JPH0339426B2 - - Google Patents

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JPH0339426B2
JPH0339426B2 JP57113804A JP11380482A JPH0339426B2 JP H0339426 B2 JPH0339426 B2 JP H0339426B2 JP 57113804 A JP57113804 A JP 57113804A JP 11380482 A JP11380482 A JP 11380482A JP H0339426 B2 JPH0339426 B2 JP H0339426B2
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Japan
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transistor
circuit
diode
resistor
telephone line
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JP57113804A
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Maruko Shirigooni
Nazareeno Rosetsuchi
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STMicroelectronics SRL
Original Assignee
SGS ATES Componenti Elettronici SpA
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Publication date
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Publication of JPS589460A publication Critical patent/JPS589460A/ja
Publication of JPH0339426B2 publication Critical patent/JPH0339426B2/ja
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    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04M—TELEPHONIC COMMUNICATION
    • H04M19/00—Current supply arrangements for telephone systems
    • H04M19/08—Current supply arrangements for telephone systems with current supply sources at the substations
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M7/00—Conversion of ac power input into dc power output; Conversion of dc power input into ac power output
    • H02M7/02—Conversion of ac power input into dc power output without possibility of reversal
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    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
    • Y02B70/00—Technologies for an efficient end-user side electric power management and consumption
    • Y02B70/10—Technologies improving the efficiency by using switched-mode power supplies [SMPS], i.e. efficient power electronics conversion e.g. power factor correction or reduction of losses in power supplies or efficient standby modes

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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は電話用ブリツジ整流回路、特に加入者
電話器回路を低い印加電圧の２線式電話回線に結
合するのに使用でき、モノリシツク集積回路構成
とすることができるトランジスタブリツジ整流回
路に関するものである。
２線式電話回線端における電圧の極性は、保守
および修理作業に当り偶発的な極性の反転が起り
得るから、正確には不定である。しかし電話器回
路の端子には所定の一定極性の電圧を供給する必
要があり、従つて電話器回路は、電話回線の前記
所定の一定極性が反転した場合電話回線の電圧整
流を行う回路を介して電話回線に結合する必要が
ある。
この目的に対し既知の整流回路としてグレーツ
（Graetz）ブリツジ回路形の整流回路が最も常用
されている。
既知のブリツジ形整流回路は、第１図に示した
ように、pnp形のバイポーラ第１および第２トラ
ンジスタＴ１およびＴ２並にnpn形のバイポーラ
第３および第４トランジスタＴ３およびＴ４を備
えたブリツジ回路で構成される。トランジスタＴ
１のコレクタはトランジスタＴ２のコレクタに接
続し、トランジスタＴ３のコレクタはトランジス
タＴ４のコレクタに接続し、これらコレクタ結線
により、電流を供給すべき電話器回路Ｃに対する
第１および第２端子を構成する。トランジスタＴ
１およびＴ３のエミツタは２線式電話回線の一方
の導線ａに接続し、トランジスタＴ２およびＴ４
のエミツタは同じ電話回線の他方の導線ｂに接続
する。
トランジスタＴ１およびＴ３のベースは抵抗Ｒ
１およびＲ３を介して導線ｂにそれぞれ接続し、
トランジスタＴ２およびＴ４のベースは抵抗Ｒ２
およびＲ４を介してそれぞれ導線ａに接続する。
これらベース抵抗はこれらブリツジ接続トランジ
スタを適切にバイアスするよう作動する。
電話回線の極性が固定されている場合には、エ
ミツタが電話回線の高電位の導線に接続された
pnp形トランジスタと、エミツタが低電位の導線
に接続されたnpn形トランジスタが導通し、他の
２個のトランジスタは遮断される。
従つて電話器回路Ｃに供給される電流は常に、
電話回線の実際の極性とは無関係に、２個のpnp
形トランジスタのコレクタ間結線で構成された電
話器回路の端子を介して、２個のnpn形トランジ
スタのコレクタ間結線で構成された電話器回路の
端子に流れ、両端子間の電圧の極性は一定であ
る。
上述した形式の既知のブリツジ整流回路は２個
の導通状態トランジスタのベース電流の和に等し
い電流を吸収する。各ブリツジ接続トランジスタ
のベースバイアス回路のインピーダンスは当該ト
ランジスタのベース抵抗のインピーダンスに等し
く、一定である。従つて電話回線からみた整流回
路のインピーダンスは一定であり、２個の導通状
態トランジスタの並列接続ベース抵抗に等価な抵
抗のインピーダンスに等しい。
ブリツジ接続トランジスタの負荷は直流に比べ
交流に対して大きいインピーダンスを有する電話
器回路で構成されるから、後述する本発明の回路
の動作の説明から明らかになるように、これらト
ランジスタのベースバイアス回路の交流インピー
ダンスの値を直流インピーダンスの値より大きく
するのが有利である。しかしこれは、既知の整流
回路ではバイアス回路にリアクテイブ素子を付加
することによつても達成することができない。
電話回線端子における電圧と、電話器回路が接
続されるブリツジ整流回路端子における電圧の差
として規定される“電圧の降下”は通常の作動状
態では２個の導通状態トランジスタのコレクター
エミツタ飽和電圧の和に等しい。
本発明の目的は、電話器回路を低電圧印加２線
式電話回線に結合するのに使用するモノリシツク
集積回路化トランジスタブリツジ整流回路であつ
て、電圧降下は従来の整流回路と同じであり、電
流の吸収は従来の整流回路より小さく、電話回線
につき従来の整流回路より高いインピーダンスを
有するトランジスタブリツジ整流回路を提供する
にある。
次に、第２および３図につき本発明の実施例を
説明する。なお第１〜３図において対応する要素
は同一記号で示す。
第２図に示した本発明の整流回路の実施例は１
対のpnp形バイポーラトランジスタＴ１およびＴ
２と、１対のnpn形バイポーラトランジスタＴ３
およびＴ４とで構成したトランジスタブリツジ回
路を備える。トランジスタＴ１のコレクタはトラ
ンジスタＴ２のコレクタに接続し、トランジスタ
Ｔ３のコレクタはトランジスタＴ４のコレクタに
接続し、これらコレクタ結線は電話器回路Ｃを接
続するための第１端子（＋記号を付した）および
第２端子（−記号を付した）を構成する。
トランジスタＴ１およびＴ３のエミツタは２線
式電話回線の第１導線ａに接続し、トランジスタ
Ｔ２およびＴ４のエミツタは電話回線の第２導線
ｂに接続する。トランジスタＴ１およびＴ４のベ
ースはpnp形バイポーラトランジスタＴ５のエミ
ツタおよびコレクタにそれぞれ接続し、トランジ
スタＴ２およびＴ３のベースはpnp形バイポーラ
トランジスタＴ６のエミツタおよびコレクタにそ
れぞれ接続する。トランジスタＴ５およびＴ６の
ベースはnpn形バイポーラトランジスタＴ１０お
よびＴ１２のコレクタにそれぞれ接続し、更にト
ランジスタＴ５のベースおよびエミツタはダイオ
ードＤ５のカソードおよびアノードにそれぞれ接
続し、かつトランジスタＴ６のベースおよびエミ
ツタはダイオードＤ６のカソードおよびアノード
にそれぞれ接続する。
トランジスタＴ１０のベースおよびエミツタは
ダイオードＤ１０のアノードおよび電話回線の導
線ｂにそれぞれ接続する。トランジスタＴ１２の
ベースおよびエミツタはダイオードＤ１２のアノ
ードおよび電話回線の導線ａにそれぞれ接続す
る。ダイオードＤ１０およびＤ１２のカソードは
電話回線の導線ｂおよびａにそれぞれ接続する。
またダイオードＤ１０のアノードはpnp形バイポ
ーラトランジスタＴ１１のコレクタに接続し、こ
のトランジスタＴ１１のベースおよびエミツタは
ダイオードＤ１１のカソードおよび電話回線の導
線ａにそれぞれ接続する。ダイオードＤ１１のア
ノードおよびカソードは電話回線の導線ａおよび
抵抗Ｒ１の一方の端子にそれぞれ接続し、またダ
イオードＤ１２のアノードも抵抗Ｒ１のこの端子
に接続する。抵抗Ｒ１の他方端子は電話回線の導
線ｂに直接接続する。
第３図は第２図においてpnp形バイポーラトラ
ンジスタＴ１１およびnpn形バイポーラトランジ
スタＴ１２並にダイオードＤ１１およびＤ１２を
含む回路部分の変形例を示す。第３図においては
トランジスタＴ１１およびＴ１２のコレクタに接
続する整流回路の部分は図示してないが、この部
分は第２図に示したものと同じである。
第３図の例ではトランジスタＴ１１のベースお
よびエミツタはダイオードＤ１１のカソード並に
電話回線の導線ａおよびダイオードＤ１１のアノ
ードにそれぞれ接続し、トランジスタＴ１２のベ
ースおよびエミツタはダイオードＤ１２のアノー
ド並に電話回線の導線ａおよびダイオードＤ１２
のカソードにそれぞれ接続する。またダイオード
Ｄ１１のカソードおよびダイオードＤ１２のアノ
ードは抵抗Ｒ１の一方の端子に接続し、抵抗Ｒ１
の他方端子は抵抗Ｒ２の一方の端子に接続し、抵
抗Ｒ２の他方端子は導線ｂに接続する。抵抗Ｒ１
およびＲ２の共通接続点並に導線ａの間にコンデ
ンサＣ１を接続する。
第２図の回路では電話回線に信号が存在しない
場合、電話回線の電圧とダイオードＤ１１または
Ｄ１２のジヤンクシヨン電圧との差に等しい一定
電圧が抵抗Ｒ１の両端子間に供給される（またコ
ンデンサＣ１を含む第３図の例の場合には上記一
定電圧が直列抵抗Ｒ１およびＲ２の両端間に供給
される）。従つてオームの法則により抵抗Ｒ１
（第３図の場合は抵抗Ｒ１およびＲ２）に一定値
の電流が流れ、この電流の方向は電話回線の極性
によつて決まる。
ダイオードＤ１０およびＤ１１と、トランジス
タＴ１０およびＴ１１と、これらを接続する結線
により第１電流鏡像回路を構成し、第２図におい
てこの第１電流鏡像回路を記号Ｓ１を付した破線
ブロツクで示し、同様に、ダイオードＤ１２と、
トランジスタＴ１２と、これらを接続する結線に
より第２電流鏡像回路を構成し、この第２電流鏡
像回路を記号Ｓ２を付した破線ブロツクで示す。
トランジスタＴ５およびこれに接続したダイオ
ードＤ５は通常、被制御電流負荷（β）形pnpバ
イポーラトランジスタと呼ばれる形式の第１トラ
ンジスタを構成し、第２図においてこの第１被制
御電流負荷トランジスタを記号Ｑ１を付した破線
ブロツクで示し、トランジスタＴ６およびこれに
接続したダイオードＤ６は第２の被制御電流負荷
pnpバイポーラトランジスタを構成し、これを記
号Ｑ２を付した破線ブロツクで示す。このように
構成した被制御電流負荷バイポーラトランジスタ
については既知のように、この被制御電流負荷バ
イポーラトランジスタに含まれるバイポーラトラ
ンジスタのベース、エミツタ、コレクタおよび導
電形式をこの被制御電流負荷バイポーラトランジ
スタのベース、エミツタ、コレクタおよび導電形
式とすることができる。第１および第２電流鏡像
回路Ｓ１およびＳ２の入力枝路は抵抗Ｒ１の一方
の端子に接続し、第１および第２電流鏡像回路Ｓ
１およびＳ２の出力枝路は第１および第２被制御
電流負荷トランジスタＱ１およびＱ２のベースに
それぞれ接続する。電流鏡像回路Ｓ１の入力電流
は鏡像関係で出力されトランジスタＱ１のベース
を制御し、電流鏡像回路Ｓ２の入力電流も鏡像関
係で出力されてトランジスタＱ２のベースを制御
する。すなわち、導線ａの電位が導線ｂの電位よ
りも高い場合、トランジスタＴ１１，Ｔ１０が導
通してトランジスタＴ５を導通させる。逆に、導
線ｂの電位が導線ａの電位よりも高い場合、トラ
ンジスタＴ１２が導通状態となりトランジスタＴ
６を導通させる。
電話回線の導線ａの電位が導線ｂの電位より高
い場合には、トランジスタＴ１，Ｔ４，Ｔ５、ダ
イオードＤ５、トランジスタＴ１０、トランジス
タＴ１１およびダイオードＤ１１は導通するが、
トランジスタＴ２，Ｔ３，Ｔ６、ダイオードＤ
６、トランジスタＴ１２およびダイオードＤ１２
は遮断され、電話回線の極性が反転して導線ｂの
電位が導線ａの電位より高くなつた場合、上記ト
ランジスタおよびダイオードの導通状態および遮
断状態は逆になる。
第１の場合即ち導線ａの電位が導線ｂの電位よ
り高い場合には、電流鏡像回路Ｓ１と、この回路
Ｓ１によつて駆動される被制御βトランジスタＱ
１と、このトランジスタＱ１によつて制御される
トランジスタＴ１およびＴ４だけが作動し、第２
の場合即ち導線ｂが電位が導線ａの電位より高い
場合には、電流鏡像回路Ｓ２と、この回路Ｓ２に
よつて駆動される被制御βトランジスタＱ２と、
このトランジスタＱ２によつて制御されるトラン
ジスタＴ２およびＴ３だけが作動する。上記第１
の場合には電流はトランジスタＴ１から電話器回
路Ｃを介してトランジスタＴ４へ流れ、上記第２
の場合には電流はトランジスタＴ２から電話器回
路Ｃを介してトランジスタＴ３へ流れる。従つて
電話器回路に対しては電話回線の極性とは無関係
に常にブリツジの“＋”端子から“−”端子に向
う同一方向において電流が供給される。
このブリツジ接続トランジスタＴ１〜Ｔ４は飽
和領域で動作するように制御する。
本発明の整流回路の吸収電流は既知のブリツジ
回路の約半分であり、実際上、ブリツジ回路にお
いて電話回線の極性に応じて導通するpnpトラン
ジスタの出力ベースバイアス電流を、このトラン
ジスタに接続した被制御電流負荷トランジスタを
介して、対応して導通するnpnトランジスタの入
力ベースバイアス電流として再度使用する（少な
くとも被制御βトランジスタのベース電流は無視
できる）。従つて電流の吸収は１個のpnpトラン
ジスタのベース電流の値に等しくなる。
先に述べたようにブリツジ接続トランジスタは
飽和領域で作動するよう適切にバイアスして、ト
ランジスタブリツジ回路での電圧降下を可能な最
低値にするようにしている。
トランジスタの飽和電流負荷βsatはこのトラン
ジスタ自体の代表的な技術データであり、その値
はコレクタ電流1Csatおよびベース電流1Bsatの比
に等しい。各ブリツジ接続トランジスタについて
は、コレクタ・エミツタ飽和電圧およびベース・
エミツタ電圧の如き小さい電圧を無視すると、上
記ベース電流およびコレクタ電流は近似的に次式 1Bsat＝Ｖ／ZBおよび1Csat＝Ｖ／ZL から求めることができ、ここでＶは電話回線の電
圧であり、ZBは当該トランジスタのベースバイ
アス回路のインピーダンスであり、ZLはブリツジ
回路の正および負出力端子に接続した電話器回路
で構成される負荷インピーダンスである。従つて
トランジスタを飽和させるためのバイアス条件は ZB＝βsat・ZL である。電話回線接続端に対する整流回路のイン
ピーダンスは原理的にはブリツジ接続トランジス
タのベースバイアス回路のインピーダンスZBに
よつて決まる。
先に述べた既知の整流回路では各ブリツジ接続
トランジスタに関するインピーダンスZBが同じ
トランジスタのベース抵抗に等しいから、上記既
知の整流回路の電話回線からみたインピーダンス
Ｚはトランジスタの抵抗および内部容量を無視す
ると次式から Ｚ＝R1・R4／R1＋R4＝R2・R3／R2＋R3 として算出することができ、このインピーダンス
はベースバイアス回路のインピーダンスZBより
小さい（約半分）。然るに本発明の整流回路の電
話回線からみたインピーダンスは各ブリツジ接続
トランジスタのベースバイアス回路のインピーダ
ンスにほぼ等しく、実際上バイアス回路は同時に
導通しかつ関連する被制御電流負荷トランジスタ
を流れる同一電流によつて駆動される各トランジ
スタ対に共通である。
従つて負荷である電話器回路Ｃおよび使用され
るトランジスタが同一の場合、本発明の整流回路
の電話回線からみたインピーダンスは、既知の整
流回路の電話回線からみたインピーダンスの約２
倍になる。
電話器回路で構成される負荷の交流インピーダ
ンスはその直流インピーダンスより大きく（例え
ば約６倍）なるが、この負荷を接続したブリツジ
接続トランジスタのベースバイアス回路のインピ
ーダンスは回路中にリアクテイブ素子が含まれて
いないので一定値となる。一方、負荷である電話
器回路Ｃのインピーダンスは時間に対して変化す
るので、ベースバイアス回路が、トランジスタ
T1〜T4を飽和させるためのバイアス条件 ZB＝βsat・ZL を満足しなくなり、交流電流に対する動作が悪影
響を受けるおそれがある。
上述した不都合を解消するため、第３図に示し
た本発明の変形回路では直流電流および交流電流
の両方に対し飽和状態ならしめるためのバイアス
条件を満足するため適切なコンデンサＣ１を付加
し、かつ単一抵抗Ｒ１をこれと等価な１対の直列
接続抵抗Ｒ１およびＲ２によつて置換する。
既知の整流回路に比べ、ブリツジ接続トランジ
スタのベースバイアス回路にこれらブリツジ接続
トランジスタの制御電流を増幅する電流鏡像回路
を備える本発明の整流回路によれば実際上、かか
る簡単な回路変更によりバイアス回路のインピー
ダンスの交流電流に対する値を直流電流に対する
値より増大することができる。
実際上、交流電流に対してはトランジスタＱ１
およびＱ２を介してブリツジ接続トランジスタの
ベースを制御するため電流鏡像回路Ｓ１およびＳ
２で増幅されるこれらの電流鏡像回路の入力電流
は全入力電流の一部だけ直流電流であり、その理
由は入力電流がこれら電流鏡像回路の入力枝路に
並列接続したコンデンサＣ１にも流れるからであ
る。従つてブリツジ接続トランジスタの制御電流
は交流電流において小さく、かつバイアス回路の
インピーダンスは直流に対するより交流に対して
大きくなる。
抵抗Ｒ１またはこれと等価な１対の抵抗および
コンデンサＣ１のインピーダンス値の許容誤差は
小さくする必要があり、その理由はこれら回路素
子は通常許容誤差が30％にも達するので整流回路
の残りの部分と共にモノリシツク集積回路として
構成されないからである。
集積回路素子に対し結線を用いた個別素子は遥
に高価になる。従つて第３図の簡単な変形回路の
経済上の利点は明らかである。
本発明の整流回路は既知の集積回路技術により
モノリシツク半導体集積回路として構成するのに
特に好適である。
先に述べたようにバイアス回路の抵抗およびコ
ンデンサだけは集積回路化を除外して整流回路の
微調整可能な許容誤差の余裕範囲を狭い範囲内に
維持できるようにするのが便宜である。
以上、本発明を実施例につき詳細に説明したが
本発明はかかる実施例に限定されず、本発明の範
囲内で種々の変形が可能である。例えば、２個の
簡単な電流鏡像回路を当業者であれば例えば整流
回路が温度変化に応動しないようにするための回
路を有する複雑な電流鏡像回路で置換することが
でき、各ブリツジ接続トランジスタ（npn形およ
びpnp形の両方）を数個の直列接続トランジスタ
で置換することができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来の整流回路を示す回路図、第２図
は本発明の整流回路の実施例を示す回路図、第３
図は第２図の要部の変形例を示す回路図である。 Ｃ…電話器回路、Ｔ１〜Ｔ４…トランジスタブ
リツジ、Ｓ１，Ｓ２…電流鏡像回路。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ 加入者電話器回路を２線式電話回線に結合す
    るため、第１導電形式のバイポーラ第１トランジ
    スタＴ１およびバイポーラ第２トランジスタＴ２
    と、第１導電形式と反対の第２導電形式のバイポ
    ーラ第３トランジスタＴ３およびバイポーラ第４
    トランジスタＴ４とを備え、 前記第１トランジスタＴ１のコレクタと前記第
    ２トランジスタＴ２のコレクタとを相互接続し、
    かつ前記第３トランジスタＴ３のコレクタと前記
    第４トランジスタＴ４のコレクタとを相互接続
    し、これらコレクタ相互接続結線により加入者電
    話器回路を接続する第１（＋）端子および第２
    （−）端子を構成し、 前記第１トランジスタＴ１および第３トランジ
    スタＴ３のエミツタを電話回線の第１導線ａに接
    続し、かつ前記第２トランジスタＴ２および第４
    トランジスタＴ４のエミツタを電話回線の第２導
    線ｂに接続し、さらに前記第１〜第４トランジス
    タに対するバイアス回路を備えるトランジスタブ
    リツジ整流回路において、 前記バイアス回路が第１導電形式のバイポーラ
    第１被制御電流負荷トランジスタＱ１およびバイ
    ポーラ第２被制御電流負荷トランジスタＱ２を備
    え、前記第１被制御電流負荷トランジスタＱ１の
    エミツタおよびコレクタを前記第１トランジスタ
    Ｔ１のベースおよび前記第４トランジスタＴ４の
    ベースにそれぞれ接続し、前記第２被制御電流負
    荷トランジスタＱ２のエミツタおよびコレクタを
    前記第２トランジスタＴ２のベースおよび前記第
    ３トランジスタＴ３のベースにそれぞれ接続し、
    電話回線の電圧の極性に応動する前記第１および
    第２被制御電流負荷トランジスタＱ１，Ｑ２の制
    御回路を前記第１被制御電流負荷トランジスタの
    ベースおよび前記第２被制御電流負荷トランジス
    タのベースに接続するよう構成したことを特徴と
    するトランジスタブリツジ整流回路。 ２ 前記制御回路が電流発生回路手段並に第１電
    流鏡像回路Ｓ１および第２電流鏡像回路Ｓ２を備
    え、 前記第１電流鏡像回路Ｓ１が第２導電形式のバ
    イポーラ第５トランジスタＴ１０および第１導電
    形式のバイポーラ第６トランジスタＴ１１並びに
    第１ダイオードＤ１０および第２ダイオードＤ１
    １を有し、前記第５トランジスタＴ１０のコレク
    タを前記第１被制御電流負荷トランジスタＱ１の
    ベースに接続し、前記第１ダイオードＤ１０のカ
    ソードおよび前記第５トランジスタＴ１０のエミ
    ツタを電話回線の前記第２導線ｂに接続し、前記
    第１ダイオードのアノードを前記第５トランジス
    タＴ１０のベースおよび前記第６トランジスタＴ
    １１のコレクタに接続し、前記第２ダイオードＤ
    １１のアノードおよび前記第６トランジスタＴ１
    １のエミツタを電話回線の前記第１導線ａに接続
    し、前記第２ダイオードＤ１１のカソードを前記
    第６トランジスタＴ１１のベースおよび前記電流
    発生回路手段に接続し、 前記第２電流鏡像回路Ｓ２が第２導電形式のバ
    イポーラ第７トランジスタＴ１２および第３ダイ
    オードＤ１２を有し、前記第７トランジスタＴ１
    ２のコレクタを前記第２被制御電流負荷トランジ
    スタＱ２のベースに接続し、前記第３ダイオード
    Ｄ１２のカソードおよび前記第７トランジスタＴ
    １２のエミツタを電話回線の前記第１導線ａに接
    続し、前記第３ダイオードＤ１２のアノードを前
    記第７トランジスタＴ１２のベースおよび前記電
    流発生回路手段に接続した特許請求の範囲第１項
    記載の整流回路。 ３ 前記電流発生回路手段が抵抗Ｒ１を備え、前
    記抵抗の第１端子を前記第２ダイオードＤ１１の
    カソードおよび前記第３ダイオードＤ１２のアノ
    ードに接続し、前記抵抗の第２端子を電話回線の
    第２導線ｂに接続した特許請求の範囲第２項記載
    の整流回路。 ４ 前記電流発生回路手段が第１抵抗Ｒ１および
    第２抵抗Ｒ２を備え、前記第１抵抗Ｒ１の第１端
    子を前記第２ダイオードＤ１１のカソードおよび
    前記第３ダイオードＤ１２のアノードに接続し、
    前記第２抵抗Ｒ２の第１および第２端子を前記第
    １抵抗Ｒ１の第２端子および電話回線の前記第２
    導線ｂにそれぞれ接続し、 更に前記電流発生回路手段が電話回線の前記第
    １導線ａと、前記第１抵抗Ｒ１の第２端子および
    前記第２抵抗Ｒ２の第１端子の共通接続点との間
    に接続したコンデンサＣ１を備えた特許請求の範
    囲第２項記載の整流回路。 ５ 全体をモノリシツク半導体ブロツクにおける
    集積回路として構成した特許請求の範囲第１〜４
    項中のいずれか一項に記載の整流回路。 ６ 前記抵抗Ｒ１を除き全体をモノリシツク半導
    体ブロツクにおける集積回路として構成し、前記
    抵抗を個別素子として前記集積回路に接続した特
    許請求の範囲第３項記載の整流回路。 ７ 前記第１および第２抵抗並びに前記コンデン
    サを除き全体をモノリシツク半導体ブロツクにお
    ける集積回路として構成し、前記第１および第２
    抵抗並びに前記コンデンサを個別素子として前記
    集積回路に接続した特許請求の範囲第４項記載の
    整流回路。
JP57113804A 1981-06-30 1982-06-30 トランジスタブリツジ整流回路 Granted JPS589460A (ja)

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