JPH10107075A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
半導体装置及びその製造方法Info
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- H01L2924/1815—Shape
Abstract
(57)【要約】
【課題】同一製造ラインでアウタリード付きのLOC構
造とBGA構造の両パッケージの製造を可能とする。 【解決手段】LOC構造を用いたリードフレーム4にて
製造する方法でモールド樹脂8封止部表面にくぼみ9を
つけそのパッケージはリード成形まで行なう。そして、
パッケージ表面のくぼみ9に半田ボール3をリードフレ
ーム4と固着させることにより本発明の半導体装置が実
現可能となる。
造とBGA構造の両パッケージの製造を可能とする。 【解決手段】LOC構造を用いたリードフレーム4にて
製造する方法でモールド樹脂8封止部表面にくぼみ9を
つけそのパッケージはリード成形まで行なう。そして、
パッケージ表面のくぼみ9に半田ボール3をリードフレ
ーム4と固着させることにより本発明の半導体装置が実
現可能となる。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置に関し、
特に樹脂封止型の半導体装置に関する。
特に樹脂封止型の半導体装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来の半導体装置のLOC(Lead
on Chip)構造は、図3(a)に示すように、ア
ウタリード1が必ず形成されていた。一方、BGA(B
allGrid Aryay)構造では、図3(b)に
示すように、アウタリードは形成されておらず、両方の
構造を兼ね備えた半導体装置は存在しなかった。
on Chip)構造は、図3(a)に示すように、ア
ウタリード1が必ず形成されていた。一方、BGA(B
allGrid Aryay)構造では、図3(b)に
示すように、アウタリードは形成されておらず、両方の
構造を兼ね備えた半導体装置は存在しなかった。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】第1の問題点は、異る
構造のTSOP(Thin Small Outlin
e Package)とBGAの半導体装置を製造する
場合、同一設備を共用することはできなかった。その理
由は、それぞれ、素材及び構造が異るためである。
構造のTSOP(Thin Small Outlin
e Package)とBGAの半導体装置を製造する
場合、同一設備を共用することはできなかった。その理
由は、それぞれ、素材及び構造が異るためである。
【0004】現在、TSOPとBGAは、製造ラインが
異なる為2種類の製造方法で使用設備及び治工具も異な
る為多大な設備投資費が必要でかつ、製造ラインを確立
する期間も数ケ月必要である為ユーザーの要求する期日
に合わせ製品化することが困難であった為、これらを解
消することが本発明の目的である。
異なる為2種類の製造方法で使用設備及び治工具も異な
る為多大な設備投資費が必要でかつ、製造ラインを確立
する期間も数ケ月必要である為ユーザーの要求する期日
に合わせ製品化することが困難であった為、これらを解
消することが本発明の目的である。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置は、
樹脂封止型の半導体装置において、樹脂部側面からアウ
タリードを導出するTSOPの形態と、前記樹脂部表面
に半田ボールを形成したBGAの形態との両方の構造を
兼ね備えたことを特徴とする。
樹脂封止型の半導体装置において、樹脂部側面からアウ
タリードを導出するTSOPの形態と、前記樹脂部表面
に半田ボールを形成したBGAの形態との両方の構造を
兼ね備えたことを特徴とする。
【0006】本発明の半導体装置の製造方法は、LOC
構造を有するリードフレームのテープに半導体チップを
固着する工程と、この半導体チップの電極パッドと前記
リードフレームとをワイヤボンディングによって接続す
る工程と、くぼみのある金型にてモールド樹脂にて封止
しくぼみのあるモールド樹脂を形成する工程と、このモ
ールド樹脂の前記くぼみに半田ボールを形成し前記リー
ドフレームと固着させる工程とを有することを特徴とす
る。
構造を有するリードフレームのテープに半導体チップを
固着する工程と、この半導体チップの電極パッドと前記
リードフレームとをワイヤボンディングによって接続す
る工程と、くぼみのある金型にてモールド樹脂にて封止
しくぼみのあるモールド樹脂を形成する工程と、このモ
ールド樹脂の前記くぼみに半田ボールを形成し前記リー
ドフレームと固着させる工程とを有することを特徴とす
る。
【0007】
【発明の実施の形態】次に本発明の一実施の形態につい
て図面を参照して説明する。
て図面を参照して説明する。
【0008】図1(a),(b)及び(c)は本発明の
一実施の形態の半導体装置の平面図、短片側の側面図及
び長片側の側面図である。本発明の一実施の形態の半導
体装置は、図1に示すように、樹脂部2の側面からアウ
タリード1を導出するTSOPの形態を有し、樹脂部2
表面に半田ボール3を形成してBGA構造も兼ね備えて
いる。
一実施の形態の半導体装置の平面図、短片側の側面図及
び長片側の側面図である。本発明の一実施の形態の半導
体装置は、図1に示すように、樹脂部2の側面からアウ
タリード1を導出するTSOPの形態を有し、樹脂部2
表面に半田ボール3を形成してBGA構造も兼ね備えて
いる。
【0009】図2(a)〜(f)は本発明の一実施の形
態の半導体装置の製造方法を説明する工程順に示した断
面図である。本発明の一実施の形態の半導体装置の製造
方法は、まず、図2(a)に示すLOC構造を有するリ
ードフレーム4のテープ5に図2(b)に示すように、
半導体チップ6を固着する。次に、図2(c)に示すよ
うに、半導体チップ6の電極パッドとリードフレーム4
とをワイヤボンディング7によって接続させる。次に、
図2(d)に示すように、くぼみのある金型にてモール
ド樹脂8で封止しモールド樹脂8にくぼみ9を形成す
る。次に、図2(e)に示すように、アウタリードの成
形を行い、図2(f)に示すように、モールド樹脂8の
くぼみ9に半田ボール3を形成させ、リードフレーム4
と半田ボール3を固着させる。
態の半導体装置の製造方法を説明する工程順に示した断
面図である。本発明の一実施の形態の半導体装置の製造
方法は、まず、図2(a)に示すLOC構造を有するリ
ードフレーム4のテープ5に図2(b)に示すように、
半導体チップ6を固着する。次に、図2(c)に示すよ
うに、半導体チップ6の電極パッドとリードフレーム4
とをワイヤボンディング7によって接続させる。次に、
図2(d)に示すように、くぼみのある金型にてモール
ド樹脂8で封止しモールド樹脂8にくぼみ9を形成す
る。次に、図2(e)に示すように、アウタリードの成
形を行い、図2(f)に示すように、モールド樹脂8の
くぼみ9に半田ボール3を形成させ、リードフレーム4
と半田ボール3を固着させる。
【0010】
【発明の効果】第1の効果は、異なる構造のTSOPと
BGAが同一製造ラインにて製造可能となる。その理由
は、LOC構造を用いることにより、リードフレームに
て製造するラインを用いBGA構造の半導体装置も製造
できることである。
BGAが同一製造ラインにて製造可能となる。その理由
は、LOC構造を用いることにより、リードフレームに
て製造するラインを用いBGA構造の半導体装置も製造
できることである。
【図1】(a),(b)及び(c)は本発明の一実施の
形態の半導体装置の平面図、短辺側の側面図及び長辺側
の側面図である。
形態の半導体装置の平面図、短辺側の側面図及び長辺側
の側面図である。
【図2】(a)〜(f)は本発明の一実施の形態の半導
体装置の製造方法を説明する工程順に示した断面図であ
る。
体装置の製造方法を説明する工程順に示した断面図であ
る。
【図3】(a),(b)はそれぞれ従来のLOC構造及
びBGA構造の半導体装置の断面図である。
びBGA構造の半導体装置の断面図である。
1 アウタリード 2 樹脂部 3 半田ボール 4 リードフレーム 5 テープ 6 半導体チップ 7 ワイヤボンディグ 8 モールド樹脂 9 くぼみ
Claims (2)
- 【請求項1】 樹脂封止型の半導体装置において、樹脂
部側面からアウタリードを導出するThin Smal
l Outline Pakageの形態と、前記樹脂
部表面に半田ボールを形成したBall Grid A
rrayの形態との両方の構造を兼ね備えたことを特徴
とする半導体装置。 - 【請求項2】 Lead on Chip構造を有する
リードフレームのテープに半導体チップを固着する工程
と、この半導体チップの電極パッドと前記リードフレー
ムとをワイヤボンディングによって接続する工程と、く
ぼみのある金型にてモールド樹脂にて封止しくぼみのあ
るモールド樹脂を成形する工程と、このモールド樹脂の
前記くぼみに半田ボールを形成し前記リードフレームと
固着させる工程とを有することを特徴とする半導体装置
の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25642796A JP2845841B2 (ja) | 1996-09-27 | 1996-09-27 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25642796A JP2845841B2 (ja) | 1996-09-27 | 1996-09-27 | 半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10107075A true JPH10107075A (ja) | 1998-04-24 |
JP2845841B2 JP2845841B2 (ja) | 1999-01-13 |
Family
ID=17292520
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP25642796A Expired - Fee Related JP2845841B2 (ja) | 1996-09-27 | 1996-09-27 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2845841B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6300165B2 (en) * | 1999-11-15 | 2001-10-09 | Substrate Technologies Incorporated | Ball grid substrate for lead-on-chip semiconductor package |
US6331738B1 (en) | 1998-12-08 | 2001-12-18 | Nec Corporation | Semiconductor device having a BGA structure |
KR20020057358A (ko) * | 2001-01-04 | 2002-07-11 | 마이클 디. 오브라이언 | 멀티칩 모듈 패키지 및 제조방법 |
KR100726762B1 (ko) * | 2000-12-21 | 2007-06-11 | 삼성테크윈 주식회사 | 반도체 리드프레임과 이를 채용한 반도체 패키지 |
-
1996
- 1996-09-27 JP JP25642796A patent/JP2845841B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6331738B1 (en) | 1998-12-08 | 2001-12-18 | Nec Corporation | Semiconductor device having a BGA structure |
US6300165B2 (en) * | 1999-11-15 | 2001-10-09 | Substrate Technologies Incorporated | Ball grid substrate for lead-on-chip semiconductor package |
KR100726762B1 (ko) * | 2000-12-21 | 2007-06-11 | 삼성테크윈 주식회사 | 반도체 리드프레임과 이를 채용한 반도체 패키지 |
KR20020057358A (ko) * | 2001-01-04 | 2002-07-11 | 마이클 디. 오브라이언 | 멀티칩 모듈 패키지 및 제조방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2845841B2 (ja) | 1999-01-13 |
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---|---|---|---|
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