JPH03261647A - Ｙ↓１Ｂａ↓２Ｃ↓ｕ↓３Ｏ↓７↓−↓ｘ系酸化物超電導体焼結体の製造法 - Google Patents
Ｙ↓１Ｂａ↓２Ｃ↓ｕ↓３Ｏ↓７↓−↓ｘ系酸化物超電導体焼結体の製造法Info
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- JPH03261647A JPH03261647A JP2059112A JP5911290A JPH03261647A JP H03261647 A JPH03261647 A JP H03261647A JP 2059112 A JP2059112 A JP 2059112A JP 5911290 A JP5911290 A JP 5911290A JP H03261647 A JPH03261647 A JP H03261647A
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
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- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Hydrogen, Water And Hydrids (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、酸化ビスマス（Ｂｉ２０３）を添加すること
により強磁場下においても高臨界電流密度の超電導特性
を示すＹ１Ｂａ２Ｃｕ３０□−１系酸化物超電導体焼結
体の製造法に関する。
により強磁場下においても高臨界電流密度の超電導特性
を示すＹ１Ｂａ２Ｃｕ３０□−１系酸化物超電導体焼結
体の製造法に関する。
［従来の技術］
Ｙ１Ｂａ２Ｃｕ３０□−１系酸化物超電導体焼結体の成
形体を製造する方法としては、従来から溶融法と焼結法
とが知られている。
形体を製造する方法としては、従来から溶融法と焼結法
とが知られている。
溶融法は、酸化物超電導体材料の原料である酸化イツト
リウム（Ｙ２Ｏ２）、炭酸バリウム（Ｂ ａ Ｃ０３）
および酸化銅（Ｃｕｂ、）（７）混合物、または、Ｙｌ
Ｂ ａ ２ Ｃｕ ３０７−！のバルク材を１．４００
〜１，５００℃で溶かして型に流し込み、急冷してディ
スク状の成形体を形成する。こうして得られた成形体を
１，２００〜１，０００℃付近で焼成してＹ２ Ｂａ、
Ｃｕ、０．の微結晶を作り、次いで、１．０００℃以下
でこれにＢａＣｕＯ２およびＣｕＯを包晶反応させてＹ
ＨＢ ａ ２ ＣＬｌ ３０７−ｘの超電導体を形成
する。
リウム（Ｙ２Ｏ２）、炭酸バリウム（Ｂ ａ Ｃ０３）
および酸化銅（Ｃｕｂ、）（７）混合物、または、Ｙｌ
Ｂ ａ ２ Ｃｕ ３０７−！のバルク材を１．４００
〜１，５００℃で溶かして型に流し込み、急冷してディ
スク状の成形体を形成する。こうして得られた成形体を
１，２００〜１，０００℃付近で焼成してＹ２ Ｂａ、
Ｃｕ、０．の微結晶を作り、次いで、１．０００℃以下
でこれにＢａＣｕＯ２およびＣｕＯを包晶反応させてＹ
ＨＢ ａ ２ ＣＬｌ ３０７−ｘの超電導体を形成
する。
この溶融法では、臨界電流密度（以下、Ｊｃという）の
比較的高い超電導体が得られるが、前記型に流し込んで
急冷する際にクラックが発生し易い。また、前記焼成は
、前記ディスク状成形体を敷き板に載置して行われるが
、このときディスク状成形体の一部が溶けて敷き板に融
着し、焼成後これをはがすときに破壊されることが多い
。それゆえ、この溶融法では、大きな成形体として、超
電導体を得ることが困難であった。
比較的高い超電導体が得られるが、前記型に流し込んで
急冷する際にクラックが発生し易い。また、前記焼成は
、前記ディスク状成形体を敷き板に載置して行われるが
、このときディスク状成形体の一部が溶けて敷き板に融
着し、焼成後これをはがすときに破壊されることが多い
。それゆえ、この溶融法では、大きな成形体として、超
電導体を得ることが困難であった。
一方焼結法には、２つの方法がある。
その１つは酸化イツトリウム（Ｙ２Ｏ３）、炭酸バリウ
ム（ＢａＣＯｉ）および酸化銅（Ｃｕ０１）の各粉末、
または、酸化イツトリウム（Ｙ２０３ ） 、酸化バリ
ウム（ＢａＯ，）（１≦Ｘ≦２）および酸化銅（Ｃｕｂ
、）（１／２≦ｙ≦１）の各粉末を所定量ずつよく混合
した後に、９００〜９５０℃で焼威し、Ｙ １Ｂ ａ
２ Ｃｕ ３０７−Ｘバルクを形成する方法である。他
の１つは、酸化イツトリウム（Ｙ２Ｏ３）、炭酸バリウ
ム（ＢａＣＯ３）および酸化銅（Ｃｕｂ、）の各粉末を
所定量硝酸で溶かした後、シュウ酸（ＨＯＯＣ−ＣＯＯ
Ｈ）で共沈させてＹ：Ｂａ：Ｃｕ−１：２：３の組成の
共沈物を作成し、これを８５０℃〜９５０℃で焼成して
Ｙ １Ｂ ａ ２ Ｃｕ ３０７−ｘの微粉を作り、こ
の粉末を用いてＹｌＢ ａ ２ Ｃｕ ３０７−ｘのバ
ルクを形成する方法である。これら、いずれの焼結法も
前記溶融法に比較して外形寸法の大きい超電導体が得ら
れる。
ム（ＢａＣＯｉ）および酸化銅（Ｃｕ０１）の各粉末、
または、酸化イツトリウム（Ｙ２０３ ） 、酸化バリ
ウム（ＢａＯ，）（１≦Ｘ≦２）および酸化銅（Ｃｕｂ
、）（１／２≦ｙ≦１）の各粉末を所定量ずつよく混合
した後に、９００〜９５０℃で焼威し、Ｙ １Ｂ ａ
２ Ｃｕ ３０７−Ｘバルクを形成する方法である。他
の１つは、酸化イツトリウム（Ｙ２Ｏ３）、炭酸バリウ
ム（ＢａＣＯ３）および酸化銅（Ｃｕｂ、）の各粉末を
所定量硝酸で溶かした後、シュウ酸（ＨＯＯＣ−ＣＯＯ
Ｈ）で共沈させてＹ：Ｂａ：Ｃｕ−１：２：３の組成の
共沈物を作成し、これを８５０℃〜９５０℃で焼成して
Ｙ １Ｂ ａ ２ Ｃｕ ３０７−ｘの微粉を作り、こ
の粉末を用いてＹｌＢ ａ ２ Ｃｕ ３０７−ｘのバ
ルクを形成する方法である。これら、いずれの焼結法も
前記溶融法に比較して外形寸法の大きい超電導体が得ら
れる。
［発明が解決しようとする課題］
ところが、上述の従来の焼結法は、いずれも、高い臨界
電流密度を有する焼結体を得るのが難しく、特に磁場下
（Ｈｅ、以上）では内部に侵入した磁束のクリープによ
って電流方向に抵抗を発生してしまうため、磁場下（Ｈ
ｃ、以上）での臨界電流密度の減少が著しいという欠点
があった。
電流密度を有する焼結体を得るのが難しく、特に磁場下
（Ｈｅ、以上）では内部に侵入した磁束のクリープによ
って電流方向に抵抗を発生してしまうため、磁場下（Ｈ
ｃ、以上）での臨界電流密度の減少が著しいという欠点
があった。
本発明は、上述の背景のもとでなされたものであり、強
磁場下（Ｈｃ、以上）においても高い臨界電流密度を維
持できるＹｌＢ ａ ２ Ｃｕ ３０７−＊系酸化物超
電導体焼結体の製造法を提供するものである。
磁場下（Ｈｃ、以上）においても高い臨界電流密度を維
持できるＹｌＢ ａ ２ Ｃｕ ３０７−＊系酸化物超
電導体焼結体の製造法を提供するものである。
［課題を解決するための手段］
本発明者らは、斯る課題を解決するため鋭意研究した結
果、Ｙ１Ｂａ２Ｃｕ３０７−ｘの微粉末に、所定量のＢ
ｉ２Ｏ，の微粉末を添加することによって強磁場下にお
いても高い臨界電流密度を維持する超電導体の焼結体が
得られることを見い出し、本発明に到達した。
果、Ｙ１Ｂａ２Ｃｕ３０７−ｘの微粉末に、所定量のＢ
ｉ２Ｏ，の微粉末を添加することによって強磁場下にお
いても高い臨界電流密度を維持する超電導体の焼結体が
得られることを見い出し、本発明に到達した。
すなわち本発明は、平均粒径１０ｚｏｅ以下のＹ。
Ｂａ２ ＣｕＩ２０ｔ−ｘの粉末と、平均粒径１０ｍ以
下のＢｉ２Ｏ３の粉末とをＹ １Ｂ ａ ２ Ｃｕ ３
０７−ｘに対しＢ１２Ｑ３が４．５重量％以下となる割
合、好ましくは０．５〜３．５重量％となる割合で混合
し、次いで、得られた混合物を９３０”Ｃ〜１．ＯＨ’
ｃの温度下で焼成してＹｌＢ ａ ２’ Ｃｕ ３０７
−Ｘを主相とする焼結体を得ることを特徴とするＹＩＢ
ａ２Ｃｕ３Ｑ□−１系酸化物超電導体焼結体の製造法を
提供する。
下のＢｉ２Ｏ３の粉末とをＹ １Ｂ ａ ２ Ｃｕ ３
０７−ｘに対しＢ１２Ｑ３が４．５重量％以下となる割
合、好ましくは０．５〜３．５重量％となる割合で混合
し、次いで、得られた混合物を９３０”Ｃ〜１．ＯＨ’
ｃの温度下で焼成してＹｌＢ ａ ２’ Ｃｕ ３０７
−Ｘを主相とする焼結体を得ることを特徴とするＹＩＢ
ａ２Ｃｕ３Ｑ□−１系酸化物超電導体焼結体の製造法を
提供する。
［作 用］
本発明で得られる焼結体は、粒径数１０ｍ以上の結晶粒
からなり、零磁場Ｊ ｃ （７７Ｋ）が数１０（ＩＡ／
Ｃｍ２以上であり、がっ、十分な大きさの外形寸法を有
するＹｌＢ ａ ２ Ｃｕ ３０７−＊系酸化物超電導
体焼結体である。
からなり、零磁場Ｊ ｃ （７７Ｋ）が数１０（ＩＡ／
Ｃｍ２以上であり、がっ、十分な大きさの外形寸法を有
するＹｌＢ ａ ２ Ｃｕ ３０７−＊系酸化物超電導
体焼結体である。
本発明の方法で使用するＹ、 Ｂａ２Ｃｕ。
０７−ｘの粉末およびＢｉ２Ｏ３の粉末の平均、粒径を
それぞれ１０血以下としたのは、これらの粉末の粒径が
ｌＯｚｃｍを越えると、得られる焼結体の磁場下におけ
るＪｃの減少が著しくなるからである。
それぞれ１０血以下としたのは、これらの粉末の粒径が
ｌＯｚｃｍを越えると、得られる焼結体の磁場下におけ
るＪｃの減少が著しくなるからである。
また、前記焼成温度を９３０〜１，０００℃としたのは
、９３０℃未満ては焼成の効果が得られなくなり、一方
、１．０００℃を超えると、焼成の際に、Ｙ１Ｂａ２
ＣｕＩ２０７−ｔの結晶相以外の結晶相ができ、これが
ため、磁場下でのＪｃが著しく小さくなるからである。
、９３０℃未満ては焼成の効果が得られなくなり、一方
、１．０００℃を超えると、焼成の際に、Ｙ１Ｂａ２
ＣｕＩ２０７−ｔの結晶相以外の結晶相ができ、これが
ため、磁場下でのＪｃが著しく小さくなるからである。
上述の方法で得たＹ １Ｂ ａ ２ Ｃｕ ３０７−ｘ
からなる焼結体は、従来の方法によって得た焼結体と比
較して、結晶粒１つ１つの表面近傍に、添加したＢｉ２
Ｏ３が均等に分散しているため、焼結体にＨｃ１以上の
磁場がかけられて磁束が超電導体に侵入しても、分散し
たＢ１２Ｑ、が有効な磁束ピン止めの中心になり、Ｊｃ
減少の原因となっている磁束クリープを抑えて磁場下で
も高い臨界電流密度を維持できるものと推定される。
からなる焼結体は、従来の方法によって得た焼結体と比
較して、結晶粒１つ１つの表面近傍に、添加したＢｉ２
Ｏ３が均等に分散しているため、焼結体にＨｃ１以上の
磁場がかけられて磁束が超電導体に侵入しても、分散し
たＢ１２Ｑ、が有効な磁束ピン止めの中心になり、Ｊｃ
減少の原因となっている磁束クリープを抑えて磁場下で
も高い臨界電流密度を維持できるものと推定される。
［実施例１］
Ｙ２Ｏ３１ＢａＯおよびＣｕＯの、平均粒径がそれぞれ
３ｕＴ＠以下の粉末をＹ：Ｂａ：Ｃｕ−２：１：１にな
るように混合し、この混合粉を９４０℃にて２０時間焼
成してＹ２ Ｂ ａ １Ｃｕ ＋ ０５の焼結体を得た
。
３ｕＴ＠以下の粉末をＹ：Ｂａ：Ｃｕ−２：１：１にな
るように混合し、この混合粉を９４０℃にて２０時間焼
成してＹ２ Ｂ ａ １Ｃｕ ＋ ０５の焼結体を得た
。
次に、この焼結体を粉砕して平均粒径３血以下のＹ２
Ｂ ａ ｌＣｕ ＋ ０．からなる第１の粉末を作製し
た。
Ｂ ａ ｌＣｕ ＋ ０．からなる第１の粉末を作製し
た。
一方１ＢａＯとＣｕＯの平均粒径がそれぞれ３血以下の
粉末を３：５の割合で混合し、この混合物を８５０℃に
て２０時間焼成した後、粉砕して平均粒径３血以下の第
２の粉末を作製した。
粉末を３：５の割合で混合し、この混合物を８５０℃に
て２０時間焼成した後、粉砕して平均粒径３血以下の第
２の粉末を作製した。
次いで得られた、前記第１の粉末と第２の粉末とをＹ：
Ｂａ：Ｃｕ−１：２：３の割合になるように混合し、Ｌ
ｔｏｎ／ｃ１１！２の圧力でプレス成型したものを９
７０℃にて２０時間、酸素雰囲気中で焼成したところ、
１００ｚｏ＋＋角の板状結晶を主相とするＹ１Ｂａ２Ｃ
ｕ３０７−１の焼結体を得た。
Ｂａ：Ｃｕ−１：２：３の割合になるように混合し、Ｌ
ｔｏｎ／ｃ１１！２の圧力でプレス成型したものを９
７０℃にて２０時間、酸素雰囲気中で焼成したところ、
１００ｚｏ＋＋角の板状結晶を主相とするＹ１Ｂａ２Ｃ
ｕ３０７−１の焼結体を得た。
次いで得られた焼結体を粉砕して平均粒径１０血以下の
Ｙ １Ｂ ａ ２ Ｃｕ ３０７−ｘの合成粉となした
後、該粉末中に平均粒径１０血のＢｉ２Ｏ３の粉末をＹ
） Ｂ ａ ２ Ｃｕ ３０７−ｘに対しＢ１２Ｑ３
が１重量％となる割合で混合し、この混合物を９４５℃
の温度下で３０時間焼成してＹ、 Ｂａ２（：、 ｕ
３０７−ｘを主相とする焼結体を得た。
Ｙ １Ｂ ａ ２ Ｃｕ ３０７−ｘの合成粉となした
後、該粉末中に平均粒径１０血のＢｉ２Ｏ３の粉末をＹ
） Ｂ ａ ２ Ｃｕ ３０７−ｘに対しＢ１２Ｑ３
が１重量％となる割合で混合し、この混合物を９４５℃
の温度下で３０時間焼成してＹ、 Ｂａ２（：、 ｕ
３０７−ｘを主相とする焼結体を得た。
この焼結体の臨界温度（Ｊ ｃ）は９０にで、零磁場Ｊ
ｃは７７にで１０３Ａ／ｃｍ２以上であった。また、外
部磁場を１５ｆ）Ｇａｕｓｓかけたときの７７にでのＪ
ｃは８００ Ａ／ｃ１であった。
ｃは７７にで１０３Ａ／ｃｍ２以上であった。また、外
部磁場を１５ｆ）Ｇａｕｓｓかけたときの７７にでのＪ
ｃは８００ Ａ／ｃ１であった。
フラックスのピンニングポテンシャルを測定したところ
０．７ｅＶであった。
０．７ｅＶであった。
［実施例２］
実施例１の工程で得られた平均粒径１０伽以下のＹ１Ｂ
ａ２ Ｃｕ３０７−ｘの合成粉に、平均粒径１゜血以下
Ｂｉ２Ｏ３の粉末を前者に対し後者が２重量％の割合で
混合し、９４５℃の温度下で３０時間焼成してＹ１Ｂａ
２ Ｃｕ３０７−Ｘを主相とする焼結体を得た。
ａ２ Ｃｕ３０７−ｘの合成粉に、平均粒径１゜血以下
Ｂｉ２Ｏ３の粉末を前者に対し後者が２重量％の割合で
混合し、９４５℃の温度下で３０時間焼成してＹ１Ｂａ
２ Ｃｕ３０７−Ｘを主相とする焼結体を得た。
得られた焼結体に外部磁場を１５０Ｇａｕｓｓかけたと
きの７７にでのＪｃは、４００Ａ／ｃｎ２であった。な
お、臨界温度（Ｔｃ）と零磁場Ｊｃの値は実施例１と同
等であった。
きの７７にでのＪｃは、４００Ａ／ｃｎ２であった。な
お、臨界温度（Ｔｃ）と零磁場Ｊｃの値は実施例１と同
等であった。
［比較例１コ
実施例１の工程で得られた平均粒径１ｏ血以下のＹ ）
Ｂ ａ ２ ＣＬｌ ３０７−ｔの合成粉に、平均粒
径１０血以下Ｂｉ２Ｏ３の粉末を前者に対し後者が５重
量％の割合で混合し、９４５℃の温度下で３０時間焼成
してＹ１Ｂａ２ Ｃｕ３０７−１を主相とする焼結体を
得た。
Ｂ ａ ２ ＣＬｌ ３０７−ｔの合成粉に、平均粒
径１０血以下Ｂｉ２Ｏ３の粉末を前者に対し後者が５重
量％の割合で混合し、９４５℃の温度下で３０時間焼成
してＹ１Ｂａ２ Ｃｕ３０７−１を主相とする焼結体を
得た。
得られた焼結体に外部磁場を１５０Ｇａｕｓｓかけたと
きの７７にでのＪｃは、３０Ａ／ｅｍ２と大幅に減少し
た。
きの７７にでのＪｃは、３０Ａ／ｅｍ２と大幅に減少し
た。
［比較例２ユ
実施例１の工程で得られた” Ｂａ２ Ｃｕ３０７−！
の焼結体を粉砕することなく、そのまま使用して外部磁
場を１５０Ｇａｕｓｓかげた時の７７にでのＪｃは、１
００／ｃｆｆ１２であった。
の焼結体を粉砕することなく、そのまま使用して外部磁
場を１５０Ｇａｕｓｓかげた時の７７にでのＪｃは、１
００／ｃｆｆ１２であった。
また、フラックスのピンニングポテンシャルを測定した
ところ０．５ｅＶであった。
ところ０．５ｅＶであった。
以上の実施例から、Ｂｉ２Ｏ，の粉末の添加は、４．５
重量％以下とするのが好ましいことがゎかった。
重量％以下とするのが好ましいことがゎかった。
［発明の効果〕
本発明は上述のようにＢｉ２Ｏ，の粉末を添加すること
によって、ＹｌＢ ａ ２ Ｃｕ ３０７−焼結体の結
晶粒１つ１つの表面近傍に均等にＢｉ２Ｏ３が分散され
るようにしたため、磁場がこれらの焼結体に侵入したと
きに、これらＢｉ２Ｏ，粒子が有効な磁束ピン止めの中
心として作用し、ピンニングポテンシャルが高くなるこ
とで磁束クリープを抑えて、強磁場下ても高い臨界電流
密度を示すＹ１Ｂａ２ Ｃｕ３ ｏ７−！系酸化物超電
導体焼結体が得られるようになった。
によって、ＹｌＢ ａ ２ Ｃｕ ３０７−焼結体の結
晶粒１つ１つの表面近傍に均等にＢｉ２Ｏ３が分散され
るようにしたため、磁場がこれらの焼結体に侵入したと
きに、これらＢｉ２Ｏ，粒子が有効な磁束ピン止めの中
心として作用し、ピンニングポテンシャルが高くなるこ
とで磁束クリープを抑えて、強磁場下ても高い臨界電流
密度を示すＹ１Ｂａ２ Ｃｕ３ ｏ７−！系酸化物超電
導体焼結体が得られるようになった。
Claims (1)
- 平均粒径１０μｍ以下のＹ＿１Ｂａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿７
＿−＿ｘの粉末と、平均粒径１０μｍ以下のＢｉ＿２Ｏ
＿３の粉末とをＹ＿１Ｂａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿７＿−＿ｘ
に対しＢｉ＿２Ｏ＿３の量が４．５重量％以下となる割
合で混合し、次いで、得られた混合物を９３０℃〜１，
０００℃の温度下で焼成してＹ＿１Ｂａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ
＿７＿−＿ｘを主相とする焼結体を得ることを特徴とす
るＹ＿１Ｂａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿７＿−＿ｘ系酸化物超電
導体焼結体の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2059112A JPH03261647A (ja) | 1990-03-10 | 1990-03-10 | Ｙ↓１Ｂａ↓２Ｃ↓ｕ↓３Ｏ↓７↓−↓ｘ系酸化物超電導体焼結体の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2059112A JPH03261647A (ja) | 1990-03-10 | 1990-03-10 | Ｙ↓１Ｂａ↓２Ｃ↓ｕ↓３Ｏ↓７↓−↓ｘ系酸化物超電導体焼結体の製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03261647A true JPH03261647A (ja) | 1991-11-21 |
Family
ID=13103908
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2059112A Pending JPH03261647A (ja) | 1990-03-10 | 1990-03-10 | Ｙ↓１Ｂａ↓２Ｃ↓ｕ↓３Ｏ↓７↓−↓ｘ系酸化物超電導体焼結体の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03261647A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63303851A (ja) * | 1987-06-05 | 1988-12-12 | Nippon Steel Corp | 超電導セラミックス焼結体 |
-
1990
- 1990-03-10 JP JP2059112A patent/JPH03261647A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63303851A (ja) * | 1987-06-05 | 1988-12-12 | Nippon Steel Corp | 超電導セラミックス焼結体 |
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