JPH03233944A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH03233944A JPH03233944A JP2028234A JP2823490A JPH03233944A JP H03233944 A JPH03233944 A JP H03233944A JP 2028234 A JP2028234 A JP 2028234A JP 2823490 A JP2823490 A JP 2823490A JP H03233944 A JPH03233944 A JP H03233944A
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- chip
- adhesive
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- lead frame
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Links
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 12
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
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- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/741—Apparatus for manufacturing means for bonding, e.g. connectors
- H01L2224/743—Apparatus for manufacturing layer connectors
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
- H01L2224/83194—Lateral distribution of the layer connectors
Landscapes
- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
半導体装置の製造方法、特にチップをＩＣパッケージ又
はリードフレームにベースト状接着剤によりダイボンデ
ィングする方法に関し、ダイボンディングの接着品質の
向上を目的とし、ＩＣパッケージ又はリードフレームの
チップボンディング領域の一部にベースト状接着剤を盛
り付ける工程と、該チップ搭載領域にチップを斜め方向
から押し付け倒し込む工程と、該チップを倒し込んだ後
スクラブ動作させる工程とを有するように構成する。
はリードフレームにベースト状接着剤によりダイボンデ
ィングする方法に関し、ダイボンディングの接着品質の
向上を目的とし、ＩＣパッケージ又はリードフレームの
チップボンディング領域の一部にベースト状接着剤を盛
り付ける工程と、該チップ搭載領域にチップを斜め方向
から押し付け倒し込む工程と、該チップを倒し込んだ後
スクラブ動作させる工程とを有するように構成する。
本発明は半導体装置の製造方法に関し、特にチップをＩ
Ｃパッケージ又はリードフレームにベースト状接着剤に
よりダイボンディングする方法に関する。
Ｃパッケージ又はリードフレームにベースト状接着剤に
よりダイボンディングする方法に関する。
ダイポンディング後の接着強度は、チップとリードフレ
ーム又はパッケージ間の接着剤ベースト密度でほぼ決定
される。特にチップサイズが大きくなると、ベースト密
度が不均一になり、そのためチップに歪を生じチップ割
れが生ずるという問題があり、この対策が要求されてい
る。
ーム又はパッケージ間の接着剤ベースト密度でほぼ決定
される。特にチップサイズが大きくなると、ベースト密
度が不均一になり、そのためチップに歪を生じチップ割
れが生ずるという問題があり、この対策が要求されてい
る。
（従来の技術］
従来の半導体装置の製造方法を第２図及び第３図に示す
。第２図はリードフレームを用いる場合であり、先ず同
図（ａ）に示すように半導体チップ１をリードフレーム
２のダイステージ部２ａに接着剤を用いて接着し、該チ
ップｌの電極をリードフレーム２のリード２ｂとの間に
細線３でワイヤボンディングし、次いで（ｂＪ図の如く
リードフレーム２の表裏から樹脂４でモールドした後、
リードフレーム２のタイバー２０を切断除去し、最後に
（Ｃ）図の如くリード５を折曲形成して完成品とするの
である。また第３図はプラスチック又はセラミックのパ
ッケージを用いる場合であり、先ず同図（ａ）に示すよ
うに予めリード５をインサートモールドしたプラスチッ
ク又はセラミックのパッケージ６の凹部にチップ１を接
着固定し、該チップｌの電極とパッケージ６のインナー
リード５ａとの間を細線３でワイヤボンディングした後
、同図（ｂ）に示すようにパッケージ６の凹部をキャッ
プ７で封止して完成する。
。第２図はリードフレームを用いる場合であり、先ず同
図（ａ）に示すように半導体チップ１をリードフレーム
２のダイステージ部２ａに接着剤を用いて接着し、該チ
ップｌの電極をリードフレーム２のリード２ｂとの間に
細線３でワイヤボンディングし、次いで（ｂＪ図の如く
リードフレーム２の表裏から樹脂４でモールドした後、
リードフレーム２のタイバー２０を切断除去し、最後に
（Ｃ）図の如くリード５を折曲形成して完成品とするの
である。また第３図はプラスチック又はセラミックのパ
ッケージを用いる場合であり、先ず同図（ａ）に示すよ
うに予めリード５をインサートモールドしたプラスチッ
ク又はセラミックのパッケージ６の凹部にチップ１を接
着固定し、該チップｌの電極とパッケージ６のインナー
リード５ａとの間を細線３でワイヤボンディングした後
、同図（ｂ）に示すようにパッケージ６の凹部をキャッ
プ７で封止して完成する。
このような半導体装置の製造方法において、デツプ１を
リードフレーム２又はパッケージ６に接（３） 着する方法（ダイホンディング）としては第４図に示す
ような方法がとられている。
リードフレーム２又はパッケージ６に接（３） 着する方法（ダイホンディング）としては第４図に示す
ような方法がとられている。
この方法は先ず同図（ａ）に示すようにリードフレーム
のダイステージ部又はパッケージのチップ搭載領域８に
ベースト状の接着剤９をデイスペンサーにより多数の点
状に吐出しておき、この上に同図（ｂ）の如く真空チャ
ック１０で把持したチップｌを上方より押し付け、さら
に同図（Ｃ）に示す如く前後左右ににスクラブして同図
（ｄ）の如く接着を完了するのである。
のダイステージ部又はパッケージのチップ搭載領域８に
ベースト状の接着剤９をデイスペンサーにより多数の点
状に吐出しておき、この上に同図（ｂ）の如く真空チャ
ック１０で把持したチップｌを上方より押し付け、さら
に同図（Ｃ）に示す如く前後左右ににスクラブして同図
（ｄ）の如く接着を完了するのである。
上記の従来のチップをベースト状接着剤でリードフレー
ム又はパッケージに接着する半導体装置の製造方法では
、第４図（ａ）の如くデイスペンサーから点状に吐出さ
れたベースト状接着剤９の間に空気が存在するため、第
４図（Ｃ）に示すようにチップ１を押圧したとき前記の
空気が接着剤層の中に気泡となって残り、応力歪の発生
や、接着強度不足などが生ずるという問題があった。
ム又はパッケージに接着する半導体装置の製造方法では
、第４図（ａ）の如くデイスペンサーから点状に吐出さ
れたベースト状接着剤９の間に空気が存在するため、第
４図（Ｃ）に示すようにチップ１を押圧したとき前記の
空気が接着剤層の中に気泡となって残り、応力歪の発生
や、接着強度不足などが生ずるという問題があった。
（４）
本発明は上記従来の問題点に鑑み、ダイボンディングの
接着品質を向上可能とした半導体装置の製造方法を提供
することを目的とする。
接着品質を向上可能とした半導体装置の製造方法を提供
することを目的とする。
（課題を解決するための手段〕
上記目的を達成するために、本発明の半導体装置の製造
方法では、ＩＣパッケージ又はリードフレームのチップ
搭載領域８の一部にベースト状接着剤９を盛り付ける工
程と、該チップ搭載Ｎ域８にチップ１を斜め方向から押
し付け倒し込む工程と、該チップｌを倒し込んだ後スク
ラブ動作させる工程とを有することを特徴とする。
方法では、ＩＣパッケージ又はリードフレームのチップ
搭載領域８の一部にベースト状接着剤９を盛り付ける工
程と、該チップ搭載Ｎ域８にチップ１を斜め方向から押
し付け倒し込む工程と、該チップｌを倒し込んだ後スク
ラブ動作させる工程とを有することを特徴とする。
チップ搭載領域８の一部にベースト状接着剤９を盛り付
け、その盛り付けられた接着剤９をチップで斜め方向か
ら押し付け倒し込むことにより接着剤９への空気の巻き
込みがなく、さらにチップ１をスクラブ動作させること
により、接着剤９はチップｌの接着面全体に拡がり、気
泡を含まない（５） 良好な接着剤層が得られる。
け、その盛り付けられた接着剤９をチップで斜め方向か
ら押し付け倒し込むことにより接着剤９への空気の巻き
込みがなく、さらにチップ１をスクラブ動作させること
により、接着剤９はチップｌの接着面全体に拡がり、気
泡を含まない（５） 良好な接着剤層が得られる。
第１図は本発明の実施例を示す図であり、（ａ）〜（ｄ
）はその工程を示す。
）はその工程を示す。
本実施例は先ず（ａ）図に示すように、リードフレーム
又はパッケージ１３のチップ搭載Ｎ域８の一部にベース
ト状の接着剤９を盛り付ける。この接着剤を盛り付ける
場合、チップ搭載領域の長さをＤとすると接着剤盛り付
けの中心はチップ搭載領域８の中心から＋７４’ｏ”％
Ｄ程度ずらすと良い。次に（ｂ）図に示すように、ダイ
ボンディング装置のチャック１０にチップ１を把持させ
、該チップ１をチップ搭載領域８に斜め方向から押し付
け矢印入方向に倒し込んで行く。これにより接着剤９は
気泡を含まないようにして押し拡げられる。なおチャッ
ク１０は第１のアームＩｆの先端に揺動可能に接続され
た第２のアーム１２に支持されており、第１のアームＩ
Ｉは前後方向（Ｘ方向）、左右方向（Ｙ方向）及び上下
方向（Ｘ方向）に移動可能（６） であり、第２のアーム１２は上下方向の回動（θ方向）
及び左右方向の回動（ψ方向）ができるようになってい
る。
又はパッケージ１３のチップ搭載Ｎ域８の一部にベース
ト状の接着剤９を盛り付ける。この接着剤を盛り付ける
場合、チップ搭載領域の長さをＤとすると接着剤盛り付
けの中心はチップ搭載領域８の中心から＋７４’ｏ”％
Ｄ程度ずらすと良い。次に（ｂ）図に示すように、ダイ
ボンディング装置のチャック１０にチップ１を把持させ
、該チップ１をチップ搭載領域８に斜め方向から押し付
け矢印入方向に倒し込んで行く。これにより接着剤９は
気泡を含まないようにして押し拡げられる。なおチャッ
ク１０は第１のアームＩｆの先端に揺動可能に接続され
た第２のアーム１２に支持されており、第１のアームＩ
Ｉは前後方向（Ｘ方向）、左右方向（Ｙ方向）及び上下
方向（Ｘ方向）に移動可能（６） であり、第２のアーム１２は上下方向の回動（θ方向）
及び左右方向の回動（ψ方向）ができるようになってい
る。
次に（Ｃ）図に示すようにチップ搭載面と平行になった
チップ１をアーム１１によって前後左右に動かしスクラ
ブ動作させる。これにより（ｄ）図の如く接着剤９をチ
ップ１の接着面の全面に拡げることができる。この後チ
ャック１０をチップ１から離脱させ接着を完了する。
チップ１をアーム１１によって前後左右に動かしスクラ
ブ動作させる。これにより（ｄ）図の如く接着剤９をチ
ップ１の接着面の全面に拡げることができる。この後チ
ャック１０をチップ１から離脱させ接着を完了する。
以上説明した様に、本発明によれば、ベースト状接着剤
に気泡を含ませないようにして密度を均一とし、安定し
たダイボンディングが可能となる。
に気泡を含ませないようにして密度を均一とし、安定し
たダイボンディングが可能となる。
特に気泡を取り込みやすい大チップのポンディング不良
の減少に寄与するところ大である。
の減少に寄与するところ大である。
第１図は本発明の実施例を示す図、
第２図及び第３図は従来の半導体装置の製造方法を示す
図、 第４図は従来のチップ接着方法を示す図である。 図において、 １はチップ、 ８はチップ搭載領域、９は
ベースト状接着剤、 １０はチャック、１１は第１
のアーム、 １２は第２のアーム、１３はリードフ
レーム又はパッケージ を示す。
図、 第４図は従来のチップ接着方法を示す図である。 図において、 １はチップ、 ８はチップ搭載領域、９は
ベースト状接着剤、 １０はチャック、１１は第１
のアーム、 １２は第２のアーム、１３はリードフ
レーム又はパッケージ を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、ＩＣパッケージ又はリードフレームのチップ搭載領
域（８）の一部にベースト状接着剤（９）を盛り付ける
工程と、 該チップ搭載領域（８）にチップ（１）を斜め方向から
押し付け倒し込む工程と、 該チップ（１）を倒し込んだ後スクラブ動作させる工程
、 とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2028234A JPH03233944A (ja) | 1990-02-09 | 1990-02-09 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2028234A JPH03233944A (ja) | 1990-02-09 | 1990-02-09 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03233944A true JPH03233944A (ja) | 1991-10-17 |
Family
ID=12242906
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2028234A Pending JPH03233944A (ja) | 1990-02-09 | 1990-02-09 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03233944A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10145826C1 (de) * | 2001-09-13 | 2003-01-23 | Siemens Ag | Verfahren zum Verbinden eines Bauelements mit einem Substrat und zur Durchführung dieses Verfahrens geeigneter Vorratsbehälter und geeignetes Handhabungsgerät |
| JP2012099559A (ja) * | 2010-10-29 | 2012-05-24 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | 電子部品の実装方法、および電子部品の実装構造 |
-
1990
- 1990-02-09 JP JP2028234A patent/JPH03233944A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10145826C1 (de) * | 2001-09-13 | 2003-01-23 | Siemens Ag | Verfahren zum Verbinden eines Bauelements mit einem Substrat und zur Durchführung dieses Verfahrens geeigneter Vorratsbehälter und geeignetes Handhabungsgerät |
| JP2012099559A (ja) * | 2010-10-29 | 2012-05-24 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | 電子部品の実装方法、および電子部品の実装構造 |
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