JPH038762A - 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物およびバリスタの製造方法 - Google Patents
電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物およびバリスタの製造方法Info
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- JPH038762A JPH038762A JP1143724A JP14372489A JPH038762A JP H038762 A JPH038762 A JP H038762A JP 1143724 A JP1143724 A JP 1143724A JP 14372489 A JP14372489 A JP 14372489A JP H038762 A JPH038762 A JP H038762A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は電気機器、電子機器で発生する異常高電圧、ノ
イズ、静電気などから機器の半導体および回路を保護す
るためのコンデンサ特性とバリスタ特性を有する電圧依
存性非直線抵抗体磁器組成物およびバリスタの製造方法
に関するものである。
イズ、静電気などから機器の半導体および回路を保護す
るためのコンデンサ特性とバリスタ特性を有する電圧依
存性非直線抵抗体磁器組成物およびバリスタの製造方法
に関するものである。
従来の技術
従来、各種の電気機器、電子機器における異常高電圧の
吸収、ノイズの除去、火花消去、静電気対策のために電
圧依存性非直線抵抗特性を有するＳｉＣバリスタや、Ｚ
ｎＯ系バリスタなどが使用されている。このようなバリ
スタの電圧−電流特性は近似的に次式のように表すこと
ができる。
吸収、ノイズの除去、火花消去、静電気対策のために電
圧依存性非直線抵抗特性を有するＳｉＣバリスタや、Ｚ
ｎＯ系バリスタなどが使用されている。このようなバリ
スタの電圧−電流特性は近似的に次式のように表すこと
ができる。
１＝（Ｖ／Ｃ）α
ここで、Ｉは電流、■は電圧、Ｃはバリスタ固有の定数
、αは電圧−電流非直線指数である。
、αは電圧−電流非直線指数である。
ＳｉＣバリスタのαは２〜７程度、ＺｎＯ系バリスタで
はαが５０にもおよぶものがある。このようなバリスタ
は比較的高い電圧の吸収には優れた性能を有しているが
、誘電率が低く、固有の静電容量が小さいため、バリス
タ電圧以下の比較的低い電圧の吸収にはほとんど効果を
示さず、また誘電損失ｔａｎδが５〜１０％と大きい。
はαが５０にもおよぶものがある。このようなバリスタ
は比較的高い電圧の吸収には優れた性能を有しているが
、誘電率が低く、固有の静電容量が小さいため、バリス
タ電圧以下の比較的低い電圧の吸収にはほとんど効果を
示さず、また誘電損失ｔａｎδが５〜１０％と大きい。
一方、これらの低電圧のノイズなどの除去には見かけの
誘電率が５Ｘ１０４程度で、ｔａｎδが１％前後の半導
体コンデンサが利用されている。
誘電率が５Ｘ１０４程度で、ｔａｎδが１％前後の半導
体コンデンサが利用されている。
しかし、このような半導体コンデンサはサージなどによ
りある限度以上の電圧または電流が印加されると、静電
容量が減少したり、破壊されたりしてコンデンサとして
の機能を果たさな（なったりする。
りある限度以上の電圧または電流が印加されると、静電
容量が減少したり、破壊されたりしてコンデンサとして
の機能を果たさな（なったりする。
そこで最近になって５ｒＴｉＣｈを主成分とし、バリス
タ特性とコンデンサ特性の両方の機能を有するものが開
発され、コンピュータなどの電子機器におけるＩＣ，Ｌ
ＳＩなどの半導体素子の保護に利用されている。
タ特性とコンデンサ特性の両方の機能を有するものが開
発され、コンピュータなどの電子機器におけるＩＣ，Ｌ
ＳＩなどの半導体素子の保護に利用されている。
発明が解決しようとする課題
上記の５ｒＴｉ（ｈを主成分とするバリスタとコンデン
サの両方の機能を有する素子は、ＺｎＯ系バリスタに比
べ誘電率が約１０倍と大きいが、αやサージ耐量が小さ
く、バリスタ電圧を低（すると特性が劣化しやすいとい
った欠点を有していた。
サの両方の機能を有する素子は、ＺｎＯ系バリスタに比
べ誘電率が約１０倍と大きいが、αやサージ耐量が小さ
く、バリスタ電圧を低（すると特性が劣化しやすいとい
った欠点を有していた。
そこで本発明では、誘電率が大きく、バリスタ電圧が低
く、αが大きいと共にサージ耐量が大きい電圧依存性非
直線抵抗体磁器組成物およびバリスタの製造方法を提供
することを特徴とする特許である。
く、αが大きいと共にサージ耐量が大きい電圧依存性非
直線抵抗体磁器組成物およびバリスタの製造方法を提供
することを特徴とする特許である。
課題を解決するための手段
上記の問題点を解決するために本発明では、Ｓｒ＋−ｘ
ＣａｘＴｉＯ３（０，００１≦ｘ≦０．３００）（以下
第１成分と呼ぶ）を９０．０００〜９９．９９８ｍｏ
１％、Ｎｂ２Ｏ５，Ｔａ２０５゜ＷＯ３，Ｄ Ｖ２Ｏ３
，Ｙ２Ｏ３，Ｌａ２Ｏ３＋ ＣｅＯ２゜Ｓｍ２Ｏ３，Ｐ
ｒｅｏ＋＋、Ｎｄ２Ｏ３のうち少なくとも１種類以上
以下第２成分と呼ぶ〉を０．００１〜５．０００ｍｏ
１％、Ａｔ！ ２０３，５ｂ２０３．ＢａＯ。
ＣａｘＴｉＯ３（０，００１≦ｘ≦０．３００）（以下
第１成分と呼ぶ）を９０．０００〜９９．９９８ｍｏ
１％、Ｎｂ２Ｏ５，Ｔａ２０５゜ＷＯ３，Ｄ Ｖ２Ｏ３
，Ｙ２Ｏ３，Ｌａ２Ｏ３＋ ＣｅＯ２゜Ｓｍ２Ｏ３，Ｐ
ｒｅｏ＋＋、Ｎｄ２Ｏ３のうち少なくとも１種類以上
以下第２成分と呼ぶ〉を０．００１〜５．０００ｍｏ
１％、Ａｔ！ ２０３，５ｂ２０３．ＢａＯ。
ＢｅＯ，Ｐｂ０．Ｂ２Ｏ３，Ｃｒｎｏ３．Ｆｅ２Ｏ３゜
Ｃｄ Ｏ＊ Ｋ ２０ 、Ｃａ Ｏ＊ ＣＯ２０３１Ｃ
ｕ Ｏ＋Ｃｕ２Ｏ，Ｌ ｉ２０．Ｌ ｉ Ｆ、ＭｇＯ，
ＭｎＯ２゜ＭｏＯ３１Ｎａ２Ｏ，ＮａＦ、Ｎｉｐ、Ｒｈ
２０６Ｏ１１，５ｅ０２．Ａｇ２Ｏ，５ｉ０２．ＳｉＣ
，Ｓｒ○。
Ｃｄ Ｏ＊ Ｋ ２０ 、Ｃａ Ｏ＊ ＣＯ２０３１Ｃ
ｕ Ｏ＋Ｃｕ２Ｏ，Ｌ ｉ２０．Ｌ ｉ Ｆ、ＭｇＯ，
ＭｎＯ２゜ＭｏＯ３１Ｎａ２Ｏ，ＮａＦ、Ｎｉｐ、Ｒｈ
２０６Ｏ１１，５ｅ０２．Ａｇ２Ｏ，５ｉ０２．ＳｉＣ
，Ｓｒ○。
ＴＱ ２０３．Ｔｈ０２．Ｔ ｉ ０２．Ｖ２Ｏ５，Ｂ
１２０３゜ＺｎＯ，Ｚ ｒｏ２．ＳｎＯ２のうち少な
くとも１種類以上（以下第３成分と呼ぶ）をＯ８．００
１〜５．０００ｍｏ １％含有してなる主成分１００重
量部と、ＣａＴｉＯ３６０，ＯＯＯ〜３２．５００ｍｏ
ｌ ％、５ｉＯｑ４０．ＯＯＯ〜６７．５００ｍｏｌ％
からなる混合物を１２００〜１３００℃で焼成してなる
添加物（以下第４成分と呼ぶ）０．００１〜１０．０Ｏ
Ｏｆｆｉ量部とからなる電圧依存性非直線抵抗体磁器組
成物を得ることにより問題を解決しようとするものであ
る。
１２０３゜ＺｎＯ，Ｚ ｒｏ２．ＳｎＯ２のうち少な
くとも１種類以上（以下第３成分と呼ぶ）をＯ８．００
１〜５．０００ｍｏ １％含有してなる主成分１００重
量部と、ＣａＴｉＯ３６０，ＯＯＯ〜３２．５００ｍｏ
ｌ ％、５ｉＯｑ４０．ＯＯＯ〜６７．５００ｍｏｌ％
からなる混合物を１２００〜１３００℃で焼成してなる
添加物（以下第４成分と呼ぶ）０．００１〜１０．０Ｏ
Ｏｆｆｉ量部とからなる電圧依存性非直線抵抗体磁器組
成物を得ることにより問題を解決しようとするものであ
る。
また、上記組成物を１１００℃以上で焼成するバリスタ
の製造方法、あるいは上記組成物を１１００’Ｃ以上で
焼成した後、還元性雰囲気中で１２００℃以上で焼成し
、その後酸化性雰囲気中で９００〜１３００℃で焼成す
るバリスタの製造方法を提案するものである。
の製造方法、あるいは上記組成物を１１００’Ｃ以上で
焼成した後、還元性雰囲気中で１２００℃以上で焼成し
、その後酸化性雰囲気中で９００〜１３００℃で焼成す
るバリスタの製造方法を提案するものである。
作用
上記の発明において第１成分は主たる成分であり、５ｒ
ＴｉＣｈのＳｒの一部をＣａで置換することにより、粒
界に形成される高抵抗層がサージに対して強くなる。第
２成分は主に第１成分の半導体化を促進する金属酸化物
である。また、第３成分は誘電率、α、サージ耐量の改
善に寄与するものであり、第４成分はバリスタ電圧の低
下、誘電率の改善に有効なものである。特に、第４成分
は融点が１２３０〜１２５０℃と比較的低いため、融点
前後の温度で焼成すると液相となり、その他の成分の反
応を促進するとともに粒子の成長を促進する。そのため
粒界部分に第３成分が偏析しやす（なり、粒界が高抵抗
化され易くなり、バリスタ機能およびコンデンサ機能が
改善される。
ＴｉＣｈのＳｒの一部をＣａで置換することにより、粒
界に形成される高抵抗層がサージに対して強くなる。第
２成分は主に第１成分の半導体化を促進する金属酸化物
である。また、第３成分は誘電率、α、サージ耐量の改
善に寄与するものであり、第４成分はバリスタ電圧の低
下、誘電率の改善に有効なものである。特に、第４成分
は融点が１２３０〜１２５０℃と比較的低いため、融点
前後の温度で焼成すると液相となり、その他の成分の反
応を促進するとともに粒子の成長を促進する。そのため
粒界部分に第３成分が偏析しやす（なり、粒界が高抵抗
化され易くなり、バリスタ機能およびコンデンサ機能が
改善される。
また、粒成長が促進されるためバリスタ電圧が低くなり
、粒径の均一性が向上するため特性の安定性がよくなり
、特にサージ耐量が改善されることとなる。
、粒径の均一性が向上するため特性の安定性がよくなり
、特にサージ耐量が改善されることとなる。
実施例
以下に実施例を挙げて本発明を具体的に説明する。
まず、ＣａＴｉＯ３，Ｓ ｉ０２を下記の第１表に示す
ように組成比を種々変えて秤量し、ボールミルなどで２
０８ ｒ混合する。次に、乾燥した後、下記の第１表に
示すように温度を種々変えて焼成し、再びボールミルな
どで２０Ｈｒ粉砕した後、乾燥し、第４成分とする。次
いで、第１成分、第２成分、第３成分、第４成分を下記
の第１表に示した組成比になるようｌこ秤量し、ポー・
ルミルなどで２４８ｒ混合した後、乾燥し、ポリビニル
アルコールなどの有機バインダーを１０ｗｔ％添加して
造粒した後、１（ｔ／ｃｎｆ）のプレス圧力で１０φＸ
ｉｔ （＋ｍ＋＋）の円板状に成形し、１０００℃で
１０８ｒ焼成し脱バインダーする。次に、第１表に示し
たように温度を種々変えて４Ｈｒ焼成（第１焼成）シ、
その後還元性雰囲気、例えばＮ２：Ｈ２＝９＝１のガス
中で温度を種々変えて４Ｈｒ焼成（第２焼成）する。さ
らにその後、酸化性雰囲気中で温度を種々変えて３Ｈｒ
焼成（第３焼成）する。
ように組成比を種々変えて秤量し、ボールミルなどで２
０８ ｒ混合する。次に、乾燥した後、下記の第１表に
示すように温度を種々変えて焼成し、再びボールミルな
どで２０Ｈｒ粉砕した後、乾燥し、第４成分とする。次
いで、第１成分、第２成分、第３成分、第４成分を下記
の第１表に示した組成比になるようｌこ秤量し、ポー・
ルミルなどで２４８ｒ混合した後、乾燥し、ポリビニル
アルコールなどの有機バインダーを１０ｗｔ％添加して
造粒した後、１（ｔ／ｃｎｆ）のプレス圧力で１０φＸ
ｉｔ （＋ｍ＋＋）の円板状に成形し、１０００℃で
１０８ｒ焼成し脱バインダーする。次に、第１表に示し
たように温度を種々変えて４Ｈｒ焼成（第１焼成）シ、
その後還元性雰囲気、例えばＮ２：Ｈ２＝９＝１のガス
中で温度を種々変えて４Ｈｒ焼成（第２焼成）する。さ
らにその後、酸化性雰囲気中で温度を種々変えて３Ｈｒ
焼成（第３焼成）する。
こうして得られた第１図、第２図に示す焼結体１の両手
面に外周を残すようにしてＡｇなどの導電性ペーストを
スクリーン印刷などにより塗布し、６００℃、５ｍ１ｎ
で焼成し、電極２，３を形成する。次に、半田などによ
りリード線を取付け、エポキシなどの樹脂を塗装する。
面に外周を残すようにしてＡｇなどの導電性ペーストを
スクリーン印刷などにより塗布し、６００℃、５ｍ１ｎ
で焼成し、電極２，３を形成する。次に、半田などによ
りリード線を取付け、エポキシなどの樹脂を塗装する。
このようにして得られた素子の特性を下記の第“２表に
示す。
示す。
なお、見掛は誘電率はＩＫＨｚでの静電容量から計算し
たものであり、αは ａ ＝ １ ／ Ｌ ｏ ｇ （ＶＩＯＩＩＡ／ ＶＩ
ＩＩＩＡ）（ただし、Ｖ ＩｍＡ ＋ Ｖ １ＯｎＡは
ＩｍＡ、１０ｍＡの電流を流した時に素子の両端にかか
る電圧である。）で評価した。また、サージ耐量はパル
ス性の電流を印加した後のＶｌｍＡの変化率が±１０％
以内である時の最大のパルス性電流値により評価してい
る。
たものであり、αは ａ ＝ １ ／ Ｌ ｏ ｇ （ＶＩＯＩＩＡ／ ＶＩ
ＩＩＩＡ）（ただし、Ｖ ＩｍＡ ＋ Ｖ １ＯｎＡは
ＩｍＡ、１０ｍＡの電流を流した時に素子の両端にかか
る電圧である。）で評価した。また、サージ耐量はパル
ス性の電流を印加した後のＶｌｍＡの変化率が±１０％
以内である時の最大のパルス性電流値により評価してい
る。
（以 下 余 白）
また、第１成分のＳ ｒ ＋−ＸＣａｘＴ ｉ ０３の
Ｘの範囲を規定したのは、Ｘが０．００１よりも小さい
と効果を示さず、０．３００を超えると格子欠陥が発生
しにく（なるため半導体化が促進されず、粒界にＣａが
単一相として析出するため、組織が不均一になり、Ｖｌ
ｍＡが高くなりすぎて特性が劣化するためである。さら
に、第２成分は０．００１ｍｏ １％未満では効果を示
さず、５ 、０．００ｍｏｌ％を超えると粒界に偏析し
て粒界の高抵抗化を抑制し、粒界に第２相を形成するた
め特性が劣化するものである。また、第３成分は０．０
０１ｍｏｌ％未満では効果を示さず、５．ＯＯＯｍｏ
１％を超えると粒界に偏析して第２相を形成する特性が
劣化するものである。そして、第４成分はＣａＴｉＯ３
と５ｉ０２の２成分系の相図のなかでＣａＴｉＯ３６０
，ＯＯＯ〜３２．５００ｍｏ １％。
Ｘの範囲を規定したのは、Ｘが０．００１よりも小さい
と効果を示さず、０．３００を超えると格子欠陥が発生
しにく（なるため半導体化が促進されず、粒界にＣａが
単一相として析出するため、組織が不均一になり、Ｖｌ
ｍＡが高くなりすぎて特性が劣化するためである。さら
に、第２成分は０．００１ｍｏ １％未満では効果を示
さず、５ 、０．００ｍｏｌ％を超えると粒界に偏析し
て粒界の高抵抗化を抑制し、粒界に第２相を形成するた
め特性が劣化するものである。また、第３成分は０．０
０１ｍｏｌ％未満では効果を示さず、５．ＯＯＯｍｏ
１％を超えると粒界に偏析して第２相を形成する特性が
劣化するものである。そして、第４成分はＣａＴｉＯ３
と５ｉ０２の２成分系の相図のなかでＣａＴｉＯ３６０
，ＯＯＯ〜３２．５００ｍｏ １％。
Ｓ ｉ ０２４０〜６７．５００ｍｏ １％の範囲内の
ものは最も融点の低い領域の物質であり、その範囲外で
は融点が高くなるものである。また、第４成分の添加量
は、０．００１重量部未満では効果を示さず、１０．０
００重量部を超えると粒界の抵抗は高（なるが粒界の幅
が厚くなるため、静電容量が小さくなるとともにＶＩｌ
、＋Ａが高くなり、サージに対して弱くなるものである
。また、第４成分の焼成温度を規定したのは、低融点の
第４成分が合成される温度が１２００°Ｃ以上であるた
めである。そして、第１焼成の温度を規定したのは、第
４成分の融点が１２３０〜１２５０℃であるため、１１
００℃以上の温度で焼成すると第４成分が液相に近い状
態になって焼結が促進されるためであり、１１００℃未
満では第４成分の液相焼結効果がないためである。また
、第２焼成の温度を規定したのは、１２００ ’Ｃ未満
では第１焼成後の焼結体が十分に還元されず、バリスタ
特性、コンデンサ特性共に劣化するためである。さらに
、第３焼成の温度を規定したのは、９００℃未満では粒
界の高抵抗化が十分に進まないため、ＶＩｍＡが低くな
りすぎバリスタ特性が劣化するためであり、１３００℃
を超えると静電容量が小さくなりすぎコンデンサ特性が
劣化するためである。また、第１焼成の雰囲気は酸化性
雰囲気でも還元性雰囲気でも同様の効果があることを確
認した。
ものは最も融点の低い領域の物質であり、その範囲外で
は融点が高くなるものである。また、第４成分の添加量
は、０．００１重量部未満では効果を示さず、１０．０
００重量部を超えると粒界の抵抗は高（なるが粒界の幅
が厚くなるため、静電容量が小さくなるとともにＶＩｌ
、＋Ａが高くなり、サージに対して弱くなるものである
。また、第４成分の焼成温度を規定したのは、低融点の
第４成分が合成される温度が１２００°Ｃ以上であるた
めである。そして、第１焼成の温度を規定したのは、第
４成分の融点が１２３０〜１２５０℃であるため、１１
００℃以上の温度で焼成すると第４成分が液相に近い状
態になって焼結が促進されるためであり、１１００℃未
満では第４成分の液相焼結効果がないためである。また
、第２焼成の温度を規定したのは、１２００ ’Ｃ未満
では第１焼成後の焼結体が十分に還元されず、バリスタ
特性、コンデンサ特性共に劣化するためである。さらに
、第３焼成の温度を規定したのは、９００℃未満では粒
界の高抵抗化が十分に進まないため、ＶＩｍＡが低くな
りすぎバリスタ特性が劣化するためであり、１３００℃
を超えると静電容量が小さくなりすぎコンデンサ特性が
劣化するためである。また、第１焼成の雰囲気は酸化性
雰囲気でも還元性雰囲気でも同様の効果があることを確
認した。
なお、第２成分としては、上記実施例で挙げた成分以外
にＳｍ２Ｏ３，ｐ ｒｓｏ＋＋を用いることができ、か
つ２種類以上を組合せて上記範囲内の添加量で用いても
よいものである。また、第３成分としては、上記実施例
で挙げた成分以外に５ｂ２０３゜Ｂａｄ、ＢｅＯ，Ｂ２
Ｏ３，Ｆｅ２Ｏ３，Ｃａｂ。
にＳｍ２Ｏ３，ｐ ｒｓｏ＋＋を用いることができ、か
つ２種類以上を組合せて上記範囲内の添加量で用いても
よいものである。また、第３成分としては、上記実施例
で挙げた成分以外に５ｂ２０３゜Ｂａｄ、ＢｅＯ，Ｂ２
Ｏ３，Ｆｅ２Ｏ３，Ｃａｂ。
Ｌ ｉ２０ ＊ Ｌ ｉ Ｆ ＊ Ｎ ａ ２０ 、Ｎ
ａ Ｆ 、Ｒｈ ２０３ 。
ａ Ｆ 、Ｒｈ ２０３ 。
Ｓ ｅ０２． Ｓ ｉ ０２． Ｓ ｒｏ、 Ｔｈ０２
． Ｔ ｉ ０２゜Ｖ２Ｏ５，ＺｎＯ，Ｓｎ○２を用い
ることができ、かつ第２成に２種類以上を組合せて上述
した範囲内の添加量で用いてもよいものである。さらに
、上記実施例ではこれら添加物の組合せについては一部
のみ示しているが、その他の組合せでも同様の効果が得
られることが確認された。
． Ｔ ｉ ０２゜Ｖ２Ｏ５，ＺｎＯ，Ｓｎ○２を用い
ることができ、かつ第２成に２種類以上を組合せて上述
した範囲内の添加量で用いてもよいものである。さらに
、上記実施例ではこれら添加物の組合せについては一部
のみ示しているが、その他の組合せでも同様の効果が得
られることが確認された。
発明の効果
以上に示したように本発明によれば、粒子径が大きいた
めバリスタ電圧が低く、誘電率εおよびαが太き（、粒
子径のばらつきが小さいためサージ電流が素子に均一に
流れ、またＣａによって粒界が効果的に高抵抗化される
ため、サージ耐量が大きくなるという効果が得られる。
めバリスタ電圧が低く、誘電率εおよびαが太き（、粒
子径のばらつきが小さいためサージ電流が素子に均一に
流れ、またＣａによって粒界が効果的に高抵抗化される
ため、サージ耐量が大きくなるという効果が得られる。
第１図は本発明による素子を示す上面図、第２図は本発
明による素子を示す断面図である。 １・・・・・・焼結体、２，３・・・・・・電極。
明による素子を示す断面図である。 １・・・・・・焼結体、２，３・・・・・・電極。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）Ｓｒ＿１＿−＿ｘＣａ＿ｘＴｉＯ＿３（０．００
１≦ｘ≦０．３００）を９０．０００〜９９．９９８ｍ
ｏｌ％、Ｎｂ＿２Ｏ＿５，Ｔａ＿２Ｏ＿５，ＷＯ＿３，
Ｄｙ＿２Ｏ＿３，Ｙ＿２Ｏ＿３，Ｌａ＿２Ｏ＿３，Ｃｅ
Ｏ＿２，Ｓｍ＿２Ｏ＿３，Ｐｒ＿６Ｏ＿１＿１，Ｎｄ＿
２Ｏ＿３のうち少なくとも１種類以上を０．００１〜５
．０００ｍｏｌ％、Ａｌ＿２Ｏ＿３，Ｓｂ＿２Ｏ＿３，
ＢａＯ，ＢｅＯ，ＰｂＯ，Ｂ＿２Ｏ＿３，Ｃｒ＿２Ｏ＿
３，Ｆｅ＿２Ｏ＿３，ＣｄＯ，Ｋ＿２Ｏ，ＣａＯ，Ｃｏ
＿２Ｏ＿３，ＣｕＯ，Ｃｕ＿２Ｏ，Ｌｉ＿２Ｏ，ＬｉＦ
，ＭｇＯ，ＭｎＯ＿２，ＭｏＯ＿３，Ｎａ＿２Ｏ，Ｎａ
Ｆ，ＮｉＯ，Ｒｈ＿２Ｏ＿３，ＳｅＯ＿２，Ａｇ＿２Ｏ
，ＳｉＯ＿２，ＳｉＣ，ＳｒＯ，Ｔｅ＿２Ｏ＿３，Ｔｈ
Ｏ＿２，ＴｉＯ＿２，Ｖ＿２Ｏ＿５，Ｂｉ＿２Ｏ＿３，
ＺｎＯ，ＺｒＯ＿２，ＳｎＯ＿２のうち少なくとも１種
類以上を０．００１〜５．０００ｍｏｌ％含有してなる
主成分１００重量部と、ＣａＴｉＯ＿３６０．０００〜 ３２．５００ｍｏｌ％，ＳｉＯ＿２４０．０００〜６７
．５００ｍｏｌ％からなる混合物を１２００℃以上で焼
成してなる添加物０．００１〜１０．０００重量部とか
らなることを特徴とする電圧依存性非直線抵抗体磁器組
成物。 （２）Ｓｒ＿１＿−＿ｘＣａ＿ｘＴｉＯ＿３（０．００
１≦ｘ≦０．３００）を９０．０００〜９９．９９８ｍ
ｏｌ％、Ｎｂ＿２Ｏ＿５，Ｔａ＿２Ｏ＿５，ＷＯ＿３，
Ｄｙ＿２Ｏ＿３，Ｙ＿２Ｏ＿３，Ｌａ＿２Ｏ＿３，Ｃｅ
Ｏ＿２，Ｓｍ＿２Ｏ＿３，Ｐｒ＿６Ｏ＿１＿１，Ｎｄ＿
２Ｏ＿３のうち少なくとも１種類以上を０．００１〜５
．０００ｍｏｌ％、Ａｌ＿２Ｏ＿３，Ｓｂ＿２Ｏ＿３，
ＢａＯ，ＢｅＯ，ＰｂＯ，Ｂ＿２Ｏ＿３，Ｃｒ＿２Ｏ＿
３，Ｆｅ＿２Ｏ＿３，ＣｄＯ，Ｋ＿２Ｏ，ＣａＯ，Ｃｏ
＿２Ｏ＿３，ＣｕＯ，Ｃｕ＿２Ｏ，Ｌｉ＿２Ｏ，ＬｉＦ
，ＭｇＯ，ＭｎＯ＿２，ＭｏＯ＿３，Ｎａ＿２Ｏ，Ｎａ
Ｆ，ＮｉＯ，Ｒｈ＿２Ｏ＿３，ＳｅＯ＿２，Ａｇ＿２Ｏ
，ＳｉＯ＿２，ＳｉＣ，ＳｒＯ，Ｔｅ＿２Ｏ＿３，Ｔｈ
Ｏ＿２，ＴｉＯ＿２，Ｖ＿２Ｏ＿５，Ｂｉ＿２Ｏ＿３，
ＺｎＯ，ＺｒＯ＿２，ＳｎＯ＿２のうち少なくとも１種
類以上を０．００１〜５．０００ｍｏｌ％含有してなる
主成分１００重量部と、ＣａＴｉＯ＿３６０．０００〜 ３２．５００ｍｏｌ％，ＳｉＯ＿２４０．０００〜６７
．５００ｍｏｌ％からなる混合物を１２００℃以上で焼
成してなる添加物０．００１〜１０．０００重量部とか
らなる組成物を１１００℃以上で焼成したことを特徴と
するバリスタの製造方法。 （３）Ｓｒ＿１＿−＿ｘＣａ＿ｘＴｉＯ＿３（０．００
１≦ｘ≦０．３００）を９０．０００〜９９．９９８ｍ
ｏｌ％、Ｎｂ＿２Ｏ＿５，Ｔａ＿２Ｏ＿５，ＷＯ＿３，
Ｄｙ＿２Ｏ＿３，Ｙ＿２Ｏ＿３，Ｌａ＿２Ｏ＿３，Ｃｅ
Ｏ＿２，Ｓｍ＿２Ｏ＿３，Ｐｒ＿６Ｏ＿１＿１，Ｎｄ＿
２Ｏ＿３のうち少なくとも１種類以上を０．００１〜５
．０００ｍｏｌ％、Ａｌ＿２Ｏ＿３，Ｓｂ＿２Ｏ＿３，
ＢａＯ，ＢｅＯ，ＰｂＯ，Ｂ＿２Ｏ＿３，Ｃｒ＿２Ｏ＿
３，Ｆｅ＿２Ｏ＿３，ＣｄＯ，Ｋ＿２Ｏ，ＣａＯ，Ｃｏ
＿２Ｏ＿３，ＣｕＯ，Ｃｕ＿２Ｏ，Ｌｉ＿２Ｏ，ＬｉＦ
，ＭｇＯ，ＭｎＯ＿２，ＭｏＯ＿３，Ｎａ＿２Ｏ，Ｎａ
Ｆ，ＮｉＯ，Ｒｈ＿２Ｏ＿３，ＳｅＯ＿２，Ａｇ＿２Ｏ
，ＳｉＯ＿２，ＳｉＣ，ＳｒＯ，Ｔｅ＿２Ｏ＿３，Ｔｈ
Ｏ＿２，ＴｉＯ＿２，Ｖ＿２Ｏ＿５，Ｂｉ＿２Ｏ＿３，
ＺｎＯ，ＺｒＯ＿２，ＳｎＯ＿２のうち少なくとも１種
類以上を０．００１〜５．０００ｍｏｌ％含有してなる
主成分１００重量部と、ＣａＴｉＯ＿３６０．０００〜 ３２．５００ｍｏｌ％，ＳｉＯ＿２４０．０００〜６７
．５００ｍｏｌ％からなる混合物を１２００℃以上で焼
成してなる添加物０．００１〜１０．０００重量部とか
らなる組成物を１１００℃以上で焼成した後、還元性雰
囲気中で１２００℃以上で焼成し、その後酸化性雰囲気
中で９００〜 １３００℃で焼成したことを特徴とするバリスタの製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1143724A JP2789675B2 (ja) | 1989-06-06 | 1989-06-06 | 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物およびバリスタの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1143724A JP2789675B2 (ja) | 1989-06-06 | 1989-06-06 | 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物およびバリスタの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH038762A true JPH038762A (ja) | 1991-01-16 |
| JP2789675B2 JP2789675B2 (ja) | 1998-08-20 |
Family
ID=15345524
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1143724A Expired - Fee Related JP2789675B2 (ja) | 1989-06-06 | 1989-06-06 | 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物およびバリスタの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2789675B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010104748A (ko) * | 2001-09-29 | 2001-11-28 | 김인수 | 태양열 충전식 다목적 차단봉 |
| JP4695288B2 (ja) * | 2001-05-01 | 2011-06-08 | 帝金株式会社 | 仕切り用支柱部材 |
-
1989
- 1989-06-06 JP JP1143724A patent/JP2789675B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4695288B2 (ja) * | 2001-05-01 | 2011-06-08 | 帝金株式会社 | 仕切り用支柱部材 |
| KR20010104748A (ko) * | 2001-09-29 | 2001-11-28 | 김인수 | 태양열 충전식 다목적 차단봉 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2789675B2 (ja) | 1998-08-20 |
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