JPS589460A - トランジスタブリツジ整流回路 - Google Patents

トランジスタブリツジ整流回路

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JPS589460A
JPS589460A JP57113804A JP11380482A JPS589460A JP S589460 A JPS589460 A JP S589460A JP 57113804 A JP57113804 A JP 57113804A JP 11380482 A JP11380482 A JP 11380482A JP S589460 A JPS589460 A JP S589460A
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circuit
diode
resistor
telephone line
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 不発明は電話用ブリッジ整流回路、特Ｇこ加入者電話器
回路を低い印加電圧の２線式電話回線Ｇこ結合するのに
使用でき、モノリシック集積回路構成とすることができ
るトランジスタブリッジ整流回路に関するものである。
２線式電話回線端における電圧の極性は、保守および修
理作業に当り偶発的な極性の反転が起り得るから、正確
には不定である。しかし電話器回路の端子には所定の一
定極性の電圧を供給する必要があり、従って電話器回路
は、電話回線の前記所定の一定極性が反転した場合電話
回線の電圧整流を行う回路を介して電話回線に結合する
必要がある。
この目的に対し既知の整流回路としてグレーツ（Ｇｒａ
ｅｔｚ　）ブリッジ回路形の整流回路が最も常用されて
いる。
既知のブリッジ形整流回路は、第１図に示したように、
ｐｎｐ形のバイポーラ第１および第２トランジスタＴＩ
およびＴ２並にｎｐｎ形のバイポーラ第８および第４ト
ランジスタＴ３およびＴ４を備えたブリッジ回路で構成
される。トランジスタＴｌのコレクタはトランジスタＴ
２のコレクタに接続し、トランジスタＴ３のコレクタは
トランジスタＴ４のコレクタＱ、：接続し、これらコレ
クタ結線により、電流を供給すべき電話器回路Ｃに対す
る第１および第２端子を構成する。トランジスタＴｌお
よびＴ８のエミッタは２線式電話回線の一方の導線ａに
接続し、トランジスタＴ２およびＴ４のエミッタは同じ
電話回線の叱方の導線すに接続する。
トランジスタＴ１およびＴ８のベースは抵抗Ｒ１および
Ｒ３を介して導線すにそれぞれ接続し、トランジスタＴ
２およびＴ４のベースは抵抗Ｒ２およびＲ４を介してそ
れぞれ導線ａに接続する。これラヘース抵抗はこれらブ
リッジ接続トランジスタを適切にバイアスするよう作動
する。
電話回線の極性が固定されている場合には、そのエミッ
タが電話回線の高電位の導線に接続されたｐｎｐ形トラ
ンジスタと、そのエミッタが低電位の導線に接続された
ｎｐｎ形トランジスタが導通し、池の２個のトランジス
タは遮断される。
従って電話器回路Ｃに供給される電流は常に、電話回線
の実際の極性とは無関係に、２個のｐｎｐ形トランジス
タのコレクタ間結線で構成された電話器回路の端子を介
して、２個のｎｐｎ形トランジスタのコレクタ間結線で
構成された′電話器回路の端子に流れ、両端子間の電圧
の極性は一定である。
上述した形式の既知のブリッジ整流回路は２個の導油状
態トランジスタのベース電流の和に等しい′４流を吸取
する。各ブリッジ接続トランジスタのベースバイアス回
路のインピーダンスは当該トランジスタのベース抵抗の
インピーダンスＱこ等しく、一定である。従って電話回
線からみた整流回路のインピーダンスは一定であり、２
個の導通状態トランジスタの並列接続ベース抵抗に等価
な抵抗のインピーダンスに等しい。
ブリッジ接続トランジスタの負荷は直流に比べ交流に対
して大きいインピーダンスを有する電話器回路で構成さ
れるから、後述する本発明の回路の動作の説明から明ら
かになるように、これらトランジスタのベースバイアス
回路の交流インピーダンスの値を直流インピーダンスの
値より大きくするのが有利である。しかしこれは、既知
の整流回路ではバイアス回路にリアクティブ素子を付加
することによっても達成することができない。
電話回線端子における′電圧と、電話器回路が接続され
るブリッジ整流回路端子における電圧の差として規定さ
れる″゛電圧喪失″は通常の作動状態では２個の導通状
態トランジスタのコレクターエミッタ飽和電圧の和に等
しい。
不発明の目的は、電話器回路を低電圧印加２線式電話回
線に結合するのに使用するモノリシック集積回路化トラ
ンジスタブリッジ整流回路であって、電圧喪失は従来の
整流回路と同じであり、′電流の吸収は従来の整流回路
より小さく、電話回線につき従来の整流回路より高いイ
ンピーダンスを有し、かつブリッジ接続トランジスタの
ベースバイアス回路の交流インピーダンスおよび直流イ
ンピーダンスノ間の比を僅かな固数のリアクティブ素子
を付加することにより選択できるようにするトランジス
タブリッジ整流回路を提供するにある次に、第２および
８図につき本発明の詳細な説明する。なお第１〜８図に
おいて対応する要素は同一記号で示す。
第２図に示した本発明の整流回路の実施例は１対のｐｎ
ｐ形バイポーラトランジスタＴｌおよびＴ２と、１対の
ｎｐｎ形バイポーラトランジスタＴ８およびＴ４とで構
成したトランジスタブリッジ回路を備える。トランジス
タＴＩのコレクタはトランジスタＴ２のコレクタＧこ接
続し、トランジスタＴ３のコレクタはトランジスタＴ４
のコレクタに接続し、これらコレクタ結線は電話器回路
Ｃを接続するための第１端子（＋記号を付した）および
第２端子（−記号を付した）を構成する０ トランジスタＴｌおよびＴ３のエミッタは２線式電話回
線の第１導線ａに接続し、トランジスタＴ２およびＴ４
のエミッタは電話回線の第２導線すに接続する。トラン
ジスタＴ１およびＴ４のベースはｐｎｐ形バイポーラト
ランジスタＴ５のエミッタおよびコレクタにそれぞれ接
続し、トランジスタＴ２およびＴ３のベースはｐｎｐ形
バイポーラトランジスタＴ６のエミッタおよびコレクタ
にそれぞれ接続する。トランジスタＴ５およびＴ６のベ
ースはｎｐｎ形バイポーラトランジスタＴＩＯおよびＴ
１２のコレクタにそれぞれ接続し、更にトランジスタＴ
５のベースおよびエミッタはダイオードＤ５のカソード
およびアノードにそれぞれ接続し、かつトランジスタＴ
６のベースおよびエミッタはダイオードＤ６のカソード
およびアノードにそれぞれ接続する。
トランジスタＴｌＯのベースおよびエミッタはダイオー
ドＤＩＯのアノードおよび電話回線の導線すにそれぞれ
接続する。トランジスタＴ１２のベースおよびエミッタ
はダイオードＤ１２の゛γアノードよび電話回線の導線
ａにそれぞれ接続する。ダイオードＤＩ（＋およびＤ１
２のカソードは電話回線の導線すおよびａにそれぞれ接
続する。またダイオードＤＩＯのアノードはｐｎｐ形バ
イポーラトランジスタＴｌｌのコレクタに接続し、この
トランジスタＴｌｌのベースおよびエミッタはダイオー
ドＤｌｌのカソードおよび電話回線の導＝ａにそれぞれ
接続するダイオードＤｌｌのアノードおよびカソードは
電話回線の導線ａおよび抵抗Ｒ１の一方の端子にそれぞ
れ接続し、またダイオードＤ１２のアノードも抵抗Ｒ１
のこの端子に接続する。抵抗Ｒ１の叱方端子は′電話回
線の導線すに直接接続する。
第３図は第２図（こおいてｐｎｐ形バイポーラトランジ
スタＴｌｌおよびｎｐｎ形バイポーラトランジスタＴ１
２並にダイオードＤｌｌおよびＤ１２を含む回路部分の
変形例を示す。第３図においてはトランジスタＴｌｌお
よびＴ１２のコレクタに接続する整流回路の部分は図示
してないが、この部分は第２図に示したものと同じであ
る。
第３図の例ではトランジスタＴｌｌのベースおよびエミ
ッタはダイオードＤｌｌのカソード並に′電話回線の導
１３ＬａおよびダイオードＤｌｌのアノードにそれぞれ
接続し、トランジスタＴ１２のベースおよびエミッタは
ダイオードＤ１２のアノード並に電話回線の導線ａおよ
びダイオードＤ１２のカソードにそれぞれ接続する。ま
たダイオードＤｌｌのカソードおよびダイオードＤ１２
のアノードは抵抗Ｒ１の一方の端子に接続し、抵抗Ｒ１
の叱方端子は抵抗Ｒ２の一方の端子に接続し、抵抗Ｒ２
の叱方端子は導線すに接続する。抵抗Ｒ１およびＲ２の
共通接続点並に導線ａの間にコンデンサＣ１を接続する
。
第２図の回路では電話回線Ｇこ信号が存在しない場合、
電話回線の電圧とダイオード（ＤｌｌまたはＤ１２）の
ジャンクション電圧との差に等しい一定電圧が抵抗Ｒ１
の両端子間に供給される（またコンデンサＣ１を含む第
８図の例の場合には上記一定電圧が直列抵抗Ｒ１および
Ｒ２の両端間に供給される）。従ってオームの法則によ
り抵抗Ｒ１（第８図の場合は抵抗Ｒ１およびＲ２）に一
定値の電流が流れ、この電流の方向は電話回線の極性に
よって決まる。
ダイオードＤ］、ＯおよびＤｌｌと、トランジスタＴｌ
ＯおよびＴｌｌと、これらを接続する結線により第１′
心流鏡酸回路を構成し、第２図においてこの第１′直流
鏡像回路を記号Ｓ１を付した破線ブロックで示し、同様
に、ダイオードＤ１２と、トランジスタＴ１２と、これ
らを接続する結線により第２電流鏡像回路を構成し、こ
の第２電流鏡像回路を記号Ｓ２を付した破線ブロックで
示す。
トランジスタＴ５およびこれに接続したダイオードＤ５
は通常、被制御電流負荷（β）形ｐｎｐバイポーラトラ
ンジスタと呼ばれる形式の第１トランジスタを構成し、
第２図においてこの第１被制御電流負荷トランジスタを
記＠Ｑｌを付した破線ブロックで示し、トランジスタＴ
６およびこれに接絖したダイオードＤ６は第２の被制御
電流負荷ｐｎｐバイポーラトランジスタを構成し、これ
を記号Ｑ２を付した破線ブロックで示す。このように構
成した１　ｉ１Ｋ制御電流負荷バイポーラトランジスタ
については既知のように、この被制御電流負荷バイポー
ラトランジスタに含まれるバイポーラトランジスタのベ
ース、エミッタ、コレクタおよび導電形式をこの被制御
電流負荷バイポーラトランジスタのベース、エミッタ、
コレクタおよヒ導電形式とすることができる。第１およ
び第２″１ｍｍｍ回路８１およびＳ２の入力枝路は抵抗
Ｒ１の一方の端子に接続し、第１および第２電流鏡像回
路ＳｌおよびＳ２の出力枝路は第１および第２被制御電
流負荷トランジスタＱ１およびＱ２のベースにそれぞれ
接続する。電流鏡瞭回ｗｊＳｌおよびＳ２の入力電流は
トランジスタＱ１およびＱ２のベースを介して制御する
ため固定された電ａ転送係数において鏡像関係にて送出
される。
電話回線の導線ａの電位が導線すの電位より高い場合に
は、トランジスタＴＩ　、　Ｔ４　、　Ｔ５　、ダイ（
］５　　） オードＤ５、トランジスタＴｌＯ、トランジスタＴｌｌ
およびダイオードＤｌｌは導通するが、トランジスタＴ
２　、　Ｔ８　、　Ｔ６　、ダイオードＤ６、トランジ
スタＴ１２およびダイオードＤ１２は遮断され、電話回
線の極性が反転して導線すの電位が導線ａの電位より高
くなった場合、上記トランジスタおよびダイオードの導
通状態および遮断状態は逆になる。
第１の場合即ち導線ａの電位が導線すの電位より高い場
合には、電流鏡像回路ｓｉと、この回路Ｓ１によって駆
動される被制御βトランジスタＱ１と、このトランジス
タＱｌによって制御されるトランジスタＴｌおよびＴ４
だけが作動し、第２の場合Ｉ！Ｏち導ｍｂの電位が導＃
Ｊａの電位より高い場合には、電流鏡像回路Ｓ２と、こ
の回路Ｓ２によって駆動される被制御βトランジスタＱ
２と、このトランジスタＱ２によって制御されるトラン
ジスタＴ２およびＴ３だけが作動する。上記第１の場合
には電流はトランジスタＴｌから電話器回路Ｏを介して
トランジスタＴ４へ流れ、上記第２の場合には電流はト
ランジスタＴ２から電話器回路Ｃを介しく　１６　　） てトランジスタＴ３へ流れる。従って電話器回路に対し
ては電話回線の極性とは無関係に常にブリッジの°゛十
°°端子から“−°°端子に向う同一方向において電流
が供給される。
整流回路のパラメータは、ブリッジ接続トランジスタが
導通時に飽和領域で作動するよう適切に選定する。
本発明の整流回路の吸収電流は既知のブリッジ回路の約
半分であり、実際上、ブリッジ回路において電話回線の
極性に応じて導通ずる１）ｎｐ）ランジスタの出力ベー
スバイアス電流を、このトランジスタに接続した被制御
電流負荷トランジスタを介して、対応して導通するｎｐ
ｎ　）ランジスタの入力ベースバイアス電流として再度
使用する（少なくとも被制御βトランジスタのベース電
流は無視できる）。従って電流の吸収は１個のｐｎｐ　
）ランジスタのベース電流の値に等しくなる。
先に述べたようにブリッジ接続トランジスタは飽和領域
で作動するよう適切にバイアスして、トランジスタブリ
ッジ回路での電圧長欠を可能な最低直にするようにして
いる。
トランジスタの飽和電流負荷βＳａｔはこのトランジス
タ自体の代表的な技術データであり、その値はコレクタ
電流１Ｃ６ａｔおよびベース電流■Ｂｓａｔの比に等し
い。各ブリッジ接続トランジスタについては、コレクタ
・エミッタ飽和電圧およびベース・エミッタ電圧の如き
小さい′電圧を無視すると上記ベース電流およびコレク
タ電流は近似的に次式 から求めることができ、ここでＶは電話回線の電圧であ
り、ＺＢは当該トランジスタのベースバイアス回路のイ
ンピーダンスであり、ｚＬはブリッジ回路の正および負
出力端子に接続した電話器回路で構成される負荷インピ
ーダンスである。従ってトランジスタを飽和させるため
のバイアス条件は ＺＢ−β５ａｔ−ＺＬ である。電話回線接続端に対する整流回路のインピーダ
ンスは原理的にはブリッジ接続トランジスタのベースバ
イアス回路のインピーダンスＺＢによって決まる。
先に述べた既知の整流回路では各ブリッジ接続トランジ
スタに関するインピーダンスＺＢが同じトランジスタの
ベース抵抗に等しいから、上記既知の整流回路の電話回
線からみたインピーダンス２はトランジスタの抵抗およ
び内部容量を無視すると次式から として算出することができ、このインピーダンスはベー
スバイアス回路のインピーダンスＺＢより小さい（約半
分）。然るに本発明の整流回路の電話回線からみたイン
ピーダンスは各ブリッジ接続トランジスタのベースバイ
アス回路のインピーダンスにほぼ等しく、実際上バイア
ス回路は同時に導通しかつ関連する被制御電流負荷トラ
ンジスタを流れる同一電流によって駆動される各トラン
ジスタ対に共通である。
従って負荷および使用されるトランジスタが等しく、本
発明の整流回路の電話回線からみたインピーダンスは既
知の整流回路の電話回線からみたインピーダンスの約２
倍になる。
電話器回路で構成される負荷の交流インピーダンスはそ
の直流インピーダンスより大きく（例えば約６倍）なる
が、この負荷を接続したブリッジ接続トランジスタのベ
ースバイアス回路のインピーダンスはこの回路にリアク
ティブ素子を含まない場合一定値を有する。
トランジスタを飽和させるためのバイアス条件ＺＢ−β
ｓａｔ　・ｚ” は満足されないから、交流電流に対する動作は殆んど影
響を受けない。
第８図に示した本発明の変形回路では直流電流および交
流電流の両方に対し飽和状態ならしめるためのバイアス
条件を満足するため適切なコンデンサＣＩを付加し、か
つ単一抵抗Ｒ１をこれと等価な１対の直列接続抵抗Ｒ１
およびＲ２によって置換する。
既知の整流回路に比べ、ブリッジ接続トランジスタのベ
ースバイアス回路にこれらブリッジ接続トランジスタの
制御電流を増幅する電流鏡像回路を備える本発明の整流
回路によれば実際上、かかる簡単な回路変更によりバイ
アス回路のインピーダンスの交流電流に対する値を直流
電流に対する埴より増大することができる。
実際上、交流電流に対してはトランジスタＱ１およびＱ
２を介してブリッジ接続トランジスタのベースを制御す
るため電流鏡像回路ＳｌおよびＳ２で増幅されるこれら
の電流鏡像回路の入力電流は全入力電流の一部だけ直流
電流であり、その理由は入力電流がこれら電流鏡像回路
の入力枝路に並列接続したコンデンサ０１＆こも流れる
からである。
従ってブリッジ接続トランジスタの制御電流は交流’ｇ
　ｉｔにおいて小さく、かつバイアス回路のインピーダ
ンスは直流に対するより交流に対して大きくなる。
抵抗Ｒ１またはこれと等価な１対の抵抗およびコンデン
サ０１のインピーダンス値の許容誤差は小さくする必要
があり、その理由はこれら回路素子は通常許容誤差が８
０％にも達するので整流回路の残りの部分と共にモノリ
シック集積回路として構成されないからである。
集積回路素子に対し結線を用いた個別菓子は遥′に高価
になる。従って第８図の簡単な変形回路の経済上の利点
は明らかである。
本発明の整流回路は既知の集積回路技術によりモノリシ
ック牛導体集積回路として構成するのに特に好適である
。
先に述べたようＱこバイアス回路の抵抗およびコンデン
サだけは集積回路化を除外して整流回路の鍼調整可能な
許容誤差の余裕範囲を狭い範囲内に維持できるようにす
るのが便宜である。
以上、本発明を実施例につき詳細に説明したが本発明は
かかる実施例に限定されず、本発明の範囲内で棟々の変
形が可能である。例えば、２個の簡単な電流鏡像回路を
当業者であれば例えば整流回路が温度変化（こ応動じな
いようにするための回路を有する複雑な電流鏡像回路で
置換することができ、各ブリッジ接続トランジスタ（ｎ
ｐｎ形およびｐｎｐ形の両方）を数個の直列接続トラン
ジスタで置換することができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来の整流回路を示す回路図、第２図は本発明
の整流回路の実１妬例祭示す回路図、 第８図は第２図の要部の変形例を示す回路図である。 Ｃ・・・電話器口１ｌｉ８Ｔｌ　−Ｔ４・・・トランジ
スタブリッジ　　　　　　　８１　、　Ｓ２・・・′亀
Ｗ、鏡像回路（２８） ＦＩＧ、　１

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 Ｌ　加入者電話器回路を２線式電話回線に結合するため
    、第１導′亀形式のバイポーラ第１トランジスタ（Ｔ１
    ）およびバイポーラ第２トランジスタ（Ｔ２）と、第１
    導電形式と反対の第２導電形式のバイポーラ第８トラン
    ジスタ（Ｔ３）およびバイポーラ第４トランジスタ（Ｔ
    ４）とを備え、 前記第１トランジスタ（Ｔ１）のコレクタと前記第２ト
    ランジスタ（Ｔ２）を相互接続し、かつ前記第８トラン
    ジスタ（Ｔ３）のコレクタと前記第４トランジスタ（Ｔ
    ４）のコレクタを相互接続し、これらコレクタ相互接続
    結線により加入者電話器回路を接続する第１（＋）端子
    および第２（−）端子を構成し、 前記第１トランジスタ（Ｔ１）および第８トランジスタ
    （Ｔ８）のエミッタを電話回線の第１導線（ａ）に接続
    し、かつ前記第２トランジスタ（Ｔ２）および第４トラ
    ンジスタ（Ｔ４）のエミッタを電話回線の第２導籾（ｂ
    ）に接続し；前記第１〜第４トランジスタに対するバイ
    アス回路を備えるトランジスタブリッジ整流回路におい
    て、 前記バイアス回路が第１導電形式のバイポーラ第１被制
    御電流負荷トランジスタ（Ｑｌ）およびバイボｉう′第
    ２被制御電流負荷トランジスタ（Ｑ２）を備え、前記第
    １被制御電流負荷トランジスタ（Ｑｌ）のエミッタおよ
    びコレクタを前記第１トランジスタ（Ｔｌ）のベースお
    よび前記第４トランジスタ（Ｔ４）のベースにそれぞれ
    接続し、前記第２被制御電流負荷トランジスタ（Ｑ２）
    のエミッタおよびコレクタを前記第２トランジスタ（Ｔ
    ２）のベースおよび前記第８トランジスタ（Ｔ３）のベ
    ースにそれぞれ接続し、電話回線の電圧の極性に応動す
    る前記第１および第２被制御電流負荷トランジスタ（Ｑ
    ｌ　、、Ｑ２　）の制御回路を前記第１被制御電流負荷
    トランジスタのベースおよび前記第２被制御電流負荷ト
    ランジスタのベースに接続するよう構成したことを特徴
    とするトランジスタブリッジ整流回路。 λ　前記制御回路が電流発生回路手段並に第１電流鏡像
    回路（８１）および第２電流鏡像回路（Ｓ２）を備え、 前記第１電流鏡鑞回路（Ｓｌ）が第２導電形式のバイポ
    ーラ第５トランジスタ（ＴＩＯ）および第１導′厩杉式
    のバイポーラ第６トランジスタ（Ｔｌｌ）並に第１ダイ
    オード（ＤＩＯ）および第２ダイオード（Ｄｌｌ）を有
    し、前記第５トランジスタ（ＴＩＯ）のコレクタを前記
    第１被制ｍ’ｉ流負荷トランジスタ（Ｑｌ）のベースに
    接続し、前記第１ダイオード（ＤＩＯ）のカソードおよ
    び前記第５トランジスタ（ＴＩＯ）のエミッタを電話回
    線の前記第２導線（’ｂ）に接続し、前記第１ダイオー
    ドのアノードを前記第５トランジスタ（ＴＩＯ）のベー
    スおよび前記第６トランジスタ（Ｔｌｌ）のコレクタに
    接続し、前記第２ダイオード（Ｄｌｌ）のアノードおよ
    び前記第６トランジスタ（Ｔｌｌ）のエミッタを′電話
    回線の前記第１導線（ａ）に接続し、前記第２ダイオー
    ド（Ｄｌｌ）のカソードを前記第６トランジスタ（Ｔｌ
    ｌ）のベースおよび前記電流発生回路子１蒙に接続し、 前記第２′市流錬像回路（Ｓ２）が第２導電形式のバイ
    ポーラ第７トランジスタ（Ｔ１２）および第８ダイオー
    ド（Ｄ１２）を有し、前記第７トランジスタ（Ｔ　１．
    ２　）のコレクタを前記第２被制’ｒｓ電流負荷トラン
    ジスタ（Ｑ、２）のベースに接続し、前記第８ダイオー
    ド（Ｄ１２）のカソードおよび前記第７トランジスタ（
    Ｔ１２）のエミッタを電話回線の前記第１導線（ａ）に
    接続し、前記第３ダイオード（Ｄ１２）のアノードを前
    記第７トランジスタ（Ｔ１２）のベースおよび前記′電
    流発生回路手段Ｇこ接続する特許請求の範囲第１項記載
    の整流回路。 ８　前記電流発生回路手段が抵抗（Ｒ１）を備え、前記
    抵抗の第１端子を前記第２ダイオード（Ｄ　１１．）の
    カソードおよび前記第３ダイオード（Ｄ１２）のアノー
    ドに接続し、前記抵抗の第２端子を電話回線の第２導線
    （１））に接続する特許請求の範囲第２項記載の整流回
    路。 表　前記電流発生回路手段が第１抵抗（Ｒ１）および第
    ２抵抗（Ｒ２）を備え、前記第１抵抗（Ｒ１）の第１端
    子を前記第２ダイオード（Ｄｌｌ）のカソードおよび前
    記第８ダイオード（Ｄ１２）のアノードに接続し、前記
    第２抵抗（Ｒ２）の第１および第２端子を前記第１抵抗
    （Ｒ１）の第２端子および電話回線の前記第２導線（ｂ
    ）にそれぞれ接続し、 更に前記１１１流発生回路手段が電話回線の前記第２導
    線（ａ）と、前記第１抵抗（Ｒ１）の第２端子および前
    記第２抵抗（Ｒ２）の第１端子の共通接続点との間に接
    続したコンデンサ（ＯＲ）を備える特許請求の範囲第２
    項記載の整流回路。 翫　全体をモノリシック半導体ブロックにおける集積回
    路として構成する特許請求の範囲第１〜４項中のいずれ
    か一項記載の整流回路。 ６　前記抵抗（Ｒｉ）を除き全体をモノ１ノシ゛ンク半
    導体ブロックにおける集積回路として構成し、前記抵抗
    を個別集子として前記集積回路に接続する特許請求の範
    囲第８項記載の整流回路。 ？、　前記第１および第２抵抗並に前記コンデンサを除
    き全体をモノリシック半導体プロ′ツクにおける集積回
    路として構成し、前記第１および第２抵抗並に前記コン
    デンサを個＋１ＪＩｌ素子として前記集積回路に接続す
    る特許請求の範囲第４項記載の整流回路。
JP57113804A 1981-06-30 1982-06-30 トランジスタブリツジ整流回路 Granted JPS589460A (ja)

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