JPH0410638A - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は例えば数１０ＭＨｚ以上の高周波帯で動作す
る半導体集積回路等の微細な回路パタニンを必要とする
半導体装置に関するものである。

〔従来の技術〕

第３図は従来のマイクロ波帯トランジスタの斜視図、第
４図（ａ）は第３図のトランジスタの平面図である。図
において、（２）はゲート電極、（３）はドレイン電極
、（４）はソース電極、（５）は２つのソース電極（４
）間を接続する橋げた状交差配線（以下エアブリッジと
呼ぶ）である。

次に動作について説明する。マイクロ波帯の増幅器を例
にとった場合、ソース電極（４）を接地させてドレイン
電極（３）に正の電位を与える事により、両電極間に電
流を流す。ゲート電極（２）の電位を変化させてドレイ
ン電流を制御する事によりトランジスタを動作せる。

〔発明が解決しようとする課題〕

従来のマイクロ波帯トランジスタは以上のように構成さ
れていたので、第４図（ｂ）に示すようにゲート電極（
２）が断線した場合、あるいは第４図（Ｃ）に示すよう
にゲート電極（２）とソース電極（４）やドレイン電極
（３）が、直接接触した場合には正常な動作を行えない
。しかしながら従来のエアブリッジを有するトランジス
タでは、ゲート電極の上部にＡｕめっき等の手段で形成
されたエアブリッジが存在するため、上方からの光学的
（肉視）検査をゲート電極（２）に対して実施できず、
例えば衛星搭載用ＩＣ等の高信頼性を要求されるＩＣへ
の適用が困難であるという問照点があった。

この発明は上記のような問題点を解決するためになされ
たもので、実際に使用する前に光学的（肉視）検査をゲ
ート電極に対して実施ができる半導体装置を得ることを
目的とする。

（課題を解決するための手段） この発明に係る半導体装置は、導電性を有する透明材料
（例えばインジウム・すず酸化物）を用いてエアブリッ
ジを構成したものである。

〔作用〕

この発明におけるエアブリッジは、透明な材料を用いて
構成したので、上方よりゲート電極の光学的検査を目視
によって実施する事ができる。

〔実施例〕

以下、この発明の一実施例を図について説明する。

第１図はこの発明の一実施例であるマイクロ波帯トラン
ジスタの斜視図である。図において、（１）は導電性透
明材料を用いたエアブリッジである。

次に動作について説明する。第２図は本発明の一実施例
であるマイクロ波帯トランジスタを上方より光学的に検
査している状態を示す斜視図である。例えば、エアブリ
ッジ（１）がインジウム・すず酸化物の場合、光の透過
率は８０〜９０％／　１５００人であり、エアブリッジ
（１）直下部分のゲート電極に断線等の異常があった場
合、容易にこれを目視によって発見することが可能であ
る。また、抵抗率は１０−３Ω−ｃｍ程度であり、トラ
ンジスタの電気的特性に与える影響はほとんどない。

なお、上記実施例ではソース電極（４）同志をエアブリ
ッジ（１）を用いて接続している場合を示したが、ドレ
イン電極（３）同志あるいはゲート電極（２）同志をエ
アブリッジを用いて接続してもよく、上記実施例と同様
の効果を奏する。

〔発明の効果〕

以上のようにこの発明によれば、透明な材料（例えばイ
ンジウム・すず酸化物など）を用いてエアブリッジを構
成したので、上方よりゲート電極の光学的検査を実施す
る事が可能となり、高僧顕性を要求される用途の使用が
可能となるという効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明のマイクロ波帯トランジスタの一実施
例を示す斜視図、第２図は第１図のマイクロ波帯トラン
ジスタの上方よりゲート電極の光学的検査を実施してい
る状態を示す斜視図、第３図は従来のマイクロ波帯トラ
ンジスタの斜視図、第４図（ａ）は第３図のトランジス
タの平面図、第４図（ｂ）はゲート電極が断線している
状態のトランジスタを示す平面図、第４図（ｅ）はゲー
ト電極とソース電極、ドレイン電極が接触している状態
のトランジスタを示す平面図である。 図において、（１）はエアブリッジ、（２）はゲート電
極、（３）はドレイン電極、（４）はソース電極を示す
。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　複数の電極間を電気的に接続する橋げた状交差配線を
   有し、この橋げた状交差配線が導電性を有する透明材料
   を用いて構成された事を特徴とする半導体装置。