JPH03276350A - 半導体不揮発性メモリへのデータ格納方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、車載用の電子制御装置、例えばアンチロッ
クブレーキ装置等の故障メモリに用いら′−れる不揮発
性メモリへのデータ格納方法に関する。

〔従来例〕

近年、自動車には、例えば、制動時の操舵性を改善する
アンチロックブレーキ、発進時等の加速時に駆動輪のス
リップを防止するトラクション制御システム、走行中の
車速を一定に保つ定速走行装置やエンジン制御装置・・
・・・・等の各種電子制御装置が搭載されている。

これらの電子制御装置には、自己診断機能が設けられて
おり、例えばアンチロックブレーキでは、ブレーキ圧制
御弁等の制御装置の駆動回路にセンサを設け、このセン
サからの信号を走行中宮に、基準と比較して正常／異常
の判定を行ない、もし異常があると、その判定信号を診
断部位等の必要情報と共に、コード化して不揮発性メモ
リに記憶しておき、異常発生を表示装置により表示する
と共に、点検時に試験装置によって前記メモリのデ−タ
を読み出し、例えば走行時にのみ発生する異常の修理に
役立てることにより、装置の安全性を確保している。

〔発明が解決しようとする課題〕

しかしながら、上記不揮発性メモリは、例えば高温状態
での使用（自動車搭載のため、しばしばそういう状態と
なる）やチップ内への湿気の侵入等による酸化膜の劣化
に伴い、メモリセルが縮退故障、即ち、セルの出力が０
又は１に固定した状態となる場合がある。また中央処理
装置と不揮発性メモリ間のデータバスの電源側あるいは
、グランド側へのショート故障や、不揮発性メモリ内部
データバスの電源側あるいは、グランド側へのショート
故障によって同じ値に縮退することが多々ある。

したがって、このように縮退故障を起こしたメモリセル
に書き込まれたデータを読み出すと、本来のデータと違
ったデータが出力されることになり、例えば、この誤デ
ータによりアンチロックブレーキ等でブレーキ系統の異
常を見誤ると、重大な事故を誘発する危険がある。

そこでこの発明では、上記メモリに縮退故障が生じた際
に、出力される誤ったデータを訂正し、正しいデータを
得られるようにして上記の課題を解決することを目的と
する。

〔課題を解決するための手段〕

上記の目的を達成するため、この発明にあっては制御装
置の故障データを記憶する半導体不揮発性コードメモリ
と、このメモリへ故障コードデータを格納し、かつ、読
み出しを行なう中央処理装置を車載用電子制御装置に設
け、前記中央処理装置が前記メモリへのデータ格納時は
、同一データを少なくとも異なる３アドレスに１ビット
ずつ回転させて、各アドレスの同一ビットの前記データ
が異なるように格納し、 一方、前記メモリからのデータの読み出し時には、各ア
ドレスから読み出したデータを、格納時と逆方向に同ビ
ット数回転させた後、各データの同一ビットごとにデー
タ値を比較し、そのビットごとのデータ値の多数値をも
って出力データとする構成としたのである。

〔作用〕

このように構成される半導体不揮発性メモリへのデータ
の書き込み方法は、例えば、下記のように、同一のビッ
トデータａ、ｂ、ｃ、ｄを下記のように異なるアドレス
のメモリ１、メモリ２、メモリ３へ１ビットづつ左へ回
転させて（（ｂｉｔ、。ｌ）←（ｂｉｔ、　）、（ｂｘ
ｔ、　）←（ｂｉｔ３）　）各アドレスの同一ビットの
データが異なるように格納する。

ビット ３　　２　　１　　０ 一方、読み出す際には、読み出したアドレスのデータを
格納時と逆に、右方向へ格納時と同数回転させｃ（ｂｉ
ｔ、−、）←（ｂｔｔ＋＋＋）　、（ｂｉｔｓ）←（ｂ
ｉｔＪ）、得られた各データのビットごとのデータ値の
多数値を真のデータとする。

もし、この時、例えばＥ”　ＰＲＯＭ内部データバスの
ビット３が縮退故障を起こすと、各メモリに格納された
データは下記のように、 ビット ３　　２　　１　　０ ３　　　　２　　　　１　　　　０ ３　　　　２　　　　１　　　　０ ＊：故障のためデータネ定 となり、各メモリ１．２．３のビット３のデータは不定
となる。ところが、各メモリ１．２．３には同一データ
が１ビットずつ回転して格納されており、このため、メ
モリ１のビット３に正常に格納されていなければならな
いデータａはメモリ２のビット０及びメモリ３のビット
１に格納されている。同様に、メモリ２のビット３のデ
ータｂは、メモリ１のビット２及びメモリ３のビットＯ
に格納され、メモリ３のビット３のデータＣもメモリ１
のビットｌ及びメモリ２のビット２に格納されている。

このように３つのメモリを使用すると、故障ビットに格
納されていなければならない正常なデータは、常に他の
２つのメモリの正常なビットに格納されており、読み出
した各メモリ１．２．３のデータを格納時と逆に回転さ
せて得られたデータは、 となり、各ビットごとにデータの多数決を取ることによ
って、ビット３ではａ５以下同様に、ビット２ではす、
ビット１ではＣ，ビット０ではｄ。

をもって正しいデータ出力とする。

〔実施例〕

以下この発明を第１図から第４図に基づいて説明する。

第１図に示す車載用電子制御装置（ＥＣＵ）１０は、自
動車のアンチロックブレーキシステムに用いられるもの
で、制御の中枢として働く中央処理装置の例えば、８ビ
ットワンチツプマイクロコンピユータ（以下ＭＰＵ）３
にＥ”　ＰＲＯＭ等の半導体不揮発性メモリの故障コー
ドメモリ５、レベル変換回路７、人力処理回路２、エン
ジン回転数の検出出力をディジタル化して出力する２値
化回路６及び、警報ランプ１５やブレーキ駆動用のソレ
ノイドバルブ１３等の駆動回路４等の各回路が接続され
て構成されている。

入力処理回路２は、各車輪に設けられた磁気車速センサ
５ｌ−３４から出力される信号を波形処理を行なってＭ
ＰＵ３へ入力している。一方ＭＰＵ３が、ブレーキペダ
ルＰが踏まれたことをインターフェース回路１８を介し
て検知すると、前記入力から、例えば内部タイマ等を用
いて検出した車速と、２値化回路６を介して入力される
エンジン回転数のディジタル入力とをパラメータとして
、内蔵ＲＯＭに書き込まれた処理プログラムに従って駆
動回路４を駆動し、ブレーキソレノイド１３を作動させ
てブレーキを働かせる。

この時、ＭＰＵ３では、例えば車速センサＳ１〜Ｓ４の
出力パルスの有無から車速センサＳ１〜Ｓ４の故障や、
ソレノイド１３の作動をモニタして、ソレノイド１３の
異常を検出する自己診断プログラムも実行しており、こ
の自己診断プログラムにより、異常を検出すると、ＭＰ
Ｕ３は、異常を出力したセンサＳ、〜Ｓ４、ソレノイド
１３等を示すコード番号と異常状態を示すコードとから
なる故障コードを、故障コードメモリ５に格納すると共
に、駆動回路４を作動させて警告燈１５を点燈する。

また、試験装置（図示していない）をレベル変換回路７
の端子Ｓ　ｉｓ、Ｓｏ、７に接続し、例えばブレーキペ
ダルＰ等を踏むと、ＭＰＵ３は、故障コードメモリ５か
ら故障コードを読み出し、レベル変換回路７を介して試
験装置に出力する。

いま、この実施例で故障コードの故障コードメモリ５へ
の格納方法及び、そのデータ処理について説明する。

上記のようにＭＰＵ３が、自己診断プログラムによる診
断結果を、例えば４ビットの１０１０とし、この故障コ
ードを４ビットＥ”　ＦＲＯＭの故障コードメモリ６へ
格納する場合に、ＭＰＵ３は、アキエムレータ内の故障
データを第２図（ａ）に示すように故障コードメモリ５
のアドレスＡへ格納する。

次に、ＭＰＵ３は、アキュムレータ内のデータを回転（
ローテーシタン）命令により、左右どちらでもよいが、
例えば同図Φ）に示すように左方向へ１　ｂｉｔ回転し
て故障コードメモリ５のアドレスＢへ格納し、さらに、
この回転したアキュムレータをもう一度左方向へ回転し
て、同図（Ｃ）に示すように、故障コードメモリ５のア
ドレスＣへ格納し、各アドレスの同一ビットに入力デー
タが異なるように格納する。

一方、ＭＰＵ３が故障コードメモリ５からデータを読み
出し、試験装置に出力する場合、ＭＰＵ３は、故障コー
ドメモリ５のアドレスＡ、アドレスＢ、アドレスＣから
データを読み込み、アドレスＢのデータを、格納時とは
逆に、１ビット右回転し、また、アドレスＣのデータも
同様に２ビット右回転して内部レジスタに記憶し、各ビ
ットごとのジャンプテーブル等をもうけ、そのテーブル
より各ビットの多数値を夏出し、その結果から正確なデ
ータを試験機に出力する。このように故障コードメモリ
５の３アドレスへ同一データを１ビットずつ回転させな
がら格納し、読み出してからもとのように回転させると
、例えば、故障コードメモリ５に故障がないと、各アド
レスＡＳＢ、Ｃのデータは第３図に示すように全てのビ
ットで同じ値を取る。

一方、故障コードメモリ５内部データバスのビット３が
故障ビットで、例えば１に縮退していると、読み出して
シフトさせたデータは、第４図の陰影部に示すように、
アドレスＡのメモリのビット３、アドレスＢのメモリの
とット２及びアドレスＣのメモリのピントｌが１に縮退
する。

しかしながら、これら各ビットの真のデータは、自身以
外のアドレスのメモリの縮退故障のないビットに格納さ
れており、このため、同図のように元のビット列と同じ
順序に並べ替えた後に、各ビットごとにデータ値（ｌｏ
ｒｄ）の多い方を取れば元のデータを再現できる。した
がって、本実施例では、第４図に示すように、各ビット
ごとにデータの多数決を取ると、ビット３が１に縮退し
ているため、ビット２以外では全て同一データ値が多数
を占めているが、ビット２では０が２個、１が１個とな
る。このため、ビット２の多数決を取って、有効データ
を０とすると、故障コードメモリ５に格納したデータ１
０１０が得られるため、上記の処理により、前記メモリ
５から誤って出力されたデータの訂正が行なえる。又こ
の場合には多数決を取ったことにより縮退故障の検出も
行なえる。

〔効果〕

この発明は以上のように構成したので、例えば半導体不
揮発性メモリに縮退故障が生じ、誤って出力されたデー
タを訂正して、正しいデータを得ることができる。この
ため、例えば車載用電子制御装置に使用すると、データ
誤りによる事故を未然に防止することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図乃至第４図はこの発明の一実施例を示し、第１図
はそのブロック図、第２図、第３図及び第４図は作用説
明図である。 １０・・・・・・車載用電子制御装置、５・・・・・・
故障コードメモリ、３・・・・・・中央処理装置。 第２図 （ａ）アドレスＡ　［ｒ［Ｅ丁コ１ココアドレス１のデ
ータロ＝四ロコ］工ロ アドレス２のデータ［こｑ丁にコ アドレス１のデータＵ アドレス２のデータｆ アドレス３のデータｄ白コＩＦ

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）制御装置の故障データを記憶する半導体不揮発性
   コードメモリと、このメモリへ故障コードデータを格納
   し、かつ、読み出しを行なう中央処理装置を車載用電子
   制御装置に設け、前記中央処理装置が前記メモリへのデ
   ータ格納時は、同一データを少なくとも異なる３アドレ
   スに１ビットずつ回転させて、各アドレスの同一ビット
   の前記データが異なるように格納し、 一方、前記メモリからのデータの読み出し時には、各ア
   ドレスから読み出したデータを、格納時と逆方向に同ビ
   ット数回転させた後、各データの同一ビットごとにデー
   タ値を比較し、そのビットごとのデータ値の多数値をも
   って出力データとすることを特徴とする半導体不揮発性
   メモリへのデータ格納方法。