JPH0391936A - セラミックパッケージ - Google Patents
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- JPH0391936A JPH0391936A JP1228691A JP22869189A JPH0391936A JP H0391936 A JPH0391936 A JP H0391936A JP 1228691 A JP1228691 A JP 1228691A JP 22869189 A JP22869189 A JP 22869189A JP H0391936 A JPH0391936 A JP H0391936A
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- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 24
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims abstract description 127
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 114
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 55
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims abstract description 37
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims abstract description 37
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 36
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 32
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 32
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims abstract description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 6
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 21
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 10
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 10
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 abstract description 10
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 abstract description 10
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 6
- 239000010953 base metal Substances 0.000 abstract description 3
- 230000002950 deficient Effects 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 22
- 238000002845 discoloration Methods 0.000 description 10
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 9
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 6
- 229910000531 Co alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910017709 Ni Co Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910003267 Ni-Co Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910003262 Ni‐Co Inorganic materials 0.000 description 5
- QXZUUHYBWMWJHK-UHFFFAOYSA-N [Co].[Ni] Chemical compound [Co].[Ni] QXZUUHYBWMWJHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 5
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 5
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 4
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000010828 elution Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 229910000676 Si alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OFLYIWITHZJFLS-UHFFFAOYSA-N [Si].[Au] Chemical compound [Si].[Au] OFLYIWITHZJFLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
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- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
- H01L23/49866—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers characterised by the materials
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- Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
- Y10T428/12535—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.] with additional, spatially distinct nonmetal component
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- Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
- Y10T428/12535—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.] with additional, spatially distinct nonmetal component
- Y10T428/12556—Organic component
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
- Y10T428/12771—Transition metal-base component
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- Y10T428/12861—Group VIII or IB metal-base component
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利川分野)
本発明はセラミックパッケージに関し,より詳細にはセ
ラミック基体」二に設ける金属層の下地めっきの改良に
関する。
ラミック基体」二に設ける金属層の下地めっきの改良に
関する。
(従来の技術)
半導体装置に用いられるセラミックパッケージは、セラ
ミック基体のダイボンディング部あるいはワイヤボンデ
ィング部等に金属層が被着されて提D(される。前記金
属層はセラミック基板にタングステンメタライズ等によ
ってメタライズ層を形成した後、通常はニッケルめっき
を施し、リードをろう付けした後,表面処理として下層
にニッケルめっき、さらにその上層に金めつきを施して
形成される。前記メタライズ層上のニッケルめっきは好
適なろう付け性を得るためであり、ろう付け後のニッケ
ルめっき及び金めつきはめっき部分の好適なボンディン
グ性や耐環境性等を得るためである。
ミック基体のダイボンディング部あるいはワイヤボンデ
ィング部等に金属層が被着されて提D(される。前記金
属層はセラミック基板にタングステンメタライズ等によ
ってメタライズ層を形成した後、通常はニッケルめっき
を施し、リードをろう付けした後,表面処理として下層
にニッケルめっき、さらにその上層に金めつきを施して
形成される。前記メタライズ層上のニッケルめっきは好
適なろう付け性を得るためであり、ろう付け後のニッケ
ルめっき及び金めつきはめっき部分の好適なボンディン
グ性や耐環境性等を得るためである。
セラミックパッケージは一般に,高信頼性を有するパッ
ケージとして用いられているが、上記のニッケルめっき
を下地めっきとしたセラミックパッケージは、ダイボン
ディングした後のエイジング処理の際に半導体チップが
剥離したり、加熱によってニッケルが金めつき表面まで
拡散し金めつき表面が変色したりするという問題点があ
り,また近時においては、厳しい条件下で使用される場
合等があることから上記特性およびはんだ付け性等につ
いても一層高度の規格条件が要求されるようになってき
た。
ケージとして用いられているが、上記のニッケルめっき
を下地めっきとしたセラミックパッケージは、ダイボン
ディングした後のエイジング処理の際に半導体チップが
剥離したり、加熱によってニッケルが金めつき表面まで
拡散し金めつき表面が変色したりするという問題点があ
り,また近時においては、厳しい条件下で使用される場
合等があることから上記特性およびはんだ付け性等につ
いても一層高度の規格条件が要求されるようになってき
た。
中でも、金属層部分の耐湿性の問題が重要視されており
、高度の耐湿性を有するセラミックパッケージが要求さ
れている。加湿下において金ryCKtiに錆等が発生
すると導体パターン間で短絡不良等が発生し、機能が発
揮できなくなるからである。
、高度の耐湿性を有するセラミックパッケージが要求さ
れている。加湿下において金ryCKtiに錆等が発生
すると導体パターン間で短絡不良等が発生し、機能が発
揮できなくなるからである。
(発明が解決しようとする課題)
上記のようなニッケルめっきを下地めっきとした場合の
問題点を解決するものとして、下地めっきとしてコバル
l一めっきを施すもの(特開昭59−155950号公
報)、コバル1〜とニッケルとの合金めっきを施すもの
(特公昭6:l−3036号公報)、コバル1−、硫黄
,ニッケル合金を施すもの(特開昭63−83291号
公報)等が提案されている。
問題点を解決するものとして、下地めっきとしてコバル
l一めっきを施すもの(特開昭59−155950号公
報)、コバル1〜とニッケルとの合金めっきを施すもの
(特公昭6:l−3036号公報)、コバル1−、硫黄
,ニッケル合金を施すもの(特開昭63−83291号
公報)等が提案されている。
しかしながら、コバルトめっきを下地として用いた場合
はコバル1−が酸化しやすく耐蝕性に劣り,また酎熱変
色性が劣るという問題点がある。
はコバル1−が酸化しやすく耐蝕性に劣り,また酎熱変
色性が劣るという問題点がある。
ニッケルーコバルト合金を下地めっきとしたものでは、
コバルトの共析比率が小さい場合にはダイボンディング
性や金めつき皮膜の耐熱変色性に劣り,コバルトの共析
比串が大きい場合には、耐熱変色性及び耐蝕性が劣ると
いう問題点があきらかになった。
コバルトの共析比率が小さい場合にはダイボンディング
性や金めつき皮膜の耐熱変色性に劣り,コバルトの共析
比串が大きい場合には、耐熱変色性及び耐蝕性が劣ると
いう問題点があきらかになった。
また、ニッケルーコバル1〜合企めつきでは,めっき浴
の均一電着性やつきまわり性がニッケルやコバルトをj
p.独でめっきするめっき浴とくらべて劣ること、一定
の組戊および特性を有するめっき皮膜を安定して得るた
めのめっき浴の管理が非常に困難であることという製造
上の問題点がある。
の均一電着性やつきまわり性がニッケルやコバルトをj
p.独でめっきするめっき浴とくらべて劣ること、一定
の組戊および特性を有するめっき皮膜を安定して得るた
めのめっき浴の管理が非常に困難であることという製造
上の問題点がある。
そこで、本発明は−1二記問題点をM?1′1す人くな
されたものであり、そのIl的とするところは、加熱処
理や半導体チップ付け後のエイジング処理等によって変
色したりダイボンディング性等が低下することがなく、
また加湿条件下等においても錆不良が発生しない信頼性
のだかいセラミックパッケージを提供することにある。
されたものであり、そのIl的とするところは、加熱処
理や半導体チップ付け後のエイジング処理等によって変
色したりダイボンディング性等が低下することがなく、
また加湿条件下等においても錆不良が発生しない信頼性
のだかいセラミックパッケージを提供することにある。
(課題を解決するための手段)
本発明は上記目的を達成するため次の構成をそなえる。
すなわち、セラミックl1(体に設けられる金属層が、
コバルトめっき層の上層にニッケルめっき層が形或され
た2屑めっきをアニール処理することによって形成され
た金属周を有することを特徴とする。また、セラミック
J1(体に設ける金属層のうち少なくともダイボンディ
ング部またはワイヤボンディング部の金属層が,コバル
トめっき層の」二層にニッケルめっき層が形成された2
層めっきをアニール処理することによって形或された金
属層を下地めっきとする金めつき屑を有することを特徴
とする。
コバルトめっき層の上層にニッケルめっき層が形或され
た2屑めっきをアニール処理することによって形成され
た金属周を有することを特徴とする。また、セラミック
J1(体に設ける金属層のうち少なくともダイボンディ
ング部またはワイヤボンディング部の金属層が,コバル
トめっき層の」二層にニッケルめっき層が形成された2
層めっきをアニール処理することによって形或された金
属層を下地めっきとする金めつき屑を有することを特徴
とする。
(発明の概要)
本発明に係るセラミックパッケージは、ダイボンディン
グ部あるいはワイヤボンディング部、導体パターン部等
の企属層が、コバルトめっき層の上層にニッケルめっき
屑を施した2層めっきをア二−ル処理することによって
形成した金属層を有することを特徴とする。
グ部あるいはワイヤボンディング部、導体パターン部等
の企属層が、コバルトめっき層の上層にニッケルめっき
屑を施した2層めっきをア二−ル処理することによって
形成した金属層を有することを特徴とする。
上記の2欝めっきを施す場合は、まず、セラミックノ.
(体に形成したメタライズ層上にコバル1・めっきを施
し、次にニッケルめっきを施す。その後、真空、中性ま
たは還元性零四気中で400’C〜780℃,奸ましく
は700℃〜750℃でアニール処理を行い,さらに全
めっきを施す。
(体に形成したメタライズ層上にコバル1・めっきを施
し、次にニッケルめっきを施す。その後、真空、中性ま
たは還元性零四気中で400’C〜780℃,奸ましく
は700℃〜750℃でアニール処理を行い,さらに全
めっきを施す。
なお、リードを接続する場合は、ニッケルめっきを施し
たメタライズ屑に銀ろう等のろう材を用いてリードをろ
う付けした後、コバル]〜めっき」二にニッケルめっき
を施してアニール処理を行い、さらに金めつきを施す。
たメタライズ屑に銀ろう等のろう材を用いてリードをろ
う付けした後、コバル]〜めっき」二にニッケルめっき
を施してアニール処理を行い、さらに金めつきを施す。
」二記のように下地めっきとしてコバル1−とニッケル
を2屑に設けた後アニール処理を施した場介は、後述す
るように従来のニッケルめっきを下地としたもの、及び
ニッケルーコバル1〜合金めっきを下地としたものと比
べてきわめて良好な特性を得ることができた。
を2屑に設けた後アニール処理を施した場介は、後述す
るように従来のニッケルめっきを下地としたもの、及び
ニッケルーコバル1〜合金めっきを下地としたものと比
べてきわめて良好な特性を得ることができた。
このようにめっき屑を2屑とし、非酸化性雰1川気中で
アニール処理を行うことによって良好な特性を得ること
ができる理山としては、メタライズ金属とめっき金属と
の溶出電位差によってメタライズ金属のタングステンが
溶出しないことと、2層の下地めっきをアニール処理し
た際にコバルトがニッケルめっき層中に拡散することに
よるものと考えられる。
アニール処理を行うことによって良好な特性を得ること
ができる理山としては、メタライズ金属とめっき金属と
の溶出電位差によってメタライズ金属のタングステンが
溶出しないことと、2層の下地めっきをアニール処理し
た際にコバルトがニッケルめっき層中に拡散することに
よるものと考えられる。
すなわち、メタライズ肩で用いるタングステン,ろう材
で用いる銀、銅とめっき金属のコバルト、ニッケル、金
の仕2iL関数を比鮫ずると、以下のようになる。
で用いる銀、銅とめっき金属のコバルト、ニッケル、金
の仕2iL関数を比鮫ずると、以下のようになる。
Co:’1.25eV . W :4.35eV
Cu:4.48cV八g:4.70cV A
u:4.71cV Ni:4.91eVこれ
らの仕η(関数をみると、コバルトの債が最も小さく、
次いでタングステンであることがわかる。
Cu:4.48cV八g:4.70cV A
u:4.71cV Ni:4.91eVこれ
らの仕η(関数をみると、コバルトの債が最も小さく、
次いでタングステンであることがわかる。
従来のニッケルめっきを下地めっきとしたものの酎湿性
試験においては、前述したように金属層の界面に錆が発
生するが、錆の元素としてはタングステン、銀、銅が含
まれていた.これらはいずれもニッケルにくらべて仕事
関数が小さく、界面から溶出しやすい。従来例では,タ
ングステン等が溶出することによって錆が発生したと考
えられる。
試験においては、前述したように金属層の界面に錆が発
生するが、錆の元素としてはタングステン、銀、銅が含
まれていた.これらはいずれもニッケルにくらべて仕事
関数が小さく、界面から溶出しやすい。従来例では,タ
ングステン等が溶出することによって錆が発生したと考
えられる。
これに対し、本発明においては下地めっきとしてコバル
トめっきを施すから.コバルトの仕事関数がタングステ
ンよりも小さいことにより、界面においてタングステン
等の溶l1}を抑え錆発生を防止しているものと考えら
れる。コバルトとニッケルのめっき層を」二千逆に施し
た場合は、タングステンメタライズ屑の界面にニッケル
が存在することによってコバル]一が界面に存71ミす
る場合よりは溶出の抑制効果が減少する。
トめっきを施すから.コバルトの仕事関数がタングステ
ンよりも小さいことにより、界面においてタングステン
等の溶l1}を抑え錆発生を防止しているものと考えら
れる。コバルトとニッケルのめっき層を」二千逆に施し
た場合は、タングステンメタライズ屑の界面にニッケル
が存在することによってコバル]一が界面に存71ミす
る場合よりは溶出の抑制効果が減少する。
第1図は前記2屑めっきを施した後、アニール処理を施
し下地金属層断面のコバルトとニッケルの濃度プロフィ
ールを測定した結果である。コバル1〜めっき厚はIμ
m、ニッケルめっき厚は2μmである。測定結果は,下
層のコバルトの一部が上層のニッケル層中に拡散し、ニ
ッケル層中に拡故したコバルトはとくにニッケル層の表
面部分に局在していることを示す。第2図は比較例とし
てニッケルーコバルト合金めっきを下地めっきとしたも
のについて、めっき層断面のコバルトとニッケルの濃度
プロフィールを81リ定したものである。
し下地金属層断面のコバルトとニッケルの濃度プロフィ
ールを測定した結果である。コバル1〜めっき厚はIμ
m、ニッケルめっき厚は2μmである。測定結果は,下
層のコバルトの一部が上層のニッケル層中に拡散し、ニ
ッケル層中に拡故したコバルトはとくにニッケル層の表
面部分に局在していることを示す。第2図は比較例とし
てニッケルーコバルト合金めっきを下地めっきとしたも
のについて、めっき層断面のコバルトとニッケルの濃度
プロフィールを81リ定したものである。
この場合は、第1図に示すようなコバルトの局在はみら
れず、ニッケルおよびコバル1へはめっき府中で一様に
分布しているだけである。
れず、ニッケルおよびコバル1へはめっき府中で一様に
分布しているだけである。
上記のように,2屑めっきを施してアニール処理を施し
た場合は、ニッケル屑の表面に局在したコバルトが、金
めつき屑中ヘニッケルが拡散することを抑制し,半導体
チップが剥離したり金めつき皮膜が変色することを防止
する作用をなす。
た場合は、ニッケル屑の表面に局在したコバルトが、金
めつき屑中ヘニッケルが拡散することを抑制し,半導体
チップが剥離したり金めつき皮膜が変色することを防止
する作用をなす。
また、ニッケル層内部はニッケルの濃度が高いから、下
地自体の耐熱変色性等はニッケルによる寄与が大きく、
したがって下地めっきの耐熱性、耐蝕性等に優れること
となる。
地自体の耐熱変色性等はニッケルによる寄与が大きく、
したがって下地めっきの耐熱性、耐蝕性等に優れること
となる。
(実施例)
I.
以下のa−eの5′K1類の下地めっきを施したサンプ
ルについて耐湿性等の評価試験を行った。
ルについて耐湿性等の評価試験を行った。
a:Ni−Co合金めっき(Co含有率11X)b :
Ni/Coめっき(Coの厚さ0. 15〜0. 2
5 p m)c:Ni/Coめっき(Coの厚さ0.9
〜1.0 μm)d : Ni/Ni−Co合金めっ
き(N i − Co合金のCo含有量は82%で、全
体でCo含有量が20y.)e.旧 a.oはNi−Co介金あるいはニッケルの1−Fvi
めっき、bおよびCはニッケルとコバルトの2KF7め
っきでめっき厚比を変えたもの、dはコバル1−めっき
のかわりにニツケルーコバル1・合金めっきを施した2
屑めっきである。
Ni/Coめっき(Coの厚さ0. 15〜0. 2
5 p m)c:Ni/Coめっき(Coの厚さ0.9
〜1.0 μm)d : Ni/Ni−Co合金めっ
き(N i − Co合金のCo含有量は82%で、全
体でCo含有量が20y.)e.旧 a.oはNi−Co介金あるいはニッケルの1−Fvi
めっき、bおよびCはニッケルとコバルトの2KF7め
っきでめっき厚比を変えたもの、dはコバル1−めっき
のかわりにニツケルーコバル1・合金めっきを施した2
屑めっきである。
サンプルはセラミック栽体に設けたタングステンメタラ
イズ屑にコバルトめっきを施しさらにニッケルめっきを
施し、還元性零四気中でアニール処理した後金めっきを
施したものである。以下の試験ではそれぞれ5個のサン
プルに対して評価試験を行った。
イズ屑にコバルトめっきを施しさらにニッケルめっきを
施し、還元性零四気中でアニール処理した後金めっきを
施したものである。以下の試験ではそれぞれ5個のサン
プルに対して評価試験を行った。
■ワイヤボンディング性試験
各サンプルの金属層にワイヤボンディングを施し、2
0.0℃でエージング処理し,ワイヤを引っ張って剥離
が生じるかどうかを試験した。
0.0℃でエージング処理し,ワイヤを引っ張って剥離
が生じるかどうかを試験した。
表中の時間はエージング時間を示す。
である。
単位は時
測定した結果は,どのサンプルについてもワイヤボンデ
ィング性には問題がなかった。
ィング性には問題がなかった。
■ダイボンディング性試験
各サンプルに金一シリコン共品合金によって半導体チッ
プを接合し、300℃でエージング処理した後、半導体
チップに荷重をかけて剥離するかどうかを試験した。
プを接合し、300℃でエージング処理した後、半導体
チップに荷重をかけて剥離するかどうかを試験した。
表2(ダイボンディング性)
サンプルC(ニッケル下地めっき)はl00時間以上の
エージング処理で半導体チップの剥離が見られた。表中
の※記号は不良発生を示す。以下、同様である。
エージング処理で半導体チップの剥離が見られた。表中
の※記号は不良発生を示す。以下、同様である。
■耐熱性試験
大気中で450℃に加熱して5分経過後、10分経過後
で変色するかどうかを調べた。
で変色するかどうかを調べた。
各サンプルとも不適格のものはなかったが,サンプルa
(ニッケルーコバルト合金めっき)は他のサンプルと比
較してめっきの色調が全体的に赤褐色になった。
(ニッケルーコバルト合金めっき)は他のサンプルと比
較してめっきの色調が全体的に赤褐色になった。
■はんだ付け性試験
各サンプルを表中の時間スチームで加湿した後、はんだ
ディップによってはんだ付けを行い、はんだがきれいに
のるかどうか調べた。
ディップによってはんだ付けを行い、はんだがきれいに
のるかどうか調べた。
表4
(はんだ付け性)
とくに大きな差はみられなかったが、サンプルeの1個
のみはんだ付け性が不適格であった。
のみはんだ付け性が不適格であった。
■耐湿性試験
85℃、湿度85%の環境下にサンプルを保持して、各
金属層に腐食、錆等が生じるかどうかを調べた。
金属層に腐食、錆等が生じるかどうかを調べた。
表5(耐湿性)
表で晴間の単位は時である。サンプルbおよびCを除い
て、サンプルa.d.eに錆が生じた。
て、サンプルa.d.eに錆が生じた。
錆の発生率では、サンプルe(ニッケル下地)がもっと
も高く、サンプルa (ニッケルーコバルト合金下地)
、サンプルd (ニッケル/ニッケルーコバルト合金下
地)の順に低くなる。
も高く、サンプルa (ニッケルーコバルト合金下地)
、サンプルd (ニッケル/ニッケルーコバルト合金下
地)の順に低くなる。
上記実験結果は、すべての条件を完全にみたすものとし
てサンプルbおよびCがとくに優れていることを示して
いる。
てサンプルbおよびCがとくに優れていることを示して
いる。
なお、サンプルbおよびCのめっき層を上下逆に施した
場合、すなわち、メタライズ層の上にニッケルめっきを
施し、さらにコバルトめっきを施した場合は、上記サン
プルbおよびCと同様な特性は得られなかった。
場合、すなわち、メタライズ層の上にニッケルめっきを
施し、さらにコバルトめっきを施した場合は、上記サン
プルbおよびCと同様な特性は得られなかった。
■.
下地めっきのニッケルとコバルトのめっき厚比を変えて
上記と同様な評価試験を行った。
上記と同様な評価試験を行った。
実験では、ニッケルとコバル1への総めっき厚を3μm
としてめっきJ’X比を変えたサンプルを作製し,これ
を非酸化性雰囲気111750℃でアニール処理した後
、1.5μm厚の金めつきを施した。
としてめっきJ’X比を変えたサンプルを作製し,これ
を非酸化性雰囲気111750℃でアニール処理した後
、1.5μm厚の金めつきを施した。
試験内容はダイボンディング性試験(■)、金めつき皮
膜の耐熱性試験(■)、下地めっき企属周の耐熱性試験
(■)である。ダイボンディング性試験■は、サンプル
に半導体チップを接合した後、300℃で60時間エー
ジング処理し、半導体チップが剥離するかどうかを試験
したものである。
膜の耐熱性試験(■)、下地めっき企属周の耐熱性試験
(■)である。ダイボンディング性試験■は、サンプル
に半導体チップを接合した後、300℃で60時間エー
ジング処理し、半導体チップが剥離するかどうかを試験
したものである。
金めつき皮膜の耐熱性試験■はサンプルを大気中で45
0℃に加熱して5分経過後の変色を調べたもの、下地め
っき金属層の酎熱性試験■は金めつきを施さないサンプ
ルを大気中で400℃に加熱して1分間経過後の変色を
調べたものである。評価数は各サンプルとも20個であ
る。
0℃に加熱して5分経過後の変色を調べたもの、下地め
っき金属層の酎熱性試験■は金めつきを施さないサンプ
ルを大気中で400℃に加熱して1分間経過後の変色を
調べたものである。評価数は各サンプルとも20個であ
る。
表6(めっき厚比変化)
表6でサンプル1は下地めっきがコバルト100%、サ
ンプルl3は下地めっきがニッケルlOO″Xである。
ンプルl3は下地めっきがニッケルlOO″Xである。
上記試験結果は、コバルトめっきがダイボンディング性
(■)および金めつきの耐熱変色性(■)に優れ、ニッ
ケルめっきが耐熱変色性(■)に優れるという前述した
傾向があることを示す。
(■)および金めつきの耐熱変色性(■)に優れ、ニッ
ケルめっきが耐熱変色性(■)に優れるという前述した
傾向があることを示す。
なお、比較例として,ニッケルーコバル1一合金めっき
を下地めっきとして同様の試験評価を行った結果を表7
に示す。各サンプルは合金めっきの共析比率が異なるも
のである。
を下地めっきとして同様の試験評価を行った結果を表7
に示す。各サンプルは合金めっきの共析比率が異なるも
のである。
表7 (Ni−Co合企めつき)
上記表6および表7の結果から,コバルトめっきとニッ
ケルめっきの2層めっきをアニール処理した金Iic層
が金めつきの下地としてきわめて有効であり、サンプル
4〜11 (コバルトめっき厚4〜94%)については
十分に良好な特性が得られること、またコバルトとニッ
ケルの2層めっきをアニール処理した下地金属層自体も
好適な耐熱変色性(■)を有することを示す。
ケルめっきの2層めっきをアニール処理した金Iic層
が金めつきの下地としてきわめて有効であり、サンプル
4〜11 (コバルトめっき厚4〜94%)については
十分に良好な特性が得られること、またコバルトとニッ
ケルの2層めっきをアニール処理した下地金属層自体も
好適な耐熱変色性(■)を有することを示す。
したがって,金めつきはたとえばダイボンディング部、
ワイヤボンディング部、シールフレーム部等の必要個所
にのみ設ければよく、アウターリード等ではアニール処
理したコバルトとニッケルの金属屑のままでもよい。
ワイヤボンディング部、シールフレーム部等の必要個所
にのみ設ければよく、アウターリード等ではアニール処
理したコバルトとニッケルの金属屑のままでもよい。
以上、本発明について好適な実施例を挙げて稚々説明し
たが、本発明はこれら実施例に限定されるものではなく
、発明の精神を逸脱しない範囲内で多くの改変を施し得
るのはもちろんのことである。
たが、本発明はこれら実施例に限定されるものではなく
、発明の精神を逸脱しない範囲内で多くの改変を施し得
るのはもちろんのことである。
(発明の効果)
本発明に係るセラミックパッケージは、金めつきの下地
金属層としてコバル1・とニッケルの2層めっきを順に
施した後アニール処理を行った金属層を設けることによ
って、ダイボンディング性、ワイヤボンディング性、金
めつき皮膜の耐熱変色性、下地金属層の耐熱性、はんだ
付け性、耐湿性等について高度の条件をみたすことがで
き、きわめて信頼性の高いセラミックパッケージとする
ことができる等の著効を奏する。
金属層としてコバル1・とニッケルの2層めっきを順に
施した後アニール処理を行った金属層を設けることによ
って、ダイボンディング性、ワイヤボンディング性、金
めつき皮膜の耐熱変色性、下地金属層の耐熱性、はんだ
付け性、耐湿性等について高度の条件をみたすことがで
き、きわめて信頼性の高いセラミックパッケージとする
ことができる等の著効を奏する。
第1図はコバルトとニッケルの2y!iめっきを施して
、非酸化性雰囲気中にてアニール処理を行った後の下地
めっき層のコバル{〜とニッケルの濃度分布を示すグラ
フ、第2図はコバルトとニッケルの合金めっきによって
形成した下地めっき層の濃度分布を示すグラフである。
、非酸化性雰囲気中にてアニール処理を行った後の下地
めっき層のコバル{〜とニッケルの濃度分布を示すグラ
フ、第2図はコバルトとニッケルの合金めっきによって
形成した下地めっき層の濃度分布を示すグラフである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、セラミック基体に設けられる金属層が、コバルトめ
っき層の上層にニッケルめっき層が形成された2層めっ
きをアニール処理することによって形成された金属層を
有することを特徴とするセラミックパッケージ。 2、セラミック基体に設ける金属層のうち少なくともダ
イボンディング部またはワイヤボンディング部の金属層
が、コバルトめっき層の上層にニッケルめっき層が形成
された2層めっきをアニール処理することによって形成
された金属層を下地めっきとする金めっき層を有するこ
とを特徴とするセラミックパッケージ。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1228691A JP2781017B2 (ja) | 1989-09-04 | 1989-09-04 | セラミックパッケージ |
US07/576,666 US5080980A (en) | 1989-09-04 | 1990-08-31 | Ceramic package for semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1228691A JP2781017B2 (ja) | 1989-09-04 | 1989-09-04 | セラミックパッケージ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0391936A true JPH0391936A (ja) | 1991-04-17 |
JP2781017B2 JP2781017B2 (ja) | 1998-07-30 |
Family
ID=16880291
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1228691A Expired - Fee Related JP2781017B2 (ja) | 1989-09-04 | 1989-09-04 | セラミックパッケージ |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5080980A (ja) |
JP (1) | JP2781017B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011134925A (ja) * | 2009-12-25 | 2011-07-07 | Sanken Electric Co Ltd | 電極構造 |
JP2012114119A (ja) * | 2010-11-19 | 2012-06-14 | Seiko Instruments Inc | 電子部品およびその製造方法 |
US9192762B2 (en) | 2011-09-20 | 2015-11-24 | Braun Gmbh | Therapeutic micro-current delivery devices and methods thereof |
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US5345038A (en) * | 1991-07-29 | 1994-09-06 | Kyocera America, Inc. | Multi-layer ceramic packages |
US5468994A (en) * | 1992-12-10 | 1995-11-21 | Hewlett-Packard Company | High pin count package for semiconductor device |
US5958100A (en) * | 1993-06-03 | 1999-09-28 | Micron Technology, Inc. | Process of making a glass semiconductor package |
JP3575068B2 (ja) * | 1994-08-02 | 2004-10-06 | 住友電気工業株式会社 | 平滑なめっき層を有するセラミックスメタライズ基板およびその製造方法 |
US6758387B1 (en) * | 1999-10-20 | 2004-07-06 | Senju Metal Industry Co., Ltd. | Solder coated material and method for its manufacture |
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FR2201542B1 (ja) * | 1972-10-02 | 1977-09-09 | Bendix Corp | |
JPS5353551A (en) * | 1976-10-26 | 1978-05-16 | Nippon Electric Co | Method of brazing ceramic |
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-
1989
- 1989-09-04 JP JP1228691A patent/JP2781017B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1990
- 1990-08-31 US US07/576,666 patent/US5080980A/en not_active Expired - Lifetime
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2781017B2 (ja) | 1998-07-30 |
US5080980A (en) | 1992-01-14 |
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Legal Events
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---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |