JPH0371778B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0371778B2 JPH0371778B2 JP2148461A JP14846190A JPH0371778B2 JP H0371778 B2 JPH0371778 B2 JP H0371778B2 JP 2148461 A JP2148461 A JP 2148461A JP 14846190 A JP14846190 A JP 14846190A JP H0371778 B2 JPH0371778 B2 JP H0371778B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- tape
- bonding
- gold
- bumps
- bump
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 16
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 8
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 20
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 9
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims description 5
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 16
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 abstract description 16
- 239000010949 copper Substances 0.000 abstract description 16
- 238000003491 array Methods 0.000 abstract description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000001143 conditioned effect Effects 0.000 description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 235000011007 phosphoric acid Nutrition 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 2
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021578 Iron(III) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K iron trichloride Chemical compound Cl[Fe](Cl)Cl RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000002991 molded plastic Substances 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000000284 resting effect Effects 0.000 description 1
- 238000010008 shearing Methods 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/86—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using tape automated bonding [TAB]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4846—Leads on or in insulating or insulated substrates, e.g. metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49572—Lead-frames or other flat leads consisting of thin flexible metallic tape with or without a film carrier
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01013—Aluminum [Al]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01029—Copper [Cu]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01075—Rhenium [Re]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01078—Platinum [Pt]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01082—Lead [Pb]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/014—Solder alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1203—Rectifying Diode
- H01L2924/12033—Gunn diode
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/14—Integrated circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
- H05K3/4007—Surface contacts, e.g. bumps
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、集積回路の製造に利用する。特に、
その自動ボンデイング用テープの製造方法に関す
る。
その自動ボンデイング用テープの製造方法に関す
る。
〔従来の技術〕
テープ自動ボンデイング法は、集積回路のパツ
ドを接続する方法として知られている。通常35mm
幅のフイルムベースの一巻のテープは、集積回路
のための一連の相互接続用の配列を備えている。
この配列は「フレーム」と称される。それぞれの
フレームには、多数のエツチングされた銅の「ビ
ーム」が設けられる。このビームは「リード」ま
たは「フインガ」とも称され、各ビームは集積回
路の各パツドにボンデイングされるために配設さ
れる。このビームとパツドとの各結合は、「バン
プ」と呼ばれる端子を介して行われる。このバン
プは、ビーム上のパツドに対応する位置、もしく
はこのパツド上のいずれかに形成される。
ドを接続する方法として知られている。通常35mm
幅のフイルムベースの一巻のテープは、集積回路
のための一連の相互接続用の配列を備えている。
この配列は「フレーム」と称される。それぞれの
フレームには、多数のエツチングされた銅の「ビ
ーム」が設けられる。このビームは「リード」ま
たは「フインガ」とも称され、各ビームは集積回
路の各パツドにボンデイングされるために配設さ
れる。このビームとパツドとの各結合は、「バン
プ」と呼ばれる端子を介して行われる。このバン
プは、ビーム上のパツドに対応する位置、もしく
はこのパツド上のいずれかに形成される。
この結合は、はんだリフローまたは熱圧着によ
り行われる。集積回路のパツド上に初期に形成さ
れるバンプは、集積回路が未だ大きなウエーハの
一部である間に通常形成される。このバンプ形成
は「ウエーハ・バンピイング」として知られてい
る。
り行われる。集積回路のパツド上に初期に形成さ
れるバンプは、集積回路が未だ大きなウエーハの
一部である間に通常形成される。このバンプ形成
は「ウエーハ・バンピイング」として知られてい
る。
テープにボンデイングがなされると、各集積回
路およびこの集積回路にそれぞれ対向するフレー
ムが、パツケージのためにテープから切離され、
一例として、デユアルインライン形の集積回路パ
ツケージに接続される。特別には成型されたプラ
スチツクパツケージの「リードフレーム」に接続
される。また別の方法としてテープボンデイング
された集積回路は、ハイブリツド基板またはプリ
ント回路基板に直接接続することもできる。
路およびこの集積回路にそれぞれ対向するフレー
ムが、パツケージのためにテープから切離され、
一例として、デユアルインライン形の集積回路パ
ツケージに接続される。特別には成型されたプラ
スチツクパツケージの「リードフレーム」に接続
される。また別の方法としてテープボンデイング
された集積回路は、ハイブリツド基板またはプリ
ント回路基板に直接接続することもできる。
このテープを使用することにより、ボンデイン
グ工程の自動化が容易に実現できる。またビーム
が電気的に絶縁されていれば、ボンデイングされ
たチツプをテープ上に載置されている間に自動的
に試験を行うことができる。この自動的に試験を
行うために、テープはリールからリールへ巻取る
巻取り機に掛けられる。このとき巻取り機は自動
試験機に連動する。
グ工程の自動化が容易に実現できる。またビーム
が電気的に絶縁されていれば、ボンデイングされ
たチツプをテープ上に載置されている間に自動的
に試験を行うことができる。この自動的に試験を
行うために、テープはリールからリールへ巻取る
巻取り機に掛けられる。このとき巻取り機は自動
試験機に連動する。
いくつかのテープは特殊な集積回路のテープ自
動ボンデイングに利用することができる。これら
のテープには、上記集積回路に適合する相互接続
用のフレームが形成される。一例としてフレーム
内のエツチングされた銅ビームには、金メツキさ
れた銅バンプが形成されている。この種のテープ
は「バンプ付テープ」として知られている。また
いくつかの集積回路は、テープボンデイング用に
金メツキのバンプが形成されたパツドを備えてい
る。この種の集積回路は「バンプ付チツプ」とし
て知られている。
動ボンデイングに利用することができる。これら
のテープには、上記集積回路に適合する相互接続
用のフレームが形成される。一例としてフレーム
内のエツチングされた銅ビームには、金メツキさ
れた銅バンプが形成されている。この種のテープ
は「バンプ付テープ」として知られている。また
いくつかの集積回路は、テープボンデイング用に
金メツキのバンプが形成されたパツドを備えてい
る。この種の集積回路は「バンプ付チツプ」とし
て知られている。
しかし従来のバンプ付テープは、バンプにおい
て確実に密着した結合が行われ難い欠点があつ
た。これは、例えば銅ビーム上に形成された銅バ
ンプが比較的硬く、かつバンプの表面が平らでな
いため、金メツキを施してもその表面はなお平ら
でなく、しかも柔軟性に欠けることから、集積回
路のパツドを形成するアルミニウムや他の金属に
対する粘着力が弱いためと考えられる。
て確実に密着した結合が行われ難い欠点があつ
た。これは、例えば銅ビーム上に形成された銅バ
ンプが比較的硬く、かつバンプの表面が平らでな
いため、金メツキを施してもその表面はなお平ら
でなく、しかも柔軟性に欠けることから、集積回
路のパツドを形成するアルミニウムや他の金属に
対する粘着力が弱いためと考えられる。
本発明は、上記欠点を解消するもので、集積回
路のパツドとフレームのビームとを強い粘着力で
結合することができる自動ボンデイング用テープ
の製造方法を提供することを目的とする。
路のパツドとフレームのビームとを強い粘着力で
結合することができる自動ボンデイング用テープ
の製造方法を提供することを目的とする。
本発明の特徴は、上記テープを製造する方法に
ある。本発明の方法では、テープの長手方向に間
隔をおいてフレームを設定するとともに、このフ
レームの上に集積回路のパツドにその一端をボン
デイングするための複数の接続用ビームを形成す
る工程と、この接続用ビームの各々について、上
記パツドに接続される一端のそのボンデイング面
に、ビツカース硬さ係数が55以下の導電材を付着
形成する工程とを含むことを特徴とする。
ある。本発明の方法では、テープの長手方向に間
隔をおいてフレームを設定するとともに、このフ
レームの上に集積回路のパツドにその一端をボン
デイングするための複数の接続用ビームを形成す
る工程と、この接続用ビームの各々について、上
記パツドに接続される一端のそのボンデイング面
に、ビツカース硬さ係数が55以下の導電材を付着
形成する工程とを含むことを特徴とする。
前記接続用ビームを形成する工程は、そのビー
ムを露光選択エツチングにより形成する工程によ
ることが望ましい。
ムを露光選択エツチングにより形成する工程によ
ることが望ましい。
前記導電材として金を用いることが好ましい。
前記付着形成する工程は、導電材を電気メツキ
により形成することが望ましい。
により形成することが望ましい。
以下実施例図面を用いて詳細に説明する。
第1図において、テープ自動ボンデイング用の
テープは、柔軟な電気絶縁性のキヤリア1を基材
として構成される。この例ではキヤリア1は、ポ
リイミドの細長い35mm幅のフイルムベースであ
る。このキヤリア1には、その両縁に沿つてスプ
ロケツト用の孔2が各一列に穿設される。第1図
に示す3個の相互接続用フレームには、それぞれ
金メツキされた複数の銅ビーム3が設けられる。
このビーム3は所望の配列パターンが金によりメ
ツキされ、さらに孔2の二列間の領域4に予め被
覆された銅層がエツチングにより形成される。約
8mm平方に開口されたウインドウ5は、集積回路
を支持するために、キヤリア1内の各フレームの
下に形成される。このウインドウ5の大きさはボ
ンデイングされる集積回路の大きさによつて決め
られる。これらのウインドウ5は第1図に破線で
示される。
テープは、柔軟な電気絶縁性のキヤリア1を基材
として構成される。この例ではキヤリア1は、ポ
リイミドの細長い35mm幅のフイルムベースであ
る。このキヤリア1には、その両縁に沿つてスプ
ロケツト用の孔2が各一列に穿設される。第1図
に示す3個の相互接続用フレームには、それぞれ
金メツキされた複数の銅ビーム3が設けられる。
このビーム3は所望の配列パターンが金によりメ
ツキされ、さらに孔2の二列間の領域4に予め被
覆された銅層がエツチングにより形成される。約
8mm平方に開口されたウインドウ5は、集積回路
を支持するために、キヤリア1内の各フレームの
下に形成される。このウインドウ5の大きさはボ
ンデイングされる集積回路の大きさによつて決め
られる。これらのウインドウ5は第1図に破線で
示される。
第2図には、5本のビーム3の内部端が示され
る。各ビーム3の最も内側には、バンプ6が設け
られる。このバンプ6は、集積回路のパツドにボ
ンデイングするために上面が形造られたボンデイ
ング面(a shaped upper bonding surface)
を有する金の小塊からなつている。
る。各ビーム3の最も内側には、バンプ6が設け
られる。このバンプ6は、集積回路のパツドにボ
ンデイングするために上面が形造られたボンデイ
ング面(a shaped upper bonding surface)
を有する金の小塊からなつている。
第3図において、ビーム3の内部端に設けられ
た金のバンプ6は、集積回路8のパツド7にボン
デイングされる。この例ではビーム3(テープは
図示せず)は、そのバンプ6を下向きにして集積
回路8上に位置決めされる。バンプ6のパツド7
へのボンデイングは熱圧着により行われる。
た金のバンプ6は、集積回路8のパツド7にボン
デイングされる。この例ではビーム3(テープは
図示せず)は、そのバンプ6を下向きにして集積
回路8上に位置決めされる。バンプ6のパツド7
へのボンデイングは熱圧着により行われる。
ビーム3上にバンプ6を形成する一つの方法と
して、バンプ6とビーム3とが異なる材料からで
きている場合には、まずビーム3とは別にバンプ
6を形成し、次の操作でこれらを一体にする方法
がある。この方法は非常に小さい金の球体をつく
り、これを金メツキされた銅テープ上の所望の位
置へボンデイングすることにより達成し得る。こ
の方法は「アデイテイブ法」として知られてい
る。
して、バンプ6とビーム3とが異なる材料からで
きている場合には、まずビーム3とは別にバンプ
6を形成し、次の操作でこれらを一体にする方法
がある。この方法は非常に小さい金の球体をつく
り、これを金メツキされた銅テープ上の所望の位
置へボンデイングすることにより達成し得る。こ
の方法は「アデイテイブ法」として知られてい
る。
もう一つ別の「セミアデイテイブ法」ともいう
べき方法は電気メツキを伴い、次の工程で行われ
る。
べき方法は電気メツキを伴い、次の工程で行われ
る。
まず最初に、テープ自動ボンデイング用のテー
プが用意される。このテープは前述の通常の35mm
フイルムベース1により構成される。このフイル
ムベース1は銅層が接着剤により接着された領域
4を有する。テープはまず物理的に腐食されて用
意される。液体レジストがウインドウ5に塗ら
れ、十分ベーキングされる。次いで銅層4の表面
は酸浴により調節される。
プが用意される。このテープは前述の通常の35mm
フイルムベース1により構成される。このフイル
ムベース1は銅層が接着剤により接着された領域
4を有する。テープはまず物理的に腐食されて用
意される。液体レジストがウインドウ5に塗ら
れ、十分ベーキングされる。次いで銅層4の表面
は酸浴により調節される。
準備工程の後、テープは、25μmのネガテイブ
ドライフイルムのホトレジスト層で覆われる。次
に所望のフレームのマスクが露光のために使用さ
れ、感光した画像が現像される。次いでフレーム
の感光した銅ビーム3は化学的に洗浄され、焼か
れた後、凝縮したオルトリン酸液内で反転メツキ
される。次にこのテープは脱イオン化した水で洗
浄され、10%のオルトリン酸の浴で調節される。
これによりビーム3の金による電気メツキの前処
理が完了する。ここでビーム3の金メツキ(「フ
ラツシング」)がなされると、金のバンプ6が形
成される。
ドライフイルムのホトレジスト層で覆われる。次
に所望のフレームのマスクが露光のために使用さ
れ、感光した画像が現像される。次いでフレーム
の感光した銅ビーム3は化学的に洗浄され、焼か
れた後、凝縮したオルトリン酸液内で反転メツキ
される。次にこのテープは脱イオン化した水で洗
浄され、10%のオルトリン酸の浴で調節される。
これによりビーム3の金による電気メツキの前処
理が完了する。ここでビーム3の金メツキ(「フ
ラツシング」)がなされると、金のバンプ6が形
成される。
最初に、残つているネガテイブドライフイルム
のホトレジストが剥がされる。感光した銅は酸の
浴で調節されたのち、50μmのネガテイブドライ
フイルムのホトレジスト層が塗られ、フレーム上
の所望のバンプ位置に対してマスクが露光のため
に使用される。その結果感光したバンプ画像は現
像され、感光した金のパツドが化学的に洗浄され
て焼かれる。次にバンプの画像は10%のオルトリ
ン酸の浴で調節され、脱イオン化した水ですすが
れる。さらにこの画像はバンプ6が約35μmの厚
さになるまで金メツキされ、その側壁はバンプ6
の形状を決めるための塗布されたレジスト内で形
成される。ネガテイブホトレジストが剥がされる
と、ウインドウ5が再び液体レジストで覆われて
十分ベーキングされる。最後に、メツキされてい
ない銅層4が塩化第二鉄でエツチングされて除去
され、ビーム3の裏側に残つていたレジストは、
すべてアルカリ剥離液で除去される。
のホトレジストが剥がされる。感光した銅は酸の
浴で調節されたのち、50μmのネガテイブドライ
フイルムのホトレジスト層が塗られ、フレーム上
の所望のバンプ位置に対してマスクが露光のため
に使用される。その結果感光したバンプ画像は現
像され、感光した金のパツドが化学的に洗浄され
て焼かれる。次にバンプの画像は10%のオルトリ
ン酸の浴で調節され、脱イオン化した水ですすが
れる。さらにこの画像はバンプ6が約35μmの厚
さになるまで金メツキされ、その側壁はバンプ6
の形状を決めるための塗布されたレジスト内で形
成される。ネガテイブホトレジストが剥がされる
と、ウインドウ5が再び液体レジストで覆われて
十分ベーキングされる。最後に、メツキされてい
ない銅層4が塩化第二鉄でエツチングされて除去
され、ビーム3の裏側に残つていたレジストは、
すべてアルカリ剥離液で除去される。
特に金のバンプ6は熱圧着のボンデイングプロ
セスに機械的かつ電気的に使用されるに適してい
る。これは、用いられる軟らかい金は、55以下の
(望ましくは約35の)ビーカツス硬さ係数を有す
る柔軟な材料であり、しかも従来のバンプに用い
られた比較的硬い材料より、より展性のある材料
だからである。従来のバンプでは、例えば通常用
いられる銅の典型的なビツカース硬さ係数は90で
ある。
セスに機械的かつ電気的に使用されるに適してい
る。これは、用いられる軟らかい金は、55以下の
(望ましくは約35の)ビーカツス硬さ係数を有す
る柔軟な材料であり、しかも従来のバンプに用い
られた比較的硬い材料より、より展性のある材料
だからである。従来のバンプでは、例えば通常用
いられる銅の典型的なビツカース硬さ係数は90で
ある。
以上により金のバンプ6は、従来のバンプの粘
着力より強い粘着力を集積回路パツドに与えるこ
とができるため、ボンデイングはバンプの全ボン
デイング面にわたつて実質的に平坦に行われる。
着力より強い粘着力を集積回路パツドに与えるこ
とができるため、ボンデイングはバンプの全ボン
デイング面にわたつて実質的に平坦に行われる。
なおボンデイング面を剪断することによつて良
好な結合がなされるため、各バンプは円い形状を
有することが好ましい。
好な結合がなされるため、各バンプは円い形状を
有することが好ましい。
また各バンプ6は、最初は比較的硬い金で芯を
形成し、次にその外層を比較的軟らかい金で被覆
して、柔軟なバンプをつくることもできる。実際
には、金のビツカース硬さ係数で30から100まで
の範囲を有する。
形成し、次にその外層を比較的軟らかい金で被覆
して、柔軟なバンプをつくることもできる。実際
には、金のビツカース硬さ係数で30から100まで
の範囲を有する。
また金の代りに他の同様な柔軟な材料をバンプ
毎、あるいはバンプの一部に用いることもでき
る。
毎、あるいはバンプの一部に用いることもでき
る。
さらにバンプは、その柔軟性および電気科学的
特性を最適化するために、数種の異なつた金属を
連続的に電気メツキすることにより形成すること
もできる。例えば、錫や鉛からなるバンプを形成
することもできる。
特性を最適化するために、数種の異なつた金属を
連続的に電気メツキすることにより形成すること
もできる。例えば、錫や鉛からなるバンプを形成
することもできる。
以上述べたように、本発明によれば、集積回路
のパツドに対向するフレームのビーム上に、55以
下のビツカース硬さ係数の材料によりバンプを形
成するので、バンプの表面が平坦で、かつ柔軟に
なるから、この後工程で行われるボンデイング時
に集積回路のパツドを形成するアルミニウムや他
の金属に対して全ボンデイング面にわたつて実質
的に平らにボンデイングが行われることになる。
これにより、バンプの粘着力が強大となり集積回
路の信頼性が向上する優れた効果がある。
のパツドに対向するフレームのビーム上に、55以
下のビツカース硬さ係数の材料によりバンプを形
成するので、バンプの表面が平坦で、かつ柔軟に
なるから、この後工程で行われるボンデイング時
に集積回路のパツドを形成するアルミニウムや他
の金属に対して全ボンデイング面にわたつて実質
的に平らにボンデイングが行われることになる。
これにより、バンプの粘着力が強大となり集積回
路の信頼性が向上する優れた効果がある。
第1図は本発明一実施例のテープ自動ボンデイ
ングに用いられているテープの部分平面図。第2
図は第1図に示したテープの相互接続用フレーム
の内部拡大平面図。第3図は第1図に示したテー
プの相互接続用フレームのビーム内部端と集積回
路のパツドとの間の結合を示す断面図。 1…キヤリア(フイルムベース)、2…孔、3
…ビーム、4…銅層、5…ウインドウ、6…バン
プ、7…パツド、8…集積回路。
ングに用いられているテープの部分平面図。第2
図は第1図に示したテープの相互接続用フレーム
の内部拡大平面図。第3図は第1図に示したテー
プの相互接続用フレームのビーム内部端と集積回
路のパツドとの間の結合を示す断面図。 1…キヤリア(フイルムベース)、2…孔、3
…ビーム、4…銅層、5…ウインドウ、6…バン
プ、7…パツド、8…集積回路。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 集積回路のテープ自動ボンデイングに用いら
れる自動ボンデイング用テープの製造方法におい
て、 テープの長手方向に間隔をおいてフレームを設
定するとともに、このフレームの上に集積回路の
パツドにその一端をボンデイングするための複数
の接続用ビームを形成する工程と、 この接続用ビームの各々について、上記パツド
に接続される一端のそのボンデイング面に、ビツ
カース硬さ係数が55以下の導電材を付着形成する
工程と を含むことを特徴とする自動ボンデイング用テー
プの製造方法。 2 前記接続用ビームを形成する工程には、その
ビームを露光選択エツチングにより形成する工程
を含む特許請求の範囲第1項に記載の自動ボンデ
イング用テープの製造方法。 3 前記導電材は金である特許請求の範囲第1項
に記載の自動ボンデイング用テープの製造方法。 4 前記付着形成する工程は、前記導電材を電気
メツキにより形成する工程を含む特許請求の範囲
第1項に記載の自動ボンデイング用テープの製造
方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GB8122218 | 1981-07-17 | ||
GB8122218 | 1981-07-17 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57124983A Division JPS5827355A (ja) | 1981-07-17 | 1982-07-16 | 自動ボンディング用テープ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03123046A JPH03123046A (ja) | 1991-05-24 |
JPH0371778B2 true JPH0371778B2 (ja) | 1991-11-14 |
Family
ID=10523346
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57124983A Granted JPS5827355A (ja) | 1981-07-17 | 1982-07-16 | 自動ボンディング用テープ |
JP2148461A Granted JPH03123046A (ja) | 1981-07-17 | 1990-06-05 | 自動ボンディング用テープの製造方法 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57124983A Granted JPS5827355A (ja) | 1981-07-17 | 1982-07-16 | 自動ボンディング用テープ |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP0070691B1 (ja) |
JP (2) | JPS5827355A (ja) |
AT (1) | ATE33322T1 (ja) |
CA (1) | CA1198833A (ja) |
DE (1) | DE3278301D1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2586424Y2 (ja) * | 1992-09-01 | 1998-12-09 | 大日本印刷株式会社 | 毒餌包装体 |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62287093A (ja) * | 1986-06-05 | 1987-12-12 | Okuno Seiyaku Kogyo Kk | 電気亜鉛−ニツケル合金めつき浴 |
EP0327996A3 (en) * | 1988-02-09 | 1990-12-27 | National Semiconductor Corporation | Tape automated bonding of bumped tape on bumped die |
DE4017863C1 (ja) * | 1990-06-02 | 1991-07-18 | Du Pont De Nemours (Deutschland) Gmbh, 4000 Duesseldorf, De | |
JP4497032B2 (ja) * | 2005-06-16 | 2010-07-07 | Tdk株式会社 | 電子部品 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5394874A (en) * | 1977-01-31 | 1978-08-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Connecting method for semiconductor device |
JPS5469383A (en) * | 1977-11-15 | 1979-06-04 | Toshiba Corp | Production of semiconductor device |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5548954A (en) * | 1978-10-03 | 1980-04-08 | Toshiba Corp | Manufacturing of film carrier |
-
1982
- 1982-07-06 CA CA000406703A patent/CA1198833A/en not_active Expired
- 1982-07-15 DE DE8282303716T patent/DE3278301D1/de not_active Expired
- 1982-07-15 AT AT82303716T patent/ATE33322T1/de not_active IP Right Cessation
- 1982-07-15 EP EP82303716A patent/EP0070691B1/en not_active Expired
- 1982-07-16 JP JP57124983A patent/JPS5827355A/ja active Granted
-
1990
- 1990-06-05 JP JP2148461A patent/JPH03123046A/ja active Granted
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5394874A (en) * | 1977-01-31 | 1978-08-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Connecting method for semiconductor device |
JPS5469383A (en) * | 1977-11-15 | 1979-06-04 | Toshiba Corp | Production of semiconductor device |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2586424Y2 (ja) * | 1992-09-01 | 1998-12-09 | 大日本印刷株式会社 | 毒餌包装体 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0070691B1 (en) | 1988-03-30 |
EP0070691A1 (en) | 1983-01-26 |
DE3278301D1 (en) | 1988-05-05 |
JPH033940B2 (ja) | 1991-01-21 |
ATE33322T1 (de) | 1988-04-15 |
JPS5827355A (ja) | 1983-02-18 |
JPH03123046A (ja) | 1991-05-24 |
CA1198833A (en) | 1985-12-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US3781596A (en) | Semiconductor chip carriers and strips thereof | |
US5976912A (en) | Fabrication process of semiconductor package and semiconductor package | |
US5786239A (en) | Method of manufacturing a semiconductor package | |
JPH11238763A (ja) | 半導体素子実装用配線基板の製造方法 | |
US5355019A (en) | Devices with tape automated bonding | |
US5223321A (en) | Tape-automated bonding of integrated circuits | |
US6306751B1 (en) | Apparatus and method for improving ball joints in semiconductor packages | |
US4139434A (en) | Method of making circuitry with bump contacts | |
JPS59139636A (ja) | ボンデイング方法 | |
KR100234694B1 (ko) | 비지에이 패키지의 제조방법 | |
JPH0371778B2 (ja) | ||
US6240632B1 (en) | Method of manufacturing lead frame and integrated circuit package | |
US4707418A (en) | Nickel plated copper tape | |
JPH10223828A (ja) | リードフレーム部材とその製造方法 | |
JPH1140940A (ja) | ボール・グリッド・アレイ型半導体パッケージにおける半田付け構造、および半田付け方法 | |
JPH06101492B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP3021508B2 (ja) | 導電突起の形成方法 | |
JP2605999B2 (ja) | 半導体パッケージの製造方法 | |
JP4390908B2 (ja) | 配線部材の製造方法 | |
JPH0582593A (ja) | テープキヤリヤ及びその製造方法 | |
JPH01147848A (ja) | Ic用リードフレームの製造方法 | |
JPH05160319A (ja) | リードフレーム及びその製造方法 | |
JPH10256453A (ja) | 半導体装置用回路部材とそれを用いた半導体装置、及びそれらの製造方法 | |
JPH0437042A (ja) | フイルムキャリアおよびフィルムキャリアを使用した半導体装置とその製造方法 | |
JPH03263846A (ja) | バンプ付きフィルムキャリヤおよびその製造方法 |