleiterchips (
4 ) zunächst mittels der jeweiligen umlaufend geschlossenen Kleberaupe (6 ) an der Druckkontakteinrichtung (1 ,2 ,3 ) befestigt werden und danach das obere Kontaktstück (1 ) und das untere Kontaktstück (2 ) derart gegeneinander gepresst werden, dass zwischen der oberen elektrischen Kontaktfläche (41 ) eines jeden der ersten Halbleiterchips (4 ) und dem oberen Kontaktstück (1 ) eine elektrisch leitende Druckkontaktverbindung hergestellt wird; und zwischen der unteren elektrischen Kontaktfläche (42 ) eines jeden der ersten Halbleiterchips (4 ) und dem unteren Kontaktstück (2 ) eine elektrisch leitende Druckkontaktverbindung hergestellt wird. - Verfahren zum Betrieb einer Druckkontaktanordnung mit folgenden Schritten: Bereitstellen einer gemäß einem der Ansprüche 1 bis 13 ausgebildeten Druckkontaktanordnung, bei der sich in einem Bereich zwischen dem ersten Kontaktstück (
1 ) und dem zweiten Kontaktstück (2 ); Anlegen einer Potentialdifferenz von mehr als 1000 V oder von mehr als 10000 V zwischen dem ersten Kontaktstück (1 ) und dem zweiten Kontaktstück (2 ).
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10930577B2 (en) | 2015-08-24 | 2021-02-23 | Robert Bosch Gmbh | Device for cooling electrical components |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3676308A (en) * | 1969-06-19 | 1972-07-11 | Udylite Corp | Electrolytic codeposition of polyvinylidene and copolymer particles with copper |
US4126883A (en) * | 1976-03-19 | 1978-11-21 | Siemens Aktiengesellschaft | Pressure-mounted semiconductive structure |
JPH04120772A (ja) * | 1990-09-11 | 1992-04-21 | Mitsubishi Electric Corp | 圧接型半導体装置 |
DE4442295A1 (de) * | 1993-11-29 | 1995-06-01 | Mitsubishi Electric Corp | Halbleitervorrichtung in Druckverbindungsausführung und Verfahren zu deren Herstellung |
EP0962973A1 (de) * | 1998-06-02 | 1999-12-08 | Fuji Electric Co., Ltd. | Mehrchip-Halbleiter-Leistungsbauelement vom Druckkontakttyp |
EP2278616A2 (de) * | 2009-07-22 | 2011-01-26 | SEMIKRON Elektronik GmbH & Co. KG | Leistungshalbleitermodul mit einem Sandwich mit einem Leistungshalbleiterbauelement |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4120772B2 (ja) | 2002-03-29 | 2008-07-16 | 日本精工株式会社 | ステアリング装置用自在継手 |
US7969015B2 (en) * | 2005-06-14 | 2011-06-28 | Cufer Asset Ltd. L.L.C. | Inverse chip connector |
DE102007054710B3 (de) * | 2007-11-16 | 2009-07-09 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterbaugruppe |
-
2012
- 2012-04-18 DE DE102012206407.9A patent/DE102012206407B4/de active Active
-
2013
- 2013-04-02 US US13/854,987 patent/US8933569B2/en active Active
- 2013-04-18 CN CN201310135374.XA patent/CN103378035B/zh active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3676308A (en) * | 1969-06-19 | 1972-07-11 | Udylite Corp | Electrolytic codeposition of polyvinylidene and copolymer particles with copper |
US4126883A (en) * | 1976-03-19 | 1978-11-21 | Siemens Aktiengesellschaft | Pressure-mounted semiconductive structure |
JPH04120772A (ja) * | 1990-09-11 | 1992-04-21 | Mitsubishi Electric Corp | 圧接型半導体装置 |
DE4442295A1 (de) * | 1993-11-29 | 1995-06-01 | Mitsubishi Electric Corp | Halbleitervorrichtung in Druckverbindungsausführung und Verfahren zu deren Herstellung |
EP0962973A1 (de) * | 1998-06-02 | 1999-12-08 | Fuji Electric Co., Ltd. | Mehrchip-Halbleiter-Leistungsbauelement vom Druckkontakttyp |
EP2278616A2 (de) * | 2009-07-22 | 2011-01-26 | SEMIKRON Elektronik GmbH & Co. KG | Leistungshalbleitermodul mit einem Sandwich mit einem Leistungshalbleiterbauelement |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
ISO 37 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10930577B2 (en) | 2015-08-24 | 2021-02-23 | Robert Bosch Gmbh | Device for cooling electrical components |
EP3341963B1 (de) * | 2015-08-24 | 2021-03-03 | Robert Bosch GmbH | Vorrichtung zur kühlung von elektrischen bauelementen |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8933569B2 (en) | 2015-01-13 |
DE102012206407B4 (de) | 2017-05-04 |
CN103378035A (zh) | 2013-10-30 |
US20130278326A1 (en) | 2013-10-24 |
CN103378035B (zh) | 2016-04-20 |
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